JPH02267259A - 熱プラズマ蒸発法による成膜方法 - Google Patents
熱プラズマ蒸発法による成膜方法Info
- Publication number
- JPH02267259A JPH02267259A JP1086637A JP8663789A JPH02267259A JP H02267259 A JPH02267259 A JP H02267259A JP 1086637 A JP1086637 A JP 1086637A JP 8663789 A JP8663789 A JP 8663789A JP H02267259 A JPH02267259 A JP H02267259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- torch
- plasma
- substrate
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 8
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- -1 BaCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は熱プラズマ中で微粉末を蒸発させ、該蒸気を構
成する原子又は分子、若しくは該蒸気を構成する原子又
は分子とプラズマガスとの反応物をサブストレート上に
膜状に堆積させる熱プラズマ蒸発法による成膜方法に関
する。
成する原子又は分子、若しくは該蒸気を構成する原子又
は分子とプラズマガスとの反応物をサブストレート上に
膜状に堆積させる熱プラズマ蒸発法による成膜方法に関
する。
［従来の技術］
粉末状の物質を蒸発させ、該蒸気をサブストレート上に
膜状に付着させる方法として、フラッシュ蒸着方法があ
る。この方法では、第２図に示す様に、バイブレータ１
．でシュート２を震動させる事により該シュート２を通
じてホッパー３に収容された粉末状の物質を蒸発源４に
導いている。該蒸発源は蓋の無い金属容器４Ａの周囲に
ヒータ４Ｂが巻かれた構造のもので、該蒸発源により該
粉末状の物質を瞬間的に蒸発させ、該蒸気をサブストレ
ート５上に膜状に堆積させている。
膜状に付着させる方法として、フラッシュ蒸着方法があ
る。この方法では、第２図に示す様に、バイブレータ１
．でシュート２を震動させる事により該シュート２を通
じてホッパー３に収容された粉末状の物質を蒸発源４に
導いている。該蒸発源は蓋の無い金属容器４Ａの周囲に
ヒータ４Ｂが巻かれた構造のもので、該蒸発源により該
粉末状の物質を瞬間的に蒸発させ、該蒸気をサブストレ
ート５上に膜状に堆積させている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、この方法では、蒸発源４の容器４Ａを成す高融
点金属（通常、タングステン）が不純物としてターゲッ
ト５に堆積する問題がある。又、蒸発量が限定される為
、該蒸気と化学反応を行なう為の機構の導入が困難であ
る。
点金属（通常、タングステン）が不純物としてターゲッ
ト５に堆積する問題がある。又、蒸発量が限定される為
、該蒸気と化学反応を行なう為の機構の導入が困難であ
る。
さて、近時、粉末状の物質を誘導プラズマ中を通して溶
かし、該溶融した物質をサブストレートターゲット上に
導き該サブストレート上に該物質の膜を形成する方法が
実施され様としているが、この方法では誘導プラズマ中
で溶融した物質、即ち、液状の物質をサブストレート上
に付着さ、せるという溶融凝縮を利用しており、実質的
に数ミクロンの径の大きい粒子が付着する事になる。そ
の為、形成される膜の構造制御に限界り、又、プラズマ
ガスとの反応に基づく反応膜をターゲット上に形成する
事が出来ない。
かし、該溶融した物質をサブストレートターゲット上に
導き該サブストレート上に該物質の膜を形成する方法が
実施され様としているが、この方法では誘導プラズマ中
で溶融した物質、即ち、液状の物質をサブストレート上
に付着さ、せるという溶融凝縮を利用しており、実質的
に数ミクロンの径の大きい粒子が付着する事になる。そ
の為、形成される膜の構造制御に限界り、又、プラズマ
ガスとの反応に基づく反応膜をターゲット上に形成する
