JPH02265283A - 超電導回路の作成法 - Google Patents
超電導回路の作成法Info
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- JPH02265283A JPH02265283A JP1087202A JP8720289A JPH02265283A JP H02265283 A JPH02265283 A JP H02265283A JP 1087202 A JP1087202 A JP 1087202A JP 8720289 A JP8720289 A JP 8720289A JP H02265283 A JPH02265283 A JP H02265283A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本フサ明は各種の分野に多用されつつある超電導回路の
作成、去に関する。
作成、去に関する。
（ロ）従来の技術
ＲＢａＣｕＯ（Ｒ＝Ｙ、Ｙｂ、Ｅｕｌ系の酸化物が液体
窒素の温度より高い温度（７７Ｋ）で超ＴＬ導状態にな
ることが見出され高温超電導技術のブームが起こ・った
ことは記憶に新しい。その後、地道な研究が続けられ、
各種の分野への応用が提案さノしている。その中の１つ
として５ＱＵＩＤで代表される超電導素子が挙げられる
。斯る超電導素子の開発が進に連れてそれらの素子間を
超電導接続する超電導回路が必要となってきた。
窒素の温度より高い温度（７７Ｋ）で超ＴＬ導状態にな
ることが見出され高温超電導技術のブームが起こ・った
ことは記憶に新しい。その後、地道な研究が続けられ、
各種の分野への応用が提案さノしている。その中の１つ
として５ＱＵＩＤで代表される超電導素子が挙げられる
。斯る超電導素子の開発が進に連れてそれらの素子間を
超電導接続する超電導回路が必要となってきた。
その１′）として第３図に示す構造のものが提案されて
いる。即ち絶縁体相にある超電導組成物基板、例えばＲ
ｙＢａＣｕＯｘ（Ｒ＝Ｙ、ｙｂ、Ｅｕ）からなる基板（
１０）表面に、該超電導組成物を超電導相（ＲＢ ａｔ
ｃ ｕｌＯ？）に変化させるに必要とした組成物である
Ｂａ−Ｃｕ酸化物（１１）を超電導回路パターンに従っ
て襖着し、熱処理を加えることによってこのＢａ−Ｃｕ
酸化物（１１）を基板（１ｏ）内に拡散させて超電導回
路（１２）を得るものである。
いる。即ち絶縁体相にある超電導組成物基板、例えばＲ
ｙＢａＣｕＯｘ（Ｒ＝Ｙ、ｙｂ、Ｅｕ）からなる基板（
１０）表面に、該超電導組成物を超電導相（ＲＢ ａｔ
ｃ ｕｌＯ？）に変化させるに必要とした組成物である
Ｂａ−Ｃｕ酸化物（１１）を超電導回路パターンに従っ
て襖着し、熱処理を加えることによってこのＢａ−Ｃｕ
酸化物（１１）を基板（１ｏ）内に拡散させて超電導回
路（１２）を得るものである。
（ハ）発明が解決しようとした課題
ところが二の方法によると超電導回路パターンは熱拡散
によって得らえるのでパターンにシャープさが欠け、微
細な形状の回路パターンの作成に不向きであるＬに、回
路パターンに従ってＢａ−Ｃｕ酸化物（１１）を被着さ
せるにはマスク処理が必要で、工程的に趨雑さを免れな
かった。
によって得らえるのでパターンにシャープさが欠け、微
細な形状の回路パターンの作成に不向きであるＬに、回
路パターンに従ってＢａ−Ｃｕ酸化物（１１）を被着さ
せるにはマスク処理が必要で、工程的に趨雑さを免れな
かった。
に２１課題を解決するための手段
本発明は、絶縁体相状態にある超電導組成物基板表面に
該基板と同じ組成物からなる超電導膜を積層すると共に
、その超電導膜の表面からエネルギービームを局部的に
走査照射し、そのエネルギービームの照射を受けた個所
を半導体相、または絶縁体相の非超電導相に変化させる
ことによって所望のパターンからなる超電導回路を得る
ものである。
該基板と同じ組成物からなる超電導膜を積層すると共に
、その超電導膜の表面からエネルギービームを局部的に
走査照射し、そのエネルギービームの照射を受けた個所
を半導体相、または絶縁体相の非超電導相に変化させる
ことによって所望のパターンからなる超電導回路を得る
ものである。
（ホ）作用
本発明によれば、回路パターンがマスクを用いることな
く微細な形状に形成される。
く微細な形状に形成される。
（へ）実施例
本発明の第１の］′、程は第１図に示すように、絶縁体
相状態にある超電導組成物基板（１）表面に、該基板（
１）と同じ組成物からなる超電導膜（２ンを積層すると
ころにある。絶縁体相状態にあるＭｉ電導組成物基板（
１）としては、高密度で組成が均一な物質が好ましく、
例えばプラズマ溶融法によって形成されたＲ ＢａＣｕ
Ｏ（Ｒ＝Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｕ）系からなる組成比が略２
