JPH02255576A - セラミックハニカム構造体の焼成法 - Google Patents
セラミックハニカム構造体の焼成法Info
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- JPH02255576A JPH02255576A JP1074825A JP7482589A JPH02255576A JP H02255576 A JPH02255576 A JP H02255576A JP 1074825 A JP1074825 A JP 1074825A JP 7482589 A JP7482589 A JP 7482589A JP H02255576 A JPH02255576 A JP H02255576A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0006—Honeycomb structures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コージェライト質セラミックハニカム構造体
、特に自動車排ガスの浄化用触媒担体に用いられる高強
度で低膨張性のハニカム構造触媒担体を焼成するのに好
適な焼成法に関するものである。
、特に自動車排ガスの浄化用触媒担体に用いられる高強
度で低膨張性のハニカム構造触媒担体を焼成するのに好
適な焼成法に関するものである。
（従来の技術）
従来、コージェライト形成セラミック原料と成形助剤又
は造孔剤とを混合し、調合して得たセラミック坏土を押
し出し成形して、セラミックハニカム成形体を作製した
後、作製したセラミックハニカム成形体を所定温度下で
連続炉（トンネル炉）又は単独炉により焼成して最終的
なセラミックハニカム構造体を得ていた。
は造孔剤とを混合し、調合して得たセラミック坏土を押
し出し成形して、セラミックハニカム成形体を作製した
後、作製したセラミックハニカム成形体を所定温度下で
連続炉（トンネル炉）又は単独炉により焼成して最終的
なセラミックハニカム構造体を得ていた。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、主成分の化学組成が重量基準でＳｉｎｇ：４
２〜５６％、Ａｌ２Ｏ３： ３０〜４５％、ＭｇＯ：１
２〜１６χで結晶相の主成分がコージェライトから成る
ようにタルク、カオリンおよび他のコージュライト化原
料を調合し、押し出し成形したコージェライト質ハニカ
ム構造体においては、焼成後の自動車排ガス浄化用触媒
担体に要求される製品特性（例えば熱膨張係数、吸水率
、耐熱衝撃性等）を適正値とするために、１０００°Ｃ
以上の昇温速度は７０℃／Ｈｒ以上としていた。ハニカ
ム構造体は、ハニカムセル内に空気層をもつ構造体であ
るため熱が伝わりに＜＜、７０℃／Ｈｒ以上の昇温条件
ではハニカム構造体内外、上下で温度差が生じてしまう
ためであった。
２〜５６％、Ａｌ２Ｏ３： ３０〜４５％、ＭｇＯ：１
２〜１６χで結晶相の主成分がコージェライトから成る
ようにタルク、カオリンおよび他のコージュライト化原
料を調合し、押し出し成形したコージェライト質ハニカ
ム構造体においては、焼成後の自動車排ガス浄化用触媒
担体に要求される製品特性（例えば熱膨張係数、吸水率
、耐熱衝撃性等）を適正値とするために、１０００°Ｃ
以上の昇温速度は７０℃／Ｈｒ以上としていた。ハニカ
ム構造体は、ハニカムセル内に空気層をもつ構造体であ
るため熱が伝わりに＜＜、７０℃／Ｈｒ以上の昇温条件
ではハニカム構造体内外、上下で温度差が生じてしまう
ためであった。
また、主成分の化学組成が重量基準で５ｉＯｚ ： ４
２〜５６％、Ａｌｔｏｓ ： ３０〜４５％、ＭｇＯ
：１２〜１６χで結晶相の主成分がコージェライトから
成るようにタルク、カオリンおよび他のコージェライト
化原料を調合し、押し出し成形したハニカム構造体は、
１０００℃以上において、急激に収縮する。そのため成
形品の内外に、または上下に温度差が発生するため、こ
れにより焼成すべき成形品の上記急激な収縮が上下およ
び／または内外で異なり、これを原因として焼成品の寸
法に変形が発生するという問題点があった。
２〜５６％、Ａｌｔｏｓ ： ３０〜４５％、ＭｇＯ
：１２〜１６χで結晶相の主成分がコージェライトから
成るようにタルク、カオリンおよび他のコージェライト
化原料を調合し、押し出し成形したハニカム構造体は、
１０００℃以上において、急激に収縮する。そのため成
形品の内外に、または上下に温度差が発生するため、こ