事が出来ない。
そこで、熱プラズマ中で粉末状の物質を蒸発させ（熱プ
ラズマ蒸発法）、該蒸気を構成する原子又は分子をサブ
ストレート上に堆積させる事により、ナノメータのレベ
ルで構造及び組成が制御された膜を形成する方法が提案
されている。しかし、該提案の方法は、大気圧中で行な
う様にしている為に、次の様な問題がある。
ラズマ蒸発法）、該蒸気を構成する原子又は分子をサブ
ストレート上に堆積させる事により、ナノメータのレベ
ルで構造及び組成が制御された膜を形成する方法が提案
されている。しかし、該提案の方法は、大気圧中で行な
う様にしている為に、次の様な問題がある。
即ち、例えば、第３図に示す様に、高周波熱コイル７が
巻かれたトーチ８内にシースガスと共にプラズマガスを
供給すると同時に、該高周波熱コイルに高周波を供給す
る事により、該トーチ内に、高温の熱プラズマを発生さ
せ、該プラズマ中に、成膜用の粉末状の物質をキャリア
ガスと共に供給しているが、該トーチ８内及びサブスト
レート９が配置されたチャンバー１０内が大気圧であれ
ば、発生する熱プラズマのフレームＦは、粉末状物質の
種類に限らず、図に示す様に、軸方向に短く、且つ先端
部が集束する傾向がある。所が、膜をサブストレート上
に堆積させるには該プラズマフレーム中に配置しなくて
はならないので、サブストレートの位置によっては、成
膜が行われない場合、成膜面積が極めて小さい場合、更
に、サブストレートが極めて高温に加熱されてしまい、
該サブストレートの温度制御が困難となる様な場合が発
生する。その為、サブストレートの配置位置が著しく制
限される。
巻かれたトーチ８内にシースガスと共にプラズマガスを
供給すると同時に、該高周波熱コイルに高周波を供給す
る事により、該トーチ内に、高温の熱プラズマを発生さ
せ、該プラズマ中に、成膜用の粉末状の物質をキャリア
ガスと共に供給しているが、該トーチ８内及びサブスト
レート９が配置されたチャンバー１０内が大気圧であれ
ば、発生する熱プラズマのフレームＦは、粉末状物質の
種類に限らず、図に示す様に、軸方向に短く、且つ先端
部が集束する傾向がある。所が、膜をサブストレート上
に堆積させるには該プラズマフレーム中に配置しなくて
はならないので、サブストレートの位置によっては、成
膜が行われない場合、成膜面積が極めて小さい場合、更
に、サブストレートが極めて高温に加熱されてしまい、
該サブストレートの温度制御が困難となる様な場合が発
生する。その為、サブストレートの配置位置が著しく制
限される。
本発明はこの様な提案の方法や前記フラッシュ蒸着方法
の問題を解決する事を目的としたものである。
の問題を解決する事を目的としたものである。
［課題を解決するための手段］
その為に、本発明の熱プラズマ蒸発法による成膜方法は
、大気圧より低い圧力下で熱プラズマを発生させ、該熱
プラズマ中で粉状の物質を蒸発させ、該蒸気を構成する
原子又は分子、若しくは該蒸気を構成する原子又は分子
とプラズマガスとの反応物をサブストレート上に膜状に
堆積させる様にした。
、大気圧より低い圧力下で熱プラズマを発生させ、該熱
プラズマ中で粉状の物質を蒸発させ、該蒸気を構成する
原子又は分子、若しくは該蒸気を構成する原子又は分子
とプラズマガスとの反応物をサブストレート上に膜状に
堆積させる様にした。
［実施例］
第１図は、本発明の熱プラズマ蒸発法による成膜方法の
一実施例として示した熱プラズマ成膜装置の概略図であ
る。図中、１１はトーチで、例えば、石英管から成る。
一実施例として示した熱プラズマ成膜装置の概略図であ
る。図中、１１はトーチで、例えば、石英管から成る。
該トーチの周囲には通水路が設けられており、下部導入
口１２Ａから該通水路を通して上部導入口１２Ｂへと冷
却水を流す事により該トーチは冷却される。１３は高周
波誘導コイルで、該トーチの周囲に巻かれている。１４
は高周波電源である。１５はガスを導入する事が出来る
構造のフランジで、前記トーチ１１の上部に固定されて
いる。１６は成膜用粉末導入管で、該導入管には粉末供
給機構（図示せず）及びキャリアガス供給機構（図示せ
ず）が繋がっている。
口１２Ａから該通水路を通して上部導入口１２Ｂへと冷
却水を流す事により該トーチは冷却される。１３は高周
