JPH02266183A - 高純度ガス送達アセンブリ - Google Patents
高純度ガス送達アセンブリInfo
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- JPH02266183A JPH02266183A JP1338834A JP33883489A JPH02266183A JP H02266183 A JPH02266183 A JP H02266183A JP 1338834 A JP1338834 A JP 1338834A JP 33883489 A JP33883489 A JP 33883489A JP H02266183 A JPH02266183 A JP H02266183A
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K41/00—Spindle sealings
- F16K41/10—Spindle sealings with diaphragm, e.g. shaped as bellows or tube
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/4238—With cleaner, lubrication added to fluid or liquid sealing at valve interface
- Y10T137/4245—Cleaning or steam sterilizing
- Y10T137/4259—With separate material addition
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
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- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は高純度ガス送達アセンブリに関する。
［従来技術の説明］
多くの工業的プロセス処理に於て、プロセスガス流れの
制御が必要であることが知られている。
制御が必要であることが知られている。
集積回路の如き半導体装置の製造に於ては、使用される
プロセスガスは高純度且つ粒状物のないものであるべき
である。半導体゛チップ°°の回路構成部品の密度は増
大し続けていることから、これらプロセスガスの汚染水
準はますます減少される必要がある。
プロセスガスは高純度且つ粒状物のないものであるべき
である。半導体゛チップ°°の回路構成部品の密度は増
大し続けていることから、これらプロセスガスの汚染水
準はますます減少される必要がある。
残念なことに、プロセスガスの粒状物汚染の一つの原因
はガス送達成は制御アセンブリ自身から来るものである
。工業的に弁として知られる２つの主要形式のガス送達
アセンブリが存在し、これらは半導体装置製造中のガス
流れ開閉のために使用される。第１の形式のものはガス
流れを妨害するためにダイアフラムを使用するが、これ
は小粒状物生成を誘発する乱流の原因となり、またガス
送達アセンブリを横断しての所望されざる圧力低下を引
き起こす非−直線的なガス流れを使用することが要求さ
れる。第２の形式のガス送達アセンブリは°°直線スロ
ート°°ガス流れを使用し且つ搬送手段及びガス流れ開
閉のためのシートシールを組み込んだベローズアセンブ
リを使用する。この第２の形式のガス送達アセンブリは
、過剰な圧力低下によって引き起こされる問題を解決す
るが、幾つかの欠点がある。
はガス送達成は制御アセンブリ自身から来るものである
。工業的に弁として知られる２つの主要形式のガス送達
アセンブリが存在し、これらは半導体装置製造中のガス
流れ開閉のために使用される。第１の形式のものはガス
流れを妨害するためにダイアフラムを使用するが、これ
は小粒状物生成を誘発する乱流の原因となり、またガス
送達アセンブリを横断しての所望されざる圧力低下を引
き起こす非−直線的なガス流れを使用することが要求さ
れる。第２の形式のガス送達アセンブリは°°直線スロ
ート°°ガス流れを使用し且つ搬送手段及びガス流れ開
閉のためのシートシールを組み込んだベローズアセンブ
リを使用する。この第２の形式のガス送達アセンブリは
、過剰な圧力低下によって引き起こされる問題を解決す
るが、幾つかの欠点がある。
ベローズ形状は波状面、従って粒状物源として作用し得
る大表面積を有する。
る大表面積を有する。
更には、ガス送達アセンブリ開閉期間中のベローズアセ
ンブリの運動は、その表面変形に基（追加的な粒状物を
創出し得る。
ンブリの運動は、その表面変形に基（追加的な粒状物を
創出し得る。
もしベローズアセンブリを長くすれば、ガス流れ開閉の
