JPH02254426A - 光波長変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は有機非線形光学材料を用いた光波長変換素子、
特に詳細にはこの有機非線形光学材料の昇華や変成を防
止し、かつ波長変換波を効率良く素子外に取り出せるよ
うにした光波長変換素子に関するものである。

（従来の技術） 従来より、非線形光学材料を利用して、レーザー光を第
２高調波等に波長変換（短波長化）する試みが種々なさ
れている。このようにして波長変換を行なう光波長変換
素子として具体的には、例えば「光エレクトロニクスの
基礎ＪＡ、ＭＡＲＩ■著、多田邦雄、神谷武志訳（丸善
株式会社）のｐ２００〜２０４に示されるようなバルク
結晶型のものがよく知られている。

また、いわゆるファイバー型の光波長変換素子も提案さ
れている。この光波長変換素子は、クラッド内に非線形
光学材料からなるコアが充てんされた光ファイバーであ
り、応用物理学会懇話会微小光学研究グループ機関誌Ｖ
ＯＬ、　　３．　Ｎα２．　　ｐ２８〜３２にはその一
例が示されている。このファイバー型の光波長変換素子
は、基本波と波長変換波との間の位相整合をとることも
容品であるので、最近ではこのファイバー型光波長変換
素子についての研究が盛んになされている。また、例え
ば本出願人による特開昭６３−１５２３３号、同６３−
１５２３４号公報に示されるように、クラッド部となる
２枚の基板の間に非線形光学材料からなる２次元光導波
路を形成した２次元光導波路型の光波長変換素子も知ら
れている。さらには、ガラス基板内に非線形光学材料か
らなる３次元光導波路が埋め込まれてなり、ガラス基板
中に波長変換波を出射する３次元光導波路型の光波長変
換素子も知られている。これらの先導波路型光波長変換
素子も、上述のような特長を有している。

また、特願昭６３−７２７５２号明細書において、和周
波および差周波も同様に、ファイバー型波長変換素子に
よって発生することが詳細に記されている。導波路型光
波長変換素子における和差周波発生についても特願昭６
３−”７２７５３号明細書において詳細に記されている
。さらに３次の非線形性を利用した第３高調波発生も十
分に可能である。

なお以上列挙した先導波路型（ファイバー型のものも含
むものとする）の光波長変換素子は、主に導波部が非線
形光学材料から形成されたものであるが、クラッド部の
みを、あるいは導波部とクラッド部の双方を非線形光学
材料から形成してもよい。すなわち導波部を進行する導
波光の一部はエバネッセント波としてクラッド部に浸み
出すので、クラッド部が非線形光学材料から形成されて
いれば、このエバネッセント波が波長変換されうる。

ところで、近時、これらバルク結晶型、ファイバー型、
先導波路型の光波長変換素子において、非線形光学材料
として単結晶の有機非線形光学材料を用いる提案が種々
なされている。この有機非線形光学材料は、無機材料に
比べて非線形光学定数が極めて大きいので、この有機非
線形光学材料を用いれば高い波長変換効率を得ることが
可能となるのである。この有機非線形光学材料としては
、例えば特開昭６０−２５０３３４号公報およびＮｏｎ
１１ｎｅｒＯｐｔ１ｃａｌ　　Ｐｒｏｐｅｒｔｌｅｓｏ
ｆ　　ＯｒｇａｎＩｃａｎｄ　　Ｐｏｌｙｍｅｒｌｃ　
　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ’　ＡＣ３ＳＹＭＰＯ８ＩＵＭ　
　５ＥＲＩＥＳ　　２２３．ＤａｖｌｄＪ、Ｗｉｌｌｉ
ａｍｓ編（Ａｍｅｒｌｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏ
ｃｌｅｔｙ、　　１９８３年刊）、「有機非線形光学材
料」加藤政雄、中西へ部監修（シー・エム・シー社。

１９８５年刊）等に示されるＭＮＡ　（２−メチル−４
−ニトロアニリン）　、ｍＮＡ　（メタニトロアニリン
）　、ＰＯＭ　（３−メチル−４−二トロビリジン−１
−オキサイド）、尿素、さらには特開昭６２−２１０４
３２号公報に示される３、５−ジメチル−１−（４−ニ
トロフェニル）ピラゾール、３．５−ジメチル−１−（
４−ニトロフェニル）−１，２，４−トリアゾール、２
−エチル−１−（４−ニトロフェニル）イミダゾール、
１−（４ニトロフエニル）ビロール、２−ジメチルアミ
ノ１−５−ニトロアセトアニリド、５−ニトロー２−ピ
ロリジノアセトアニリド、３−メチル−４ニトロピリジ
ン−Ｎ−オキシド等が挙げられる。

