JPH02254778A - 分布帰還形半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
分布帰還形半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH02254778A JPH02254778A JP7518389A JP7518389A JPH02254778A JP H02254778 A JPH02254778 A JP H02254778A JP 7518389 A JP7518389 A JP 7518389A JP 7518389 A JP7518389 A JP 7518389A JP H02254778 A JPH02254778 A JP H02254778A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（！梁上の利用分野〕
この発明は、光メモリ等の情報処理装置、光コンピュー
タ、光計測などにおいて用いられる、特に低消費電力で
且つ集積化の可能な分布帰還形半導体レーザ及びその製
造方法に関する。
タ、光計測などにおいて用いられる、特に低消費電力で
且つ集積化の可能な分布帰還形半導体レーザ及びその製
造方法に関する。
［従来の技術〕
半導体レーザは、光通信、光メモリ、光計測等のキーデ
バイスとして多用されている。しかし未だ多くの！！１
題を抱えており、その一つは光通信などにおいて要求さ
れるレーザ光の質の良さ、すなわちコヒーレント性がよ
く、モード分離やモードホッピングのないようにするこ
とであり、また他の一つは将来の光コンピユータ用に低
消費電力化ができることなどである。
バイスとして多用されている。しかし未だ多くの！！１
題を抱えており、その一つは光通信などにおいて要求さ
れるレーザ光の質の良さ、すなわちコヒーレント性がよ
く、モード分離やモードホッピングのないようにするこ
とであり、また他の一つは将来の光コンピユータ用に低
消費電力化ができることなどである。
レーザ光の質の良さは、半導体レーザ内に同調器を作り
込むことによって改善がなされている。
込むことによって改善がなされている。
第６図＾に示す半導体レーザは、その代表的な例である
分布帰還形（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａ
ｃｋ ： ＤＦＢ）半導体レーザであり、活性層１０１
の下に沿って回折格子１０２を組み込んで構成したもの
である。なお１０３．１０４はクラッド層である。この
構成により単一波長で、モード分離のない半導体レーザ
が可能になっている。
分布帰還形（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａ
ｃｋ ： ＤＦＢ）半導体レーザであり、活性層１０１
の下に沿って回折格子１０２を組み込んで構成したもの
である。なお１０３．１０４はクラッド層である。この
構成により単一波長で、モード分離のない半導体レーザ
が可能になっている。
低消費電力化については、活性層を可能な限り小さくし
て、闇値電流を下げることによって達成される。第６図
（Ｂ）は、その究極の例として提案されている量子井戸
細線（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ Ｗｉｒｅ ：Ｑ
ＷＷ）半導体レーザである。これは活性１１１１１を帽
の狭い量子井戸構造（ＱＷ）で形成するものである。
Ｐａ５ｅｌａ Ｌ、 Ｄｅｒｒｙらは、論文ｒＵ１ｔｒ
ａ ｌｏｗ−ｔｈｅｒｅｓｈｏｌｄ ｇｒａｄｅｄ−
ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ−ｃｏｎｆｉｎｅｍｅ
ｎｔｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｂｕ
ｒｉｅｄ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ（ＡＬ
Ｇａ）Ａｓ １ａｓｅｒｓ ｗｉｔｈ ｈｉｇｈ
ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙｃｏａｔｉｎｇｓ」（Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ５０（２５Ｌ ２
２ Ｊｕｎｅ１９８７）において、１００人のＱＷを用
いｌｐｍ幅で活性層を形成し、閾値電流を最低で０．９
５ｍＡとしたものを試作した舌の発表を行っている。ま
たＡｍｎｏｎＹａｒｉｖは、論文ｒｓｃａｌｉｎｇｌａ
ｗｓ ａｎｄ ｍｉｒ＋ｉｍｕｍｔ、ｈｒｅｓｈｏ
ｌｄ ｃｕｒｒｅｎｔｓ ｆｏｒ ｑｕａｎｔｕ
ｍ−ｃｏｎｆｉｎｅｄｓｅｍｉｃｏｎｄｕｔｏｒ １
ａｓｅｒｓ」（Ａｐｐｌ、 ＰｈｙＳ、 Ｌｅｔｔ、
５３（１２）、 １９ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８