波誘導コイルで、該トーチの周囲に巻かれている。１４
は高周波電源である。１５はガスを導入する事が出来る
構造のフランジで、前記トーチ１１の上部に固定されて
いる。１６は成膜用粉末導入管で、該導入管には粉末供
給機構（図示せず）及びキャリアガス供給機構（図示せ
ず）が繋がっている。
１７はプラズマ発生用ガス導入管、１８はシースガス導
入管で共に同一のガス供給機構（図示せず）に繋がって
いる。１９はチャンバーで、排気管２０を介して排気機
構２１に繋がっている。２２はサブストレート、２３は
支持台で、該支持台には水冷機構（図示せず）が繋がっ
ている。
入管で共に同一のガス供給機構（図示せず）に繋がって
いる。１９はチャンバーで、排気管２０を介して排気機
構２１に繋がっている。２２はサブストレート、２３は
支持台で、該支持台には水冷機構（図示せず）が繋がっ
ている。
この様な装置を使用して、例えば、ＴｉＮ膜をサブスト
レート上に成膜する場合について以下に説明する。
レート上に成膜する場合について以下に説明する。
先ず、排気機構２１によりチャンバー１９及びトーチ１
１内を、大気圧より低い圧力に排気する。
１内を、大気圧より低い圧力に排気する。
この際、トーチ１１内は、ガス温度の低い、いわゆる低
圧プラズマが発生する様な程度の低い圧力にはしない。
圧プラズマが発生する様な程度の低い圧力にはしない。
該圧力の下限はトーチ内に導入される物質にもよるが、
大体１００Ｔｏｒｒ前後程度である。この状態で、ガス
供給機構（図示せず）からプラズマ発生用ガス導入管１
７、シースガス導入管１８を通じて窒素ガスをトーチ１
１内に供給する。同時に、高周波電源１４から高周波誘
導コイル１２に高周波を供給し、トーチ内に１万度程度
の熱プラズマを発生させる。そして、粉末供給機構（図
示せず）及びキャリアガス供給機構（図示せず）から成
膜用粉末導入管１６を通じて粉末Ｔｉをキャリアガス（
例えば、Ａｒ）と共にトーチ１１内に供給する。この際
、該導入された粉末Ｔｉが熱プラズマにより蒸発するか
溶融するかは、上記高周波電源１４からの出力パワーの
大きさ、粉末物質の粒径、粉末物質の導入速度、粉末物
質の物性値等により決定される。通常、粉末物質の粒径
や粉末物質の導入速度等は途中で変化させる事は難しく
、最初の段階で決まってしまうので、粉末物質の粒径、
粉末物質の導入速度及び粉末物質の物性値等に応じて高
周波電源１４からの出力パワーの大きさをコントロール
する必要がある。実際には、これらの高周波電源１４か
らの出力パワーの大きさ、粉末物質の粒径、粉末物質の
導入速度等は予め実験等により決めておく。例えば、本
実施例の様に、ＴｆＮの蒸発粒子をターゲットに付着さ
せる場合、粉末Ｔｉの粒径が３０μｍ１該粉末Ｔｉの導
入速度が２０ｇ／ｍｉｎの時、１００ＫＷ程度の高周波
電力に対応した高周波電流が高周波誘導コイル１２に流
される。さて、本実施例では、上記チャンバー１９及び
トーチ１１内が大体数１００Ｔｏ ｒ ｒ前後程度に排
気されているので、熱プラズマのフレームＦ′は、トー
チ１１及びチャンバー１９内において、軸方向に長く、
且つ先端部に行くに従い広がる。この傾向は本実施例の
様にＴｉＮの成膜の場合に限らず、他の物質の成膜の場
合にも同じ様に現れる。この様な熱プラズマ中で、粉末
Ｔｉの蒸発と、該蒸発粒子と解離した窒素ガスとの反応
とが連続的に行なわれ、サブストレート２２上にＴｉＮ
の膜が形成される。
大体１００Ｔｏｒｒ前後程度である。この状態で、ガス
供給機構（図示せず）からプラズマ発生用ガス導入管１
７、シースガス導入管１８を通じて窒素ガスをトーチ１
１内に供給する。同時に、高周波電源１４から高周波誘
導コイル１２に高周波を供給し、トーチ内に１万度程度
の熱プラズマを発生させる。そして、粉末供給機構（図
示せず）及びキャリアガス供給機構（図示せず）から成
膜用粉末導入管１６を通じて粉末Ｔｉをキャリアガス（
例えば、Ａｒ）と共にトーチ１１内に供給する。この際
、該導入された粉末Ｔｉが熱プラズマにより蒸発するか
溶融するかは、上記高周波電源１４からの出力パワーの
大きさ、粉末物質の粒径、粉末物質の導入速度、粉末物
質の物性値等により決定される。通常、粉末物質の粒径