例えばＭＮＡは、無機非線形光学材料であるＬｉＮｂＯ
３に比べると２０００倍程度高い波長変換効率を有する
ので、この有機非線形光学材料を用いて光波長変換素子
を形成すれば、一般的な小型かつ低コストの半導体レー
ザーからの赤外レーザー光を基本波として第２高調波を
発生させることにより、青領域の短波長レーザー光を得
ることも可能となる。

（発明が解決しようとする課題） ところが、上述の何機非線形光学材料によって導波部や
クラッド部を構成して得られたファイバー型あるいは先
導波路型の光波長変換素子にあっては、従来、波長変換
効率および基本波の入射結合効率が時間経過にともなっ
て著しく悪化する、という問題が認められていた。すな
わち、光波長変換素子を構成する有機非線形光学材料は
、その端面において周囲の空気等の雰囲気と接するので
、この部分から昇華して単結晶部分が短くなり、あるい
は変成して単結晶でなくなってしまって上述の問題を招
くのである。これと同様の問題は、有機非線形光学材料
を用いて形成（、たバルク結晶型の光波長変換素子にお
いても認められる。

また以上述べたファイバー型、先導波路型、さらにはバ
ルク結晶型の従来の光波長変換素子は、波長変換波の出
射効率の点でもさらに改善の余地が残されている。

そこで本発明は、上記の昇華および変成を防止可能で、
しかも波長変換波を素子外に効率良く出射可能な光波長
変換素子を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段及び作用）本発明の第１の
光波長変換素子は、先に述べたように導波部あるいはク
ラッド部に有機非線形光学材料を用いたファイバー型ま
たは先導波路型の光波長変換素子において、 有機非線形光学材料の端面を含む素子端面に、該端面と
周囲雰囲気とを遮断する遮断層が設けられ、 そして、これらの遮断層のうち基本波が入射する素子端
面に設けられた遮断層の表面に形成されて、基本波の反
射を防止する反射防止膜および／または前記遮断層のう
ち波長変換波が出射する素子端面に設けられた遮断層の
表面に形成されて、波長変換波の反射を防止する反射防
止膜が設けられたことを特徴とするものである。

上記のような遮断層が設けられていれば、有機非線形光
学材料の端面ば空気等の雰囲気と直接接しなくなるので
、前述した昇華あるいは変成が防止される。

また上記の反射防止膜が形成されていれば、入力基本波
の結合効率が向上し、また基本波光源として半導体レー
ザーが用いられる際には、そこへの戻り光による雑音を
大幅に低下させることができ、さらに波長変換波の素子
端面における透過率が向上し、該波長変換波は効率良く
素子外に出射する。

一方本発明の第２の光波長変換素子は、有機非線形光学
材料を用いたバルク結晶型の光波長変換素子において、 バルク結晶の表面に、該表面と周囲雰囲気とを遮断する
遮断層が設けられ、 これら遮断層のうち基本波、波長変換波が透過する２つ
の結晶表面に設けられた遮断層の少な（とも一方の表面
に、基本波と波長変換波の反射を防止する反射防止膜が
形成されたことを特徴とするものである。

このバルク結晶型の光波長変換素子は一般に、ＬＤ励起
ＹＡＧレーザー等の内部共振器内に置かれるため、遮断
層と反射防止膜を形成することにより、反射損失の少な
い高効率の波長変換がなされる。

なお、一般的なレンズ等の光学素子においては、光透過
面に反射防止膜を設けて、そこにおける光透過率を上げ
ることが従来から行なわれている。

このような反射防止膜は通常、素子を真空中に置いて、
蒸着、スパッタなどの方法によって形成するが、有機非
線形光学材料の表面部分に直接この反射防止膜を形成し
ようとして上記の方法を行なうと、真空中にあるために
有機非線形光学材料の昇華が著しく、非線形光学材料が
大きく劣化する。

しかし本発明の光波長変換素子においては、遮断層の表
面に反射防止膜が形成されるから、上記の方法を実施す
る際の有機非線形光学材料の昇華をも防止できる。つま
り本発明の光波長変換素子にあっては、遮断層が、反射
防止膜の形成を容易化する作用も果たしている。