ために必要な相対運動は少な（なる。しかしながらベロ
ーズアセンブリの表面積は増大され、従って浮遊粒状物
生成の可能性は高まる。更に、ベローズアセンブリ包囲
体の壁部分が、同様に浮遊粒状物生成の可能性を増大さ
せる。加えてこれはガス流れに露呈される未利用容積を
増大させ、従って乱流の危険を増大させる。この乱流自
身は粒状物生成を増大させ、またガス送達アセンブリを
横断しての圧力低下をも増大させる。
ために必要な相対運動は少な（なる。しかしながらベロ
ーズアセンブリの表面積は増大され、従って浮遊粒状物
生成の可能性は高まる。更に、ベローズアセンブリ包囲
体の壁部分が、同様に浮遊粒状物生成の可能性を増大さ
せる。加えてこれはガス流れに露呈される未利用容積を
増大させ、従って乱流の危険を増大させる。この乱流自
身は粒状物生成を増大させ、またガス送達アセンブリを
横断しての圧力低下をも増大させる。
従来のガス送達アセンブリは粒状物除去のための効率的
なパージが困難であった。
なパージが困難であった。
［発明の目的］
従って、本発明の目的は、従来からのガス送達制御アセ
ンブリの欠点の１つ以上を有さない、高純度ガス送達制
御アセンブリを提供することにある。
ンブリの欠点の１つ以上を有さない、高純度ガス送達制
御アセンブリを提供することにある。
本発明の別の目的は、ガス流れへの粒状物の導入がない
、高純度ガス送達制御アセンブリを提供することにある
。
、高純度ガス送達制御アセンブリを提供することにある
。
本発明の他の目的は、パージの容易な高純度ガス送達制
御アセンブリを提供することにある。
御アセンブリを提供することにある。
本発明の他の目的は、未利用容積が非常に僅かである高
純度ガス送達制御アセンブリを提供することにある。
純度ガス送達制御アセンブリを提供することにある。
本発明によれば、高純度ガス流れ入口孔及び高純度ガス
流れ出口孔を具備する胴部を含む高純度ガス送達制御ア
センブリが提供される。ガス流れ妨害手段搬送溝と、高
純度ガス流れ入口孔及びガス流れ妨害手段搬送溝の交差
部に位置付けられたシートシール受け面もまた含まれる
。
流れ出口孔を具備する胴部を含む高純度ガス送達制御ア
センブリが提供される。ガス流れ妨害手段搬送溝と、高
純度ガス流れ入口孔及びガス流れ妨害手段搬送溝の交差
部に位置付けられたシートシール受け面もまた含まれる
。
高純度ガスの送達を制御するためのガス流れ妨害手段も
また設けられる。該ガス流れ妨害手段は高純度ガス流れ
入口孔及び高純度ガス流れ出口孔間でガス流れ妨害手段
搬送溝内に位置決めされる。ガス流れ妨害手段は、搬送
手段を設けたベローズアセンブリと、未利用容積画定手
段をベローズアセンブリに隣合って位置イ」けたガス流
れシールアセンブリと、未利用容積を画定するシールか
ら離間されたシートシールとを含む。
また設けられる。該ガス流れ妨害手段は高純度ガス流れ
入口孔及び高純度ガス流れ出口孔間でガス流れ妨害手段
搬送溝内に位置決めされる。ガス流れ妨害手段は、搬送
手段を設けたベローズアセンブリと、未利用容積画定手
段をベローズアセンブリに隣合って位置イ」けたガス流
れシールアセンブリと、未利用容積を画定するシールか
ら離間されたシートシールとを含む。
ベローズ容積独立手段もまた設けられる。
特に第１図を参照するに、本発明の高純度ガス送達制御
アセンブリが全体を番号、 ＯＯで示されている。
アセンブリが全体を番号、 ＯＯで示されている。
高純度ガス送達制御アセンブリ１００は、高純度ガス流
れ入口孔１０４を設けたステンレス鋼胴部１０２を含む
。高純度ガス流れ入口孔１０４は好ましくは円形断面を
有する。ステンレス鋼胴部１０２にはやはり、好ましく
は同中心の高純度ガス流れ入口孔１０４と同一直径の円
形断面を有する高純度ガス流れ出口孔１０６が設けられ
る。ステンレス鋼胴部１０２にはまた、高純度ガス流れ
入口孔１０４のそれよりも直径の大きい円形断面を有す
るガス流れ妨害手段搬送溝１０８も設けられる。ガス流
れ妨害手段搬送溝１０８の軸は、高純度ガス流れ入口孔
１０４及び高純度ガス流れ出口孔１０６の各軸に対しあ
る角度を為している。
れ入口孔１０４を設けたステンレス鋼胴部１０２を含む
。高純度ガス流れ入口孔１０４は好ましくは円形断面を
有する。ステンレス鋼胴部１０２にはやはり、好ましく
は同中心の高純度ガス流れ入口孔１０４と同一直径の円
形断面を有する高純度ガス流れ出口孔１０６が設けられ
る。ステンレス鋼胴部１０２にはまた、高純度ガス流れ
入口孔１０４のそれよりも直径の大きい円形断面を有す
るガス流れ妨害手段搬送溝１０８も設けられる。ガス流
れ妨害手段搬送溝１０８の軸は、高純度ガス流れ入口孔
１０４及び高純度ガス流れ出口孔１０６の各軸に対しあ
る角度を為している。
好ましくは前記角度は約４５０である。ガス流れ妨害手
段搬送溝１０８は、該ガス流れ妨害手段搬送溝１０８及