れにより焼成すべき成形品の上記急激な収縮が上下およ
び／または内外で異なり、これを原因として焼成品の寸
法に変形が発生するという問題点があった。
本発明の目的は上記課題を解決し、所要の寸法を得るこ
とができる焼成法を提供せんとするにある。
とができる焼成法を提供せんとするにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の焼成法は、特に、主成分の化学組成が重量基準
でＳｔｏｗ ： ４２〜５６％、Ａｌｚ０３：３０〜４
５％、ＭｇＯ：１２〜１６χで結晶相の主成分がコージ
ェライトから成るようにタルク、カオリンおよび他のコ
ージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押し出
し成形後、該ハニカム構造体が熱収縮する温度領域にて
、焼成時の昇温速度を少なくとも６０℃／ Ｈｒ以下と
するか、昇温を所定時間停止するか、または６０℃／Ｈ
ｒ以下とすることと昇温を所定時間停止することを組み
合わせることを特徴とするものである。
でＳｔｏｗ ： ４２〜５６％、Ａｌｚ０３：３０〜４
５％、ＭｇＯ：１２〜１６χで結晶相の主成分がコージ
ェライトから成るようにタルク、カオリンおよび他のコ
ージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押し出
し成形後、該ハニカム構造体が熱収縮する温度領域にて
、焼成時の昇温速度を少なくとも６０℃／ Ｈｒ以下と
するか、昇温を所定時間停止するか、または６０℃／Ｈ
ｒ以下とすることと昇温を所定時間停止することを組み
合わせることを特徴とするものである。
（作 用）
焼成すべきハニカム素体の中には、焼成時に素体の主と
して化学組成の相転移を原因として、焼成中に所定温度
域において急激に収縮するものがある０例えば第４図に
示すように、コージェライト系のハニカム素体では、９
００℃以上の温度範囲において昇温速度８０℃／ｈｒの
割合で温度を上げて行くと、１１００℃付近から素体の
熱収縮が始まり、急激に収縮した後、約１１８０℃で収
縮率が極小となり、その後徐々に膨張し、１４１０℃で
４時間保持すると、さらにもとの形状に戻ろうとある程
度膨張するという特性があるのを確認した。
して化学組成の相転移を原因として、焼成中に所定温度
域において急激に収縮するものがある０例えば第４図に
示すように、コージェライト系のハニカム素体では、９
００℃以上の温度範囲において昇温速度８０℃／ｈｒの
割合で温度を上げて行くと、１１００℃付近から素体の
熱収縮が始まり、急激に収縮した後、約１１８０℃で収
縮率が極小となり、その後徐々に膨張し、１４１０℃で
４時間保持すると、さらにもとの形状に戻ろうとある程
度膨張するという特性があるのを確認した。
また、上記問題点で説明したような素体の変形は、素体
の収縮温度域において上下および／または内外の温度差
により素体の部位の収縮の割合が異なる事を原因として
生じるものと考えられる。
の収縮温度域において上下および／または内外の温度差
により素体の部位の収縮の割合が異なる事を原因として
生じるものと考えられる。
そのため、上記素体が急激に収縮する温度領域において
、昇温速度を遅くするか、または一定温度に保持すれば
、素体の上下または内外等の部位における温度格差のた
めに、各部位の収縮量の差が、緩和若しくは低減され、
また焼結あるいは未焼結の部位が混在することが少なく
なり、製品寸法の良好なハニカム構造体を得ることがで
きる。
、昇温速度を遅くするか、または一定温度に保持すれば
、素体の上下または内外等の部位における温度格差のた
めに、各部位の収縮量の差が、緩和若しくは低減され、
また焼結あるいは未焼結の部位が混在することが少なく
なり、製品寸法の良好なハニカム構造体を得ることがで
きる。
（実施例）
本発明の焼成法におけるセラミックハニカム構造体とし
ては、従来から低膨張コージェライトセラミックスの組
成として知られているコージェライト理論組成点（２Ｍ
ｇ０ ・２Ａｌ□０３・５Ｓｉ（ｈ）を中心とした重量
基準でＳｉｎｇ ： ４２〜５６ｚ、好ましくは４７〜
５３％、Ａｌｚ（ｈ ： ３０〜４５％、好ましく
は３２〜３８Ｘ 、ＭｇＯ：１２〜１６Ｘ 、好ｔ Ｌ
＜ ４＊１２．５〜１５２ （７）領域となるように
、微粒のタルク、カオリン、アルミナおよび他のコージ
ェライト化原料を調合し、混合混練し、この混合物に成
形助剤及び／又は造孔剤を加えて押出成形可能に可塑化
し、ハニカム構造体に押し出し成形後乾燥したものを使