（実　施　例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

〈第１実施例〉 第１図および第２図は本発明の第１実施例による光波長
変換素子１０を示すものである。この光波長変換素子１
０は、クラッド１２の中心の中空部分内に、非線形光学
材料からなるコア１１が充てんされた光ファイバーであ
る。上記非線形光学材料としては、前述したように波長
変換効率が高い有機非線形光学材料が用いられる。本例
では特に前述の３．５−ジメチル−１−（４−ニトロフ
ェニル）ピラゾール（以下、ＰＲＡと称する）によって
コア１１を形成している。そしてこのＰＲＡからなるコ
ア１１の端面を含む素子端面１０ａ、　ｌＯｂ上には、
それぞれ遮断層１３ａ、　１３ｂが形成されている。

ここで、−例としてコア１１を上述のＰＲＡ、クラッド
１２を５ＦＩＯガラス、遮断層１３ａ、１３ｂを水系の
樹脂であるアクリルスチレン共重合体から形成する場合
について、この光波長変換素子ｌＯの製造方法を説明す
る。まずクラッド１２となる中空のガラスファイバー１
２’　が用意される。このガラスファイバー１２’　は
−例として、外径が３ｍｍで、中空部の径が２μｍのも
のである。そして第３図に示すように、炉内等において
Ｐ　ＲＡ　１１’　を融液状態に保ち、この融液内にガ
ラスファイバー１２゜の一端部を浸入させる。すると毛
細管現象により、融液状態のＰ　ＲＡ　１１’がガラス
ファイバー１２′の中空部内に進入する。なお該融液の
温度は、ＰＲＡ１１′の分解を防止するため、その融点
（１０２℃）よりも僅かに高い温度とする。その後ガラ
スファイバー１２’　を急冷させると、中空部に進入し
ティｔ：、　Ｐ　ＲＡ　１１’が多結晶化する。

なお、さらに好ましくはこのガラスファイバー１２゛　
を、Ｐ　ＲＡ　１１’の融点より高い温度（例えば１０
２．５℃）に保たれた炉内から、該融点より低い温度に
保たれた炉外に徐々に引き出すこと１ζより、溶融状態
のＰ　ＲＡ　１１’　を炉外への引出し部分から単結晶
化させる。それにより、極めて長い単結晶状態で結晶方
位も一定に揃ったコア１１が形成され、光波長変換素子
１ｏを十分に長くすることができる。周知のようにこの
種の光波長変換素子の波長変換効率は素子の長さに比例
するので、光波長変換素子は長いほど実用的価値が高く
なる。

以上述べたようにしてコア１１が充てんされた後、適宜
両端が切断されたガラスファイバー１２’の両端面には
、アクリルスチレン共重合体からなる遮断層１３ａ、　
１３ｂが形成される。この遮断層１３ａ。

１３ｂの形成は、例えば大気中におけるスピンコード処
理やデイツプコート処理によって行なイっれる。

上記の遮断層１３ａ、　１３ｂが乾燥、固化した後、一
方の遮断層、すなわち後述するようにして光波長変換素
子■０が使用される際に基本波が入力する素子端面１０
ａ上に形成された遮断層１３ａ上に反射防止膜１９ａが
形成される。この反射防止膜１９ａは誘電体多層膜、誘
電体単層膜等から形成され、波長８７０ｎｍの基本波を
良好に透過させるように設計される。また波長変換波が
出射する方の素子端面ｔｏｂ上に形成された遮断層１３
ｂ上には、反射防止ｇ１９ｂが形成される。この反射防
止Ｍ１９ｂは誘電体多層膜、あるいは誘電体単層膜等か
ら形成され、後述する波長４３５ｎｍの第２高調波を良
好に透過させるように設計される。

上記光波長変換素子１０は第１図図示のようにして使用
される。すなわち、基本波発生手段としての半導体レー
ザー（発振波長：　　８７０ｎｍ）１Ｂから射出された
発散ビームであるレーザー光（基本波）１５はコリメー
ターレンズ１７によって平行ビームとされ、さらに対物
レンズ１８によって集光され、コア１１の端面上におい
てそれと同径（本例では２μｍ）の小さなスポットに収
束する。それにより該レーザー光１５が光波長変換素子
１０内に入射する。

この基本波１５は、コア１１を構成するＰＲＡにより、
波長が１／２すなわち４３５ｎｍの第２高調波１５″に
変換される。この第２高調波１５′はクラッド１２中に
放射し、その外表面と周囲媒質（通常は空気）との界面
の間で全反射を繰り返して素子ｌＯ内を端面側に進行す
る。位相整合は、基本波１５のコア部での導波モードと
、第２高調波１５゛　のクラッド部への放射モードとの
間で取られる（いわゆるチェレンコフ放射の場合）。

