JPH02262334A - 窒化シリコン膜のドライエッチング方法 - Google Patents
窒化シリコン膜のドライエッチング方法Info
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- JPH02262334A JPH02262334A JP8143189A JP8143189A JPH02262334A JP H02262334 A JPH02262334 A JP H02262334A JP 8143189 A JP8143189 A JP 8143189A JP 8143189 A JP8143189 A JP 8143189A JP H02262334 A JPH02262334 A JP H02262334A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体製造プロセスで用いられるドライエ
ツチング方法に係わり、特にシリコン窒化膜をシリコン
酸化膜に対して高選択比でネッチングするドライエツチ
ング方法暑ζ関する。
ツチング方法に係わり、特にシリコン窒化膜をシリコン
酸化膜に対して高選択比でネッチングするドライエツチ
ング方法暑ζ関する。
（従来の技術）
半導体素子製造工程においては、素子分離領域形成工程
やＬ Ｄ Ｄ （Ｌｉｇｈｔ ｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒ
ａｉｕ）構造のトランジスタ製造工程において、シリコ
ン窒化膜がマスク材料として広く使用されている。第６
図は、選択酸化法による素子分離領域形成過程を示す図
である。
やＬ Ｄ Ｄ （Ｌｉｇｈｔ ｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒ
ａｉｕ）構造のトランジスタ製造工程において、シリコ
ン窒化膜がマスク材料として広く使用されている。第６
図は、選択酸化法による素子分離領域形成過程を示す図
である。
まずシリコン基板２１上に熱酸化によりシリコン酸化膜
２２を形成し、その上にシリコン窒化膜２３をＣＶＤ法
番こより堆積する。次に、この上にレジストを用いて素
子分離領域２４に開口が設けられる様なパターンを形成
し、これをマスクに素子分離領域２４のシリコン窒化膜
２３を反応性イオンエツチング（ＣＦ４−１−０．混合
ガスを用いたＢ、ＩＰ１１ζよる異方性エツチング）を
用いて除去する。
２２を形成し、その上にシリコン窒化膜２３をＣＶＤ法
番こより堆積する。次に、この上にレジストを用いて素
子分離領域２４に開口が設けられる様なパターンを形成
し、これをマスクに素子分離領域２４のシリコン窒化膜
２３を反応性イオンエツチング（ＣＦ４−１−０．混合
ガスを用いたＢ、ＩＰ１１ζよる異方性エツチング）を
用いて除去する。
次に反転防止用のボロンを素子分離領域２４ヘイオン注
入する。次に、耐酸化性膜であるシリコン窒化膜２３を
マスクにしてシリコン基板２１を選択酸化し素子分離領
域を形成する。（第６図（ａつ）次にケミカルドライエ
ツチング等を用いてシリコン窒化膜２３を、更に、フッ
化アンモニウム液等を用いたウェットエツチングにより
シリコン酸化膜２２を除去する。（第６図（ｂ）つ第７
図は、反応性イオンエツチングによりシリコン窒化膜２
３を除去する際用いられるドライエツチング装置である
。本装置を用いたドライエツチング方法について説明す
る。容器２５内の高周波印加側の平行平板電極２６．に
被処理基体２７を載置する。また、もう一方の平行平板
電極２６重は接地する。次に容器２５内を０．ｌｐａに
なるまで排気する。次にＣＦ４とＯ！をバルブ２８を調
節し、ガス導入口２９より供給する。容ｒＧ２５内を１
３ｐ！にし、また平行平板電極２６の温度を２６℃、Ｒ
Ｆ７０Ｗに設定した後、マイクロ波放電を行ない、ＣＦ
、と０！を励起してエツチングを行なう。
入する。次に、耐酸化性膜であるシリコン窒化膜２３を
マスクにしてシリコン基板２１を選択酸化し素子分離領
域を形成する。（第６図（ａつ）次にケミカルドライエ
ツチング等を用いてシリコン窒化膜２３を、更に、フッ
化アンモニウム液等を用いたウェットエツチングにより
シリコン酸化膜２２を除去する。（第６図（ｂ）つ第７
図は、反応性イオンエツチングによりシリコン窒化膜２
３を除去する際用いられるドライエツチング装置である
。本装置を用いたドライエツチング方法について説明す
る。容器２５内の高周波印加側の平行平板電極２６．に
被処理基体２７を載置する。また、もう一方の平行平板