用し、使用される微粒タルクは特にアルカリ成分の少な
いものが好ましく、また、タルク、カオリンの微粒子化
に際し、乾燥、焼成時での収縮等によるハニカム構造体
亀裂発生に抑制に効果的な仮焼タルク、仮焼カオリンを
使用すると良く、このときの粒度は生原料と同様の微粒
物を使用する。
ては、従来から低膨張コージェライトセラミックスの組
成として知られているコージェライト理論組成点（２Ｍ
ｇ０ ・２Ａｌ□０３・５Ｓｉ（ｈ）を中心とした重量
基準でＳｉｎｇ ： ４２〜５６ｚ、好ましくは４７〜
５３％、Ａｌｚ（ｈ ： ３０〜４５％、好ましく
は３２〜３８Ｘ 、ＭｇＯ：１２〜１６Ｘ 、好ｔ Ｌ
＜ ４＊１２．５〜１５２ （７）領域となるように
、微粒のタルク、カオリン、アルミナおよび他のコージ
ェライト化原料を調合し、混合混練し、この混合物に成
形助剤及び／又は造孔剤を加えて押出成形可能に可塑化
し、ハニカム構造体に押し出し成形後乾燥したものを使
用し、使用される微粒タルクは特にアルカリ成分の少な
いものが好ましく、また、タルク、カオリンの微粒子化
に際し、乾燥、焼成時での収縮等によるハニカム構造体
亀裂発生に抑制に効果的な仮焼タルク、仮焼カオリンを
使用すると良く、このときの粒度は生原料と同様の微粒
物を使用する。
尚、成形助剤としては、例えばメチルセルロ−ス、カル
ボキシメチルセルロース、ポリビニールアルコール、澱
粉糊、小麦粉、グリセリンなどの有機バインダーや界面
活性剤、ワックス等のなかから用途に合ったものを選択
し、また造孔剤と・しては、例えばグラファイト、澱粉
、おがくず等のなかから適合するものを選択するのが好
ましい。
ボキシメチルセルロース、ポリビニールアルコール、澱
粉糊、小麦粉、グリセリンなどの有機バインダーや界面
活性剤、ワックス等のなかから用途に合ったものを選択
し、また造孔剤と・しては、例えばグラファイト、澱粉
、おがくず等のなかから適合するものを選択するのが好
ましい。
次いで本発明により、温度１１００°Ｃより低い温度領
域および１２５０°Ｃより高い温度領域にて昇温速度を
１００℃／ｈｒとし、温度１１００〜１２５０℃の範囲
では、本発明により昇温速度を６０°Ｃ／ｈｒ以下（た
だし前記の温度範囲内での一定温度保持をも含むものと
する）として焼成を行う。
域および１２５０°Ｃより高い温度領域にて昇温速度を
１００℃／ｈｒとし、温度１１００〜１２５０℃の範囲
では、本発明により昇温速度を６０°Ｃ／ｈｒ以下（た
だし前記の温度範囲内での一定温度保持をも含むものと
する）として焼成を行う。
１施■１
原料がタルク、カオリンおよびアルミナで化学組成がコ
ージェライト質となるようにセラミック原料を調合し混
合し、この混合物に成形助剤として澱粉糊を加え、さら
に造孔剤としておがくずを加えて可塑化し、成形し、乾
燥した成形品を準備する。
ージェライト質となるようにセラミック原料を調合し混
合し、この混合物に成形助剤として澱粉糊を加え、さら
に造孔剤としておがくずを加えて可塑化し、成形し、乾
燥した成形品を準備する。
この成形品は表１に示すように、その形状が、外径６０
φ×長さ７０ｍｍのやや小型の円筒形状、長径１５０＋
ｎｍｘ短径８０１ＴＩＩ１１×長さ１８０ ｍｍの楕円
柱形状、およびやや大型の外径１８０ φ×長さ２００
ｎｕｎの円柱形状であり、これら３種類の成形品を複
数個作製した。
φ×長さ７０ｍｍのやや小型の円筒形状、長径１５０＋
ｎｍｘ短径８０１ＴＩＩ１１×長さ１８０ ｍｍの楕円
柱形状、およびやや大型の外径１８０ φ×長さ２００
ｎｕｎの円柱形状であり、これら３種類の成形品を複
数個作製した。
この成形品を連続炉の炉内を移動可能な台車に載置され
た棚上に配置して、昇温速度を１ｏｏ″Ｃ／ｈｒに設定
して昇温する。また、この昇温を、例えば両側の炉壁に
挿入された燃焼用バーナーにて行う場合には、成形品即
ちセラミックハニカム構造体に直火が当たらないように
棚の外側の支柱の間にムライト混入素地よりなる中実の
直火防止板を配置するのが良い。
た棚上に配置して、昇温速度を１ｏｏ″Ｃ／ｈｒに設定
して昇温する。また、この昇温を、例えば両側の炉壁に
挿入された燃焼用バーナーにて行う場合には、成形品即
ちセラミックハニカム構造体に直火が当たらないように
棚の外側の支柱の間にムライト混入素地よりなる中実の
直火防止板を配置するのが良い。
ところで上記のごとき昇温中に、本発明により、１）
１１００〜１１５０°Ｃの温度範囲において、昇温速度
を４０℃／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「