光波長変換素子１０の出射端面１０ｂからは、上記第２
高調波１５’　を含むビーム１５”が出射する。この出
射ビーム１５”は図示しないフィルターに通され、第２
高調波１５゛　のみが取り出されて利用される。

ここで、この光波長変換素子■０においては、前述のよ
うな遮断層１３ａおよび１３ｂが設けられているので、
有機材料であるＰＲＡからなるコアｔｉが空気等の雰囲
気に直接接することがない。したがって、このコア１１
の昇華および変成が確実に防止される。

また光波長変換素子１０の入力端面１０ａ上の遮断層１
３ａには前述の通りの反射防止膜１９ａが形成されてい
るので、基本波１５は良好に素子内に入射するようにな
る。例えばこの遮断層１３ａを誘電体多層膜ＴｉＯ２／
５ｔＯｚから形成することで、基本波１５の反射率を０
．５％以下に抑えることが可能である。この反射率が低
ければ、基本波■５が効率良く素子ＩＯ内を導波する。

一方出射端面ｔｏｂ上の遮断層１３ｂには、前述の通り
の反射防止膜１９ｂが形成されているので、第２高調波
１５’　は良好に素子外に出射するようになる。例えば
この遮断層１３ｂを誘電体多層膜ＴｉＯ□／５ｉ０２か
ら形成することにより、第２高調波１５’　の反射率を
０．５％以下に抑えることが可能である。この反射率が
低ければ、第２高調波１５’が効率良く素子外に出射す
る。

なお本実施例の光波長変換素子１０の基本波に対する実
効屈折率は１．７５となる。入力端面１０ａと遮断層１
３ａとの界面のフレネル反射を防止するために、遮断層
１３ａは上記実効屈折率に近い屈折率の材料で形成する
ことが好ましく、前記アクリルスチレン共重合体で形成
すれば屈折率１．５５となり、反射率は０．４％となる
。したがって入力界面の反射率は全体で０．９％となり
、基本波１５を９９％以上の透過率で効率よく導波させ
ることができる。また第２高調波１５゛　に対するクラ
ツド材の屈折率は、チェレンコフ放射タイプの場合第２
高調波１５′がクラッド部のみに導波するため、１．７
８となる。出射端面１０ｂと遮断層１３ｂとの界面にお
ける基本波１５および第２高調波１５’のフレネル反射
を防止するためには、遮断層１３ｂを上記クラツド材の
屈折率に近い屈折率の材料で形成するのが好ましく、前
記アクリルスチレン共重合体で形成すればこの遮断層１
３ｂの屈折率は１．５８となる。この際の上記界面にお
ける第２高調波１５″の反射率は、０．４％となる。し
たがって、この界面および反射防止膜１９ｂにおける全
体的な反射率は０．９％程度となり、素子１０内で生じ
た第２高調波１５′　を透過率９９％以上で極めて効率
良く素子外に出射させることが可能となる。

以上、ファイバー型光波長変換素子に本発明を適用した
実施例について説明したが、本発明は、クラッド部と導
波部とからなるその他のタイプの光波長変換素子、すな
わち２次元光導波路型の光波長変換素子や、３次元光導
波路型の光波長変換素子に対して適用することも可能で
ある。

また、以上説明した反射防止膜１９ａ、　１９ｂのうち
の一方のみを設けるようにしてもよい。

く第２実施例〉 次に第４．５および６図を参照して、本発明の第２実施
例について説明する。

第４図に示されるレーザーダイオードボンピング固体レ
ーザー２０は、ボンピング光としてのレーザービーム２
１を発する半導体レーザー（フェーズドアレイレーザー
）２２と、発散光である上記レーザービーム２１を平行
光化するコリメーターレンズ２３と、平行光化されたレ
ーザービーム２Ｉを集束させる集光レンズ２４と、ネオ
ジム（Ｎｄ）がドーピングされた固体レーザーロッドと
してのＹＡＧロッド（以下、Ｎｄ：ＹＡＧロッドと称す
る）２５と、このＮｄ：ＹＡＧロッド２５の前方側（図
中右方側）に配された共振器２６と、この共振器２６お
よびＮｄ：ＹＡＧロッド２５の間に配された光波長変換
素子２７とからなる。以上述べた各要素２２〜２７は、
共通の筐体（図示せず）にマウントされて一体化されて
いる。