び高純度ガス流れ入口孔１０４の交差部に位置付けられ
た、切頭円錐形状のシートシール受け面１１０内のステ
ンレス鋼胴部１０２内部で終端される。更には、ガス流
れ妨害手段搬送溝１０８はガス流れ妨害手段支持端１１
２に於てステンレス鋼胴部１０２の外側で終端する。
段搬送溝１０８は、該ガス流れ妨害手段搬送溝１０８及
び高純度ガス流れ入口孔１０４の交差部に位置付けられ
た、切頭円錐形状のシートシール受け面１１０内のステ
ンレス鋼胴部１０２内部で終端される。更には、ガス流
れ妨害手段搬送溝１０８はガス流れ妨害手段支持端１１
２に於てステンレス鋼胴部１０２の外側で終端する。
高純度ガスの送達を制御するガス流れ妨害手段１１４も
また設けられる。該ガス流れ妨害手段１１４は高純度ガ
ス流れ入口孔１０４及び高純度ガス流れ出口孔１０６間
で且つガス流れ妨害手段搬送溝１０Ｂ内部に位置付けさ
れる。ガス流れ妨害手段１１４は円形断面を有するベロ
ーズ１１８から成立つベローズアセンブリ１１６を含む
。ベローズ１１８の第１の端部１２０は、ガス漏れのな
い態様でガス流れ妨害手段シール１２２に対してシール
される。該ガス流れ妨害手段シール１２２は好ましくは
切頭円錐形状でありその切頭円錐表面１２４ば、表面１
２６と共にガス漏れのないシールを形成する。表面１２
６は好ましくは、ガス流れ妨害手段搬送溝１０８の外側
終端部１２８に於て湾曲される。切頭円錐形状のガス流
れ妨害手段シール１２２は、搬送手段１３２がそこを貫
く同中心の筒状孔１３０を有する。搬送手段１３２は好
ましくは筒状ロッド１３４形状である。ベロ−ズ１１８
の第２の端部は、未利用容積画定手段１３８を含むガス
流れシールアセンブリ１３６に対してガス漏れのない態
様で結合される。未利用容積画定手段１３８は、ガス流
れ妨害手段搬送溝１０８の直径よりも小さい直径の第１
のステンレス鋼円盤１４０を含む。更に、例えば直径が
第１のステンレス鋼円盤１４０よりも大きく且つガス流
れ妨害手段搬送溝１０８よりも小さい、” ＫｅｌＦ
”の如き可撓性の中実材料から成る未利用容積シー
ル円盤１４２が、そこと衝接関係とされる。
また設けられる。該ガス流れ妨害手段１１４は高純度ガ
ス流れ入口孔１０４及び高純度ガス流れ出口孔１０６間
で且つガス流れ妨害手段搬送溝１０Ｂ内部に位置付けさ
れる。ガス流れ妨害手段１１４は円形断面を有するベロ
ーズ１１８から成立つベローズアセンブリ１１６を含む
。ベローズ１１８の第１の端部１２０は、ガス漏れのな
い態様でガス流れ妨害手段シール１２２に対してシール
される。該ガス流れ妨害手段シール１２２は好ましくは
切頭円錐形状でありその切頭円錐表面１２４ば、表面１
２６と共にガス漏れのないシールを形成する。表面１２
６は好ましくは、ガス流れ妨害手段搬送溝１０８の外側
終端部１２８に於て湾曲される。切頭円錐形状のガス流
れ妨害手段シール１２２は、搬送手段１３２がそこを貫
く同中心の筒状孔１３０を有する。搬送手段１３２は好
ましくは筒状ロッド１３４形状である。ベロ−ズ１１８
の第２の端部は、未利用容積画定手段１３８を含むガス
流れシールアセンブリ１３６に対してガス漏れのない態
様で結合される。未利用容積画定手段１３８は、ガス流
れ妨害手段搬送溝１０８の直径よりも小さい直径の第１
のステンレス鋼円盤１４０を含む。更に、例えば直径が
第１のステンレス鋼円盤１４０よりも大きく且つガス流
れ妨害手段搬送溝１０８よりも小さい、” ＫｅｌＦ
”の如き可撓性の中実材料から成る未利用容積シー
ル円盤１４２が、そこと衝接関係とされる。
ガス流れシールアセンブリ１３６は更に、ガス流れ妨害
手段搬送溝１０８の直径よりも小さい直径を有し且つ同
様に、例えば°’ Ｋｅｌ−Ｆ “°と称される可
撓性材料製であり得るシートシール円盤１４８と衝接関
係にある第２のステンレス鋼円盤１４６から成立つシー
トシール１４４を含む。
手段搬送溝１０８の直径よりも小さい直径を有し且つ同
様に、例えば°’ Ｋｅｌ−Ｆ “°と称される可
撓性材料製であり得るシートシール円盤１４８と衝接関
係にある第２のステンレス鋼円盤１４６から成立つシー
トシール１４４を含む。
未利用容積画定手段１３８及びシートシール１４４は中
空ステンレス鋼シリンダ１５０によって離間され且つ連
結手段１５２によって相互にしっかつと保持される。未
利用容積画定手段１３８及びシートシール１４４は高純
度ガス送達制御アセンブリ１００を開閉させるために必
要な距離と同等距離、離間される。
空ステンレス鋼シリンダ１５０によって離間され且つ連
結手段１５２によって相互にしっかつと保持される。未
利用容積画定手段１３８及びシートシール１４４は高純
度ガス送達制御アセンブリ１００を開閉させるために必
要な距離と同等距離、離間される。
高純度ガス送達制御アセンブリ１００が開放位置にある