８）において、理論的にＱＷＷを用いた半導体レーザで
閾値電流を２〜３μＡまで低減することが可能である旨
の発表を行っている。
て、闇値電流を下げることによって達成される。第６図
（Ｂ）は、その究極の例として提案されている量子井戸
細線（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ Ｗｉｒｅ ：Ｑ
ＷＷ）半導体レーザである。これは活性１１１１１を帽
の狭い量子井戸構造（ＱＷ）で形成するものである。
Ｐａ５ｅｌａ Ｌ、 Ｄｅｒｒｙらは、論文ｒＵ１ｔｒ
ａ ｌｏｗ−ｔｈｅｒｅｓｈｏｌｄ ｇｒａｄｅｄ−
ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ−ｃｏｎｆｉｎｅｍｅ
ｎｔｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｂｕ
ｒｉｅｄ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ（ＡＬ
Ｇａ）Ａｓ １ａｓｅｒｓ ｗｉｔｈ ｈｉｇｈ
ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙｃｏａｔｉｎｇｓ」（Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ５０（２５Ｌ ２
２ Ｊｕｎｅ１９８７）において、１００人のＱＷを用
いｌｐｍ幅で活性層を形成し、閾値電流を最低で０．９
５ｍＡとしたものを試作した舌の発表を行っている。ま
たＡｍｎｏｎＹａｒｉｖは、論文ｒｓｃａｌｉｎｇｌａ
ｗｓ ａｎｄ ｍｉｒ＋ｉｍｕｍｔ、ｈｒｅｓｈｏ
ｌｄ ｃｕｒｒｅｎｔｓ ｆｏｒ ｑｕａｎｔｕ
ｍ−ｃｏｎｆｉｎｅｄｓｅｍｉｃｏｎｄｕｔｏｒ １
ａｓｅｒｓ」（Ａｐｐｌ、 ＰｈｙＳ、 Ｌｅｔｔ、
５３（１２）、 １９ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８
８）において、理論的にＱＷＷを用いた半導体レーザで
閾値電流を２〜３μＡまで低減することが可能である旨
の発表を行っている。
従来、モード分離のない純粋なレーザ光を得ようとする
と、複雑な形成プロセスを用いて回折格子を怖り込む分
布帰還形半導体レーザ等を用いる必要がある。また一方
、低消費電力で低い闇値電流のものを得ようとすると、
活性層をできる限り小さくして量子的に閉じ込める必要
がある。更にまた、光コンピュータや光計測等において
は、半導体レーザ、ホトダイオード、光制御素子を同一
基板にモノリシックに集積化すると共に、低消費電力で
且つモード分離やモードホッピングのない光源が必要と
なる。しかしこのような条件を満足できる半導体レーザ
は未だ提案されていない。
と、複雑な形成プロセスを用いて回折格子を怖り込む分
布帰還形半導体レーザ等を用いる必要がある。また一方
、低消費電力で低い闇値電流のものを得ようとすると、
活性層をできる限り小さくして量子的に閉じ込める必要
がある。更にまた、光コンピュータや光計測等において
は、半導体レーザ、ホトダイオード、光制御素子を同一
基板にモノリシックに集積化すると共に、低消費電力で
且つモード分離やモードホッピングのない光源が必要と
なる。しかしこのような条件を満足できる半導体レーザ
は未だ提案されていない。
本発明は、従来の半導体レーザにおける上記問題点を解
決するためになされたもので、低消費電力でモード分離
やモードホッピングない良質のレーザ光が得られ、しか
も他のホトダイオードや光制御素子とも集積化の可能な
半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
決するためになされたもので、低消費電力でモード分離
やモードホッピングない良質のレーザ光が得られ、しか
も他のホトダイオードや光制御素子とも集積化の可能な
半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
〔課題を解決するための手段及び作用〕次に本発明の原
理を、第１図への概念図に基づいて説明する０図におい
て、１はクラッド層で、このクラッド層１に配置される
活性層として、化合物半導体の量子井戸構造（Ｑｕａｎ
ｔｕ＋ｗ Ｗｅｌｌ ： ＱＷ）又は多重量子井戸構造
（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌ、１：Ｍ
ＱＷ）を用い、その幅をできるだけ小さく、すなわち究
極的には電子のドブロイ波長以下の幅とし量子細線とし
た微小幅の多数の細線化活性層２−１．２−２．・・・
・・を、所定の正確な間隔で並べて構成する。この細線
化活性層２−１．２−２．・・・・・・を並べる間隔、
すなわち空間周期へは、発振周波数λの１／２の整数倍
に比例する長さに設定する。これにより細線化活性層２
−１．２−２．・・・・・は活性層としての機能と、同
調器としての機能を合わせもち、活性層と同調器が同時
