JPH02267254A - 低圧プラズマ溶射を用いた熱間静水圧加工方法 - Google Patents
低圧プラズマ溶射を用いた熱間静水圧加工方法Info
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- JPH02267254A JPH02267254A JP1089375A JP8937589A JPH02267254A JP H02267254 A JPH02267254 A JP H02267254A JP 1089375 A JP1089375 A JP 1089375A JP 8937589 A JP8937589 A JP 8937589A JP H02267254 A JPH02267254 A JP H02267254A
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Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属又はセラミック成形品の製造方法に関する
ものである。
ものである。
粉末を熱間静水圧加工(HIP)処理により緻密化させ
る際には、メタルカプセルに封入する、ガラスカプセル
に封入する、又は圧粉後焼結して気孔を閉気孔化させる
かの、いずれかの前処理が行われている。
る際には、メタルカプセルに封入する、ガラスカプセル
に封入する、又は圧粉後焼結して気孔を閉気孔化させる
かの、いずれかの前処理が行われている。
また、溶射被膜をHIP処理によって被膜を繊密化させ
、かつ母材との健全な接合面を得るためにも、やはり、
メタルカプセルに封入する、あるいはガラスカプセルに
封入する、あるいは減圧(低圧)下で気孔を閉気孔化さ
せた溶射被膜を形成させる、等の前処理が行われている
。特に第3の方法は主に低融点粉末を溶射させる場合に
可能である。
、かつ母材との健全な接合面を得るためにも、やはり、
メタルカプセルに封入する、あるいはガラスカプセルに
封入する、あるいは減圧(低圧)下で気孔を閉気孔化さ
せた溶射被膜を形成させる、等の前処理が行われている
。特に第3の方法は主に低融点粉末を溶射させる場合に
可能である。
一方、プラズマ溶射後HIP処理した例としては、スラ
スタ母材の表面にNb、 Mo、Zroz、Y2O3等
を常圧プラズマ溶射後カプセルなしでHIP処理する方
法(特開昭60−110862号公報)、金属又はセラ
ミック基材に減圧下でプラズマ溶射後ガラスカプセル法
、プラズマフレーム法で溶射層表面をシールしその後H
IP処理する方法(特開昭61−159566号公報)
、金属又はセラミック基材に低圧下でプラズマ溶射後真
空焼結し、その後HIP処理する方法(特開昭61−2
88060号公報)などが知られている。そのほか、鋼
管圧延機用芯金である345C上にモリブデンを常圧下
で溶射してからメタルカプセルしてH1P処理する方法
も開示されている(特開昭61286077号公報)。
スタ母材の表面にNb、 Mo、Zroz、Y2O3等
を常圧プラズマ溶射後カプセルなしでHIP処理する方
法(特開昭60−110862号公報)、金属又はセラ
ミック基材に減圧下でプラズマ溶射後ガラスカプセル法
、プラズマフレーム法で溶射層表面をシールしその後H
IP処理する方法(特開昭61−159566号公報)
、金属又はセラミック基材に低圧下でプラズマ溶射後真
空焼結し、その後HIP処理する方法(特開昭61−2
88060号公報)などが知られている。そのほか、鋼
管圧延機用芯金である345C上にモリブデンを常圧下
で溶射してからメタルカプセルしてH1P処理する方法
も開示されている(特開昭61286077号公報)。
メタルカプセル法は主に金属系材料のHI P前処理方
法として最も一般的な方法であるが、形状が複雑になっ
てくると、カプセル製作費が高価となっていた。さらに
出発原料が粉末の場合には、HIP中の収縮率が大きい
ためカプセルの角、辺部と面部との剛性の差によって寸
法精度が悪く、適用できる複雑形状そのものも制限され
るという問題点があった。
法として最も一般的な方法であるが、形状が複雑になっ
てくると、カプセル製作費が高価となっていた。さらに
出発原料が粉末の場合には、HIP中の収縮率が大きい
ためカプセルの角、辺部と面部との剛性の差によって寸