や粉末物質の導入速度等は途中で変化させる事は難しく
、最初の段階で決まってしまうので、粉末物質の粒径、
粉末物質の導入速度及び粉末物質の物性値等に応じて高
周波電源１４からの出力パワーの大きさをコントロール
する必要がある。実際には、これらの高周波電源１４か
らの出力パワーの大きさ、粉末物質の粒径、粉末物質の
導入速度等は予め実験等により決めておく。例えば、本
実施例の様に、ＴｆＮの蒸発粒子をターゲットに付着さ
せる場合、粉末Ｔｉの粒径が３０μｍ１該粉末Ｔｉの導
入速度が２０ｇ／ｍｉｎの時、１００ＫＷ程度の高周波
電力に対応した高周波電流が高周波誘導コイル１２に流
される。さて、本実施例では、上記チャンバー１９及び
トーチ１１内が大体数１００Ｔｏ ｒ ｒ前後程度に排
気されているので、熱プラズマのフレームＦ′は、トー
チ１１及びチャンバー１９内において、軸方向に長く、
且つ先端部に行くに従い広がる。この傾向は本実施例の
様にＴｉＮの成膜の場合に限らず、他の物質の成膜の場
合にも同じ様に現れる。この様な熱プラズマ中で、粉末
Ｔｉの蒸発と、該蒸発粒子と解離した窒素ガスとの反応
とが連続的に行なわれ、サブストレート２２上にＴｉＮ
の膜が形成される。
尚、本発明の成膜方法は上記ＴｉＮの膜形成に限らず、
種々の膜形成に応用可能である。例えば、Ｙ、Ｂａ２Ｃ
ｕ、Ｏ□−エの如き高温酸化物超伝導膜を形成する場合
には、チャンバー１９及びトーチ１１内を、大体１００
ｔｏｒｒ〜数１００Ｔｏｒｒまで排気しておき、ガス供
給機構（図示せず）からプラズマ発生用ガス導入管１７
、シースガス導入管１８を通じて酸素ガスをトーチ１１
内に供給する。同時に、４５ＫＷ程度の高周波電力に対
応した高周波電流を高周波誘導コイル１２に流し、軸方
向に長く、且つ先端部に行くに従い広がる形状の熱プラ
ズマをトーチ１１及びチャンバー１９内に発生させる。
種々の膜形成に応用可能である。例えば、Ｙ、Ｂａ２Ｃ
ｕ、Ｏ□−エの如き高温酸化物超伝導膜を形成する場合
には、チャンバー１９及びトーチ１１内を、大体１００
ｔｏｒｒ〜数１００Ｔｏｒｒまで排気しておき、ガス供
給機構（図示せず）からプラズマ発生用ガス導入管１７
、シースガス導入管１８を通じて酸素ガスをトーチ１１
内に供給する。同時に、４５ＫＷ程度の高周波電力に対
応した高周波電流を高周波誘導コイル１２に流し、軸方
向に長く、且つ先端部に行くに従い広がる形状の熱プラ
ズマをトーチ１１及びチャンバー１９内に発生させる。
そして、Ｙ、Ｏ，、ＢａＣｏ、、ＣｕＯの混合粉末（粒
径が３０μｍ以下）を粉末供給機構（図示せず）及びキ
ャリアガス供給機構（図示せず）から成膜用粉末導入管
１６を通じてキャリアガス（例えば、Ａｒ）と共にトー
チ１１内に供給する。この際の混合粉末の導入速度は１
０〜１０００ｍｇ／ｍｉｎ程度である。この様にして、
前記熱プラズマ中で混合粉末の蒸気と、その蒸気を構成
する原子若しくは分子と解離した酸素ガスとの反応とが
連続的に行なわれ、例えば、ＭｇＯ製のサブストレート
２２上に構造及び組成の制御されたＹＩ Ｂａ２ Ｃｕ
ｓ ０７− ｘの膜が形成される。
径が３０μｍ以下）を粉末供給機構（図示せず）及びキ
ャリアガス供給機構（図示せず）から成膜用粉末導入管
１６を通じてキャリアガス（例えば、Ａｒ）と共にトー
チ１１内に供給する。この際の混合粉末の導入速度は１
０〜１０００ｍｇ／ｍｉｎ程度である。この様にして、
前記熱プラズマ中で混合粉末の蒸気と、その蒸気を構成
する原子若しくは分子と解離した酸素ガスとの反応とが
連続的に行なわれ、例えば、ＭｇＯ製のサブストレート
２２上に構造及び組成の制御されたＹＩ Ｂａ２ Ｃｕ
ｓ ０７− ｘの膜が形成される。
［発明の効果］
本発明は、大気圧より低い圧力下で熱プラズマを発生さ
せ、該熱プラズマ中で粉状の物質を蒸発させる様にして
いるので、軸方向に長く且つ先端に行くに従って広がる
熱プラズマフレーム中で粉末状の物質を蒸発させる事が
出来る。その為、蒸気を成す原子又は分子、若しくは該
蒸気を成す原子又は分子とプラズマガスとの反応物が堆
積されるサブストレートの配置の自由度が極めて大きく
なる。又、それにより、サブストレートの温度制御が可
能となる。
せ、該熱プラズマ中で粉状の物質を蒸発させる様にして
いるので、軸方向に長く且つ先端に行くに従って広がる