に形成されることになる。
理を、第１図への概念図に基づいて説明する０図におい
て、１はクラッド層で、このクラッド層１に配置される
活性層として、化合物半導体の量子井戸構造（Ｑｕａｎ
ｔｕ＋ｗ Ｗｅｌｌ ： ＱＷ）又は多重量子井戸構造
（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌ、１：Ｍ
ＱＷ）を用い、その幅をできるだけ小さく、すなわち究
極的には電子のドブロイ波長以下の幅とし量子細線とし
た微小幅の多数の細線化活性層２−１．２−２．・・・
・・を、所定の正確な間隔で並べて構成する。この細線
化活性層２−１．２−２．・・・・・・を並べる間隔、
すなわち空間周期へは、発振周波数λの１／２の整数倍
に比例する長さに設定する。これにより細線化活性層２
−１．２−２．・・・・・は活性層としての機能と、同
調器としての機能を合わせもち、活性層と同調器が同時
に形成されることになる。
第１図田）、（Ｃ）は、第１図＾におけるＡ−Ａ’線及
びＢ−Ｂ’線に沿った屈折率分布を示す図で、ｎ＋はク
ラッド層１、ｎ８は細線化活性層２−１．２−２゜・・
・・・・の屈折率を示している。
びＢ−Ｂ’線に沿った屈折率分布を示す図で、ｎ＋はク
ラッド層１、ｎ８は細線化活性層２−１．２−２゜・・
・・・・の屈折率を示している。
このように構成することにより、各細線化活性層２−１
．２−２．・・・・・で構成される細線レーザからは第
１図の）に示すように、光が誘導放出されるが、これら
は互いにオーバーラツプすることにより、全体としての
系の光は第１図［Ｆ］に示すようなコヒーレントなレー
ザ光となり、第２図の基本構成図に示すように、レーザ
光出力は、細線化活性層２−１゜２−２．・・・・の並
び方向と平行な方向から放出される。
．２−２．・・・・・で構成される細線レーザからは第
１図の）に示すように、光が誘導放出されるが、これら
は互いにオーバーラツプすることにより、全体としての
系の光は第１図［Ｆ］に示すようなコヒーレントなレー
ザ光となり、第２図の基本構成図に示すように、レーザ
光出力は、細線化活性層２−１゜２−２．・・・・の並
び方向と平行な方向から放出される。
この場合、波長は、細線化活性層方向のモードは数μｍ
−数十μｍと小さいので単一モードが可能であり、従来
の分布帰還形半導体レーザと同様に単一となり、しかも
モード分離やモードホッピングも生じない、また消費電
力及び闇値電流に関しては、各細線化活性層の一つ一つ
がファプリーペロー的な電流閉じ込め態様を示し、細線
化活性層内の電流密度が大きくなるため、小さくするこ
とができる。
−数十μｍと小さいので単一モードが可能であり、従来
の分布帰還形半導体レーザと同様に単一となり、しかも
モード分離やモードホッピングも生じない、また消費電
力及び闇値電流に関しては、各細線化活性層の一つ一つ
がファプリーペロー的な電流閉じ込め態様を示し、細線
化活性層内の電流密度が大きくなるため、小さくするこ
とができる。
このように本発明は、多数の細線化活性層を所定間隔で
配置することにより同時に同調器も形成されるものであ
るので、多重細線自己分布帰還形半導体レーザと称し得
るものである。
配置することにより同時に同調器も形成されるものであ
るので、多重細線自己分布帰還形半導体レーザと称し得
るものである。
以下実施例について説明する。第３図＾は、本発明の第
１実施例の概略斜視図で、第３図（３）は、そのｘ−ｘ
’線に沿った断面図である。この実施例は、基板上に例
えばＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ等のＱＷ又はＭＱＷからな
る活性層を予め形成しておき、これに例えばＧａや＾１
等のイオン打込により組成を変化させるか、又はＦｏｃ
ｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｎ（Ｆ Ｉ Ｂ）等で例えば
Ａｒ、プロトン等の不活性物質を注入し、必要な細線化
活性層以外をディスオーダ（Ｄｉｓｏｒｄｅｒ）するこ
とによって形成するものである。すなわち、まず１１１
１としてｎ型ＧａＡｓを用い、この上にＭＢＥ （Ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）又は
ＭＯＣＶＤ （Ｍｌｌｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）等を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層１
２゜ＧａＡｌＡｓのＱＷ又はＭＱＷからなる活性層１３
．ｐ型ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層１４を順次形成
する。ここでＱＷ又はＭＱＷのウェル層の幅は５０〜２
００人程度に選び、且つ井戸層とバリア屡の組成は必要
な波長（５８０〜８７０ｎｍ）により設定する。そして