ヒートカーブ（１）」と記す）、 ２）温度範囲１１５０〜１２００°Ｃで昇温速度を５０
℃／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「ヒート
カーブ（２）」と記す）、 ３） 温度範囲１２００〜１２５０°Ｃで昇温速度を３
０’Ｃ／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「ヒ
ートカーブ（３）」と記す）、 ４）温度範囲１１００〜１２５０°Ｃで昇温速度を４０
’Ｃ／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「ヒー
トカーブ（４）」と記す）、 を夫々得た。
１１００〜１１５０°Ｃの温度範囲において、昇温速度
を４０℃／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「
ヒートカーブ（１）」と記す）、 ２）温度範囲１１５０〜１２００°Ｃで昇温速度を５０
℃／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「ヒート
カーブ（２）」と記す）、 ３） 温度範囲１２００〜１２５０°Ｃで昇温速度を３
０’Ｃ／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「ヒ
ートカーブ（３）」と記す）、 ４）温度範囲１１００〜１２５０°Ｃで昇温速度を４０
’Ｃ／ｈｒで焼成した試料（これを表１において「ヒー
トカーブ（４）」と記す）、 を夫々得た。
また比較のために、昇温速度を通常通りに１００”Ｃ／
ｈｒで焼成した比較品（これを表１において「通常ヒー
トカーブ」と記す）も得た。
ｈｒで焼成した比較品（これを表１において「通常ヒー
トカーブ」と記す）も得た。
なお、前記試料において、最高温度が１４１０°Ｃで温
度を一定にし、４時間保持した後、降温速度１５０”Ｃ
／Ｈｒで降下させた。
度を一定にし、４時間保持した後、降温速度１５０”Ｃ
／Ｈｒで降下させた。
この昇温過程の様子を第１図のグラフ図で示す。
このグラフ図において、破線はヒートカーブ（１）を、
−点線はヒートカーブ（２）を、綿実線はヒートカーブ
（３）を、２点鎖線はヒートカーブ（４）を、大実線は
通常ヒートカーブをそれぞれ示している。
−点線はヒートカーブ（２）を、綿実線はヒートカーブ
（３）を、２点鎖線はヒートカーブ（４）を、大実線は
通常ヒートカーブをそれぞれ示している。
このような焼成を行った焼成品を第３図に示すように寸
法を測定した。まず寸法上下差は、第３図（１）に図示
するように試料高の上端の直径Ｄｌと下端の直径Ｄ２の
差をとった寸法ＤＩ −０２であり、中央部のへこみ量
（表にて中門量と記す）Ｄ３は、第３図（２）に示すよ
うに試料高の下端部の中央部が上端部の中央部へ向けて
へこんだ量を測定した寸法であり、セル湾曲量Ｄ４は、
第３図（３）に示すようにハニカム構造体の断面中央部
における湾曲量を測定した寸法であり、曲がり量Ｄ５は
、第３図（４）に示すようにハニカム構造体の外周壁が
側方に湾曲した場合に外周壁の凹側の曲がりを測定した
寸法である。表１から分かるように、１１００〜１２５
０″Ｃの範囲内で５０°Ｃ毎に昇温速度を低下させた試
料は、寸法誤差のある程度の低下がみられ、さらに上記
温度範囲の全域において昇温速度を低下させた試料はさ
らに良好な寸法誤差の低下がみられた。
法を測定した。まず寸法上下差は、第３図（１）に図示
するように試料高の上端の直径Ｄｌと下端の直径Ｄ２の
差をとった寸法ＤＩ −０２であり、中央部のへこみ量
（表にて中門量と記す）Ｄ３は、第３図（２）に示すよ
うに試料高の下端部の中央部が上端部の中央部へ向けて
へこんだ量を測定した寸法であり、セル湾曲量Ｄ４は、
第３図（３）に示すようにハニカム構造体の断面中央部
における湾曲量を測定した寸法であり、曲がり量Ｄ５は
、第３図（４）に示すようにハニカム構造体の外周壁が
側方に湾曲した場合に外周壁の凹側の曲がりを測定した
寸法である。表１から分かるように、１１００〜１２５
０″Ｃの範囲内で５０°Ｃ毎に昇温速度を低下させた試
料は、寸法誤差のある程度の低下がみられ、さらに上記
温度範囲の全域において昇温速度を低下させた試料はさ
らに良好な寸法誤差の低下がみられた。
裏立桝ｌ
第１実施例と同様にして作製したコージェライト質ハニ
カム成形体を準備する。
カム成形体を準備する。
この成形品は表２に示すように、その形状が、長径５０
ｍｍＸ短径３０■×長さ７０ｍｍの楕円柱形状、外径１