法精度が悪く、適用できる複雑形状そのものも制限され
るという問題点があった。
また、ガラスカプセル法は主にセラミック系材料の前処
理法であるが、ガラスの粘性が低すぎると、ガラスが粉
末あるいは圧粉体内に侵入し、方、高すぎると角、辺部
との面部との差によって寸法精度に問題があった。ガラ
スの熱膨張率が原料のそれより小さい場合には、カプセ
ルが昇温中軟化する迄に割れてしまうという問題点もあ
った。
理法であるが、ガラスの粘性が低すぎると、ガラスが粉
末あるいは圧粉体内に侵入し、方、高すぎると角、辺部
との面部との差によって寸法精度に問題があった。ガラ
スの熱膨張率が原料のそれより小さい場合には、カプセ
ルが昇温中軟化する迄に割れてしまうという問題点もあ
った。
そのため、使用できる材料範囲が限定され、メタルカプ
セル同様に複雑形状品には不向きであった。
セル同様に複雑形状品には不向きであった。
粉末を焼結し閉気孔化させる方法は、単相系の場合には
焼結体を閉気孔化させるために超微粉を真空焼結炉にて
高温長時間焼結する必要があり、コスト、時間の面で、
工業的に問題があった。また、高温における長時間処理
は結晶粒を粗大化させたため、機械的特性上も好ましく
なかった。また、合金系の場合にも、−船釣には単相系
と同様であるが、成分によっては、あるいは助剤、例え
ば、Si、N4の場合には5in2、MgO,Fe系の
場合にはBなどを添加することによって液相焼結させて
閉気孔化させることは可能である。しかし、結晶粒、析
出物の粗大化を招くという問題があった。
焼結体を閉気孔化させるために超微粉を真空焼結炉にて
高温長時間焼結する必要があり、コスト、時間の面で、
工業的に問題があった。また、高温における長時間処理
は結晶粒を粗大化させたため、機械的特性上も好ましく
なかった。また、合金系の場合にも、−船釣には単相系
と同様であるが、成分によっては、あるいは助剤、例え
ば、Si、N4の場合には5in2、MgO,Fe系の
場合にはBなどを添加することによって液相焼結させて
閉気孔化させることは可能である。しかし、結晶粒、析
出物の粗大化を招くという問題があった。
以上のように、閉気孔化させれば、内部の空孔を、)(
IPにより消滅させることが可能だが、表面の空孔、欠
陥及び表面と連なっている開気孔は、HIPによっては
除去することができない。
IPにより消滅させることが可能だが、表面の空孔、欠
陥及び表面と連なっている開気孔は、HIPによっては
除去することができない。
溶射被膜の緻密化法の場合も、メタルカプセル、ガラス
カプセルを使用する方法に、上記と同じ問題点があった
。溶射被膜を粒度約100μm以下での低融点(Fe系
以下)金属系粉末を数十〜数百Torr以下のプラズマ
溶射することにより閉気孔化させることは、可能である
。従って、粒度の粗い金属粉末や、一般に溶射で使用す
る粒度約1ooIftB以下の高融点系金属粉末及びセ
ラミック系粉末の場合は、本方法の使用は困難である。
カプセルを使用する方法に、上記と同じ問題点があった
。溶射被膜を粒度約100μm以下での低融点(Fe系
以下)金属系粉末を数十〜数百Torr以下のプラズマ
溶射することにより閉気孔化させることは、可能である
。従って、粒度の粗い金属粉末や、一般に溶射で使用す
る粒度約1ooIftB以下の高融点系金属粉末及びセ
ラミック系粉末の場合は、本方法の使用は困難である。
前記公開公報記載のプラズマ溶射後HIP処理する方法
はいずれも接着強度の大きい被覆層の形成を意図してお
り、本発明のようにHIPにおけるメタルカプセル等の
省略を意図してはいない。
はいずれも接着強度の大きい被覆層の形成を意図してお
り、本発明のようにHIPにおけるメタルカプセル等の
省略を意図してはいない。
しかも、特開昭60−110862号公報及び特開昭6
1−286077号公報に記載された方法のプラズマ溶
射はいずれも低圧法ではなく、被溶射体も溶融品であっ
て焼結体等ではない。また、特開昭61−159566
号公報に開示された方法もHIP処理はカプセル化後に
行っている。本発明は表層の被膜層の下部層にHIP処
理効果を与えることを目的とするため、特開昭61−2
88060号公開に開示された方法のように、IイIP
処理前に真空焼結する必要はない。