必要に応じ周囲をメサエッチしたのち、必要な活性層を
残してプロトンやＧａ等をイオン注入して所定間隔へで
多数のディスオーダ層又は組成変換層１５−１ 。
１実施例の概略斜視図で、第３図（３）は、そのｘ−ｘ
’線に沿った断面図である。この実施例は、基板上に例
えばＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ等のＱＷ又はＭＱＷからな
る活性層を予め形成しておき、これに例えばＧａや＾１
等のイオン打込により組成を変化させるか、又はＦｏｃ
ｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｎ（Ｆ Ｉ Ｂ）等で例えば
Ａｒ、プロトン等の不活性物質を注入し、必要な細線化
活性層以外をディスオーダ（Ｄｉｓｏｒｄｅｒ）するこ
とによって形成するものである。すなわち、まず１１１
１としてｎ型ＧａＡｓを用い、この上にＭＢＥ （Ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）又は
ＭＯＣＶＤ （Ｍｌｌｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）等を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層１
２゜ＧａＡｌＡｓのＱＷ又はＭＱＷからなる活性層１３
．ｐ型ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層１４を順次形成
する。ここでＱＷ又はＭＱＷのウェル層の幅は５０〜２
００人程度に選び、且つ井戸層とバリア屡の組成は必要
な波長（５８０〜８７０ｎｍ）により設定する。そして
必要に応じ周囲をメサエッチしたのち、必要な活性層を
残してプロトンやＧａ等をイオン注入して所定間隔へで
多数のディスオーダ層又は組成変換層１５−１ 。
１５−２．・・・・・を形成する。このディスオーダ層
又は組成変換層１５−１．１５−２．・・・・・は、マ
スクを用いたフォトリソグラフィとイオン注入法を用い
て形成してもよいし、またマスクレスのＦＩＢ等を使用
して形成してもよい、そしてこれにより所定間隔へで多
数の細線化活性層１３−１．１３−２．・・・・・が形
成される０次いでＺｎを拡散してｐ型Ｚｎ拡散層１６を
形成して電橋とし、分布帰還形半導体レーザを構成する
。
又は組成変換層１５−１．１５−２．・・・・・は、マ
スクを用いたフォトリソグラフィとイオン注入法を用い
て形成してもよいし、またマスクレスのＦＩＢ等を使用
して形成してもよい、そしてこれにより所定間隔へで多
数の細線化活性層１３−１．１３−２．・・・・・が形
成される０次いでＺｎを拡散してｐ型Ｚｎ拡散層１６を
形成して電橋とし、分布帰還形半導体レーザを構成する
。
この方式によれば、容易に且つ自由に細線化活性層を設
計し作成することができ、しかもブレーナプロセスによ
り形成しているため、他のフォトダイオードや光制御素
子等も同一基板上に同時に集積化することが可能である
。
計し作成することができ、しかもブレーナプロセスによ
り形成しているため、他のフォトダイオードや光制御素
子等も同一基板上に同時に集積化することが可能である
。
第４図は、本発明の第２実施例の概略斜視図である。こ
の実施例は、細線化活性層を予め形成しておき、その細
線化活性層上にクラッド層を形成して構成するものであ
る。すなわち、ｎｙＭＧａＡａ基板２Ｉ上に、第１実施
例と同様にｎ型ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層２２と
、ＧａＡ ｌ＾３のＱＷ又はＭＱＷからなる活性層２３
をエピタキシャル成長により形成する０次いでフォトリ
ソグラフィやレーザ光による光干渉等によりてマスクを
形成し、イオンエッチやＲＩＥ等でエツチングして所定
間隔へで多数の細線化活性層を形成する。この細線化活
性層は、ＦＩＢによるマスクレスでプロトン等を注入し
てアモルファス層又はダメージ層を形成し、化学的エツ
チングによって前記ダメージ層等を取り除いて形成して
もよい０次いで細線化活性層上から誘電体等でバッシベ
ーシッンしたり、よりエネルギーギャップの大きいＧａ
ＡｌＡｓで電流閉じ込めクラッド層２４を形成する０次
いで前記エツチング除去部分にＧａＡｌＡｓ層２５を選
択的にエピタキシャル成長させたのち、Ｚｎ拡散層２６
を拡散形成する。
の実施例は、細線化活性層を予め形成しておき、その細
線化活性層上にクラッド層を形成して構成するものであ
る。すなわち、ｎｙＭＧａＡａ基板２Ｉ上に、第１実施
例と同様にｎ型ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層２２と
、ＧａＡ ｌ＾３のＱＷ又はＭＱＷからなる活性層２３
をエピタキシャル成長により形成する０次いでフォトリ
ソグラフィやレーザ光による光干渉等によりてマスクを
