JPH041731A - 光波長変換素子 - Google Patents
光波長変換素子Info
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- JPH041731A JPH041731A JP10339190A JP10339190A JPH041731A JP H041731 A JPH041731 A JP H041731A JP 10339190 A JP10339190 A JP 10339190A JP 10339190 A JP10339190 A JP 10339190A JP H041731 A JPH041731 A JP H041731A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は有機非線形光学材料を用いた光波長変換素子、
特に詳細にはこの有機非線形光学材料の昇華や変成を防
止できるようにした光波長変換素子に関するものである
。
特に詳細にはこの有機非線形光学材料の昇華や変成を防
止できるようにした光波長変換素子に関するものである
。
(従来の技術)
従来より、非線形光学材料を利用して、レーザー光を第
2高調波等に波長変換(短波長化)する試みが種々なさ
れている。このようにして波長変換を行なう光波長変換
素子として具体的には、例えば「光エレクトロニクスの
基礎JA、YARrV著、多田邦雄、神谷武志訳(丸善
株式会社)のp200〜204に示されるようなバルク
結晶型のものがよく知られている。
2高調波等に波長変換(短波長化)する試みが種々なさ
れている。このようにして波長変換を行なう光波長変換
素子として具体的には、例えば「光エレクトロニクスの
基礎JA、YARrV著、多田邦雄、神谷武志訳(丸善
株式会社)のp200〜204に示されるようなバルク
結晶型のものがよく知られている。
また、いわゆるファイバー型の光波長変換素子も提案さ
れている。この光波長変換素子は、クラッド内に非線形
光学材料からなるコアが充てんされた光ファイバーであ
り、応用物理学会懇話会微小光学研究グループ機関誌V
OL、 3. N12. p28〜32にはその一
例が示されている。このファイバー型の光波長変換素子
は、基本波と波長変換波との間の位相整合をとることも
容易であるので、最近ではこのファイバー型光波長変換
素子についての研究が盛んになされている。
れている。この光波長変換素子は、クラッド内に非線形
光学材料からなるコアが充てんされた光ファイバーであ
り、応用物理学会懇話会微小光学研究グループ機関誌V
OL、 3. N12. p28〜32にはその一
例が示されている。このファイバー型の光波長変換素子
は、基本波と波長変換波との間の位相整合をとることも
容易であるので、最近ではこのファイバー型光波長変換
素子についての研究が盛んになされている。
また、例えば本出願人による特開昭63−15233号
、同63−15234号公報に示されるように、クラッ
ド部となる2枚の基板の間に非線形光学材料からなる2
次元光導波路を形成した2次元光導波路型の光波長変換
素子も知られている。
、同63−15234号公報に示されるように、クラッ
ド部となる2枚の基板の間に非線形光学材料からなる2
次元光導波路を形成した2次元光導波路型の光波長変換
素子も知られている。
さらには、ガラス基板内に非線形光学材料からなる3次
元光導波路が埋め込まれてなり、ガラス基板中に波長変
換波を出射する3次元光導波路型の光波長変換素子も知
られている。これらの先導波路型光波長変換素子も、上
述のような特長を有している。
元光導波路が埋め込まれてなり、ガラス基板中に波長変
換波を出射する3次元光導波路型の光波長変換素子も知
られている。これらの先導波路型光波長変換素子も、上
述のような特長を有している。
また、特願昭63−72752号明細書において、和周
波および差周波も同様に、ファイバー型波長変換素子に
よって発生することが詳細に記されている。導波路型光
波長変換素子における和差周波発生についても特願昭6
3−72753号明細書において詳細に記されている。
波および差周波も同様に、ファイバー型波長変換素子に
よって発生することが詳細に記されている。導波路型光
波長変換素子における和差周波発生についても特願昭6
3−72753号明細書において詳細に記されている。
さらに3次の非線形性を利用した第3高調波発生も十分
に可能である。
に可能である。
なお以上列挙した光導波路型(ファイバー型のものも含
むものとする)の光波長変換素子は、主に導波部が非線
形光学材料から形成されたものであるが、クラッド部の
みを、あるいは導波部とクラッド部の双方を非線形光学
材料から形成してもよい。すなわち導波部を進行する導
波光の一部はエバネッセント波としてクラッド部に浸み
出すので、クラッド部が非線形光学材料から形成されて
いれば、このエバネッセント波が波長変換されうる。
むものとする)の光波長変換素子は、主に導波部が非線
形光学材料から形成されたものであるが、クラッド部の
みを、あるいは導波部とクラッド部の双方を非線形光学
材料から形成してもよい。すなわち導波部を進行する導
波光の一部はエバネッセント波としてクラッド部に浸み
出すので、クラッド部が非線形光学材料から形成されて
いれば、このエバネッセント波が波長変換されうる。
ところで、近時、これらバルク結晶型、ファイバー型、
先導波路型の光波長変換素子において、非線形光学材料
として単結晶の有機非線形光学材料を用いる提案が種々
なされている。この有機非線形光学材料は、無機材料に
比べて非線形光学定数が極めて大きいので、この有機非
線形光学材料を用いれば高い波長変換効率を得ることが
可能となるのである。この有機非線形光学材料としては
、例えば特開昭60−250334号公報およびNon
tiner 0ptical P ropertie
s of Organic and Po1yie
rlc Mater1als″”AC8SYMPO8
IUM 5ERIES 223.DavidJ、
Wllllass 編 (American C
hemical 5ociety、 1983年刊
)、「有機非線形光学材料」加藤政雄、中西へ部監修(
シー・エム・シー社。
先導波路型の光波長変換素子において、非線形光学材料
として単結晶の有機非線形光学材料を用いる提案が種々
なされている。この有機非線形光学材料は、無機材料に
比べて非線形光学定数が極めて大きいので、この有機非
線形光学材料を用いれば高い波長変換効率を得ることが
可能となるのである。この有機非線形光学材料としては
、例えば特開昭60−250334号公報およびNon
tiner 0ptical P ropertie
s of Organic and Po1yie
rlc Mater1als″”AC8SYMPO8
