JPH02260328A - 化合物超電導導体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、化合物超電導導体およびその製造方法に係わ
り、特に化合物超電導体の構成元素などの拡散による安
定化材の電気抵抗の低下を防止するとともに、超電導導
体全体の臨界電流密度を向上させた化合物超電導体およ
びその製造方法に関する。

（従来の技術） 現在、実用化されている超電導導体としては、Ｎｂ３Ｓ
ｎやＮｂ３　Ａｌなどの化合物超電導体を用いたものや
、Ｎｂ−ＴｌやＮｂ−Ｚｒなどの合金超電導体を用いた
ものが知られており、送電ケーブルや電力をほとんど消
費することなく強磁界の形成が可能な超電導コイルなど
の用途への利用が各所で研究されている。たとえば、上
記化合物超電導体を用いた超電導導体は、従来から以下
に示すような方法で製造されている。

すなわち、超電導導体としてＮｂ３　Ｓｎマルチ超電導
線を例にとると、まずＮｂチューブ内にＣｕ−３ｏ合金
を充填するとともに、このＮｂチューブの外周にＣｕを
被覆し、これをスウェージングマシンなどにより一体化
加工して、所定の外径まで減面加工を施しながら外形が
正六角形のロッドに成形する。

次いで、この六角形のロッドの多数本をＣｕ管からなる
安定化材内に押入し、スウェージングマシンなどにより
一体化した後、所定の外径まで減面加工を施す。この後
、Ｎｂ３　Ｓｎの生成温度で熱処理を施すことによって
、Ｎｂチューブ内のＳｎを拡散させてＮｂと反応させ、
Ｎｂチューブの表面にＮｂ３　Ｓｎ超電導体層を形成す
る。

第３図は、このようにして製造されたマルチ超電導線を
示すものであり％　Ｃｕ−３ｎ芯１上にＮｂ３　Ｓｎ超
電導体層２が配置され、その上にＮｂチューブの残存成
分からなる拡散防止層３、Ｃｕからなる安定化材４が順
に形成されている。なお、安定化材４は、Ｎｂ３　Ｓｎ
′Ｉｉｉ電導体層２の常電導転移時の電流通路となり、
焼損などを防止するものである。

（発明が解決しようとする課題） ところで、このような超電導線の安定化材４となるＣｕ
は、通常、残留抵抗比（以下、ＲＲＲと記す。）が２０
０〜３００で、２０　［Ｋ］における比抵抗ρは〜　ｌ
Ｘｌ０−δ［Ω・ｃｍ］　と非常に低い高純度のものが
用いられている。しかし、熱処理時にＣｕ−３ｎ芯１中
のＳｎが安定化材４中に拡散すると、安定化材４はＳｎ
によって汚染されてしまう。

拡散防止層３は、このような安定化材４中へのＳｎの拡
散を防止する機能を奏するが、熱処理時における安定化
材４へのＳｎの拡散を防ぐ効果は必ずしも十分なもので
はなく、しかも拡散防止層３の素材となるＮｂなどが安
定化材４中に拡散することも避けられない。

このように安定化材４中にＮｂ、　Ｓｎなどが拡散する
と、安定化材４のＲＩ？Ｒは１〜１０．２０［Ｋ］にお
けるρは　ｌＸ１０−７〜１ｘｉｏ−６［Ω・ＣＩｌコ
となって、純Ｃｕに比べて１桁から　２桁も電気抵抗が
増加し、これによって超電導線の安定性が損なわれると
いう問題があった。

また、安定化材４中への不純物元素の拡散を抑えるため
、熱処理忍度を低くするとともに、熱処理時間を短くす
ることが行われているが、この場合、逆にＮｂ３Ｓｎ層
の生成が抑えられ、臨界電流密度などの超電導特性が低
いものしか得られないという欠点があった。

一方、上述したような化合物超電導体を用いた従来のマ
ルチ超電導線においては、臨界電流密度などの超電導特
性がＮｂ３Ｓｎ超電導体層２を有する芯線の数によって
ほぼ決定される。そこで、臨界電流密度を増加させるた
めには、芯線の数を増やさなければならないが、現状の
技術においては多芯化にも限界があり、さらに臨界電流
密度などの超電導特性を向上させた超電導線が望まれて
いる。