場合に独立したベローズ容積が画定されるよう、ベロー
ズ容積独立手段１５４が設けられる。好ましくはベロー
ズ容積独立手段１５４は未利用容積画定手段１３８及び
ガス流れ妨害手段シール１２２間の位置でガス流れ妨害
手段搬送溝１０８の内側壁１５８に付設されたステンレ
ス鋼シリンダ１５６形態のものである。ステンレス鋼シ
リンダ１５６はガス流れ妨害手段シール１２２に密閉状
態で付設され得る。
場合に独立したベローズ容積が画定されるよう、ベロー
ズ容積独立手段１５４が設けられる。好ましくはベロー
ズ容積独立手段１５４は未利用容積画定手段１３８及び
ガス流れ妨害手段シール１２２間の位置でガス流れ妨害
手段搬送溝１０８の内側壁１５８に付設されたステンレ
ス鋼シリンダ１５６形態のものである。ステンレス鋼シ
リンダ１５６はガス流れ妨害手段シール１２２に密閉状
態で付設され得る。
第２図を参照するに、第１図を参照して詳細を説明した
ような、開放位置で示された本発明の高純度ガス送達制
御アセンブリ１００が閉鎖位置で示されている。ガス流
れ妨害手段１１４はここではシートシール円盤１４８が
シートシール受け面１１０と接触する位置とされている
。未利用シール円盤１４２が、ガス流れ妨害手段搬送溝
１０８が高純度ガス流れ出口孔１０６と合致する位置で
ある位置１６０に近接していることを理解されたい。
ような、開放位置で示された本発明の高純度ガス送達制
御アセンブリ１００が閉鎖位置で示されている。ガス流
れ妨害手段１１４はここではシートシール円盤１４８が
シートシール受け面１１０と接触する位置とされている
。未利用シール円盤１４２が、ガス流れ妨害手段搬送溝
１０８が高純度ガス流れ出口孔１０６と合致する位置で
ある位置１６０に近接していることを理解されたい。
高純度ガス送達制御アセンブリ１００には、ガス流れ妨
害手段搬送溝１０８に於て独立ベローズ容積１５５と連
通ずる状態でパージ孔１６２．１６２′を設は得る。斯
くして、高純度ガス送達制御アセンブリ１００が開放位
置にある場合、ベローズによって創出されたいかなる粒
状物も独立ベローズ容積１５５を貫くガス流れによって
パージ可能である。次に、高純度ガス送達制御アセンブ
リ１００を閉じた場合は、高純度ガス流れ出口孔１０６
を貫く高純度ガス流れ内には粒状物は放出されない。し
かしながら、ガス流れ妨害手段搬送溝１０８内に創出さ
れた粒状物は、独立ベローズ容積１５５と連通ずるパー
ジ孔１６２．１６２゛の一方を介し、高純度ガス流れ出
口孔１０６に接近して位置付けられたガスパージ孔１６
４からのガスパージによって除去し得る。
害手段搬送溝１０８に於て独立ベローズ容積１５５と連
通ずる状態でパージ孔１６２．１６２′を設は得る。斯
くして、高純度ガス送達制御アセンブリ１００が開放位
置にある場合、ベローズによって創出されたいかなる粒
状物も独立ベローズ容積１５５を貫くガス流れによって
パージ可能である。次に、高純度ガス送達制御アセンブ
リ１００を閉じた場合は、高純度ガス流れ出口孔１０６
を貫く高純度ガス流れ内には粒状物は放出されない。し
かしながら、ガス流れ妨害手段搬送溝１０８内に創出さ
れた粒状物は、独立ベローズ容積１５５と連通ずるパー
ジ孔１６２．１６２゛の一方を介し、高純度ガス流れ出
口孔１０６に接近して位置付けられたガスパージ孔１６
４からのガスパージによって除去し得る。
第１図及び２図と同一の部品が同一参照番号で示される
第３図を参照するに、本発明に従う高純度ガス送達アセ
ンブリ流れシールアセンブリの好ましい別態様の断面図
が示され、第４図から第６図に更に詳しく表される。可
撓性の円形ガスケット３０２の形態の未利用容積画定手
段１３８を含むガス流れシールアセンブリ１３６が示さ
れる。
第３図を参照するに、本発明に従う高純度ガス送達アセ
ンブリ流れシールアセンブリの好ましい別態様の断面図
が示され、第４図から第６図に更に詳しく表される。可
撓性の円形ガスケット３０２の形態の未利用容積画定手
段１３８を含むガス流れシールアセンブリ１３６が示さ
れる。
円形ガスケット３０２はベローズ容積独立手段１５４と
接触するための凸状湾曲面を具備し且つ好ましくは円形
断面を有する。未利用容積画定手段１３８は、ここでは
円錐形状のシートシール受け面１１０と接触するための
凸状湾曲面を具備する可撓性の円形ガスケット３０４形
状であるシートシール１４４をも含み、また好ましくは
円形断面を有する。両ガスケットは例えば、 にｅｌ
−Ｆと称される可撓性材料製であり得る。ガス流れシー
ルアセンブリ１３６はまた、前記未利用容積画定手段及
び前記シートシールを同中心で相互に離間させた状態で
維持するための離間手段３０６にして、回転軸３０８を
具備し円形断面を有する離聞手段３０６をも含む。該離
間手段３０６は、回転軸３０８と直交し且つベローズ１
１８にシールされるようになっている第１の端部表面３