IUM 5ERIES 223.DavidJ、
Wllllass 編 (American C
hemical 5ociety、 1983年刊
)、「有機非線形光学材料」加藤政雄、中西へ部監修(
シー・エム・シー社。
1985年刊)等に示されるMNA (2−メチル−4
−ニトロアニリン)、mNA(メタニトロアニリン)
、POM (3−メチル−4−二トロピリジン−1−オ
キサイド)、尿素、さらには特開昭62−210432
号公報に示される3、5−ジメチル−1−(4−ニトロ
フェニル)ピラゾール(以下、DMNPと称する)、3
.5−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル) −1,
2,4−トリアゾール、2−エチル−1−(4−ニトロ
フェニル)イミダゾール、1−(4−ニトロフェニル)
ビロール、2−ジメチルアミノ1−5−ニトロアセトア
ニリド、5−ニトロ−2−ピロリジノアセトアニリド、
3−メチル−4−ニトロピリジン−N−オキシド等が挙
げられる。
−ニトロアニリン)、mNA(メタニトロアニリン)
、POM (3−メチル−4−二トロピリジン−1−オ
キサイド)、尿素、さらには特開昭62−210432
号公報に示される3、5−ジメチル−1−(4−ニトロ
フェニル)ピラゾール(以下、DMNPと称する)、3
.5−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル) −1,
2,4−トリアゾール、2−エチル−1−(4−ニトロ
フェニル)イミダゾール、1−(4−ニトロフェニル)
ビロール、2−ジメチルアミノ1−5−ニトロアセトア
ニリド、5−ニトロ−2−ピロリジノアセトアニリド、
3−メチル−4−ニトロピリジン−N−オキシド等が挙
げられる。
例えばMNAは、無機非線形光学材料であるLiNbO
3に比べると2000倍程度高い波長変換効率を有する
ので、この有機非線形光学材料を用いて光波長変換素子
を形成すれば、−膜内な小型かつ低コストの半導体レー
ザーからの赤外レーザー光を基本波として第2高調波を
発生させることにより、青領域の短波長レーザー光を得
ることも可能となる。
3に比べると2000倍程度高い波長変換効率を有する
ので、この有機非線形光学材料を用いて光波長変換素子
を形成すれば、−膜内な小型かつ低コストの半導体レー
ザーからの赤外レーザー光を基本波として第2高調波を
発生させることにより、青領域の短波長レーザー光を得
ることも可能となる。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、上述の有機非線形光学材料によって導波部や
クラッド部を構成して得られたファイバー型あるいは先
導波路型の光波長変換素子にあっては、従来、波長変換
効率および基本波の入射結合効率が時間経過にともなっ
て著しく悪化する、という問題が認められていた。すな
わち、光波長変換素子を構成する有機非線形光学材料は
、その端面において周囲の空気等の雰囲気と接するので
、この部分から昇華して単結晶部分が短くなり、あるい
は変成して単結晶でなくなってしまって上述の問題を招
くのである。これと同様の問題は、有機非線形光学材料
を用いて形成したバルク結晶型の光波長変換素子におい
ても認められる。
クラッド部を構成して得られたファイバー型あるいは先
導波路型の光波長変換素子にあっては、従来、波長変換
効率および基本波の入射結合効率が時間経過にともなっ
て著しく悪化する、という問題が認められていた。すな
わち、光波長変換素子を構成する有機非線形光学材料は
、その端面において周囲の空気等の雰囲気と接するので
、この部分から昇華して単結晶部分が短くなり、あるい
は変成して単結晶でなくなってしまって上述の問題を招
くのである。これと同様の問題は、有機非線形光学材料
を用いて形成したバルク結晶型の光波長変換素子におい
ても認められる。
そこで例えば本出願人による特願昭62−309145
号明細書に示されるように、光波長変換素子を構成する
有機非線形光学材料の表面部分に、該表面部分と周囲雰
囲気とを遮断する遮断層を設けることが提案されている
。
号明細書に示されるように、光波長変換素子を構成する
有機非線形光学材料の表面部分に、該表面部分と周囲雰
囲気とを遮断する遮断層を設けることが提案されている
。
このような遮断層は一般に、その材料の溶液を有機非線
形光学材料の表面部分に塗布し、次いで該材料を乾燥、
固化させることによって形成される。この遮断層の材料
としては、例えばゼラチン、カゼイン、コラーゲン等の
蛋白質、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチ
ルセルロース等のセルロース化合物、寒天、アルギン酸
ソーダ、でんぷん誘導体等の糖誘導体、ポリビニルアル
コール、ポリ−N−ビニルピロリドン、ポリアクリル酸
共重合体、ポリアクリルアミド、またはこれらの誘導体
および部分加水分解物等の合成水溶性高分子化合物、ま
たはアクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、フッ
素系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン
、不飽和ポリエステル、フェノール、ポリアミド、アル
キド樹脂等の樹脂等が用いられる。
形光学材料の表面部分に塗布し、次いで該材料を乾燥、
固化させることによって形成される。この遮断層の材料
としては、例えばゼラチン、カゼイン、コラーゲン等の
蛋白質、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチ
ルセルロース等のセルロース化合物、寒天、アルギン酸
ソーダ、でんぷん誘導体等の糖誘導体、ポリビニルアル
コール、ポリ−N−ビニルピロリドン、ポリアクリル酸
共重合体、ポリアクリルアミド、またはこれらの誘導体
および部分加水分解物等の合成水溶性高分子化合物、ま
たはアクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、フッ
素系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン
、不飽和ポリエステル、フェノール、ポリアミド、アル
キド樹脂等の樹脂等が用いられる。
しかし、このような樹脂により遮断層を形成した光波長
変換素子においては、遮断層が剥離しやすいという問題
が認められている。
変換素子においては、遮断層が剥離しやすいという問題
が認められている。
そこで本発明は、この遮断層の剥離を防止できる波長変
換素子を提供することを目的とするものである。
換素子を提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明による光波長変換素子は、先に述べたような有機