1−286077号公報に記載された方法のプラズマ溶
射はいずれも低圧法ではなく、被溶射体も溶融品であっ
て焼結体等ではない。また、特開昭61−159566
号公報に開示された方法もHIP処理はカプセル化後に
行っている。本発明は表層の被膜層の下部層にHIP処
理効果を与えることを目的とするため、特開昭61−2
88060号公開に開示された方法のように、IイIP
処理前に真空焼結する必要はない。
本発明はこれらの課題を解決して緻密な金属又はセラミ
ック成形品を安価に製造しろる方法を提供するものであ
り、金属又はセラミック粉末の圧粉体、焼結体又は溶射
被膜の表面に金属又はセラミックを低圧プラズマ溶射し
て被膜を形成してから、熱間静水圧加工処理し、その後
該被膜を除去することを特徴としている。
ック成形品を安価に製造しろる方法を提供するものであ
り、金属又はセラミック粉末の圧粉体、焼結体又は溶射
被膜の表面に金属又はセラミックを低圧プラズマ溶射し
て被膜を形成してから、熱間静水圧加工処理し、その後
該被膜を除去することを特徴としている。
圧粉体及び焼結体を形成する金属粉末は鉄粉、SUS粉
、銅(合金)粉、高速度工具鋼粉、ニオブ(合金)粉、
モリブデン(合金)粉、タングステン(合金)粉、アル
ミ(合金)′FA、ニッケル(合金)粉、コバルト(合
金)粉、チタン(合金)粉等であり、セラミック粉末は
Aha、粉、ジルコニア粉、SiC粉、5iJ4粉、フ
ェライト粉、Ti0z粉、TiB2粉、SiO□粉、サ
イアロン粉等である。金属粉末及びセラミック粉末の粒
径は平均粒径で1〜200μm程度、好ましくは40〜
100μm程度である。
、銅(合金)粉、高速度工具鋼粉、ニオブ(合金)粉、
モリブデン(合金)粉、タングステン(合金)粉、アル
ミ(合金)′FA、ニッケル(合金)粉、コバルト(合
金)粉、チタン(合金)粉等であり、セラミック粉末は
Aha、粉、ジルコニア粉、SiC粉、5iJ4粉、フ
ェライト粉、Ti0z粉、TiB2粉、SiO□粉、サ
イアロン粉等である。金属粉末及びセラミック粉末の粒
径は平均粒径で1〜200μm程度、好ましくは40〜
100μm程度である。
セラミック粉末は、平均粒径で好ましくは1距以下で、
それを造粒処理し、金属粉末の平均粒径程度の顆粒を圧
粉に供する。圧粉体及び焼結体の形成力法は公知の方法
によればよく、圧粉体は一軸加圧成形法(例えば金属粉
末3〜7 ton/CTA程度)、CIP法(例えば金
属粉末で2〜5 ton/cffl程度)によって成形
することができる。また、焼結体は上記圧粉体や、射出
成形体、押出し成形体、鋳込成形体などを真空焼結炉、
水素、分解アンモニアガス等の雰囲気、焼結炉、大気焼
結炉、雰囲気加圧焼結炉(例えば、5US304圧粉体
は、水素雰囲気中で1150〜I250°C130分程
度、超硬(WC−TiC−Co)合金圧粉体は、真空中
で予備焼結700〜1000°C,60〜300分、本
焼結1350〜1550”C,30〜180分程度)に
よって成形することができる。
それを造粒処理し、金属粉末の平均粒径程度の顆粒を圧
粉に供する。圧粉体及び焼結体の形成力法は公知の方法
によればよく、圧粉体は一軸加圧成形法(例えば金属粉
末3〜7 ton/CTA程度)、CIP法(例えば金
属粉末で2〜5 ton/cffl程度)によって成形
することができる。また、焼結体は上記圧粉体や、射出
成形体、押出し成形体、鋳込成形体などを真空焼結炉、
水素、分解アンモニアガス等の雰囲気、焼結炉、大気焼
結炉、雰囲気加圧焼結炉(例えば、5US304圧粉体
は、水素雰囲気中で1150〜I250°C130分程
度、超硬(WC−TiC−Co)合金圧粉体は、真空中
で予備焼結700〜1000°C,60〜300分、本
焼結1350〜1550”C,30〜180分程度)に
よって成形することができる。
溶射被膜はモリブデン(合金)、コバルト(合金)、ニ
ッケル(合金)、ニオブ(合金)、MCrA]Y(M
: Fe、 Co、 Ni )等の金属被膜あるいは八
Iz(h、ジルコニア、Tic、 CryCz等のセラ
ミック被膜であり、膜厚は50〜3000μm程度、好
ましくは100〜300−程度である。溶射被膜の形成
方法は公知の方法によればよく、ガス溶射、プラズマ溶
射によって成形することができる。溶射被膜を形成する