：１：１：Ｘのものが用いられる。またＮ電導膜（２）
としては基板（１）と同じ組成物ではあるがその組成比
が、略１ ：２ ：３ ニアで、膜厚的１μｍのらのが
用いられる。この超電導膜（２）はＲＦスパッタリング
法、イオンビームスパンタリング法、電子ビーム蒸着法
、イオンブレーティング法、などによって形成される。
相状態にある超電導組成物基板（１）表面に、該基板（
１）と同じ組成物からなる超電導膜（２ンを積層すると
ころにある。絶縁体相状態にあるＭｉ電導組成物基板（
１）としては、高密度で組成が均一な物質が好ましく、
例えばプラズマ溶融法によって形成されたＲ ＢａＣｕ
Ｏ（Ｒ＝Ｙ、 Ｙｂ、 Ｅｕ）系からなる組成比が略２
：１：１：Ｘのものが用いられる。またＮ電導膜（２）
としては基板（１）と同じ組成物ではあるがその組成比
が、略１ ：２ ：３ ニアで、膜厚的１μｍのらのが
用いられる。この超電導膜（２）はＲＦスパッタリング
法、イオンビームスパンタリング法、電子ビーム蒸着法
、イオンブレーティング法、などによって形成される。
それらの方法のうち、−例としてＲＦスパッタリング法
の成長条件を下記する。
の成長条件を下記する。
Ｏ雰囲気ガス：Ａｒ、１０゜
○Ｌ１三力 ：２ＸｌＯ−１
○基板温度：３００〜６５０℃
○成長速度：１００人／ｍｉｎ
本発明の第２の工程は第２図に示すように、このＴｔ導
換（２月二局部的にレーザービーム５成るいはＦＩＢな
どのエネルギービーム（３）を走査照射して該膜（２）
を超電導体相から半導体相、成るいは絶縁体相の非超電
導相（４）に変化せしめるところにある。超電導膜（２
）にレーザービーム、成るいはＦＩＢなどのエネルギー
ビーム（３）を照射するとそのビーム（３）の照射を受
けた個所は局部的に高温に加熱され、該ビーム（３）の
除去によって急冷される。その加熱、急冷プロセスを経
ることによって超電導相である組成比が、１ ：２ ：
３ ニアから１ ：２ ：３ ：６゜５の半導体相、成
るいは絶縁体相である２：１：１：Ｘに変化する。この
非超電導相（４）が半導体相に変化するか、絶縁体相に
変化するかは、エネルギービーム（３）照射によって加
熱される温度に依存し、その温度が５００℃から１０５
０℃程度の範囲では半導体相となり、それ以トの温度で
あれば絶縁体相に変化することが実験から確認されてい
る。尚、エネルギービーム（３）としてレーザービーム
を用いた場合、超電導膜（２）を１０００℃に加熱する
条件は下記の通り。
換（２月二局部的にレーザービーム５成るいはＦＩＢな
どのエネルギービーム（３）を走査照射して該膜（２）
を超電導体相から半導体相、成るいは絶縁体相の非超電
導相（４）に変化せしめるところにある。超電導膜（２
）にレーザービーム、成るいはＦＩＢなどのエネルギー
ビーム（３）を照射するとそのビーム（３）の照射を受
けた個所は局部的に高温に加熱され、該ビーム（３）の
除去によって急冷される。その加熱、急冷プロセスを経
ることによって超電導相である組成比が、１ ：２ ：
３ ニアから１ ：２ ：３ ：６゜５の半導体相、成
るいは絶縁体相である２：１：１：Ｘに変化する。この
非超電導相（４）が半導体相に変化するか、絶縁体相に
変化するかは、エネルギービーム（３）照射によって加
熱される温度に依存し、その温度が５００℃から１０５
０℃程度の範囲では半導体相となり、それ以トの温度で
あれば絶縁体相に変化することが実験から確認されてい
る。尚、エネルギービーム（３）としてレーザービーム
を用いた場合、超電導膜（２）を１０００℃に加熱する
条件は下記の通り。
Ｏレーザービームエネルギー：１ｍＷ
○走Ｉ速度： ０．１〜１．０ｃｍ／’Ｓｅｃこのよう
Ｃニエネｌレギービーム（３ンの照Ｉ４Ｈこよって超電
導体膜（２）は超電導体相から半導体相、または絶縁体
相の非超電導相（４）に変化するので、エネルギービー
ム（３）を照射走査する領域を制御することによって所
望のパターンの超電導体相を残存させる―とができ、非
超電導相（４）よって隔離された超電導体膜からなる超
電導回路（５）が得られる。
Ｃニエネｌレギービーム（３ンの照Ｉ４Ｈこよって超電
導体膜（２）は超電導体相から半導体相、または絶縁体
相の非超電導相（４）に変化するので、エネルギービー
ム（３）を照射走査する領域を制御することによって所
望のパターンの超電導体相を残存させる―とができ、非
超電導相（４）よって隔離された超電導体膜からなる超
電導回路（５）が得られる。
（ト）発明の効果
本范明は以Ｈの説明から明らかなように、絶縁体相状態
にある超電導組成物基板表面に積層された該基板と同じ
組成物からなる超電導膜の表面からエネルギービームを
局部的に照射して該超電導膜を半導体相、成るいは絶縁