非線形光学材料を用いたファイバー型あるいは先導波路
型、さらにはバルク結晶型の光波長変換素子において、 有機非線形光学材料の表面部分に前述の遮断層を形成し
、 そしてこの遮断層を、樹脂と、それよりもやわらかく該
樹脂中に分散された樹脂粒子とから形成したことを特徴
とするものである。
非線形光学材料を用いたファイバー型あるいは先導波路
型、さらにはバルク結晶型の光波長変換素子において、 有機非線形光学材料の表面部分に前述の遮断層を形成し
、 そしてこの遮断層を、樹脂と、それよりもやわらかく該
樹脂中に分散された樹脂粒子とから形成したことを特徴
とするものである。
(作 用)
本発明者等の研究によると、樹脂からなる遮断層の剥離
は、1つは、該遮断層と、それが接着されている部分(
つまりファイバー型や光導波路型の光波長変換素子にあ
っては主にクラッド部分であり、バルク結晶型の光波長
変換素子にあっては有機非線形光学材料そのもの)との
熱膨張率の差に主に起因することが判った。つまりこの
熱膨張率の差が大きいと、光波長変換素子が温度変化を
受けた際、遮断層の接着界面には、界面方向に大きな応
力が作用するのである。
は、1つは、該遮断層と、それが接着されている部分(
つまりファイバー型や光導波路型の光波長変換素子にあ
っては主にクラッド部分であり、バルク結晶型の光波長
変換素子にあっては有機非線形光学材料そのもの)との
熱膨張率の差に主に起因することが判った。つまりこの
熱膨張率の差が大きいと、光波長変換素子が温度変化を
受けた際、遮断層の接着界面には、界面方向に大きな応
力が作用するのである。
さらに、遮断層作成のため、壁面に溶液にて塗布形成し
た樹脂を乾燥固化する際に応力が発生し、それが接着界
面に作用し、遮断層の剥離が起こることも有ることが判
った。
た樹脂を乾燥固化する際に応力が発生し、それが接着界
面に作用し、遮断層の剥離が起こることも有ることが判
った。
このような原因による遮断層の剥離を防止する上では、
遮断層材料としてやわらかいものを利用すれば効果的で
あるが、そのような材料は有機非線形光学材料に対する
遮断性が良くないので、本来求められる機能を良好に発
揮し得ないものとなってしまう。
遮断層材料としてやわらかいものを利用すれば効果的で
あるが、そのような材料は有機非線形光学材料に対する
遮断性が良くないので、本来求められる機能を良好に発
揮し得ないものとなってしまう。
それに対して上記構成の本発明の光波長変換素子におい
ては、遮断層が、そこに分散されている樹脂粒子の作用
でやわらかくなり、温度変化または乾燥固化時に発生す
る応力による遮断層の剥離が起こり難くなる。
ては、遮断層が、そこに分散されている樹脂粒子の作用
でやわらかくなり、温度変化または乾燥固化時に発生す
る応力による遮断層の剥離が起こり難くなる。
また遮断層の有機非線形光学材料に対する遮断性は、上
記樹脂粒子を含ませることにより多少は低下するものの
、有機非線形光学材料に対する遮断性が高い樹脂により
、本質的に良好に保たれる。
記樹脂粒子を含ませることにより多少は低下するものの
、有機非線形光学材料に対する遮断性が高い樹脂により
、本質的に良好に保たれる。
なお上記の樹脂粒子としては、遮断層における基本波あ
るいは波長変換波の散乱を防止するために、それが分散
される樹脂と屈折率が近いものを用いるのが望ましい。
るいは波長変換波の散乱を防止するために、それが分散
される樹脂と屈折率が近いものを用いるのが望ましい。
(実 施 例)
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第1図は、本発明の一実施例による光波長変換素子10
を示すものであり、また第2図はこの光波長変換素子I
Oの使用時の状態を示している。この光波長変換素子1
0は、クラッド12の中心の中空部分内に、非線形光学
材料からなるコア11が充てんされた光ファイバーであ
る。上記非線形光学材料としては、前述したように波長
変換効率が高い有機非線形光学材料が用いられる。そし
てコア11の端面を含む素子端面10g、 10b上に
は、それぞれ遮断層13a、 13bが形成されている
。
を示すものであり、また第2図はこの光波長変換素子I
Oの使用時の状態を示している。この光波長変換素子1
0は、クラッド12の中心の中空部分内に、非線形光学
材料からなるコア11が充てんされた光ファイバーであ
る。上記非線形光学材料としては、前述したように波長
変換効率が高い有機非線形光学材料が用いられる。そし
てコア11の端面を含む素子端面10g、 10b上に
は、それぞれ遮断層13a、 13bが形成されている
。
ここで、本実施例ではコア11を前述のDMNP。
クラッド12を5FIOガラス、遮断層taa、13b
を水溶性高分子化合物の1つである透明なゼラチン中に
、透明なポリエチルアクリレートラテックス粒子が分散
されたものから形成する。以下、この光波長変換素子1
0の作成方法を説明する。
を水溶性高分子化合物の1つである透明なゼラチン中に
、透明なポリエチルアクリレートラテックス粒子が分散
されたものから形成する。以下、この光波長変換素子1
0の作成方法を説明する。
まずクラッド12となる中空のガラスファイバー12°
が用意される。このガラスファイバー12°は一例とし
て、外径が1mm程度で、中空部の径が1μm程度のも
のである。そして第3図に示すように、炉内等において
DMNPIIoを融液状態に保ち、この融液内にガラス
ファイバー12゛ の一端部を浸入させる。すると毛細
管現象により、融液状態のDMNPII’がガラスファ
イバー12°の中空部内に進入する。なお該融液の温度
は、DMNPIIoの分解を防止するため、その融点(
102℃)よりも僅かに高い温度とする。その後ガラス
ファイバー12′を急冷させると、中空部に進入してい
たDMNPIIoが多結晶化する。
が用意される。このガラスファイバー12°は一例とし
て、外径が1mm程度で、中空部の径が1μm程度のも
のである。そして第3図に示すように、炉内等において
DMNPIIoを融液状態に保ち、この融液内にガラス
ファイバー12゛ の一端部を浸入させる。すると毛細
管現象により、融液状態のDMNPII’がガラスファ
イバー12°の中空部内に進入する。なお該融液の温度
は、DMNPIIoの分解を防止するため、その融点(
102℃)よりも僅かに高い温度とする。その後ガラス
ファイバー12′を急冷させると、中空部に進入してい
たDMNPIIoが多結晶化する。
なお、さらにこの光ファイバー12゛ を、DMNP
11’ の融点より高い温度(例えば102.5℃)に
保たれた炉内から、該融点より低い温度に保たれた炉外
に徐々に引き出すことにより、溶融状態のDMNPII