芯材の材質は金属又はセラミックであればよく、例えば
軟鋼、低合金鋼、ステンレス、ニッケル合金、コバルト
合金、AbOs等が適当である。
ッケル(合金)、ニオブ(合金)、MCrA]Y(M
: Fe、 Co、 Ni )等の金属被膜あるいは八
Iz(h、ジルコニア、Tic、 CryCz等のセラ
ミック被膜であり、膜厚は50〜3000μm程度、好
ましくは100〜300−程度である。溶射被膜の形成
方法は公知の方法によればよく、ガス溶射、プラズマ溶
射によって成形することができる。溶射被膜を形成する
芯材の材質は金属又はセラミックであればよく、例えば
軟鋼、低合金鋼、ステンレス、ニッケル合金、コバルト
合金、AbOs等が適当である。
圧粉体、焼結体、溶射被膜の空隙は原則として開気孔の
必要があり、したがって、閉気孔化した焼結体や低圧プ
ラズマ溶射被膜体は対象外となる。
必要があり、したがって、閉気孔化した焼結体や低圧プ
ラズマ溶射被膜体は対象外となる。
但し、焼結体が真空下あるいは、水素雰囲気下で焼結さ
れた場合は、閉気孔化した焼結体でも、I]IP処理効
果に問題はなく、本発明の方法を通用できる。
れた場合は、閉気孔化した焼結体でも、I]IP処理効
果に問題はなく、本発明の方法を通用できる。
これらの圧粉体、焼結体又は溶射被膜は原則として全表
面に金属又はセラミックを低圧プラズマ溶射して被膜を
形成する。溶射する金属及びセラミックの材質は被覆す
る圧粉体、焼結体又は溶射被膜にHIP処理中にHIP
媒体(Ar)ガスの侵入を防止できる程度の閉気孔化可
能な材質であればよく、例えば前述のもののなかから選
択できるが、被溶射体である圧粉体、焼結体又は溶射被
膜と同材料であることが好ましい。形成させる被膜を圧
粉体、焼結体あるいは溶射被膜と同様の材質にした場合
は、メタルカプセルやガラスカプセルなどの際必要な、
脱カプセルやカプセルと圧粉体ないし焼結体との反応に
よる影響がない。プラズマ溶射は低圧、通常100To
rr以下で行う。好ましい圧力は80Torr以下であ
る。圧力の下限は特に制限されないが技術的見地から通
常40Torr程度である。被膜厚は50〜500pf
fl程度、好ましくは100〜300n程度である。
面に金属又はセラミックを低圧プラズマ溶射して被膜を
形成する。溶射する金属及びセラミックの材質は被覆す
る圧粉体、焼結体又は溶射被膜にHIP処理中にHIP
媒体(Ar)ガスの侵入を防止できる程度の閉気孔化可
能な材質であればよく、例えば前述のもののなかから選
択できるが、被溶射体である圧粉体、焼結体又は溶射被
膜と同材料であることが好ましい。形成させる被膜を圧
粉体、焼結体あるいは溶射被膜と同様の材質にした場合
は、メタルカプセルやガラスカプセルなどの際必要な、
脱カプセルやカプセルと圧粉体ないし焼結体との反応に
よる影響がない。プラズマ溶射は低圧、通常100To
rr以下で行う。好ましい圧力は80Torr以下であ
る。圧力の下限は特に制限されないが技術的見地から通
常40Torr程度である。被膜厚は50〜500pf
fl程度、好ましくは100〜300n程度である。
熱間静水圧加工HIP処理は処理する材質に応じて異な
るが、その材質に応じて公知の処理条件にて行えばよい
。一般のHIP処理においては被処理物をメタルカプセ
ル、ガラスカプセル等に封入して処理されるが本発明の
方法においてはカプセル化は不要である。
るが、その材質に応じて公知の処理条件にて行えばよい
。一般のHIP処理においては被処理物をメタルカプセ
ル、ガラスカプセル等に封入して処理されるが本発明の
方法においてはカプセル化は不要である。
HIP処理後は被膜を除去する。除去方法は研削などの
物理的方法によって行ってもよく、被膜の材質によって
は例えば、純鉄の場合、塩酸、硫酸等の酸処理等の化学
的方法によって行ってもよい。この被膜の除去は金属又
はセラミック成形品の用途等に応じて異種材質の除去、
寸法精度間上等の目的で行われる。従って、被膜は全て
を除去する必要はない場合もある。
物理的方法によって行ってもよく、被膜の材質によって
は例えば、純鉄の場合、塩酸、硫酸等の酸処理等の化学
的方法によって行ってもよい。この被膜の除去は金属又
はセラミック成形品の用途等に応じて異種材質の除去、
寸法精度間上等の目的で行われる。従って、被膜は全て