電極２６重は接地する。次に容器２５内を０．ｌｐａに
なるまで排気する。次にＣＦ４とＯ！をバルブ２８を調
節し、ガス導入口２９より供給する。容ｒＧ２５内を１
３ｐ！にし、また平行平板電極２６の温度を２６℃、Ｒ
Ｆ７０Ｗに設定した後、マイクロ波放電を行ない、ＣＦ
、と０！を励起してエツチングを行なう。
以上の様なドライエツチング方法によると、シリコン窒
化膜２３とシリコン酸化膜２２との間のエツチング速度
の比、即ち選択比が高々２〜３しかないために、下地の
シリコン酸化膜でエツチングが停止せず、シリコン基板
２１までエツチングされてしまうという問題点があった
。
化膜２３とシリコン酸化膜２２との間のエツチング速度
の比、即ち選択比が高々２〜３しかないために、下地の
シリコン酸化膜でエツチングが停止せず、シリコン基板
２１までエツチングされてしまうという問題点があった
。
（発明が解決しようとする課題）
以上の様に従来のドライエツチング方法では、シリコン
窒化膜に対するシリコン酸化膜の選択比が低いため、下
地のシリコン基板までエツチングされてしまい、これは
デバイス特性を著しく損なうという問題点があった。
窒化膜に対するシリコン酸化膜の選択比が低いため、下
地のシリコン基板までエツチングされてしまい、これは
デバイス特性を著しく損なうという問題点があった。
本発明は、この様な課題を解決する選択比を向上した異
方性エツチング方法を提供することを目的とする。
方性エツチング方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、ガスを導
入する手段と導入されたガスを励起または活性化する手
段とガスを排気する手段とを備えた真空容器内に、酸化
シリコン膜と窒化シリコン膜が屓次積み重ねて形成され
た基板を入れ、下地の酸化シリコン膜に対して上層の窒
化シリコン膜を選択的にエツチングするドライエツチン
グ方法において、前記基板を接地または電気的に浮遊状
態とし、前記導入されるガスとして弗素原子を含有する
ガスと塩素原子を含有するガスとの混合ガスを用いるこ
とを特徴とする窒化シリコン膜のドライエツチング方法
を提供する。
入する手段と導入されたガスを励起または活性化する手
段とガスを排気する手段とを備えた真空容器内に、酸化
シリコン膜と窒化シリコン膜が屓次積み重ねて形成され
た基板を入れ、下地の酸化シリコン膜に対して上層の窒
化シリコン膜を選択的にエツチングするドライエツチン
グ方法において、前記基板を接地または電気的に浮遊状
態とし、前記導入されるガスとして弗素原子を含有する
ガスと塩素原子を含有するガスとの混合ガスを用いるこ
とを特徴とする窒化シリコン膜のドライエツチング方法
を提供する。
（作用）
この様に、基板が接地または電気的に浮遊状態となって
おりイオン衝撃エネルギーが小さいため、弗素ぶ子と塩
素原子が結合した状態でエツチングが進行し、酸化シリ
コン膜に対して窒化シリコン漠の方がエツチング速度が
速くなり選択性を生じる。
おりイオン衝撃エネルギーが小さいため、弗素ぶ子と塩
素原子が結合した状態でエツチングが進行し、酸化シリ
コン膜に対して窒化シリコン漠の方がエツチング速度が
速くなり選択性を生じる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明に用いられる平行平板電極を備えたド
ライエツチング装置の一例を示す概略構成図である。本
装置を用いた異方性のあるドライエツチング方法につい
て説明する。
ライエツチング装置の一例を示す概略構成図である。本
装置を用いた異方性のあるドライエツチング方法につい
て説明する。
容器１内の接地側の平行平板電極１こシリコン基板上に
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び所定の領域に開口
を設けたレジストパターンが形成された被処理基体３を
載置した後、容器１内を０．１ｐａになるまで排気する
。次に、Ｃ４とＮＦ、をバルブ４を開け、ガス導入口５
より供給し、容器１内を１３ｐａにする。また、平行平
板電極２の温度を２６℃に保ちつつ、接地された平行平
板電極２゜に対向した上部平行平板電極２ズに接続され
た高周波電源６を用いて１３．５６ＭＨｚ、 ７０Ｗの
高周波電力を印加しマイクロ波放電を行なわせる。これ
によりＣ２２とＮＦｓを励起させ異方性エツチングを行
なう。
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び所定の領域に開口