１０を有する。離間手段３０６はまた第１の周囲段部３
１２をも具備する。該第１の周囲段部３１２は、前記第
１の端部表面３１０と隣接し、第１の軸方向段部壁３１
１によって軸方向に、そして第１の半径方向段部壁３１
３によって半径方向に、円形ガスケット３０２の断面直
径よりも僅かに小さい距離だけ、離間手段３０６内へと
切込まれる。第１の周囲段部３１２はガス漏れのない態
様で、第１の軸方向段部壁３１１及び第１の半径方向段
部壁３１３と接触する円形ガスケット３０２を保持する
。離間手段３０６は回転軸３０８と直交する第２の端部
表面３１４をも具備する。該第２の端部表面３１４に隣
合って第２の周囲段部３１６が設けられる。該第２の周
囲段部３１６は、第２の軸方向段部壁３１５によって軸
方向に、そして第２の半径方向段部壁３１７によって半
径方向に、シートシール３０４の断面直径よりも僅かに
小さい距離だけ、離間手段３０６内へと切込まれる。
接触するための凸状湾曲面を具備し且つ好ましくは円形
断面を有する。未利用容積画定手段１３８は、ここでは
円錐形状のシートシール受け面１１０と接触するための
凸状湾曲面を具備する可撓性の円形ガスケット３０４形
状であるシートシール１４４をも含み、また好ましくは
円形断面を有する。両ガスケットは例えば、 にｅｌ
−Ｆと称される可撓性材料製であり得る。ガス流れシー
ルアセンブリ１３６はまた、前記未利用容積画定手段及
び前記シートシールを同中心で相互に離間させた状態で
維持するための離間手段３０６にして、回転軸３０８を
具備し円形断面を有する離聞手段３０６をも含む。該離
間手段３０６は、回転軸３０８と直交し且つベローズ１
１８にシールされるようになっている第１の端部表面３
１０を有する。離間手段３０６はまた第１の周囲段部３
１２をも具備する。該第１の周囲段部３１２は、前記第
１の端部表面３１０と隣接し、第１の軸方向段部壁３１
１によって軸方向に、そして第１の半径方向段部壁３１
３によって半径方向に、円形ガスケット３０２の断面直
径よりも僅かに小さい距離だけ、離間手段３０６内へと
切込まれる。第１の周囲段部３１２はガス漏れのない態
様で、第１の軸方向段部壁３１１及び第１の半径方向段
部壁３１３と接触する円形ガスケット３０２を保持する
。離間手段３０６は回転軸３０８と直交する第２の端部
表面３１４をも具備する。該第２の端部表面３１４に隣
合って第２の周囲段部３１６が設けられる。該第２の周
囲段部３１６は、第２の軸方向段部壁３１５によって軸
方向に、そして第２の半径方向段部壁３１７によって半
径方向に、シートシール３０４の断面直径よりも僅かに
小さい距離だけ、離間手段３０６内へと切込まれる。
第２の周囲段部３１６はガス漏れのない態様で、第２の
軸方向段部壁３１５及び第２の半径方向段部壁３１７と
接触するシートシール３０４を保持する。各ガスケット
は離間手段３０６の段部内にヒートシュリンクさせ得る
。
軸方向段部壁３１５及び第２の半径方向段部壁３１７と
接触するシートシール３０４を保持する。各ガスケット
は離間手段３０６の段部内にヒートシュリンクさせ得る
。
特に第３図を参照するに、ガス流れシールアセンブリ１
３６の第１の端部表面３１０がベローズ１１８に溶接さ
れている。第３図に示されるように、シートシール３０
４は高純度ガス送達制御アセンブリ１００のための切頭
円錐形状のシートシール受け面１１０と接触状態とされ
ている。円形ガスケット３０２がベローズ容積独立手段
１５４と接触状態でガスが流れると、高純度ガスはガス
送達アセンブリを貫いて流動する。
３６の第１の端部表面３１０がベローズ１１８に溶接さ
れている。第３図に示されるように、シートシール３０
４は高純度ガス送達制御アセンブリ１００のための切頭
円錐形状のシートシール受け面１１０と接触状態とされ
ている。円形ガスケット３０２がベローズ容積独立手段
１５４と接触状態でガスが流れると、高純度ガスはガス
送達アセンブリを貫いて流動する。
円形ガスケット３０２及びシートシール３０４が、第５
図に示される第１の周囲段部３１２及び第２の周囲段部
３１６とは異なる形状のハウジングに於て保持され得る
ことを認識されたい。第６図にはその好ましい別態様が
示され、円形ガスケット３０２及びシートシール３０４
は、円形断面を有するシート３１８．３２０内に夫々収
納されている。
図に示される第１の周囲段部３１２及び第２の周囲段部
３１６とは異なる形状のハウジングに於て保持され得る
ことを認識されたい。第６図にはその好ましい別態様が
示され、円形ガスケット３０２及びシートシール３０４
は、円形断面を有するシート３１８．３２０内に夫々収
納されている。
以上本発明を具体例を参照して説明したが、本発明の内
で多くの変更を成し得ることを理解されたい。
で多くの変更を成し得ることを理解されたい。