２０φ×長さ１５０ ｍｍの円筒形状、および長径８゜
■×短径７０ｍｍＸ長さ２２０ｍの楕円柱形状の３種類
の成形品を複数個用意した。
ｍｍＸ短径３０■×長さ７０ｍｍの楕円柱形状、外径１
２０φ×長さ１５０ ｍｍの円筒形状、および長径８゜
■×短径７０ｍｍＸ長さ２２０ｍの楕円柱形状の３種類
の成形品を複数個用意した。
この成形品を実施例１と同様にして連続炉にて、昇温速
度を１００℃／Ｈｒに設定して昇温する。ただし、この
昇温中に表２に夫々示すような温度で昇温を一旦停止し
、その温度に夫々所定時間維持した。
度を１００℃／Ｈｒに設定して昇温する。ただし、この
昇温中に表２に夫々示すような温度で昇温を一旦停止し
、その温度に夫々所定時間維持した。
１、１１２５℃×１時間（ヒートカーブ（１））２、１
１５０°ＣＸ２時間（ヒートカーブ（２））３、１１７
５°ＣＸ３時間（ヒートカーブ（３））４、１２００℃
×１．５時間（ヒートカーブ（４））この昇温過程の様
子を第２図のグラフ図で示す。
１５０°ＣＸ２時間（ヒートカーブ（２））３、１１７
５°ＣＸ３時間（ヒートカーブ（３））４、１２００℃
×１．５時間（ヒートカーブ（４））この昇温過程の様
子を第２図のグラフ図で示す。
この図面中に、試料のヒートカーブ１〜４を破線、−点
鎖線、綿実線、および２点鎖線で夫々表している。なお
、比較のために昇温速度を通常どおりに１００℃／Ｈｒ
で通常焼成した比較品も併せて表２および第２図のグラ
フ図に記し、グラフにおいては、 その通常ヒートカーブを太実線にて示している。
鎖線、綿実線、および２点鎖線で夫々表している。なお
、比較のために昇温速度を通常どおりに１００℃／Ｈｒ
で通常焼成した比較品も併せて表２および第２図のグラ
フ図に記し、グラフにおいては、 その通常ヒートカーブを太実線にて示している。
このような焼成を行った焼成品を実施例１と同様に第３
図に示すように寸法測定を行った。本発明により所定温
度で昇温を一旦停止して焼成したものは、焼成品の変形
が少なく、寸法許容差が所定範囲内に包含され、良好な
製品を得ることができる。
図に示すように寸法測定を行った。本発明により所定温
度で昇温を一旦停止して焼成したものは、焼成品の変形
が少なく、寸法許容差が所定範囲内に包含され、良好な
製品を得ることができる。
本発明はコージェライト系のセラミックハニカム構造体
の焼成について例をあげて述べたが、その他の材料につ
いてもコージェライト系と同様な相転移を生じるもので
あれば、その特有の収縮温度領域があり、それに併せて
昇温速度の低下または昇温の所定時間の停止を行って、
焼成すれば、寸法精度の良好な製品を得られることは当
業者であれば容易に推察することが可能である。
の焼成について例をあげて述べたが、その他の材料につ
いてもコージェライト系と同様な相転移を生じるもので
あれば、その特有の収縮温度領域があり、それに併せて
昇温速度の低下または昇温の所定時間の停止を行って、
焼成すれば、寸法精度の良好な製品を得られることは当
業者であれば容易に推察することが可能である。
（発明の効果）
以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
のセラミックハニカム構造体の焼成方法によれば、ハニ
カム構造体の熱収縮温度領域において、一部温度領域若
しくは全温度領域にわたり昇温速度を低下または零とす
れば、各部位における温度格差のために収縮する割合が
異なる現象を緩和若しくは低減することができ、製品寸
法が良好な製品を得ることができ、また歩留り良くハニ
カム構造体を製造することができる。
のセラミックハニカム構造体の焼成方法によれば、ハニ
カム構造体の熱収縮温度領域において、一部温度領域若
しくは全温度領域にわたり昇温速度を低下または零とす
れば、各部位における温度格差のために収縮する割合が
異なる現象を緩和若しくは低減することができ、製品寸
法が良好な製品を得ることができ、また歩留り良くハニ
カム構造体を製造することができる。
第１図は本発明の焼成法の一実施例としての焼成スケジ
ュールを示すグラフ図、 第２図は同じく他の実施例としての焼成スケジュールを
示すグラフ図、 第３図は焼成した焼成品の寸法変形を測定した様子を示
す説明図、 第４図はコージェライト質ハニカム構造体の熱収縮曲線
を示すグラフ図である。 特許出願人 日本碍子株式会社 第１図 第２図 焼Ａ時間（Ｈと） 手 続 補 正 書 平成 ２年 ４月２５日 特許庁長官 吉 １） 文 毅 殴１、事件の