oを炉外への引出し部分から単結晶化させる。それによ
り、極めて長い単結晶状態で結晶方位も一定に揃ったコ
ア11が形成され、光波長変換素子lOを十分に長くす
ることができる。周知のようにこの種の光波長変換素子
の波長変換効率は素子の長さに比例するので、光波長変
換素子は長いほど実用的価値が高くなる。
11’ の融点より高い温度(例えば102.5℃)に
保たれた炉内から、該融点より低い温度に保たれた炉外
に徐々に引き出すことにより、溶融状態のDMNPII
oを炉外への引出し部分から単結晶化させる。それによ
り、極めて長い単結晶状態で結晶方位も一定に揃ったコ
ア11が形成され、光波長変換素子lOを十分に長くす
ることができる。周知のようにこの種の光波長変換素子
の波長変換効率は素子の長さに比例するので、光波長変
換素子は長いほど実用的価値が高くなる。
以上述べたようにしてコア11が充てんされた後、適宜
両端が切断されたガラスファイバー12°の両端面には
、前述の遮断層13a、 L3bが形成される。
両端が切断されたガラスファイバー12°の両端面には
、前述の遮断層13a、 L3bが形成される。
以下、この遮断層18a、 13bの形成について説明
する。
する。
まずゼラチンの10重量%水溶液中に、ポリエチルアク
リレートラテックス粒子を分散させたものを、コア11
が充てんされた上記ガラスファイバー12°の両端面に
、デイツプコート法、スピンコード法等により塗布する
。このときのゼラチン水溶液の塗布膜厚は乾燥時の膜厚
で、0.01〜5μm程度とする。
リレートラテックス粒子を分散させたものを、コア11
が充てんされた上記ガラスファイバー12°の両端面に
、デイツプコート法、スピンコード法等により塗布する
。このときのゼラチン水溶液の塗布膜厚は乾燥時の膜厚
で、0.01〜5μm程度とする。
ここで用いるゼラチンとしては、石灰処理ゼラチン、酸
処理ゼラチン、酵素処理ゼラチン、およびゼラチン誘導
体、変成ゼラチン等いずれのも″のでもよい。
処理ゼラチン、酵素処理ゼラチン、およびゼラチン誘導
体、変成ゼラチン等いずれのも″のでもよい。
一方ポリエチルアクリレートラテツクス粒子は、後に乾
燥した際のゼラチンよりは十分にやわらかいものである
。このポリエチルアクリレートラテックス粒子としては
、粒径が例えば50〜500人程度のものを用いる。そ
してゼラチンに対するポリエチルアクリレートラテック
ス粒子の重量比は、ゼラチン1に対して0.5程度とす
る。
燥した際のゼラチンよりは十分にやわらかいものである
。このポリエチルアクリレートラテックス粒子としては
、粒径が例えば50〜500人程度のものを用いる。そ
してゼラチンに対するポリエチルアクリレートラテック
ス粒子の重量比は、ゼラチン1に対して0.5程度とす
る。
なお上記ゼラチン水溶液中に、コア材料と同じDMNP
を飽和状態まで溶解させておくと、このゼラチン水溶液
の塗布時にコア11が若干溶けてしまうことを防止でき
る。またこうして予め遮断層13aS13b中にDMN
Pを混ぜておくと、コア11を構成するDMNPが後で
自然経時によって拡散して遮断層13a、 13b中に
溶は込むことも防止できる。
を飽和状態まで溶解させておくと、このゼラチン水溶液
の塗布時にコア11が若干溶けてしまうことを防止でき
る。またこうして予め遮断層13aS13b中にDMN
Pを混ぜておくと、コア11を構成するDMNPが後で
自然経時によって拡散して遮断層13a、 13b中に
溶は込むことも防止できる。
次に遮断層13aS13bを乾燥、固化させると、第1
図図示のような光波長変換素子1oが得られる。
図図示のような光波長変換素子1oが得られる。
この光波長変換素子10は、第2図図示のようにして使
用される。すなわち、基本波発生手段としての半導体レ
ーザー(発振波長: 890nm) 16から射出さ
れた発散ビームであるレーザー光(基本波) 15はコ
リメーターレンズ17によって平行ビームとされ、さら
に対物レンズ18によって集光され、コア11の端面上
においてそれと同径(本例では2μm)の小さなスポッ
トに収束する。それにより該レーザー光15が光波長変
換素子10内に入射する。
用される。すなわち、基本波発生手段としての半導体レ
ーザー(発振波長: 890nm) 16から射出さ
れた発散ビームであるレーザー光(基本波) 15はコ
リメーターレンズ17によって平行ビームとされ、さら
に対物レンズ18によって集光され、コア11の端面上
においてそれと同径(本例では2μm)の小さなスポッ
トに収束する。それにより該レーザー光15が光波長変
換素子10内に入射する。
この基本波15は、コア11を構成するDMNPにより
、波長が1/2すなわち445nmの第2高調波15′
に変換される。この第2高調波15′ はクラッド1
2中に放射し、その外表面と周囲媒質(通常は空気)と
の界面の間で全反射を繰り返して素子10内を端面側に
進行する。位相整合は、基本波15のコア部での導波モ
ードと、第2高調波15゛ のクラッド部への放射モー
ドとの間で取られる(いわゆるチェレンコフ放射の場合
)。
、波長が1/2すなわち445nmの第2高調波15′
に変換される。この第2高調波15′ はクラッド1
2中に放射し、その外表面と周囲媒質(通常は空気)と
の界面の間で全反射を繰り返して素子10内を端面側に
進行する。位相整合は、基本波15のコア部での導波モ
ードと、第2高調波15゛ のクラッド部への放射モー
ドとの間で取られる(いわゆるチェレンコフ放射の場合
)。
光波長変換素子10の出射端面10bからは、上記第2
高調波15′ を含むビーム15”が出射する。この出
射ビーム15”は図示しないフィルターに通され、第2
高調波15°のみが取り出されて利用される。
高調波15′ を含むビーム15”が出射する。この出
射ビーム15”は図示しないフィルターに通され、第2
高調波15°のみが取り出されて利用される。
ここで一方の遮断層13aの構造を、模式的に第4図に
示す。図示のように遮断層13aは、比較的堅くかつコ
アの有機非線形光学材料に対する遮断性が高いゼラチン
30中に、コアの有機非線形光学材料に対する遮断性は
低いがやわかいポリエチルアクリレートラテックス粒子
31が分散されてなる。
示す。図示のように遮断層13aは、比較的堅くかつコ
アの有機非線形光学材料に対する遮断性が高いゼラチン
30中に、コアの有機非線形光学材料に対する遮断性は
低いがやわかいポリエチルアクリレートラテックス粒子
31が分散されてなる。
なおこの構造は、他方の遮断層13bも同様である。
このようにコア11と空気等の周囲雰囲気とは、本質的
に、コアの有機非線形光学材料に対する遮断性が高いゼ
ラチン30によって遮断されている。したかって、有機
材料であるDMNPからなるコア11が空気等の雰囲気