本発明は、このような従来技術の課題に対処するために
なされたもので、安定化材の電気抵抗を低く維持すると
ともに、臨界電流密度などの超電導特性をさらに向上さ
せた化合物超電導導体およびその製造方法を提供するこ
とを（」的としている。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明の化合物超電導導体は、化合物超電導体
を含む芯線が多数埋設されたＣｕ系マトリックスの外周
側に安定化材を設けてなる化合物超電導導体において、
前＋ｔａＣｕ系マトリックス内に前記芯線の化合物超電
導体と同種のＱＵ　Ｑｌｋ、状化合物超電導体が分布し
ているとともに、前記Ｃｕ系マトリックスと安定化材間
に金属酸化物からなる拡散防止層が設けられていること
を特徴としている。

また、本発明の化合物超電導導体の製造方法は、熱処理
により反応して化合物超電導体を形成する化合物超電導
体材料を含む多数の索線が埋設された前記化合物超電導
体を構成する元素の　ｌを含有するＣｕ系マトリックス
の外周側に安定化材を一体化する工程と、この一体層さ
れた（１■造体に、前記安定化材の表面に酸化物層を形
成した後に真空巾または非酸化雰囲気中で、あるいは大
気中の酸素分圧より低くかつ前記安定化材の表面に酸化
物層を形成し得る酸素分圧下で、前記化合物超電導体の
生成温度領域で熱処理を行う工程とををすることを特徴
としている。

本発明に用いられる熱処理により反応して化合物超電導
体を形成する化合物超電導体材料としては、Ｎｂ３　Ｓ
ｎの形成材料であるＮｂとＳｎやＮｂ３　Ａｌの形成材
料であるＮｂとＡ１などが例示され、たとえばＮｂチュ
ーブ中にＳｎやＡ１を含む材料を充填することによって
超電導線の索線が形成される。

これら超電導線の素線は、上記化合物超電導体を構成す
る元素の１種１．たとえばＮｂを含有するＣｕ系マトリ
ックス内に埋設され、さらにこのＣｕ系マトリックスの
外周側にＣｕからなる安定化材が一体化され、本発明の
化合物超電導導体の原型となる構造体が構成される。な
お、本発明における構造体は、安定化材の表面が酸素ガ
スと接する形態であれば、どのような形状のものであっ
てもよく、Ｃｕマトリックスの外周に安定化材を設けた
線状体、Ｃｕマトリックスと安定化とを積層したテープ
材など、各種の構造のものを用いることができる。

上記Ｃｕ系マトリックスを構成する合金は、いわゆるイ
ンサイチュ−法に用いられるＣｕ系合金であり、たとえ
ばＣｕ−Ｎｂ合金に強加工を施すことによってＮｂを繊
維状に分布させたものである。また安定化材となるＣｕ
は、基本的に導電性に優れた不可避的な不純物のみを含
有する純銅により構成されるが、たとえばＣｒｓ　Ｚｒ
５Ｔ１％　Ｚｎなどによる固溶強化型銅合金やアルミナ
などによる粒子分散強化型銅合金などとの積層体を用い
ることも可能である。

本発明の化合物超電導導体の製造方法における熱処理は
、上記化合物超電導体材料を反応させて化合物超電導体
を形成するとともに、安定化材とＣｕマトリックス間に
安定化材のＣｕの表面に形成された酸化物層から拡散し
た酸素により化合物超電導体の構成元素の酸化物や添加
元素の酸化物による強固な拡散防止層を形成するための
ものである。

また、安定化材中に微量固溶している不純物は、この熱
処理によって酸化物として析出し、安定化材の導電性は
さらに向上する。

上記熱処理によって形成される化合物超電導体は、以下
の２種類である。

■　たとえばＮｂチューブ中にＳｎを含む材料を充填し
た索線中のこれら化合物超電導体材料の反応によるもの
。

■　上記熱処理によって索線中に形成された化合物超電
導体層を拡散してきた一方の化合物超電導体の構成元素
たとえばＳｎと、Ｃｕマトリックス中に予め分散させた
繊維状の他方の構成元素たとえばＮｂとの反応によるも
の。