を設けたレジストパターンが形成された被処理基体３を
載置した後、容器１内を０．１ｐａになるまで排気する
。次に、Ｃ４とＮＦ、をバルブ４を開け、ガス導入口５
より供給し、容器１内を１３ｐａにする。また、平行平
板電極２の温度を２６℃に保ちつつ、接地された平行平
板電極２゜に対向した上部平行平板電極２ズに接続され
た高周波電源６を用いて１３．５６ＭＨｚ、 ７０Ｗの
高周波電力を印加しマイクロ波放電を行なわせる。これ
によりＣ２２とＮＦｓを励起させ異方性エツチングを行
なう。
以上の様な方法でエツチングを行なった場合のシリコン
窒化膜、シリコン酸化膜各々のエツチング速度及びシリ
コン窒化膜のシリコン酸化膜に対するエツチング速度比
（選択比）の関係を第２図ニ示す。コレは、ｃｔ、ｃｏ
流量を２０ ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃ
ｃｅｎｔｌｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍ１ｎｕｔｅ ＝ ｍ
ｔ／ｗｉｎ ）一定とし、ＮＦ、を変化させた場合の関
係である。○はシリコン窒化膜のエツチング速度、・は
、シリコン酸化膜のエツチング速度１口はシリコン窒化
膜のシリコン酸化膜に対する選択比である。混合ガスの
割合ＮＦｓ／（Ｃ４＋狸、）＝３８％では、選択比７と
なっている。実際のデバイス製造では、シリコン窒化膜
に対するシリコン酸化膜の選択比は４程度以上あればよ
いので、好ましいガスの混合比としては、Ｃ４ガスに対
してＮＦ、ガスが約２２〜４０％の範囲ということにな
る。
窒化膜、シリコン酸化膜各々のエツチング速度及びシリ
コン窒化膜のシリコン酸化膜に対するエツチング速度比
（選択比）の関係を第２図ニ示す。コレは、ｃｔ、ｃｏ
流量を２０ ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃ
ｃｅｎｔｌｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍ１ｎｕｔｅ ＝ ｍ
ｔ／ｗｉｎ ）一定とし、ＮＦ、を変化させた場合の関
係である。○はシリコン窒化膜のエツチング速度、・は
、シリコン酸化膜のエツチング速度１口はシリコン窒化
膜のシリコン酸化膜に対する選択比である。混合ガスの
割合ＮＦｓ／（Ｃ４＋狸、）＝３８％では、選択比７と
なっている。実際のデバイス製造では、シリコン窒化膜
に対するシリコン酸化膜の選択比は４程度以上あればよ
いので、好ましいガスの混合比としては、Ｃ４ガスに対
してＮＦ、ガスが約２２〜４０％の範囲ということにな
る。
ところで、シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して、
選択的にエツチングする方法において、Ｃ４とＦの混合
ガスを使用し、被処理基体であるウェハを接地された電
極上に置いた場合、異方性をもち、かつ従来に比べ選択
性が向上するのは以下の理由によると考えられる。
選択的にエツチングする方法において、Ｃ４とＦの混合
ガスを使用し、被処理基体であるウェハを接地された電
極上に置いた場合、異方性をもち、かつ従来に比べ選択
性が向上するのは以下の理由によると考えられる。
ＦＷ、子は本来シリコン窒化膜、シリコン酸化膜のいず
れｔこ対しても高い反応性を有する。一方、Ｃｔ原子は
シリコン酸化膜とは全く反応せず、シリコン窒化膜とは
、ごくゆっくり反応する。従って原理的には、ｃｔｙ子
を使用すると、エツチング速度は遅いが、シリコン窒化
膜に対するシリコン酸化膜の選択比が無限大のエツチン
グを行なうことが出来る。
れｔこ対しても高い反応性を有する。一方、Ｃｔ原子は
シリコン酸化膜とは全く反応せず、シリコン窒化膜とは
、ごくゆっくり反応する。従って原理的には、ｃｔｙ子
を使用すると、エツチング速度は遅いが、シリコン窒化
膜に対するシリコン酸化膜の選択比が無限大のエツチン
グを行なうことが出来る。
Ｆ原子とＣｔ原子又はＣ１分子とを含有するガスを混合
し放電させると、ＦＷ子とＣＬ原子又は分子が反志しＦ
ＣＬが形成される。ここで、イオン衝撃のない状態、例
えばダウンフロ一方式においてこのＦＣＬは、酸化シリ
コン膜上では解離せず、従ってシリコン酸化膜をエツチ
ングしないが、シリコン窒化膜上では解離し、従りてシ
リコン窒化膜の選択エツチングを実用的な速度で行なう
ことができる。ただし、ダウンフロ一方式のため、エツ
チング形状は等方的である。
し放電させると、ＦＷ子とＣＬ原子又は分子が反志しＦ