体相に変化せしめて所望の超電導回路パターンを得てい
るので、エネルギービームの照射パターン精度と同じ高
精度で回路パターンを描画できると同時に、マスクを用
いることなくエネルギービームの走査によって超電導回
路が形成され、［遣工程の簡略化が図れる。
にある超電導組成物基板表面に積層された該基板と同じ
組成物からなる超電導膜の表面からエネルギービームを
局部的に照射して該超電導膜を半導体相、成るいは絶縁
体相に変化せしめて所望の超電導回路パターンを得てい
るので、エネルギービームの照射パターン精度と同じ高
精度で回路パターンを描画できると同時に、マスクを用
いることなくエネルギービームの走査によって超電導回
路が形成され、［遣工程の簡略化が図れる。
第１図、第２図は本発明製作法を工程順に示した断面図
、第３図は従来方法を説明するための断面図である。 （１（１０）・・基板、 （２）・ ・超電導膜、 （３・・・・・・エネルギービーム、 （４・・・・・・・非超電導膜、 （５（１２）・・・超電導回路。 第２図
、第３図は従来方法を説明するための断面図である。 （１（１０）・・基板、 （２）・ ・超電導膜、 （３・・・・・・エネルギービーム、 （４・・・・・・・非超電導膜、 （５（１２）・・・超電導回路。 第２図
Claims (2)
- （１）絶縁体相状態にある超電導組成物基板表面に該基
板と同じ組成物からなる超電導膜を積層すると共に、そ
の超電導膜の表面からエネルギービームを局部的に走査
照射し、そのエネルギービームの照射を受けた個所を半
導体相、または絶縁体相に変化させることによって所望
のパターンからなる超電導回路を得ることを特徴とした
超電導回路の作成法。 - （２）上記超電導組成物は、ＲＢａＣｕＯ（Ｒ＝Ｙ、Ｙ
ｂ、Ｅｕ）系からなり、絶縁体相はその組成比が略２：
１：１：Ｘであり、半導体相の組成比は略１：２：３：
６．５で、超電導相は１：２：３：７であることを特徴
とした請求項（１）記載の超電導回路の作成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087202A JP2925571B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 超電導回路の作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087202A JP2925571B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 超電導回路の作成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265283A true JPH02265283A (ja) | 1990-10-30 |
| JP2925571B2 JP2925571B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=13908388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087202A Expired - Fee Related JP2925571B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 超電導回路の作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2925571B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109263A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導テープ線材の製造方法、超電導テープ線材、および超電導機器 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087202A patent/JP2925571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109263A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導テープ線材の製造方法、超電導テープ線材、および超電導機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2925571B2 (ja) | 1999-07-28 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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