上記■の化合物超電導体は、いわゆるＮｂチューブ法に
よるものであり、上記■の化合物超電導体は、Ｎｂチュ
ーブ法による化合物超電導体生成のための熱処理時に、
不可避的に拡散する化合物超電導体の構成元素を積極的
に利用しするものであり、いわゆるインサイチュ−法に
よる化合物超電導体である。

そして本発明は、上記インサイチュ−法を単にＮｂチュ
ーブ法と併用しただけでは安定化材が拡散する化合物超
電導体の構成元素などによって汚染されてしまうため、
安定化材とＣｕマトリックス間に、これら拡散元素の金
属酸化物からなる拡散防止層を形成することによって、
安定化材としてのＣｕの純度を保つものである。

この拡散防止層は、 （Ａ）　　安定化材表面にＣｕの酸化物層を形成した後
に、上記熱処理を行う。

（Ｂ）　　大気中の酸素分圧より低く、かつ安定化材の
表面にＣｕの酸化物層を形成し得る酸素分圧下で、上記
熱処理を行う。

などによって、安定化材のＣｕの表面に形成された酸化
物層から拡散した酸素と、化合物超電導体の構成元素や
添加元素とを反応させることにより形成されるものであ
る。

なお、上記Ｃｕの酸化物層は、ＣｕＯ、Ｃｕ２０単独ま
たはＣｕＯとＣｕ２Ｏとの混合物などからなるものであ
る。

上記（Ａ）による安定化材表面のＣｕの酸化物層は、た
とえば酸素濃度ｌθ％以上Ｑ常圧処理雰囲気中において
、１００℃〜４００℃の温度で１−１２０時間程度熱処
理することにより形成することができる。

また、ＣＶＤによりＣｕの酸化物層を形成させたり、黒
化剤を用いて化学的に酸化させたり、Ｃｕの酸化物を含
むペースト状の塗料を塗布することによってもＣｕの酸
化物層を形成することができる。

そして、このようにして安定化材の外周にＣｕの酸化物
が形成された構造体に、上記熱処理を施す。

この熱処理条件は、大気減圧下、高真空下（１×１０−
’Ｔｏｒｒ以下）、不活性ガス雰囲気下などで、たとえ
ばＮｂ３　Ｓｎの場合には６５０℃〜７７０℃で１０〜
４００時間、Ｎｂ３　Ａｌの場合には７５０℃〜９５０
℃で１〜１００時間程度である。

安定化材表面に形成するＣｕの酸化物層は、余り薄いと
、たとえば０．１μｍ未満であると、酸化物層の酸素量
が少なくなり、拡散防止層の形成が不十分となって低い
ＲＲＲＬか得られず、逆に余り厚いと、たとえば線径（
外径）　　１ｍｍに対してＣｕの酸化物層の厚さがｌＯ
μｌを超すような場合には、安定化材中へ入り込む酸素
量が多くなりすぎて拡散防止層を厚くするとともに、酸
化のため安定化材の体積が減少し、また強度やＩ？　Ｒ
Ｉ？および臨界電流密度が低下する恐れがある。したが
って、これらの兼合いを考慮しなからＣｕの酸化物層の
厚さを設定することが望ましい。

また、上記（Ｂ）によって安定化材表面にＣｕの酸化物
層を形成しつつ熱処理を行う場合には、大気の酸素分圧
より低い酸素分圧下で、たとえば１×１０’　Ｔｏｒｒ
　−ＩＸ　１０−’　Ｔｏｒｒ程度の低真空中において
３〜１００時間熱処理することにより、拡散防止層を形
成しつつ化合物超電導体の形成が行われる。

なお、安定化材として酸素を０．３ｖｔ％程度含有する
高純度Ｃｕを用いることによりて、酸化物層の形成を省
き直接化合物超電導体の生成温度における熱処理を行う
ことも可能である。

これら熱処理によって形成される金属酸化物層からなる
拡散防止層は、必ずしも連続的に形成しなければならな
いものではなく、不連続的に形成してもよい。このよう
に金属酸化物層を不連続的に形成することによって、化
合物超電導体と安定化材との間での熱伝導を良好に維持
することが可能となる。