ＣＬが形成される。ここで、イオン衝撃のない状態、例
えばダウンフロ一方式においてこのＦＣＬは、酸化シリ
コン膜上では解離せず、従ってシリコン酸化膜をエツチ
ングしないが、シリコン窒化膜上では解離し、従りてシ
リコン窒化膜の選択エツチングを実用的な速度で行なう
ことができる。ただし、ダウンフロ一方式のため、エツ
チング形状は等方的である。
平行平板をのエツチング装置において、ＦとＣｔの混合
ガスを使用し、ウェハを従来の様をこ陰極上に置いた場
合には、陰極降下電圧によって加速されたイオンがウェ
ハに衝突するため、表面に吸着したＦＣＡはバラバラに
分解し、ＦとＣｔになり、Ｆ原子が出るために、シリコ
ン酸化膜もエツチングされ、ｐｃｔ本来の選択性は全く
出ない。ところが、本発明の様に接地された電極側にウ
ェハを置くとイオン衝撃エネルギーが小さいためＦＣＬ
は余り分解されず、弱いイオン衝撃によりＦＣＬのシリ
コン窒化真上での解離が促進される。イオン衝撃により
分解される部分もあるので、ダウンフロ一方式の様にシ
リコン酸化膜は全くエツチングされないことはないが、
シリコン酸化膜に比較するとシリコン窒化膜のエツチン
グ速度は速くなり、選択的にシリコン窒化膜をエツチン
グすることが可能となる。加工形状も弱いイオン衝撃の
状態のため異方性である。
ガスを使用し、ウェハを従来の様をこ陰極上に置いた場
合には、陰極降下電圧によって加速されたイオンがウェ
ハに衝突するため、表面に吸着したＦＣＡはバラバラに
分解し、ＦとＣｔになり、Ｆ原子が出るために、シリコ
ン酸化膜もエツチングされ、ｐｃｔ本来の選択性は全く
出ない。ところが、本発明の様に接地された電極側にウ
ェハを置くとイオン衝撃エネルギーが小さいためＦＣＬ
は余り分解されず、弱いイオン衝撃によりＦＣＬのシリ
コン窒化真上での解離が促進される。イオン衝撃により
分解される部分もあるので、ダウンフロ一方式の様にシ
リコン酸化膜は全くエツチングされないことはないが、
シリコン酸化膜に比較するとシリコン窒化膜のエツチン
グ速度は速くなり、選択的にシリコン窒化膜をエツチン
グすることが可能となる。加工形状も弱いイオン衝撃の
状態のため異方性である。
また、第３図は、ＮＦ、に代わりて８Ｆ＠を用いた場合
の結果である。選択比が最大ｌζなる混合比は異なるが
基本的な傾向は等しいことがわかる。これは、本発明に
よる高選択比の原因が、Ｆ原子とＣｔ原子との反応によ
り形成されるｐｃｔの作用によるものであることに起因
する。即ち、放電によりＦＣＡが形成されるガスであれ
ば同様の効果を有する。
の結果である。選択比が最大ｌζなる混合比は異なるが
基本的な傾向は等しいことがわかる。これは、本発明に
よる高選択比の原因が、Ｆ原子とＣｔ原子との反応によ
り形成されるｐｃｔの作用によるものであることに起因
する。即ち、放電によりＦＣＡが形成されるガスであれ
ば同様の効果を有する。
第４図は、本発明の他の実施例を示す図である。
石英製の放電管７と反応容器８から構成され、反応容器
８にはガス導入管９．平行平板電極１０が設けられてお
り、まずＣ４ガスを石英製の放電管７から導入し、マイ
クロ波電源１１から導波管１２を通じてマイクロ波を印
加して放電させる。一方、反応容器８内には、ＮＦｌｓ
ガスを導入し、平行平板電極１０に１３．５６ Ｍ Ｈ
ｚの高周波電力を印加して放電させる。マイクロ波放電
によりＣｔ原子を大量に生成し、反応容器８内での放電
により、基板にイオン衝撃を与え異方性のエツチングを
行なう。第５図は、この方式を用いてエツチングした場
合の結果である。シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対
する選択比８が実現される。
８にはガス導入管９．平行平板電極１０が設けられてお
り、まずＣ４ガスを石英製の放電管７から導入し、マイ
クロ波電源１１から導波管１２を通じてマイクロ波を印
加して放電させる。一方、反応容器８内には、ＮＦｌｓ
ガスを導入し、平行平板電極１０に１３．５６ Ｍ Ｈ
ｚの高周波電力を印加して放電させる。マイクロ波放電
によりＣｔ原子を大量に生成し、反応容器８内での放電
により、基板にイオン衝撃を与え異方性のエツチングを
行なう。第５図は、この方式を用いてエツチングした場
合の結果である。シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対
する選択比８が実現される。
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、電極は接地の他に浮遊状態としてもよく