フェーズドアレイレーザー２２は、波長が８０９ｎｍの
レーザービーム２１を発するものが用いられている。一
方Ｎｄ：ＹＡＧロッド２５は、球面の一部をなす形状と
されたその後端面２５ａが、上記レーザービーム２１の
集束位置に有るように配置されており、この波長８０９
ｎｍのレーザービーム２１によってネオジム原子が励起
されることにより、波長１．０Ｂ４ｎｍのレーザービー
ム２８を発する。上記Ｎｄ：ＹＡＧロッド２５の後端面
２５ａには、波長８０９ｎｍのレーザービーム２１を良
好に透過させ、波長１１０６４ｎのレーザービーム２８
は良好に反射させるコーティングが施されている。一方
共振器２ＧのＮｄ：ＹＡＧロッド２５側の面２６ａも球
面の一部をなす形状とされ、その表面には、波長１０６
４ｎ　ｍのレーザービーム２８は良好に反射させ、後述
する波長５３２ｎｍの第２高調波２８′　は良好に透過
させるコーティングが施されている。したがって波長１
１０８４ｎのレーザービーム２８は、上記共振器２Ｇの
面２８ａとロッド後端面２５ａとの間に閉じ込められて
、レーザー発振を引き起こす。このレーザービーム２８
は光波長変換素子２７に入射して、波長が１／２つまり
５３２ｎｍの第２高調波２８°に波長変換される。

以下、この光波長変換素子２７について詳しく説明する
。光波長変換素子２７は、前述したＰＲＡのバルク単結
晶からなる。ここで、ＰＲＡのバルク結晶構造を第５図
に示す。この光波長変換素子２７は、通常のブリッジマ
ン法により作成することができる。まず、融液状態のＰ
ＲＡを適当な型に流し、次いで急冷させると、このＰＲ
Ａが多結晶化する。その後このＰＲＡを、その融点１０
２℃より高い温度（例えば１０５℃）に保たれた炉内か
ら、該融点より低い温度に保たれた炉外に徐々に引き出
すことにより、溶融状態のＰＲＡを炉外への引出し部分
から単結晶化させる。それにより、５０ｍｍ以上もの長
い範囲にわたって単結晶状態となり、結晶方位も一定に
揃ったＰＲＡが形成され、光波長変換素子２７を十分に
長くすることができる。

以上述べたようにして形成したＰＲＡ単結晶を、光学軸
ＹとＺ軸（結晶軸ではｂ軸とａ軸）を含（Ｙ−２面でカ
ットし、Ｘ軸（結晶軸ではＣ軸）方向に厚さ５ｍｍに切
り出して、バルク単結晶型の光波長変換素子２７を形成
した。

この光波長変換素子２７に対してレーザービーム２８は
、第４図図示の通り、その進行方向とＺ軸とが９０°の
角度をなし、またその入射方向がＸ軸からＹ軸側に約３
０°傾く状態にして入射される。上述のようにしてレー
ザービーム２８を光波長変換素子２７に入射させること
により、基本波としてのこのレーザービーム２８と第２
高調波２８゛　との間でタイプＩの位相整合が取られ、
光波長変換素子２７からはこれらのレーザービーム２８
と第２高調波２８゛とが混合ｌ、たビームが出射する。

共振器２Ｂの面２６ａには前述した通りのコーティング
が施されているので、この共振器２６からは、波長５３
２ｎｍの第２高調波２８°のみが取り出される。

ここで、第６図に詳しく示すように、ＰＲＡのバルク単
結晶からなる光波長変換素子２７の表面にはすべて、水
系の樹脂からなる遮断層３０が形成されている。そして
、基本波２８と第２高調波２８′　が透過する２つの結
晶表面２７ａ、２７ｂに設けられた遮断層３０ａ、３０
ｂの表面には、波長１０８４ｎ　ｍの基本波２８と波長
５３２ｎｍの第２高調波２８″の反射を防止する反射防
止膜３１ａ、３１ｂが形成されている。

この反射防止膜３１ａ、　３１ｂも誘電体多層膜や単層
膜等から形成される。例えばこの反射防止膜３１ａ、ａ
ｔｂをＴ　ｉ　０２　／Ｍｇ　Ｆｚの多層膜から形成し
、また遮断層３０ａ、３０ｂを前述のアクリルスチレン
共重合体から形成した場合には、基本波２８と第２高調
波２８′　の透過率を９９，７％以上とすることが可能
である。なお、以上説明した反射防止膜３１ａ、３１ｂ
のうちの一方のみを設けるようにしてもよい。