表示 平成１年特許願第７４８２５号 ２、発明の名称 セラミックハニカム構造体の焼成法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人 住 所 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番５６号名称
（４０６）日本碍子株式会社 代表者 小 原 敏 人４、代 理 人 １６明細書の特許請求の範囲を下記の通り訂正する。 「２、特許請求の範囲 １、主成分の化学組成が重量基準でＳｉＯ□：４２〜５
６％、Ａｌｚ（ｈ ： ３０〜４５％、ＭｇＯ：
１２〜１６χで結晶相の主成分がコージェライトから成
るようにタルク、カオリンおよび他のコージェライト化
原料を調合し、ハニカム構造体に押し出し成形後、該ハ
ニカム構造体を所定の雰囲気、所定の温度の状態下で焼
成する方法において、 前記ハニカム構造体が熱収縮する温度領域にて、焼成時
の昇温速度を６０℃／Ｈｒ以下とするか、昇温を所定時
間停止するか、または６０℃／Ｈｒ以下とすることと昇
温を所定時間停止することを組み合わせることを特徴と
するセラミックハニカム構造体の焼成法。」 ２６明細書第２頁第２０行〜第３頁第１行の「コージェ
ライト」を「コージェライト」と訂正する。 ３、同第４頁第１２行の「少なくとも６０℃」を「６０
°Ｃ」と訂正する。 ４、同第５頁第８行の「−・・−認定した。」の後に以
下の文章を加入する。 「しかし、前記の熱収縮が始まる温度や収縮が極小とな
る温度は、コージェライト化原料の粒度が異なったり、
主成分の化学組成が異なることにより、更に低温域や高
温域にずれることがある。」 ５、同第５頁第１６行の「温度格差のために、各部位の
」を「温度格差による各部位の」と訂正する。 ６、同第６頁第１７行の「亀裂発生に抑制に」を「亀裂
発生の抑制に」と訂正する。 ７、同第９頁第１行のｒ １２００〜１２５０°Ｃ」を
ｒｌｌｏｏ〜１２００°Ｃ」と訂正し、 同頁同行のｒ３０″Ｃ／ｈｒ 」を「６０°Ｃ／ｈｒ
Ｊと訂正する。 ８、同第１０頁の表１を別紙の通り訂正する。 ９、図面中、 第１図を別紙訂正図の通り訂正する。 焼成［１’ｉ間（Ｈｒ＞
ュールを示すグラフ図、 第２図は同じく他の実施例としての焼成スケジュールを
示すグラフ図、 第３図は焼成した焼成品の寸法変形を測定した様子を示
す説明図、 第４図はコージェライト質ハニカム構造体の熱収縮曲線
を示すグラフ図である。 特許出願人 日本碍子株式会社 第１図 第２図 焼Ａ時間（Ｈと） 手 続 補 正 書 平成 ２年 ４月２５日 特許庁長官 吉 １） 文 毅 殴１、事件の
表示 平成１年特許願第７４８２５号 ２、発明の名称 セラミックハニカム構造体の焼成法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人 住 所 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番５６号名称
（４０６）日本碍子株式会社 代表者 小 原 敏 人４、代 理 人 １６明細書の特許請求の範囲を下記の通り訂正する。 「２、特許請求の範囲 １、主成分の化学組成が重量基準でＳｉＯ□：４２〜５
６％、Ａｌｚ（ｈ ： ３０〜４５％、ＭｇＯ：
１２〜１６χで結晶相の主成分がコージェライトから成
るようにタルク、カオリンおよび他のコージェライト化
原料を調合し、ハニカム構造体に押し出し成形後、該ハ
ニカム構造体を所定の雰囲気、所定の温度の状態下で焼
成する方法において、 前記ハニカム構造体が熱収縮する温度領域にて、焼成時
の昇温速度を６０℃／Ｈｒ以下とするか、昇温を所定時
間停止するか、または６０℃／Ｈｒ以下とすることと昇
温を所定時間停止することを組み合わせることを特徴と
するセラミックハニカム構造体の焼成法。」 ２６明細書第２頁第２０行〜第３頁第１行の「コージェ
ライト」を「コージェライト」と訂正する。 ３、同第４頁第１２行の「少なくとも６０℃」を「６０
°Ｃ」と訂正する。 ４、同第５頁第８行の「−・・−認定した。」の後に以
下の文章を加入する。 「しかし、前記の熱収縮が始まる温度や収縮が極小とな
る温度は、コージェライト化原料の粒度が異なったり、
主成分の化学組成が異なることにより、更に低温域や高
温域にずれることがある。」 ５、同第５頁第１６行の「温度格差のために、各部位の
」を「温度格差による各部位の」と訂正する。 ６、同第６頁第１７行の「亀裂発生に抑制に」を「亀裂
発生の抑制に」と訂正する。 ７、同第９頁第１行のｒ １２００〜１２５０°Ｃ」を
ｒｌｌｏｏ〜１２００°Ｃ」と訂正し、 同頁同行のｒ３０″Ｃ／ｈｒ 」を「６０°Ｃ／ｈｒ