に直接接しないから、このコア11の昇華および変成が
確実に防止される。
に、コアの有機非線形光学材料に対する遮断性が高いゼ
ラチン30によって遮断されている。したかって、有機
材料であるDMNPからなるコア11が空気等の雰囲気
に直接接しないから、このコア11の昇華および変成が
確実に防止される。
そしてこれらの遮断層13a、13b中には、やわらか
いポリエチルアクリレートラテックス粒子3Iが分散さ
れているから、該遮断層13a、 13bは、ゼラチン
のみからなる場合よりも、やわらがいものとなっている
。
いポリエチルアクリレートラテックス粒子3Iが分散さ
れているから、該遮断層13a、 13bは、ゼラチン
のみからなる場合よりも、やわらがいものとなっている
。
クラッド12を構成する5FIOガラスと、遮断層13
a、13bを構成するゼラチンとは、互いに熱膨張率が
異なる。しかし、以上述べたようにして遮断層13a、
13bがやわらかいため、光波長変換素子■0が温度変
化を受けて、クラッド12が膨張、収縮する際、それと
一体的に遮断層13a、 13bも膨張、収縮可能とな
る。また、作成の時、乾燥、固化において、接着界面に
発生する応力も遮断層かやわらかいため低減される。故
に、遮断層13a113bがクラッド■2から剥離しに
くくなる。
a、13bを構成するゼラチンとは、互いに熱膨張率が
異なる。しかし、以上述べたようにして遮断層13a、
13bがやわらかいため、光波長変換素子■0が温度変
化を受けて、クラッド12が膨張、収縮する際、それと
一体的に遮断層13a、 13bも膨張、収縮可能とな
る。また、作成の時、乾燥、固化において、接着界面に
発生する応力も遮断層かやわらかいため低減される。故
に、遮断層13a113bがクラッド■2から剥離しに
くくなる。
上記の構成とされた遮断層1.3a、13bは、膜厚1
μmの場合において、波長890nmの基本波15に対
して透過率95%以上で、十分に透明である。
μmの場合において、波長890nmの基本波15に対
して透過率95%以上で、十分に透明である。
そしてこの遮断層13a、13bを設けた光波長変換素
子10における基本波15の入射結合効率を、ゼラチン
のみからなる遮断層を有する光波長変換素子のそれと比
較したが、両者の間に差は認められなかった。
子10における基本波15の入射結合効率を、ゼラチン
のみからなる遮断層を有する光波長変換素子のそれと比
較したが、両者の間に差は認められなかった。
本発明に好適に用いられるポリマーラテックスは平均粒
径が50〜500人の水不溶性ポリマーの水分散物で、
好ましい使用量はバインダーとして用いられているゼラ
チン1.flに対して乾燥重量比で0.01〜1.0
、特に好ましくは0.1〜1.0 テある。
径が50〜500人の水不溶性ポリマーの水分散物で、
好ましい使用量はバインダーとして用いられているゼラ
チン1.flに対して乾燥重量比で0.01〜1.0
、特に好ましくは0.1〜1.0 テある。
本発明に用いられるポリマーラテックスの好ましい例と
しては、下記一般式(P−1)〜(P−X■)で示され
るモノマーを繰返し単位として有するものが挙げられる
。
しては、下記一般式(P−1)〜(P−X■)で示され
るモノマーを繰返し単位として有するものが挙げられる
。
\
Rフ
CH2
CH2
簡CH
奢
0−R3
CH2−CH
−R9
/
CH,−C
\
R1う
(P−IV)
(P−V)
(P−VI)
(P−■)
(P −XIV)
(P −XV)
/
CH2−C
\
CR1□
I
(P
■)
(P−XI)
/
CH2謔C
/
(P−X■)
(P−X■)
式中R1は水素原子、カルボキシル基又はその塩を表わ
し、 R2は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲ
ン原子、シアノ基を表わし、 R3は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリー
レン基、置換アリーレン基を表わし、R4,R5は同じ
でもまた異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、カルボキシル基又はその塩、−COO
R,基(R,は上記と同義)、ハロゲン原子、水酸基又
はその塩、シアノ基、カルバモイル基を表わし、 mは0,1.2を表わし、 nは0,1.2を表わし、 R6,R,は同じでもまた異なっていてもよく、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基を表わし、 R8はアルキル基、置換アルキル基、フェニル基、置換
フェニル基を表わし、 R9はアルキル基又は置換アルキル基を表わし、R1゜
、R,、、R,□2 R1,は同じでも異なっていても
よく、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲ
ン原子、シアノ基を表わし、R14は水素原子、アルキ
ル基、ハロゲン原子を表わし、 R1,はアルケニル基を表わし、 R16は水素原子、アルキル基、置換アルキル基を表わ
し、 R17はアルキル基又は置換アルキル基を表わし、R1
8は水素原子、アルキル基、アルケニル基を表わし、 R,9,R2oは同じでも異なっていてもよく水素原子
、アルキル基を表わし、 R21はアルキレン基、置換アルキレン基、+CH2+
1−O−+−+CH2+F−O+−g+CH2升 (x
。
し、 R2は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲ
ン原子、シアノ基を表わし、 R3は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリー
レン基、置換アリーレン基を表わし、R4,R5は同じ
でもまた異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、カルボキシル基又はその塩、−COO
R,基(R,は上記と同義)、ハロゲン原子、水酸基又
はその塩、シアノ基、カルバモイル基を表わし、 mは0,1.2を表わし、 nは0,1.2を表わし、 R6,R,は同じでもまた異なっていてもよく、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基を表わし、 R8はアルキル基、置換アルキル基、フェニル基、置換
フェニル基を表わし、 R9はアルキル基又は置換アルキル基を表わし、R1゜
、R,、、R,□2 R1,は同じでも異なっていても
よく、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲ
ン原子、シアノ基を表わし、R14は水素原子、アルキ
ル基、ハロゲン原子を表わし、 R1,はアルケニル基を表わし、 R16は水素原子、アルキル基、置換アルキル基を表わ