また本実施例においても、遮断層３０ａ、３０ｂを設け
たことにより、ＰＲＡのバルク単結晶である光波長変換
素子２７の昇華あるいは変成を防止できる。

なお上記遮断層３０ａ、Ｂｏｂや反射防止膜３１ａ１３
１ｂは、前述した第１実施例におけるのと同じ方法を用
いて形成することができる。また本発明は、レーザー共
振器外に配置されるバルク結晶型の光波長変換素子に対
しても適用可能である。

以上、基本波を第２高調波に変換する光波長変換素子に
適用された２つの実施例について説明したが、本発明は
その他、基本波を和周波や差周波さらには第３高調波等
に変換する光波長変換素子に対しても適用可能である。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明の光波長変換素子におい
ては、有機非線形光学材料の端面を含む素子端面に、あ
るいは有機非線形光学材料のバルク結晶の表面に遮断層
を設けたことにより、有機非線形光学材料の昇華あるい
は変成が確実に防止される。したがって、有機非線形光
学材料の波長変換効率が低下することを防止でき、また
遮断層を設けた端面を基本波入射端面とする場合は、基
本波の入射効率も高く維持できるようになる。

さらに本発明のファイバー型あるいは光導波路型の光波
長変換素子においては、基本波が入力する端面に形成さ
れた遮断層の表面に、基本波の反射を防止する反射防止
膜を設けることにより基本波の入力結合効率が向上し、
また半導体レーザーへの戻り光による雑音を低減するこ
とができ、そして波長変換波が出射する素子端面に形成
された遮断層の表面に、波長変換波の反射を防止する反
射防止膜を設けることにより、波長変換波を極めて効率
良く素子外に出射させることが可能となる。

−力木発明のバルク結晶型の光波長変換素子の場合、基
本波と波長変換波が透過する結晶表面に設けた遮断層の
表面上に、基本波と波長変換波の反射を防止する反射防
止膜を形成することで、反射損失の少ない高効率変換が
達成される。よって本発明の光波長変換素子によれば、
より高強度の波長変換波を実際に素子外に取り出して利
用できるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ、本発明の第１実施例に
よる光波長変換素子を示す斜視図と概略側面図、 第３図は上記光波長変換素子の製造方法を説明する概略
図、 第４図は本発明の第２実施例による光波長変換素子を示
す概略側面図、 第５図は上記第２実施例の光波長変換素子のバルク結晶
構造を示す概略図、 第６図は上記第２実施例の光波長変換素子を拡大して示
す側面図である。 １０．２７・・・光波長変換素子　１０ａ、１０ｂ・・
・素子端面１１・・・コ　　ア　　　　　　１２・・・
クラッド１３ａ、　１３ｂ、　３０ａ、　３０ｂ−・・
遮断層１５．２８・・・基本波　　　　１５°、２８′
　・・・第２高調波１９ａ、　１９ｂ、　３１ａ、　３
１ｂ−・・反射防止膜２７ａ、２７ｂ・・・結晶表面 第４図 第５図 第６図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）クラッド部と、それよりも高屈折率で該クラッド
   部内に配された導波部とを有し、これらクラッド部と導
   波部の少なくとも一方が有機非線形光学材料から形成さ
   れてなり、前記導波部を導波した基本波を波長変換する
   光波長変換素子において、前記有機非線形光学材料の端
   面を含む素子端面に、該端面と周囲雰囲気とを遮断する
   遮断層が設けられ、 これらの遮断層のうち基本波が入射する素子端面に設け
   られた遮断層の表面に形成されて、基本波の反射を防止
   する反射防止膜および／または前記遮断層のうち波長変
   換波が出射する素子端面に設けられた遮断層の表面に形
   成されて、波長変換波の反射を防止する反射防止膜が設
   けられたことを特徴とする光波長変換素子。
2. （２）有機非線形光学材料のバルク結晶からなり、入射
   した基本波を波長変換する光波長変換素子において、 前記バルク結晶の表面に、該表面と周囲雰囲気とを遮断
   する遮断層が設けられ、 これら遮断層のうち基本波、波長変換波が透過する２つ
   の結晶表面に設けられた遮断層の少なくとも一方の表面
   に、基本波と波長変換波の反射を防止する反射防止膜が
   形成されたことを特徴とする光波長変換素子。