第１図は、本発明の高純度ガス送達制御アセンブリの開
放位置での断面図である。 第２図は本発明の高純度ガス送達制御アセンブリの閉鎖
位置での断面図である。 第３図はガス流れシールアセンブリの好ましい具体例を
組み込んだ高純度ガス送達制御アセンブリの部分破除し
た断面図である。 第４図はガス流れシールアセンブリの平面図である。 第５図は第４図のガス流れシールアセンブリを第４図の
線５−５で切断した断面図である。 第６図は、ガス流れシールアセンブリの別態様の、第５
図と類似の断面図である。 尚、図中上な部分の名称は以下の通りである。 １００：高純度ガス送達制御アセンブリ１０２ニステン
レス鋼胴部 １０４：高純度ガス流れ入口孔 １０６：高純度ガス流れ出口孔 １０８：ガス流れ妨害手段搬送溝 １１０ ： １１４ ＝ １１６ ： １ ｌ ８ ： １２０ ： １２４ ： １３２ ： １３６ ： １３８ ： １４０ ＝ 】 ４２ ： １４４ ： １４６ ： ｌ ４８ ： ］、 ５ ０ 】 ５２ ： １５４ ： １５５ ： シートシール受け面 ガス流れ妨害手段 ベローズアセンブリ ベローズ 第１の端部 ガス流れ妨害手段シール 切頭円錐表面 搬送手段 ガス流れシールアセンブリ 未利用容積画定手段 第１のステンレス鋼円盤 未利用シール円盤 シートシール 第２のステンレス鋼円盤 シートシール円盤 中空ステンレス鋼シリンダ 連結手段 ベローズ容積独立手段 独立ベローズ容積 ステンレス鋼シリンダ １６２．１６２° ：バージ孔 １６４：ガスパージ孔
放位置での断面図である。 第２図は本発明の高純度ガス送達制御アセンブリの閉鎖
位置での断面図である。 第３図はガス流れシールアセンブリの好ましい具体例を
組み込んだ高純度ガス送達制御アセンブリの部分破除し
た断面図である。 第４図はガス流れシールアセンブリの平面図である。 第５図は第４図のガス流れシールアセンブリを第４図の
線５−５で切断した断面図である。 第６図は、ガス流れシールアセンブリの別態様の、第５
図と類似の断面図である。 尚、図中上な部分の名称は以下の通りである。 １００：高純度ガス送達制御アセンブリ１０２ニステン
レス鋼胴部 １０４：高純度ガス流れ入口孔 １０６：高純度ガス流れ出口孔 １０８：ガス流れ妨害手段搬送溝 １１０ ： １１４ ＝ １１６ ： １ ｌ ８ ： １２０ ： １２４ ： １３２ ： １３６ ： １３８ ： １４０ ＝ 】 ４２ ： １４４ ： １４６ ： ｌ ４８ ： ］、 ５ ０ 】 ５２ ： １５４ ： １５５ ： シートシール受け面 ガス流れ妨害手段 ベローズアセンブリ ベローズ 第１の端部 ガス流れ妨害手段シール 切頭円錐表面 搬送手段 ガス流れシールアセンブリ 未利用容積画定手段 第１のステンレス鋼円盤 未利用シール円盤 シートシール 第２のステンレス鋼円盤 シートシール円盤 中空ステンレス鋼シリンダ 連結手段 ベローズ容積独立手段 独立ベローズ容積 ステンレス鋼シリンダ １６２．１６２° ：バージ孔 １６４：ガスパージ孔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高純度ガス送達制御アセンブリであって、高純度ガ
ス流れ入口１０４、高純度ガス流れ出口１０６、ガス流
れ妨害溝１０８、前記高純度ガス流れ入口１０４及び高
純度ガス流れ出口１０６間に位置付けされたシートシー
ル受け面１１０、を具備する胴部１００と、 高純度ガスの送達を制御するためのガス流れ妨害手段１
１４にして、前記高純度ガス流れ入口１０４及び高純度
ガス流れ出口１０６間で前記ガス流れ妨害溝１０８内に
位置付けられ、搬送手段１３２、ガス流れシールアセン
ブリ１３６を具備するベローズアセンブリ１１６を含み
、前記ガス流れシールアセンブリ１３６はベローズアセ
ンブリ１１６に隣合って位置付けされた未利用容積画定
手段１３８と、該未利用容積画定手段１３８から離間さ
れたシートシール１４４とを具備するガス流れ妨害手段
１１４と、 ベローズ容積独立手段１５４と を包含する高純度ガス送達制御アセンブリ。 ２、高純度ガス送達制御アセンブリ１００であって、 金属製胴部１０２にして、円形断面を有する高純度ガス
流れ入口１０４、前記高純度ガス流れ入口１０４と同中
心の円形断面を有し且つ同一直径を有する高純度ガス流
れ出口１０６、前記高純度ガス流れ入口１０４よりも大
きな直径を有し且つその軸が前記高純度ガス流れ入口１
０４及び高純度ガス流れ出口１０６の軸とある角度を為
し、前記金属製胴部１０２内部及び外側で終端するガス
流れ妨害溝１０８、該ガス流れ妨害溝１０８及び前記高
純度ガス流れ入口１０４間の交差部に位置付けられたシ
ートシール受け面１１０、ガス流れ妨害手段支持端１１
２、を有する前記金属製胴部１０２と、 前記高純度ガス流れ入口１０４及び高純度ガス流れ出口