し、 R17はアルキル基又は置換アルキル基を表わし、R1
8は水素原子、アルキル基、アルケニル基を表わし、 R,9,R2oは同じでも異なっていてもよく水素原子
、アルキル基を表わし、 R21はアルキレン基、置換アルキレン基、+CH2+
1−O−+−+CH2+F−O+−g+CH2升 (x
。
y、w、vはそれぞれO又は1を表わす)を表わし、
Llは−COO−、フェニレン基
/
−CON−(R6は上記と同義)を表わし、qは0又は
1を表わし、 q−0のときR2、−Nでピリジン環を形成してもよく
、 R22,R23,R24はそれぞれ同じでもまた異なっ
ていてもよくアルキル基、置換アルキル基を表わし、R
25eはアニオンを表わし、 R26は水素原子、アルキル基、置換アルキル基を表わ
し、 L、、R2は同じでもまた異なっていてもよく/ −COO−−CON−(R6は上記と同義)−o−−s
−−ooc−、−co−、フェニレン基を表わし、 rは0又は1を表わし、 R6 / L、は−COO−、−CON−(R6は上記と同義)、
−0OC−を表わし、 R2□は水素原子、アルキル基、置換アルキル基を表わ
し、 tは3又は4を表わし、 C28は炭素原子、−CH−5又はヘテロ環を表/ は上記と同義)、−CON−(R’は上記と同義)を表
わし、 L、は−Co−R17(R17は上記と同義)、COO
R+v (R1tハ上記と同義)、シアノ基、/ −CON−(R6は上記と同義)、 S O2R17(R17は上記と同義)を表わし、R2
,は水素原子、 COR17(R17は上記と同義)を
表わし、 / と同義)、 −NHCNH−、−N−C−(R6は1
1]( 上記と同義)を表わし、 R7は酸素原子又は窒素原子を表わし、R1゜はアルキ
レン基又はトリアゾール環を表わし、 Aはハロゲン原子、アミノ基を表わすが、R30がトリ
アゾール環の場合はAは複数個のハロゲン原子を表わし
てもよい。
1を表わし、 q−0のときR2、−Nでピリジン環を形成してもよく
、 R22,R23,R24はそれぞれ同じでもまた異なっ
ていてもよくアルキル基、置換アルキル基を表わし、R
25eはアニオンを表わし、 R26は水素原子、アルキル基、置換アルキル基を表わ
し、 L、、R2は同じでもまた異なっていてもよく/ −COO−−CON−(R6は上記と同義)−o−−s
−−ooc−、−co−、フェニレン基を表わし、 rは0又は1を表わし、 R6 / L、は−COO−、−CON−(R6は上記と同義)、
−0OC−を表わし、 R2□は水素原子、アルキル基、置換アルキル基を表わ
し、 tは3又は4を表わし、 C28は炭素原子、−CH−5又はヘテロ環を表/ は上記と同義)、−CON−(R’は上記と同義)を表
わし、 L、は−Co−R17(R17は上記と同義)、COO
R+v (R1tハ上記と同義)、シアノ基、/ −CON−(R6は上記と同義)、 S O2R17(R17は上記と同義)を表わし、R2
,は水素原子、 COR17(R17は上記と同義)を
表わし、 / と同義)、 −NHCNH−、−N−C−(R6は1
1]( 上記と同義)を表わし、 R7は酸素原子又は窒素原子を表わし、R1゜はアルキ
レン基又はトリアゾール環を表わし、 Aはハロゲン原子、アミノ基を表わすが、R30がトリ
アゾール環の場合はAは複数個のハロゲン原子を表わし
てもよい。
R3,、R,2は同じでも異なっていてもよく水素原子
、アルキル基、置換アルキル基、水酸基およびその塩、
アミノ基、カルボキシル基およびその塩、シアノ基を表
わし、 ZはNと結合して炭素数3から13の複素環の形成構成
要素を表わす。
、アルキル基、置換アルキル基、水酸基およびその塩、
アミノ基、カルボキシル基およびその塩、シアノ基を表
わし、 ZはNと結合して炭素数3から13の複素環の形成構成
要素を表わす。
一般式(P−1)で示されるモノマーの具体例としては
、例えば第5図に示すものが挙げられる。
、例えば第5図に示すものが挙げられる。
一般式(P −II)で示されるモノマーの具体例とし
ては、第6図に示すものが挙げられる。
ては、第6図に示すものが挙げられる。
一般式(P−m)で表わされる七ツマ−の具体例として
は、第7図に示すものが挙げられる。
は、第7図に示すものが挙げられる。
一般式(P−IV)で表わされるモノマーの具体例とし
ては下記のものが挙げられる。
ては下記のものが挙げられる。
一般式(p−v)の具体例としては次のものが挙げられ
る。
る。
M−57CH2−CH−OCH。
M −58CH2=CHOC4H3(n)一般式(P−
VI)の具体例としては次のものが挙げられる。
VI)の具体例としては次のものが挙げられる。
CH2−CH−5CH2CH2CH2SCH3M−60
CH2−CHS CH25CH3一般式(P−■)の
具体例としては次のものが挙げられる。
CH2−CHS CH25CH3一般式(P−■)の
具体例としては次のものが挙げられる。
M−61CH2−CHCN
CI
/
M−82CH2纏C
\
CI
M−B3 CI CH2■CClI2一般式(P−■
)の具体例としては次のものが挙げられる。
)の具体例としては次のものが挙げられる。
M−84CH2−CHCH−CH2
H3
CH2
= CHCHCH−CHCH−CH2
(P−IX)の具体例としては次のものが挙げられる。
M −87CH2−CHCOCH3
H3
/
M−88CH2−C
\
C0C2H6
(P−X)の具体例としては次のものが挙げられる。
CI(。
/
M−89CH2−C
\
C−P−C−OCHi )
CH。
\
(P−XI)の具体例としては次のものが挙げられる。
(P
Xn)
の具体例としては次のものが挙げ
CH。
られる。
/
H3
CH
H 3
CH3
CH3
Hi
(P
Xm)
の具体例としては次のものが挙げ
られる。
(P−XIV)
の具体例としては次のものが挙げ
られる。
N
/
CH2
一〇
\
/
CH2
\
CI(2
皺CH
\
CH3
/
CH2
一〇
\
COCH2
0OC2
H2
CH3
/
CH2
閣CH
C00CHzCHJHCNHCH2CH2CH2Cj(
P−XV) の具体例としては次のものが挙げ られる。
P−XV) の具体例としては次のものが挙げ られる。
CH。
/
CH2
C
\
(P
X■)
の具体例としては次のものが挙げ
られる。
H3
/
CH2
一〇
\
0OCH2
CH2
CH2
(P−XVI)
の具体例としては次のものが挙げ
られる。
(p−x■)
の具体例としては次のものが挙げ
られる。
M −to。
CH2−CH
M −101
CH2−CH
M −102
CH2−CH
次にポリマーラテックスの具体的な例を、第8図に示す
。
。
さらに、ポリマーラテックスに関しては、米国特許第3
,988,877号、同3,516,830号、同3.