を除去する必要はない場合もある。
本発明の方法が適用される金属又はセラミック成形品の
種類は特に制限されないが、外形状が複雑で、メタルカ
プセル法やガラスカプセル法ではカプセル製作が難しい
製品が好適である。
種類は特に制限されないが、外形状が複雑で、メタルカ
プセル法やガラスカプセル法ではカプセル製作が難しい
製品が好適である。
[作用]
本発明の方法は有気孔成形体等の表面に低圧プラズマ溶
射法で被膜を形成してシールしており、低圧溶射雰囲気
におくことによって成形体等を脱気するとともに溶射さ
れる溶融粒子の速度を高め被膜を緻密化している。プラ
ズマを利用しているため溶射される粒子の温度は高く十
分に溶融していることもこの緻密化に寄与している。
射法で被膜を形成してシールしており、低圧溶射雰囲気
におくことによって成形体等を脱気するとともに溶射さ
れる溶融粒子の速度を高め被膜を緻密化している。プラ
ズマを利用しているため溶射される粒子の温度は高く十
分に溶融していることもこの緻密化に寄与している。
本発明の方法を図解して更に説明する。
第1図は本発明の方法を圧粉体に適用した例を示すもの
である。図面に示すように、圧粉体1の全表面にまず溶
射トーチ3で低圧プラズマ溶射し、圧粉体1に閉気孔化
した被膜4を形成させる。次に、これをHI P処理装
置5に入れてHIP処理を行うと、被膜4の内部の気孔
6が消滅して緻密化し、HIP処理媒体がガス7の圧粉
体内部への進入を阻止する。したがって、この緻密化さ
れた被膜はメタルカプセル、ガラスカプセル等と同様の
作用をする。そこで、F(I P処理によって欠陥のな
い焼結体8を得ることができる。
である。図面に示すように、圧粉体1の全表面にまず溶
射トーチ3で低圧プラズマ溶射し、圧粉体1に閉気孔化
した被膜4を形成させる。次に、これをHI P処理装
置5に入れてHIP処理を行うと、被膜4の内部の気孔
6が消滅して緻密化し、HIP処理媒体がガス7の圧粉
体内部への進入を阻止する。したがって、この緻密化さ
れた被膜はメタルカプセル、ガラスカプセル等と同様の
作用をする。そこで、F(I P処理によって欠陥のな
い焼結体8を得ることができる。
第2図は本発明の方法を焼結体に適用した例を示すもの
である。図面に示すように1、焼結体2の全表面にまず
溶射トーチ3で低圧プラズマ溶射し、焼結体2に閉気孔
化した被膜4を形成させる。次に、これをHIP処理装
置5に入れてHI P処理を行うと、被膜4の内部の気
孔が消滅して緻密化し、HIP処理媒体がガス7の圧粉
体内部への進入を阻止する。焼結体においては、閉気孔
化させた焼結体をそのままHIP処理したときと異なり
、焼結体表面の欠陥9及び表面と連なっている開気孔1
0も消滅させることができる。
である。図面に示すように1、焼結体2の全表面にまず
溶射トーチ3で低圧プラズマ溶射し、焼結体2に閉気孔
化した被膜4を形成させる。次に、これをHIP処理装
置5に入れてHI P処理を行うと、被膜4の内部の気
孔が消滅して緻密化し、HIP処理媒体がガス7の圧粉
体内部への進入を阻止する。焼結体においては、閉気孔
化させた焼結体をそのままHIP処理したときと異なり
、焼結体表面の欠陥9及び表面と連なっている開気孔1
0も消滅させることができる。
実施例1
通常の粉末冶金部品製造方法に従い、水アトマイズ鉄粉
を6 ton/cfflで圧粉後メツシュベルト焼結炉
にて1030℃で30分間し、気孔率15%の純鉄焼結
体を得た。この焼結体の全表面に同組成の水アトマイズ
鉄粉(粒径100ρ以下)を80Torrで低圧プラズ
マ溶射して100μm厚の被膜を形成した。この純鉄溶
射被膜の気孔率は1%程度であり、十分に閉気孔化して
いた。これを1.100″C,1000気圧、1時間保
持の条件でHIP処理した後表面を研削して被膜を除去
した。得られた焼結体の全体の気孔率は1%以下となっ
た。この焼結体の直流磁気特性を測定したところ、p
max = 5400、Bzo=1620Gと溶製品と
軟磁性純鉄(JIS 5IIYB 1 )同様の特性が
得られた。
を6 ton/cfflで圧粉後メツシュベルト焼結炉
にて1030℃で30分間し、気孔率15%の純鉄焼結
体を得た。この焼結体の全表面に同組成の水アトマイズ
鉄粉(粒径100ρ以下)を80Torrで低圧プラズ