、また本発明ｉご用いる装置は、例えばバレルｆｉ、Ｆ
ＣＲｆｉプラズマエツチング装置等、仕様に応じ適宜変
更可能である。
ない。例えば、電極は接地の他に浮遊状態としてもよく
、また本発明ｉご用いる装置は、例えばバレルｆｉ、Ｆ
ＣＲｆｉプラズマエツチング装置等、仕様に応じ適宜変
更可能である。
また、Ｆ原子を含有するガスとしては、ＮＦ、。
ＳＦ、の他に、ＦＷ 、 ＳＦ、 、 ＢＦ３ 、 Ｐ
Ｆ、 、 ＰＦ、 、 ＡｓＦ、、ＡｓＦ３あるいは、
フロン系ガスの内いずれが１つまたは、２種以上の混合
ガスがある。同様にｃｔＨ子を含有するガスとしてはＣ
もの他にＳＣｔ番、 ＢＣＬｓ 、 ＰＣＬａ 。
Ｆ、 、 ＰＦ、 、 ＡｓＦ、、ＡｓＦ３あるいは、
フロン系ガスの内いずれが１つまたは、２種以上の混合
ガスがある。同様にｃｔＨ子を含有するガスとしてはＣ
もの他にＳＣｔ番、 ＢＣＬｓ 、 ＰＣＬａ 。
ＰＯ２，、Ｏｃｔ、およびフッ化塩化炭素ガスのうちの
いずれか１種又は２種以上の混合ガスがある。
いずれか１種又は２種以上の混合ガスがある。
以上述べた様に本発明のドライエツチング方法によれば
、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対して選択比の高
い異方性エツチングを実現することが可能となる。
、シリコン窒化膜のシリコン酸化膜に対して選択比の高
い異方性エツチングを実現することが可能となる。
第１図は、本発明の実施例のドライエツチング装置、第
２図は、本発明における原料ガスを用いた場合の選択比
を表わすグラフ、第３図は、他のガスを用いた場合のエ
ツチング速度を表わすグラフ、第４図は、本発明の他の
実施例のドライエツチング装置、第５図は、本発明の他
の実施例における原料ガスを用いた場合のエツチング速
度を表わすグラフ、第６図は、選択酸化法による素子分
離領域の展進工程を示す断面図、第７図は、従来例のド
ライエツチング装置である。 図ｔこおいて、 １・・・容器、 ２．．２□・・・平行平板
電極。 ３・・・被処理基体、 ４・・・バルブ。 ５・・・ガス導入口、 ６・・・高周波電源。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・シリコン酸化膜。 ２３・・・シリコン窒化膜、２４・・・素子分離領域。 ２５・・・容器＝ ２６＋ 、２６ｔ・・・平
行平板電極。 ２７・・・被処理基体、２８・・・バルブ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光速 第１図 第２図 第 図 ＣｔＬ） 第 ■
２図は、本発明における原料ガスを用いた場合の選択比
を表わすグラフ、第３図は、他のガスを用いた場合のエ
ツチング速度を表わすグラフ、第４図は、本発明の他の
実施例のドライエツチング装置、第５図は、本発明の他
の実施例における原料ガスを用いた場合のエツチング速
度を表わすグラフ、第６図は、選択酸化法による素子分
離領域の展進工程を示す断面図、第７図は、従来例のド
ライエツチング装置である。 図ｔこおいて、 １・・・容器、 ２．．２□・・・平行平板
電極。 ３・・・被処理基体、 ４・・・バルブ。 ５・・・ガス導入口、 ６・・・高周波電源。 ２１・・・シリコン基板、２２・・・シリコン酸化膜。 ２３・・・シリコン窒化膜、２４・・・素子分離領域。 ２５・・・容器＝ ２６＋ 、２６ｔ・・・平
行平板電極。 ２７・・・被処理基体、２８・・・バルブ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光速 第１図 第２図 第 図 ＣｔＬ） 第 ■
Claims (1)
- ガスを導入する手段と導入されたガスを励起または活性
化する手段とガスを排気する手段とを備えた真空容器内
に、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜が順次積み重ねて
形成された基板を入れ、下地の酸化シリコン膜に対して
上層の窒化シリコン膜を選択的にエッチングするドライ
エッチング方法において、前記基板を接地または電気的
に浮遊状態とし、前記導入されるガスとして弗素原子を
含有するガスと塩素原子を含有するガスとの混合ガスを