533.793号、R,D、15649、同3,635
.713号、同3.397.988号、同3.fi47
,459号、同3,607.290号、同3,512.
985号、同3,536,491号、同3,769,0
20号、同3,764,327号、同2,376.00
5号、同2.768,080号、同2,772,166
号、同2,808.388号、同2,835,582号
、同2,852.388号、同2,853,457号、
同2.865,753号、英国特許節1,358.88
5号、同1,186,699号、米国特許第3,592
.655号、同3.411.911号、同3,411.
912号、同3,459,790号、同3,488.7
08号、同3,700,458号、同3,939.13
0号、同3,554.987号、同3,507,861
号、同3.508,925号、英国特許節1.316.
541号、同1.336,0[i1号、英国特許節1,
491.701号、英国特許節1.498,697号、
R,D、 14739、米国特許第3,820.751
号、R,D、 15838、米国特許第3.635,7
15号、英国特許節1,401,768号、米国特許第
3.987.968号、同3,142,568号、同3
.252.801号、同3,625.1389号、同3
,632.342号、同2.lN17,380号、英国
特許節1,823,522号、米国特許第2,721,
801号、同2,875,054号、同3,021,2
14号、R,0,1190B、米国特許第3.793.
029号、R,D、 15235、R,D、 1625
0の記載等を参考にすることができる。
,988,877号、同3,516,830号、同3.
533.793号、R,D、15649、同3,635
.713号、同3.397.988号、同3.fi47
,459号、同3,607.290号、同3,512.
985号、同3,536,491号、同3,769,0
20号、同3,764,327号、同2,376.00
5号、同2.768,080号、同2,772,166
号、同2,808.388号、同2,835,582号
、同2,852.388号、同2,853,457号、
同2.865,753号、英国特許節1,358.88
5号、同1,186,699号、米国特許第3,592
.655号、同3.411.911号、同3,411.
912号、同3,459,790号、同3,488.7
08号、同3,700,458号、同3,939.13
0号、同3,554.987号、同3,507,861
号、同3.508,925号、英国特許節1.316.
541号、同1.336,0[i1号、英国特許節1,
491.701号、英国特許節1.498,697号、
R,D、 14739、米国特許第3,820.751
号、R,D、 15838、米国特許第3.635,7
15号、英国特許節1,401,768号、米国特許第
3.987.968号、同3,142,568号、同3
.252.801号、同3,625.1389号、同3
,632.342号、同2.lN17,380号、英国
特許節1,823,522号、米国特許第2,721,
801号、同2,875,054号、同3,021,2
14号、R,0,1190B、米国特許第3.793.