マ溶射して100μm厚の被膜を形成した。この純鉄溶
射被膜の気孔率は1%程度であり、十分に閉気孔化して
いた。これを1.100″C,1000気圧、1時間保
持の条件でHIP処理した後表面を研削して被膜を除去
した。得られた焼結体の全体の気孔率は1%以下となっ
た。この焼結体の直流磁気特性を測定したところ、p
max = 5400、Bzo=1620Gと溶製品と
軟磁性純鉄(JIS 5IIYB 1 )同様の特性が
得られた。
実施例2
SKD61の表面に80Torr以下で低圧プラズマ溶
射してモリブデン層を2配形成させたところ、気孔率は
10%と開気孔が多く含まれていた。そこで、さらに純
鉄粉(粒径1100a以下)をモリブデン層の全表面に
80Torrで低圧プラズマ溶射し、80am厚の被膜
を形成した。これを1300°C11800気圧、2時
間保持の条件で、HIP処理した後純鉄被膜を研削除去
した。得られたモリブデン層の気孔率は1%以下であっ
た。
射してモリブデン層を2配形成させたところ、気孔率は
10%と開気孔が多く含まれていた。そこで、さらに純
鉄粉(粒径1100a以下)をモリブデン層の全表面に
80Torrで低圧プラズマ溶射し、80am厚の被膜
を形成した。これを1300°C11800気圧、2時
間保持の条件で、HIP処理した後純鉄被膜を研削除去
した。得られたモリブデン層の気孔率は1%以下であっ
た。
実施例3
SS41の表面に、粒径80fm以下のAIKO,粉末
を180Torrで低圧プラズマ溶射し、250n厚の
被膜を形成させたところ、この被膜の気孔率は、16%
であった。さらにその上に10pII+以下のA1□0
3粉末を同条件で熔射し、50μmの被膜を形成させた
。この被膜の気孔率は3%と閉気孔化していた。これを
1350°C11500気圧、1時間保持の条件で、H
IPP処理た。得られたAt20.層の気孔はほとんど
消滅していた。
を180Torrで低圧プラズマ溶射し、250n厚の
被膜を形成させたところ、この被膜の気孔率は、16%
であった。さらにその上に10pII+以下のA1□0
3粉末を同条件で熔射し、50μmの被膜を形成させた
。この被膜の気孔率は3%と閉気孔化していた。これを
1350°C11500気圧、1時間保持の条件で、H
IPP処理た。得られたAt20.層の気孔はほとんど
消滅していた。
〔発明の効果]
圧粉体ないし焼結体の場合
本発明の方法において形成される被膜は、溶射できる形
状のものであればメタルカプセル、ガラスカプセルの代
わりとすることができるため、複雑形状に対する適用可
能範囲がメタルカプセル、ガラスカプセルよりはるかに
広い。
状のものであればメタルカプセル、ガラスカプセルの代
わりとすることができるため、複雑形状に対する適用可
能範囲がメタルカプセル、ガラスカプセルよりはるかに
広い。
低圧プラズマ溶射て閉気孔化が可能な材質のHIP処理
の場合は、処理品と同組成の被膜が可能なため、メタル
カプセル、ガラスカプセルで必要な完全に脱カプセルす
る必要なく、低価格化が可能である。
の場合は、処理品と同組成の被膜が可能なため、メタル
カプセル、ガラスカプセルで必要な完全に脱カプセルす
る必要なく、低価格化が可能である。
閉気孔化させた焼結体をそのままHI P処理したとき
と異なり、表面欠陥、表面連通の開気孔を消滅させるこ
ともできるためより健全な焼結体を得ることができる。
と異なり、表面欠陥、表面連通の開気孔を消滅させるこ
ともできるためより健全な焼結体を得ることができる。
溶射被膜の場合
上記で述べた様に?3!雑形状への対応性が高く、完全
に脱カプセルの必要がなく安価な接合方法とすることも
可能である。
に脱カプセルの必要がなく安価な接合方法とすることも
可能である。
溶射する粒度を粗くすると被膜形成速度(付着量)を高
くすることが可能であるが、気孔率が高くなる。従って
、粒度の粗い粉末で原料費低減生産性向上をはかること
ができる。そして、最表面のみを粒度の細かい粉末で閉
気孔化させた被膜を形成させることが可能で、−様に閉
気孔化させた被Hりを形成させてHIP処理するよりも
、形成被膜厚が厚くなれば厚くなる程、高生産性で、安
価な方法とすることができる。
くすることが可能であるが、気孔率が高くなる。従って
、粒度の粗い粉末で原料費低減生産性向上をはかること