用いることを特徴とする窒化シリコン膜のドライエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8143189A JPH02262334A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 窒化シリコン膜のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8143189A JPH02262334A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 窒化シリコン膜のドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262334A true JPH02262334A (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=13746194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8143189A Pending JPH02262334A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 窒化シリコン膜のドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02262334A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318668A (en) * | 1991-10-24 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method |
| JPH07130709A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | 高融点金属膜のドライエッチング方法 |
| KR100327341B1 (ko) * | 1999-10-27 | 2002-03-06 | 윤종용 | 폴리실리콘 하드 마스크를 사용하는 반도체 소자의 제조방법 및 그 제조장치 |
| KR100523652B1 (ko) * | 2002-09-23 | 2005-10-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 플래쉬 메모리 제조방법 |
| JP2010177708A (ja) * | 2010-05-07 | 2010-08-12 | Casio Computer Co Ltd | 窒化シリコン膜のドライエッチング方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP8143189A patent/JPH02262334A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318668A (en) * | 1991-10-24 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method |
| JPH07130709A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | 高融点金属膜のドライエッチング方法 |
| KR100327341B1 (ko) * | 1999-10-27 | 2002-03-06 | 윤종용 | 폴리실리콘 하드 마스크를 사용하는 반도체 소자의 제조방법 및 그 제조장치 |
| US6719808B1 (en) | 1999-10-27 | 2004-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for manufacturing a semiconductor device using a polysilicon hard mask |
| KR100523652B1 (ko) * | 2002-09-23 | 2005-10-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 플래쉬 메모리 제조방법 |
| JP2010177708A (ja) * | 2010-05-07 | 2010-08-12 | Casio Computer Co Ltd | 窒化シリコン膜のドライエッチング方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
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