Ｊと訂正する。 ８、同第１０頁の表１を別紙の通り訂正する。 ９、図面中、 第１図を別紙訂正図の通り訂正する。 焼成［１’ｉ間（Ｈｒ＞
Claims (1)
- １．主成分の化学組成が重量基準でＳｉＯ＿２：４２〜
５６％、Ａｌ＿２Ｏ＿３：３０〜４５％、ＭｇＯ：１２
〜１６％で結晶相の主成分がコージェライトから成るよ
うにタルク、カオリンおよび他のコージェライト化原料
を調合し、ハニカム構造体に押し出し成形後、該ハニカ
ム構造体を所定の雰囲気、所定の温度の状態下で焼成す
る方法において、 前記ハニカム構造体が熱収縮する温度領域 にて、焼成時の昇温速度を少なくとも６０℃／Ｈｒ以下
とするか、昇温を所定時間停止するか、または６０℃／
Ｈｒ以下とすることと昇温を所定時間停止することを組
み合わせることを特徴とするセラミックハニカム構造体
の焼成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074825A JP2553192B2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | セラミックハニカム構造体の焼成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1074825A JP2553192B2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | セラミックハニカム構造体の焼成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02255576A true JPH02255576A (ja) | 1990-10-16 |
| JP2553192B2 JP2553192B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=13558480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1074825A Expired - Lifetime JP2553192B2 (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | セラミックハニカム構造体の焼成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553192B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262102A (en) * | 1991-09-30 | 1993-11-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for firing ceramic honeycomb structural bodies |
| US5609807A (en) * | 1993-11-10 | 1997-03-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Production of ceramic structural bodies |
| US6004502A (en) * | 1997-09-02 | 1999-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of firing ceramic honeycomb structural bodies |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS62182158A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-08-10 | 日本碍子株式会社 | コ−ジェライトハニカム構造体及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP1074825A patent/JP2553192B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182158A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-08-10 | 日本碍子株式会社 | コ−ジェライトハニカム構造体及びその製造方法 |