ができる。そして、最表面のみを粒度の細かい粉末で閉
気孔化させた被膜を形成させることが可能で、−様に閉
気孔化させた被Hりを形成させてHIP処理するよりも
、形成被膜厚が厚くなれば厚くなる程、高生産性で、安
価な方法とすることができる。
第1図は圧粉体について、そして第2図は焼結体につい
て本発明の方法を適用した例をいずれも模式的に示した
図である。 特許出願人 日本鋼管株式会社 代 理 人 弁理士 口中 政浩 第2
て本発明の方法を適用した例をいずれも模式的に示した
図である。 特許出願人 日本鋼管株式会社 代 理 人 弁理士 口中 政浩 第2
Claims (1)
- 金属粉末又はセラミック粉末の圧粉体、焼結体、又は溶
射被膜の表面に金属又はセラミックを低圧プラズマ溶射
して被膜を形成してから、熱間静水圧加工処理し、その
後該被膜を除去することを特徴とする金属又はセラミッ
ク成形品の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1089375A JPH02267254A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 低圧プラズマ溶射を用いた熱間静水圧加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1089375A JPH02267254A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 低圧プラズマ溶射を用いた熱間静水圧加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02267254A true JPH02267254A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13968941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1089375A Pending JPH02267254A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 低圧プラズマ溶射を用いた熱間静水圧加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02267254A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008512566A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-04-24 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 薄く高密度のセラミック層の製造方法 |
JP2017226865A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 溶射膜を有する基材 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1089375A patent/JPH02267254A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008512566A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-04-24 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 薄く高密度のセラミック層の製造方法 |
JP4738414B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2011-08-03 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 薄く高密度のセラミック層の製造方法 |
JP2017226865A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 溶射膜を有する基材 |
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