なお、本発明により得られた化合物超電導導体を熱処理
可能な製品へ適用する場合には、本発明の熱処理をその
製品の組立過程で行うようにしてもよい。たとえば、本
発明により製造された超電導線を用いて超電導コイルを
形成するような場合には、コイル用の巻枠へ熱処理前の
ものを巻装し、この状態で化合物超電導体および拡散防
止層形成のための熱処理を行うようにしてもよい。

（作　用） 本発明においては、化合物超電導体生成温度における熱
処理によって、これら化合物超電導体の芯線が埋設され
ているＣｕ系マトリックス内゛に不可避的に拡散する化
合物超電導体の構成元素と、予めＣｕ系マトリックス内
に分散させた他方の化合物超電導体の構成元素とが反応
し、Ｃｕ系マトリックス内にもインサイチュ−法による
化合物超電導体と同様なものが形成される。これによっ
て化合物超電導体全体としての臨界電流密度などの超電
導性は、Ｃｕ系マトリックス内に分布した化合物超電導
体の分だけ向上する。また、インサイチュ−法によって
繊維状化合物超電導体が分布されたＣｕ系マトリックス
は、純銅に比べて機械的強度が大きいため、化合物超電
導導体全体の強度向上も図れる。

また、インサイチュ−法を単に併用しただけでは、安定
化材の拡散元素による汚染に繋がり、安定化材の導電性
が低下してしまうが、本発明においては、安定化材表面
に形成されたＣｕ酸化物中の酸素が熱処理時に安定化材
中に拡散していき、超電導体構成材料から拡散してきた
不純物を酸化して析出させ、安定化材とＣｕ系マトリッ
クス間に強固な金属酸化物からなる拡散防止層が形成さ
れ、これによって安定化材の電気抵抗の増加を抑制する
ことができ、化合物超電導導体の安定性の向上が図られ
る。また、安定化材中に含まれる不純物も酸化物として
析出し、より導電性が向上する。

（実施例） 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

実施例１ 第２図は本発明の一実施例のＮｂ３　Ｓｎマルチ超電導
線の概略構造を示す断面図である。

このマルチ超電導線では、２０ｖｔ％Ｎｂ−Ｃｕ合金に
よって形成されたＣｕ合金マトリックス１１内に、Ｎｂ
チューブ法によるＮＪ　Ｓｎ芯線１２、すなわちＮｂチ
ューブ１３内部に配置されたＣｕ−３ｎ層１４との間に
Ｎｂ３　Ｓｎ層１５が形成された複数本のＮｂ３　Ｓｎ
芯線１２が分布埋設されている。また、Ｃｕ合金マトリ
ックス１１内には、インサイチュ−法による繊維状のＮ
ｂ３　Ｓｎｌ　６が分布している。そして、Ｃｕ合金マ
トリックス１１の外周上に、ＮｂやＳｎなどの酸化物か
らなる拡散防止層１７を介して高純度Ｃｕからなる安定
化材１８が形成されてマルチ超電導線が構成されている
。

すなわち、従来構造のＮｂチューブ法を適用したマルチ
超電導線と異なり、Ｃｕ合金マトリックス１１と安定化
材１８としてのＣｕとの間に、Ｎｂの酸化物、Ｓｎの酸
化物、ＴＩの酸化物のような化合物超電導体の構成元素
や添加元素の酸化物からなる拡散防止層１７が設けられ
ているとともに、Ｃｕ合金マトリックス１１内にインサ
イチュ−法による繊維状のＮｂ３　Ｓｎｌ　６が分布し
ている。

次に、上記構造のマルチ超電導線の製造方法について説
明する。

外径５０ｎ、内径４０１１１の２０ｗｔ％Ｎｂ−Ｃｕ合
金からなる円筒状のマトリックス１１材内部に、ＴＩを
Ｉｆｆ！ｆｆ１％添加したＮｂチューブ１３を挿入し、
この中にＳｎ濃度が７０％になるようにＳｎ線上にＣｕ
被覆を施した外径２０　Ｍｍの複合線１４を挿入し、一
体層しつつ所定の外径まで線引きし、化合物超電導体の
索線を作製する。

次に、この素線を多数本束ね、安定化材１８となる外径
２４．７ｓａ＋、内径２０．８ａ＋ａの無酸素高純度Ｃ
ｕ管内に軸方向に沿って挿入し、さらに一体層しつつ外
径ｌ■ｌまで減面加工を施す。