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| EP0535872B1 (en) * | 1991-09-30 | 1995-12-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for firing ceramic honeycomb structural bodies |
| US5262102A (en) * | 1991-09-30 | 1993-11-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for firing ceramic honeycomb structural bodies |
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| US6468374B1 (en) * | 1999-02-18 | 2002-10-22 | Corning Incorporated | Method of making silica glass honeycomb structure from silica soot extrusion |
| EP1975140A3 (en) * | 2002-03-27 | 2008-10-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for manufacturing honeycomb structure |
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| EP1489060A1 (en) * | 2002-03-27 | 2004-12-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structural body, method of manufacturing the structural body, and method of measuring outer peripheral distortion of the structural body |
| EP1489060A4 (en) * | 2002-03-27 | 2005-11-09 | Ngk Insulators Ltd | WAVE STRUCTURE BODY, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND METHOD FOR MEASURING THE EXTERNAL PERIPHERAL DELAY OF THE STRUCTURAL BODY |
| US7577719B2 (en) | 2002-04-10 | 2009-08-18 | Lg Electronics Inc. | Method for controlling home automation system |
| US7897099B2 (en) | 2004-01-13 | 2011-03-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing honeycomb structure |
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| US8398797B2 (en) | 2006-09-29 | 2013-03-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Production method of cordierite-based ceramic honeycomb filter |
| JP5338317B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-11-13 | 日立金属株式会社 | コージェライト質セラミックハニカムフィルタの製造方法 |
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| WO2017033774A1 (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 住友化学株式会社 | ハニカムフィルタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2553192B2 (ja) | 1996-11-13 |
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