熱プラズマフレーム中で粉末状の物質を蒸発させる事が
出来る。その為、蒸気を成す原子又は分子、若しくは該
蒸気を成す原子又は分子とプラズマガスとの反応物が堆
積されるサブストレートの配置の自由度が極めて大きく
なる。又、それにより、サブストレートの温度制御が可
能となる。
第１図は本発明の成膜方法の一実施例として示した熱プ
ラズマ成膜装置の概略図、第２図は従来のフラッシュ蒸
着方法を説明する為のもの、第３図は最近提案された大
気圧中における高周波熱プラズマ蒸発法を説明する為の
ものある。 １１：トーチ １２Ａ：下部導入口 １２Ｂ：上部
導入口 １３：高周波誘導コイル１４：高周波電源
１５：フランジ １６：成膜用粉末導入管 １７
：プラズマ発生用ガス導入管 １８：シースガス導入
管 １９：チャンバー ２０：排気管 ２１：排
気機構２２：サブストレート ２３：支持台特許出願
人 吉 １）豊 信 日本電子株式会社
ラズマ成膜装置の概略図、第２図は従来のフラッシュ蒸
着方法を説明する為のもの、第３図は最近提案された大
気圧中における高周波熱プラズマ蒸発法を説明する為の
ものある。 １１：トーチ １２Ａ：下部導入口 １２Ｂ：上部
導入口 １３：高周波誘導コイル１４：高周波電源
１５：フランジ １６：成膜用粉末導入管 １７
：プラズマ発生用ガス導入管 １８：シースガス導入
管 １９：チャンバー ２０：排気管 ２１：排
気機構２２：サブストレート ２３：支持台特許出願
人 吉 １）豊 信 日本電子株式会社
Claims (1)
- 大気圧より低い圧力下で熱プラズマを発生させ、該熱プ
ラズマ中で粉状の物質を蒸発させ、該蒸気を構成する原
子又は分子、若しくは該蒸気を構成する原子又は分子と
プラズマガスとの反応物をサブストレート上に膜状に堆
積させる熱プラズマ成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086637A JP2806548B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 熱プラズマ蒸発法による成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086637A JP2806548B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 熱プラズマ蒸発法による成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267259A true JPH02267259A (ja) | 1990-11-01 |
| JP2806548B2 JP2806548B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=13892536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086637A Expired - Lifetime JP2806548B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 熱プラズマ蒸発法による成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806548B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016922A1 (de) * | 1997-09-26 | 1999-04-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur einbringung pulverförmiger feststoffe in ein plasma |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6447850A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Manufacture of thermoelement |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1086637A