なお、これら減面加工によって、Ｃｕ合金マトリックス
１１となる２０ｗｔ％Ｎｂ−Ｃｕ合金中に品出している
Ｎｂは、軸方向に極めて細い繊維状に引伸ばされて分布
する。

次いで、上記一体層された構造体を、２０％の酸素を含
むアルゴンガスを０．２β／分でフローさせた雰囲気中
で、３００±１０℃Ｘ４ｇ時間の条件で熱処理し、無酸
素高純度Ｃｕからなる安定化材１８の表面にＣｕの酸化
物層を形成する。

この後、この構造体にアルゴンガスを０．２．ｅ　／分
でフローさせた雰囲気中で７００”Ｃにて３０時間熱処
理を施す。この熱処理によって、−Ｎｂチューブ１３と
内部のＣｕ被覆を拡散してきたＳｎとが反応してＮｂ３
　Ｓｎ層１５が形成されるとともに、このＮｂ３　Ｓｎ
層１５を拡散してきたＳｎとＣｕ合金マトリックス１１
内に分布している繊維状のＮｂとが反応してインサイチ
ュ−法による繊維状Ｎｂ３　Ｓｎｌ　６が形成される。

また、これらＮｂ５Ｓｎｌ　５．１６の形成と同時に、
Ｎｂチューブ１３表面のＮｂおよびＴＩやＮｂ３Ｓｎ層
１５を拡散してきたＳｎなどと安定化材１８中を拡散し
てきた酸素とが反応して、Ｃｕマトリックス１１と安定
化材１８との境界面に、Ｎｂｓ　９ｎ１Ｔｉなどの酸化
物からなる拡散防止層１７が形成される。

そして、この拡散防止層１７が形成されることによって
、安定化材１８がＳｎやＮｂなどで汚染されることが防
止される。

ちなみに、安定性のＷ準となるＲＲＲと２０［Ｋ］にお
けるρを比較するために、前述した従来の化合物超電導
線（線基および芯線数は上記実施例１と同一とする。）
と、第２図に示すこの実施例の構造の化合物超電導線の
上記特性をそれぞれ１ｌＰｌ定したところ、従来構造の
ものではＩ？　ＲＩ？が３．３、ρが０．３　Ｘｌ０−
’　［Ω・ｃＩＩＩ］であったのに対して、この実施例
の構造のものではＩ？　ＲＲが２３３、ρが１．１×１
０−８［Ω・ｃＩｌ］と、この実施例による化合物超電
等線は、拡散防止層１７の存在によって安定化材の汚染
が防止され、電気抵抗の増大が明らかに抑制されている
ことが判明した。

また、これらの臨界電流密度をａｐ１定したところ、従
来構造のものでは１５テスラで４５ＯＡ／ｕ２であった
のに対し、この実施例の構造のものでは１５テスラで８
０ＯＡ／ｍｍ２と、インサイチュ−法によるＮｂ３Ｓｎ
１６の存在によって超電導特性が明らかに向上している
ことが判明した。

さらに、これらの引張り強度を測定したところ、従来構
造のものでは１３ｋｇ／　Ｉｆ　、　　０．４％耐力で
あったのに対し、この実施例の構造のものでは２０ｋｇ
／ｄｓ　　Ｏ−４％耐力であった。これは、インサイチ
ュ−法によってＮｂ３　Ｓｎｌ　６が析出したＣｕ合金
マトリックス１１の機械的強度が向上したためと考えら
れる。

実施例２ 実施例１における安定化材１８表面にＣｕの酸化物層を
形成する前の構造体を、大気を減圧し低真空（ＩＸＩＯ
ｏ”　Ｔｏｒｒ　−ＩＸ　ｔｏ−’　Ｔｏｒｒ程度）状
態とした雰囲気中において７００℃で３０時間の条件で
熱処理し、Ｎｂ３　Ｓｎｌ　５．１６を形成するととも
に、炉内に残留する酸素によって安定化材の表面に酸化
物層を連続的に形成し、この酸化物層からの酸素とＮｂ
やＮｂ３　Ｓｎ層を拡散してきたＳｎなどと反応させて
、これらの酸化物による拡散防止層１７を形成した。