１０６間で前記ガス流れ妨害溝１０８内に位置付けられ
た、高純度ガスの送達を制御するためのガス流れ妨害手
段１１４にして、ベローズ１１８を含むベローズアセン
ブリ１１６、ガス流れ妨害手段シール１２２、を含み、
前記ベローズ１１８はその第１の端部１２０がガス漏れ
のない態様で前記ガス流れ妨害手段シール１２２に対し
てシールされ、前記ガス流れ妨害手段シール１２２はガ
ス流れ妨害溝１０８の外側終端部１２８の表面１２６と
ガス漏れのないシールを形成する、前記ガス流れ妨害手
段１１４と、 搬送手段１３２にして、前記ガス流れ妨害手段シール１
２２に設けられた孔１３０を貫く搬送手段１３２と、 ガス流れシールアセンブリ１３６にして、未利用容積画
定手段１３８、シートシール１４４、を含み、前記ガス
流れシールアセンブリにして、未利用容積画定手段１３
８及びシートシール１４４は離間されている前記ガス流
れシールアセンブリ１３６と、 ステンレス鋼シリンダ形態のベローズ容積独立手段１５
４と を包含する前記高純度ガス送達制御アセンブリ１００。 ３、高純度ガス送達制御アセンブリ１００であって、 ステンレス鋼胴部１０２にして、円形断面の高純度ガス
流れ入口孔１０４、該高純度ガス流れ入口孔１０４と同
中心で且つ同一直径を有する円形断面の高純度ガス流れ
出口孔１０６、前記高純度ガス流れ入口孔１０４より大
きい直径の円形断面を有し且つその軸が前記高純度ガス
流れ入口孔１０４及び高純度ガス流れ出口孔１０６の各
軸に対して約４５０の角度を為し前記ステンレス鋼胴部
１０２内部及び外側で終端するガス流れ妨害手段搬送溝
１０８、該ガス流れ妨害手段搬送溝１０８及び高純度ガ
ス流れ入口孔１０４間の交差部に位置付けられた切頭円
錐形状のシートシール受け面１１０、ガス流れ妨害手段
支持端１１２、を具備する前記ステンレス鋼胴部１０２
と、 前記高純度ガス流れ入口１０４及び高純度ガス流れ出口
１０６間で前記ガス流れ妨害溝１０８内に位置付けられ
た、高純度ガスの送達を制御するためのガス流れ妨害手
段１１４にして、円形断面のベローズア１１８を含むベ
ローズアセンブリ１１６、切頭円錐形状のガス流れ妨害
手段シール１２２、を含み、前記ベローズ１１８はその
第１の端部１２０がガス漏れのない態様で前記ガス流れ
妨害手段シール１２２に対してシールされ、前記ガス流
れ妨害手段シール１２２の切頭円錐表面１２４はガス流
れ妨害溝１０８の外側終端部１２８の湾曲表面１２６と
ガス漏れのないシールを形成する、前記ガス流れ妨害手
段１１４と、 筒状ロッド形態の搬送手段１３２にして、前記ガス流れ
妨害手段シール１２２に設けられた同中心の筒状孔１３
０を貫く搬送手段１３２と、ガス流れシールアセンブリ
にして、前記ガス流れ妨害溝１０８の直径より小さい直
径を有する第１のステンレス鋼円盤１４０及び該第１の
ステンレス鋼円盤１４０の直径より大きく且つ前記ガス
流れ妨害溝１０８の直径より小さい直径を有する可撓性
の未利用容積シール円盤１４２を具備する未利用容積画
定手段１３８、前記ガス流れ妨害溝１０８の直径より小
さい直径を有する第２のステンレス鋼円盤１４６及び可
撓性のシートシール円盤１４８を具備するシートシール
１４４を含み、前記ガス流れシールアセンブリにして、
未利用容積画定手段１３８及びシートシール１４４は中
空ステンレス鋼シリンダ１５０によって離間され且つ連
結手段１５２によって相互にしっかりと保持されている
前記ガス流れシールアセンブリと、前記未利用容積画定
手段１３８及びステンレス鋼及び切頭円錐形状の前記ガ
ス流れ妨害手段シール１２２間の位置で前記ガス流れ妨
害溝１０８の内側壁１５８に付設された、シリンダ１５
６形態のベローズ容積独立手段１５４と を包含する前記高純度ガス送達制御アセンブリ１００。 ４、ガス流れシールアセンブリ１３６は、 ベローズ容積独立手段１５４と接触するための凸状湾曲
表面を具備する円形ガスケット３０２形態の未利用容積
画定手段１３８と、 切頭円錐形状のシートシール受け面１１０と接触するた
めの凸状湾曲表面を具備する円形ガスケット３０４形態
のシートシール１４４と、 前記円形ガスケット３０２形態の未利用容積画定手段１
３８及び円形ガスケット３０４形態のシートシール１４
４を相互に同軸状態で離間させておくための離間手段３
０６と を含んでいる特許請求の範囲第２項記載の高純度ガス送
達制御アセンブリ。 ５、円形ガスケット３０２及び円形ガスケット３０４は
可撓性であり且つ円形断面を有している特許請求の範囲
第４項記載の高純度ガス送達制御アセンブリ。 ６、離間手段３０６は、円形断面を有し、回転軸３０８
を有し、該回転軸３０８と直交し、ベローズ１１８に対
してシールされるようになっている第１の端部表面３１
０と、 該第１の端部表面３１０に隣合う第１の周囲段部３１２
にして、円形ガスケット３０２形態の未利用容積画定手