形成し、イオンエッチやＲＩＥ等でエツチングして所定
間隔へで多数の細線化活性層を形成する。この細線化活
性層は、ＦＩＢによるマスクレスでプロトン等を注入し
てアモルファス層又はダメージ層を形成し、化学的エツ
チングによって前記ダメージ層等を取り除いて形成して
もよい０次いで細線化活性層上から誘電体等でバッシベ
ーシッンしたり、よりエネルギーギャップの大きいＧａ
ＡｌＡｓで電流閉じ込めクラッド層２４を形成する０次
いで前記エツチング除去部分にＧａＡｌＡｓ層２５を選
択的にエピタキシャル成長させたのち、Ｚｎ拡散層２６
を拡散形成する。
第５図は、本発明の第３実施例を示す概略断面図である
。この実施例は、ファセット細線化活性層を用いるよう
にしたものである。すなわち、まず第１実施例と同樺に
して、基板上にクラッド層３１を形成し、次いで誘電体
等をパターニングして多数の微細な窓を形成し、この上
にＭＯＣＶｐ等で選択エピタキシャル成長を行って、所
定間隔でＧａＡｌＡｓのＱＷ又はＭＱＷからなる多数の
ファセット活性層３２を形成する。その上にクラッド層
３３を形成し、更にｐ型Ｚｎ拡散層３４を形成して電極
とするものである。
。この実施例は、ファセット細線化活性層を用いるよう
にしたものである。すなわち、まず第１実施例と同樺に
して、基板上にクラッド層３１を形成し、次いで誘電体
等をパターニングして多数の微細な窓を形成し、この上
にＭＯＣＶｐ等で選択エピタキシャル成長を行って、所
定間隔でＧａＡｌＡｓのＱＷ又はＭＱＷからなる多数の
ファセット活性層３２を形成する。その上にクラッド層
３３を形成し、更にｐ型Ｚｎ拡散層３４を形成して電極
とするものである。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明は、所定
間隔で配置した多数の細線化活性層で半導体レーザを構
成したので、電流を有効に閉じ込めることにより、閾値
電流を下げ低電力化を図ることができる。また細線化活
性層がその周りに配置されるクラッド層より屈折率が高
いので、多数の細線化活性層により分布帰還用の同調器
が同時に形成され、モード分離やモードホッピングのな
い良質の単一波長の半導体レーザを実現することができ
る。
間隔で配置した多数の細線化活性層で半導体レーザを構
成したので、電流を有効に閉じ込めることにより、閾値
電流を下げ低電力化を図ることができる。また細線化活
性層がその周りに配置されるクラッド層より屈折率が高
いので、多数の細線化活性層により分布帰還用の同調器
が同時に形成され、モード分離やモードホッピングのな
い良質の単一波長の半導体レーザを実現することができ
る。
第１図＾は、本発明に係る多重量ｓ自己分布帰還形半導
体レーザの原理を説明するための概念図、第１図３）、
（口は、第１図＾のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ′線に沿った
屈折率分布図、第１図（ｒＪ）は、細線化活性層から誘
導放出される発光状態を示す図、第１図■は、全体とし
て発生するレーザ光を示す図、第２図は、本発明の基本
構成を示す斜視図、第３図＾は、本発明の第１実施例を
示す概略斜視図、第３図１）は、第３図＾のｘ−ｘ’線
に沿う断面図、第４図は、本発明の第２実施例を示す概
略斜視図、第５図は、本発明の第３実施例を示す概略断
面図、第６図＾、 （Ｅｌ）は、従来の半導体レーザの
構成例を示す概略斜視図である。 図において、１は基板、２−１．２−２．・・・・・は
細線化活性層を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 （Ｂ） （Ｄ） （Ｅ） 第２図 第３図 （Ｂ） 第４図 第５図 （Ｂ）
体レーザの原理を説明するための概念図、第１図３）、
（口は、第１図＾のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ′線に沿った
屈折率分布図、第１図（ｒＪ）は、細線化活性層から誘
導放出される発光状態を示す図、第１図■は、全体とし
て発生するレーザ光を示す図、第２図は、本発明の基本
構成を示す斜視図、第３図＾は、本発明の第１実施例を
示す概略斜視図、第３図１）は、第３図＾のｘ−ｘ’線
に沿う断面図、第４図は、本発明の第２実施例を示す概
略斜視図、第５図は、本発明の第３実施例を示す概略断
面図、第６図＾、 （Ｅｌ）は、従来の半導体レーザの
構成例を示す概略斜視図である。 図において、１は基板、２−１．２−２．・・・・・は
細線化活性層を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 （Ｂ） （Ｄ） （Ｅ） 第２図 第３図 （Ｂ） 第４図 第５図 （Ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の細線化した活性層を、該細線化活性層の垂直
方向に同一間隔で周期的に並べて多重細線化活性層を構
成し、該活性層に同調器機能をもたせたことを特徴とす