patent/JP2806548B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6447850A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Manufacture of thermoelement |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016922A1 (de) * | 1997-09-26 | 1999-04-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur einbringung pulverförmiger feststoffe in ein plasma |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2806548B2 (ja) | 1998-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1998001596A1 (en) | Production of nanometer particles by directed vapor deposition of electron beam evaporant | |
| JPH04228574A (ja) | 超臨界流体溶液を用いた化学的蒸着法 | |
| JPH08232069A (ja) | 固体物質の昇華方法及び装置 | |
| JPH03226509A (ja) | プラズマ発生装置および超微粒粉末の製造方法 | |
| US5159173A (en) | Apparatus for reducing plasma constriction by intermediate injection of hydrogen in RF plasma gun | |
| JPH0382765A (ja) | 微粒および／または等軸粒組織のコーティングを有する物品 | |
| JPH0524988B2 (ja) | ||
| JP2002217181A (ja) | 半導体原料供給用気化器 | |
| WO1993002787A1 (en) | Process for the production of ultra-fine powdered materials | |
| JPH02267259A (ja) | 熱プラズマ蒸発法による成膜方法 | |
| JPH0360732A (ja) | 微粉末の製造方法と装置ならびにその利用方法 | |
| JP3152548B2 (ja) | 高周波誘導プラズマ成膜装置 | |
| JPS62235466A (ja) | 蒸着物質発生装置 | |
| JP2590438B2 (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| JPS6111140A (ja) | 高純度セラミツクス超微粒子の製造方法 | |
| JP2975145B2 (ja) | 熱プラズマ成膜方法 | |
| JPH04116155A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH01104763A (ja) | 金属化合物薄膜の製造方法 | |
| JPH04107266A (ja) | プラズマフラッシュ蒸着方法および装置 | |
| JPH1133390A (ja) | 粉末原料気化装置 | |
| JPS6247472A (ja) | 立方晶チツ化ホウ素膜の形成方法 | |
| Nedelcu | Deposition Methods, Classifications | |
| JPH02247375A (ja) | プラズマ蒸着装置 | |
| JPH11128719A (ja) | 溶液気化装置及び成膜装置 | |
| JPH0347960A (ja) | プラズマ蒸着装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724 Year of fee payment: 11 |