この実施例で得られたマルチ超電導線のＲＩ？Ｒ。

電気抵抗および臨界電流密度を測定したところ、実施例
１と同等な結果が得られた。

実施例３ 実施例１における素線の多数本を、安定化材となる無酸
素高純度Ｃｕ管からなる安定化材中に配置する際に、予
め最外層に位置する索線に安定化材に接する側が凹部を
有する形状となるように加工を施し、減面加工後に安定
化材表面からの距離が２５〜３０μ−程度の差を生じる
ように配置する以外は実施例１と同一条件でＮｂ３Ｓｎ
マルチ超電導線を製造した。

このようにして得られた超電導線の断面を顕微鏡で観察
した。観察結果を第２図に模式的に示す。

同図から明らかなように、最外周側のコアのＮｂ３　Ｓ
ｎ層１５外周のＣｕ合金マトリックス１１と安定化材１
８との境界面のうち、安定化材１８の外表面により近い
部分に、不連続なＮｂ５ＴｉＳＳｎの酸化物などからな
る金属酸化物層１７が認められた。

また、この超電導線のＲＲＲは２３０と、実施例１で作
製した超電導線と遜色なく、金属酸化物層からなる拡散
防止層１７を不連続とすることによっても、安定化材１
８が汚染されることがないことを確認した。

このように、金属酸化物層からなる拡散防止層１７を不
連続に形成することによって、Ｎｂ３　Ｓｎ層１５が埋
設されているＣｕ合金マトリックス１１から安定化材１
８への熱伝導が極めて良好となり、より超電導線の安定
性が確保できる。

実施例４ 実施例１における表面酸化処理前のマルチ超電導線の原
型となる構造体を、ステンレス波巻わくに１８層にわた
って巻き重ね、この後、実施例１と同一条件でＣｕの酸
化物層の形成と、化合物超電導体の生成温度による熱処
理とを行い、超電導コイルを作製した。

この超電導コイルの各層のＲＲＲを測定したところ、平
均２００を示し各層による相違はほとんど認められなか
った。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、通常のチューブ法
による化合物超電導体とともに、インサイチュ−法によ
る化合物超電導体も形成されるため、臨界電流密度など
の超電導特性や引張り強度が向上し、かつ安定化材とＣ
ｕ系マトリックス間に、超電導体構成元素などの酸化物
からなる強固な拡散防止層が形成されるため、安定化材
の導電性も維持され、安定性も向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例により製造された超電導線の
断面を模式的に示す図、第２図は本発明の他の実施例に
より製造された超電導線の部分拡大断面状態を示す図、
第３図は従来の方法により製造された化合物超電導線の
断面図である。 １１・・・・・・Ｃｕ合金マトリックス、１２・・・・
・・Ｎｂ３　Ｓｎ芯線、１３・・・・・・Ｎｂチューブ
、１４・・・・・・Ｃｕ−Ｓｎ合金、１５−・−・Ｎｂ
　３　Ｓｎ層、１６・・・・・・繊維状Ｎｂ３　Ｓｎｓ
　１７・・・・・・拡散防止層、１８・・・・・・安定
化材。 出願人　　　　　　株式会社　東芝

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）化合物超電導体を含む芯線が多数埋設されたＣｕ
   系マトリックスの外周側に安定化材を設けてなる化合物
   超電導導体において、 前記Ｃｕ系マトリックス内に前記芯線の化合物超電導体
   と同種の繊維状化合物超電導体が分布しているとともに
   、前記Ｃｕ系マトリックスと安定化材間に金属酸化物か
   らなる拡散防止層が設けられていることを特徴とする化
   合物超電導導体。
2. （２）熱処理により反応して化合物超電導体を形成する
   化合物超電導体材料を含む多数の素線が埋設された前記
   化合物超電導体を構成する元素の１種を含有するＣｕ系
   マトリックスの外周側に安定化材を一体化する工程と、 この一体化された構造体に、前記安定化材の表面に酸化
   物層を形成した後に真空中または非酸化雰囲気中で、あ
   るいは大気中の酸素分圧より低くかつ前記安定化材の表
   面に酸化物層を形成し得る酸素分圧下で、前記化合物超
   電導体の生成温度領域で熱処理を行う工程と を有することを特徴とする化合物超電導導体の製造方法
   。