る分布帰還形半導体レーザ。 ２、前記細線化活性層は、化合物半導体の量子井戸構造
又は多重量子井戸構造で構成されていることを特徴とす
る請求項１記載の分布帰還形半導体レーザ。 ３、前記細線化活性層は、その幅を電子の閉じ込め可能
な０．１μｍ以下としたことを特徴とする請求項１又は
２記載の分布帰還形半導体レーザ。 ４、活性層となる半導体領域に、一定の間隔で高濃度イ
オンインプランティションにより組成を変化させて多数
の平面的なクラッド層を形成し、該クラッド層間に残さ
れた半導体領域を細線化活性層とすることを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載の分布帰還形半導体レー
ザの製造方法。 ５、活性層となる半導体領域を、一定の間隔で不活性ガ
スのイオンインプランティション又はフォーカスドイオ
ンビームによりディスオーダ化して多数の平面的なクラ
ッド層を形成し、該クラッド層間に残された半導体領域
を細線化活性層とすることを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の分布帰還形半導体レーザの製造方法。 ６、活性層となる半導体領域を一定の間隔でイオンエッ
チング又はＲＩＥで部分的に除去し細線化活性層を形成
することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
分布帰還形半導体レーザの製造方法。 ７、活性層となる半導体領域に、一定の間隔で不活性ガ
スのフォーカスドイオンビームにより多数のダメージ層
を形成し、該ダメージ層を除去することによって細線化
活性層を形成することを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載の分布帰還形半導体レーザの製造方法。 ８、クラッド層となる半導体領域に、一定間隔の多数の
窓を有するマスクを形成し、該マスクを介して活性層と
なる半導体を選択的にエピタキシャル成長させ、細線化
活性層を形成することを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載の分布帰還形半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7518389A JPH02254778A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 分布帰還形半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7518389A JPH02254778A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 分布帰還形半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254778A true JPH02254778A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13568835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7518389A Pending JPH02254778A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 分布帰還形半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05183236A (ja) * | 1991-05-13 | 1993-07-23 | Cselt Spa (Cent Stud E Lab Telecomun) | 利得結合分布帰還型半導体レーザ |
| JPH0690056A (ja) * | 1991-02-07 | 1994-03-29 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 半導体レーザ |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP7518389A patent/JPH02254778A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0690056A (ja) * | 1991-02-07 | 1994-03-29 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 半導体レーザ |
| JPH05183236A (ja) * | 1991-05-13 | 1993-07-23 | Cselt Spa (Cent Stud E Lab Telecomun) | 利得結合分布帰還型半導体レーザ |
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