029号、R,D、 15235、R,D、 1625
0の記載等を参考にすることができる。
実施例においては、ゼラチンにポリマーラテ・ンクスを
分散したものを用いているが、遮断層材料としては、カ
ゼイン、コラーゲン等の蛋白質、カルボキシメチルセル
ロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース化
合物、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷん誘導体等の糖
誘導体、ポリビニルアルコール、ポリ−N−ビニルピロ
リドン、ポリアクリル酸共重合体、ポリアクリルアミド
、またはこれらの誘導体および部分加水分解物等の合成
水溶性高分子化合物、またはアクリル樹脂、シリコン樹
脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、フェノ
ール、ポリアミド、アルキド樹脂等の樹脂等の樹脂に、
それよりやわらかい樹脂を分散したものでも良い。
分散したものを用いているが、遮断層材料としては、カ
ゼイン、コラーゲン等の蛋白質、カルボキシメチルセル
ロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース化
合物、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷん誘導体等の糖
誘導体、ポリビニルアルコール、ポリ−N−ビニルピロ
リドン、ポリアクリル酸共重合体、ポリアクリルアミド
、またはこれらの誘導体および部分加水分解物等の合成
水溶性高分子化合物、またはアクリル樹脂、シリコン樹
脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、フェノ
ール、ポリアミド、アルキド樹脂等の樹脂等の樹脂に、
それよりやわらかい樹脂を分散したものでも良い。
なお、やわらかさの評価は、ロックウェルのかたさ試験
法(ASTM D785−51のB法)等によって行
なうことができる。
法(ASTM D785−51のB法)等によって行
なうことができる。
また、本発明においては、特に有機非線形光学材料の表
面部分のみならず、前記実施例におけるように波長変換
波が出射するクラッド部の端面にまで遮断層を形成して
もよい。そのようにすればクラッド部が保護されるし、
特に該遮断層をクラッド部よりも低屈折率の材料で形成
した場合は、波長変換波のクラッド部端面における反射
か減少して、その出射効率か向上する。
面部分のみならず、前記実施例におけるように波長変換
波が出射するクラッド部の端面にまで遮断層を形成して
もよい。そのようにすればクラッド部が保護されるし、
特に該遮断層をクラッド部よりも低屈折率の材料で形成
した場合は、波長変換波のクラッド部端面における反射
か減少して、その出射効率か向上する。
また勿論ながら本発明は、有機非線形光学材料としてD
MNPを用いる場合のみならず、先に述べたようなその
他の有機非線形光学材料を用いて光波長変換素子を作成
する場合においても同様に適用され得るものである。
MNPを用いる場合のみならず、先に述べたようなその
他の有機非線形光学材料を用いて光波長変換素子を作成
する場合においても同様に適用され得るものである。
また、上記の実施例の光波長変換素子10は、基本波1
5のコア部での導波モードと、第2高調波15゜のクラ
ッド部への放射モードとの間で位相整合がとられるもの
であるが、本発明は、基本波と第2高調波をともにコア
部あるいは光導波路中において導波させ、両者の導波モ
ード間で位相整合をとるタイプの素子に対しても適用可
能である。
5のコア部での導波モードと、第2高調波15゜のクラ
ッド部への放射モードとの間で位相整合がとられるもの
であるが、本発明は、基本波と第2高調波をともにコア
部あるいは光導波路中において導波させ、両者の導波モ
ード間で位相整合をとるタイプの素子に対しても適用可
能である。
さらに、以上説明した実施例は、第2高調波を発生する
ファイバー型の光波長変換素子に適用されたものである
が、本発明は、第2高調波以外の例えば第3高調波、和
周波、差周波等を発生させる光波長変換素子に対しても
、また前述した先導波路型やバルク結晶型の光波長変換
素子に対しても適用可能である。
ファイバー型の光波長変換素子に適用されたものである
が、本発明は、第2高調波以外の例えば第3高調波、和
周波、差周波等を発生させる光波長変換素子に対しても
、また前述した先導波路型やバルク結晶型の光波長変換
素子に対しても適用可能である。
さらに本発明の光波長変換素子は、有機非線形光学材料
の昇華、変成をさらに確実に防止するため、例えば本出
願人による特願昭63−230595号明細書に示され
るように、不活性媒体が充填された密閉容器内に収容し
て使用してもよい。
の昇華、変成をさらに確実に防止するため、例えば本出
願人による特願昭63−230595号明細書に示され
るように、不活性媒体が充填された密閉容器内に収容し
て使用してもよい。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り、本発明の光波長変換素子にお
いては、有機非線形光学材料の表面部分に、有機非線形
光学材料に対する遮断性の高い樹脂からなる遮断層を設
けたことにより、有機非線形光学材料の昇華あるいは変
成が確実に防止される。したがって、有機非線形光学材
料の波長変換効率が低下することを防止でき、また遮断
層を設けた端面を基本波入射端面とする場合は、基本波
の入射結合効率も高く維持できるようになる。
いては、有機非線形光学材料の表面部分に、有機非線形
光学材料に対する遮断性の高い樹脂からなる遮断層を設
けたことにより、有機非線形光学材料の昇華あるいは変
成が確実に防止される。したがって、有機非線形光学材
料の波長変換効率が低下することを防止でき、また遮断
層を設けた端面を基本波入射端面とする場合は、基本波
の入射結合効率も高く維持できるようになる。
その上本発明においては、上記の遮断層を構成する樹脂
中にそれよりやわらかい樹脂粒子を分散させたことによ
り、この遮断層はよりやわらかくなっている。したがっ
てこの遮断層は、温度変化または、形成する時の乾燥固
化において、接着界面に応力がかかりにくくなり、該接
着部分からの剥離が確実に防止され得る。
中にそれよりやわらかい樹脂粒子を分散させたことによ
り、この遮断層はよりやわらかくなっている。したがっ
てこの遮断層は、温度変化または、形成する時の乾燥固
化において、接着界面に応力がかかりにくくなり、該接
着部分からの剥離が確実に防止され得る。
第1図は、本発明の一実施例による光波長変換素子を示
す斜視図、 第2図は、上記光波長変換素子の使用形態の一例を示す
概略側面図、 第3図は、上記光波長変換素子の作成方法を説明する概
略図、 第4図は、上記光波長変換素子の遮断層部分を示す概略
図、 第5.6.7および8図は、本発明に用いられる樹脂粒
子材料の例を示す表である。 lO・・・光波長変換素子 10a、 10b・・・
素子端面11・・・コ ア 12・・・クラ
ッド13a、 13b・・・遮断層 15・・・基
本 波15′ ・・・第2高調波 30・・・ゼラ
チン31・・・ポリエチルアクリレートラテ・ソクス粒
子第4図
す斜視図、 第2図は、上記光波長変換素子の使用形態の一例を示す
概略側面図、 第3図は、上記光波長変換素子の作成方法を説明する概
略図、 第4図は、上記光波長変換素子の遮断層部分を示す概略
図、 第5.6.7および8図は、本発明に用いられる樹脂粒
子材料の例を示す表である。 lO・・・光波長変換素子 10a、 10b・・・
素子端面11・・・コ ア 12・・・クラ
ッド13a、 13b・・・遮断層 15・・・基
本 波15′ ・・・第2高調波 30・・・ゼラ
チン31・・・ポリエチルアクリレートラテ・ソクス粒
子第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 有機非線形光学材料からなる部分を有し、該材料に入射
した基本波を波長変換する光波長変換素子において、 前記有機非線形光学材料の表面部分に、この表面部分と
その周囲の雰囲気とを遮断する遮断層が設けられ、 この遮断層が、樹脂と、それよりもやわらかく該樹脂中
に分散された樹脂粒子とから形成されていることを特徴
とする光波長変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10339190A JPH041731A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10339190A JPH041731A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光波長変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH041731A true JPH041731A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14352773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10339190A Pending JPH041731A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 光波長変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH041731A (ja) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10339190A patent/JPH041731A/ja active Pending
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