段１３８の断面直径よりも僅かに小さい距離だけ、前記
離間手段３０６内へと軸方向及び半径方向の両方向に於
て切込まれ、前記未利用容積画定手段１３８を保持する
第１の周囲段部３１２と、 前記回転軸３０８と直交する第２の端部表面３１４と、 前記第２の端部表面３１４に隣合う第１の周囲段部３１
２にして、円形ガスケット３０４形態のシートシール１
４４の断面直径よりも僅かに小さい距離だけ前記離間手
段３０６内に軸方向及び半径方向の両方向に於て切込ま
れ、前記シートシール１４４を保持する第１の周囲段部
３１２とを有している特許請求の範囲第５項記載の高純
度ガス送達制御アセンブリ。 ７、離間手段３０６は、円形断面を有し、回転軸３０８
を有し、該回転軸３０８と直交し、ベローズ１１８に対
してシールされるようになっている第１の端部表面３１
０と、 該第１の端部表面３１０に隣合う第１の周囲ハウジング
３１８にして、円形ガスケット３０２形態の未利用容積
画定手段１３８の断面直径よりも僅かに小さい距離だけ
、前記離間手段３０６内へと軸方向及び半径方向の両方
向に於て切込まれ、前記未利用容積画定手段１３８を保
持し且つ円形断面を有する第１のハウジング３１８と、 前記回転軸３０８と直交する第２の端部表面３１４と、 前記第１のハウジング３１８に隣合う第２のハウジング
３２０にして、円形ガスケット３０４形態のシートシー
ルの断面直径よりも僅かに小さい距離だけ前記離間手段
３０６内に軸方向及び半径方向の両方向に於て切込まれ
、前記シートシールを保持し且つ円形断面を有する第２
の周囲段部３２０と を有している特許請求の範囲第５項記載の高純度ガス送
達制御アセンブリ。 ８、独立ベローズ容積１５５と連通するガス流妨害手段
搬送溝に於て少なくとも２つのパージ孔を有している特
許請求の範囲第１項記載の高純度ガス送達制御アセンブ
リ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8919009A IT1228197B (it) | 1989-01-04 | 1989-01-04 | Dispositivo di comando dell'erogazione di gas a purezza elevata. |
| IT19009A/89 | 1989-01-04 | ||
| IT22154A/89 | 1989-10-27 | ||
| IT22154A IT1237644B (it) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | Dispositivo di tenuta di un flusso di gas. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266183A true JPH02266183A (ja) | 1990-10-30 |
| JP2709858B2 JP2709858B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=26327021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33883489A Expired - Lifetime JP2709858B2 (ja) | 1989-01-04 | 1989-12-28 | 高純度ガス送達アセンブリ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4991619A (ja) |
| EP (1) | EP0377418B1 (ja) |
| JP (1) | JP2709858B2 (ja) |
| CA (1) | CA2006331A1 (ja) |
| DE (1) | DE68911118T2 (ja) |
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| JPH09502243A (ja) * | 1993-07-16 | 1997-03-04 | カーテン コントロールズ インコーポレイテッド | 流体フローバルブ |
| JP2003042339A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Anelva Corp | 真空弁 |
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- 1989-12-29 DE DE1989611118 patent/DE68911118T2/de not_active Expired - Lifetime
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