JPH02254404A - ハイブリット集積回路の基板 - Google Patents
ハイブリット集積回路の基板Info
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- JPH02254404A JPH02254404A JP7745389A JP7745389A JPH02254404A JP H02254404 A JPH02254404 A JP H02254404A JP 7745389 A JP7745389 A JP 7745389A JP 7745389 A JP7745389 A JP 7745389A JP H02254404 A JPH02254404 A JP H02254404A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光導波路と光カプラ、光合分波器、光減衰器
等の光機能素子とを一体に成形するハイブリット光集積
回路のための基板に関するものである。
等の光機能素子とを一体に成形するハイブリット光集積
回路のための基板に関するものである。
光通信や光情報旭理分野で必要な各種光回路では、小形
化、高信頼化及び低価格化のために光導波路と各種光機
能素子とを同一基板上に複合一体化したハイブリット光
集積回路の実現が期待されている。
化、高信頼化及び低価格化のために光導波路と各種光機
能素子とを同一基板上に複合一体化したハイブリット光
集積回路の実現が期待されている。
ハイブリッド光集積回路の実現には、同一基板上で先導
波路と光機能素子とを位置合せして極力効率的に光結合
させることが必要不可欠である。
波路と光機能素子とを位置合せして極力効率的に光結合
させることが必要不可欠である。
光カプラ、光合分波器、光減衰器等の光機能素子は、透
明板（例えばガラス板、シリコン板）の表面に屈折率の
異なる誘電体膜を交互に数重層積層した光学膜を基板上
に形成したものがある。
明板（例えばガラス板、シリコン板）の表面に屈折率の
異なる誘電体膜を交互に数重層積層した光学膜を基板上
に形成したものがある。
第６図（ａ）〜（ｅ）は従来のハイブリット光集積回路
を基板に形成する製造工程を示す図である。
を基板に形成する製造工程を示す図である。
第６図（ａ）において、透明体（例えばガラス、シリコ
ン等）からなる基板４０は、その上面を保持ブロック５
．６（ガイド溝５ａ 、 ５ｂを除く）及び角形突片２
１部分に窓を有するマスクで覆い、その上から弗素系ガ
ス例えば、ＣＦ４．Ｃ＊Ｆｍ等でドライエツチングする
。これにより第６図（ｂ）に示すように基板４０はその
表面に一方の側縁部に並行した一対のガイド溝５ａと５
ｂを有する保持ブロック５と、保持ブロック５に対向し
て反対側の側縁部にガイド溝５ａの延長線上にガイド溝
６ａを有する保持ブロック６を形成している。
ン等）からなる基板４０は、その上面を保持ブロック５
．６（ガイド溝５ａ 、 ５ｂを除く）及び角形突片２
１部分に窓を有するマスクで覆い、その上から弗素系ガ
ス例えば、ＣＦ４．Ｃ＊Ｆｍ等でドライエツチングする
。これにより第６図（ｂ）に示すように基板４０はその
表面に一方の側縁部に並行した一対のガイド溝５ａと５
ｂを有する保持ブロック５と、保持ブロック５に対向し
て反対側の側縁部にガイド溝５ａの延長線上にガイド溝
６ａを有する保持ブロック６を形成している。
さらに基板４０はその全表面（角形突片２１の光学膜を
付着する側面を除く）に蒸着等して銅膜を形成し、さら
に角形突片２１の側面を含む基板４０の全表面に所定の
光学膜特性を有するように誘電体膜を積層蒸着させる。
付着する側面を除く）に蒸着等して銅膜を形成し、さら
に角形突片２１の側面を含む基板４０の全表面に所定の
光学膜特性を有するように誘電体膜を積層蒸着させる。
次に全表面に所定の光学膜特性を有する基板を硝酸に漬
けて、角形突片２１の側面を除く、他の部分の光学膜２
２をリフトオフ法により除去して第６図（ｃ）に示すよ
うに角形突片２Ｉの側面に光学膜２２を形成する。
けて、角形突片２１の側面を除く、他の部分の光学膜２
２をリフトオフ法により除去して第６図（ｃ）に示すよ
うに角形突片２Ｉの側面に光学膜２２を形成する。
基板４０は、第６図（ｄ）のようにその表面にクラッド
層、コア層の順に積層されてなる誘電体２５を真空蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、火炎体積法等の手段
で形成する。
層、コア層の順に積層されてなる誘電体２５を真空蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、火炎体積法等の手段
で形成する。
その後、第６図（ｅ）のように、基板４０の表面に形成
された誘電体層２５をエツチングして、端面が光学膜２
２に密着したガイド溝５ａに連通する第１の光導波路１
１光学膜２２とは反対側の角形突片２１の側面にその端
面が密着したガイド１ｌ１６ａに連通する第２の光導波
路２及び第１の先導波路とは分岐したガイド溝５ｂに通
ずる第３の光導波路３をそれぞれ形成し、第１〜第３の
先導波路の上面及び側面をクラッド層で覆うものとする
。
された誘電体層２５をエツチングして、端面が光学膜２
２に密着したガイド溝５ａに連通する第１の光導波路１
１光学膜２２とは反対側の角形突片２１の側面にその端
面が密着したガイド１ｌ１６ａに連通する第２の光導波
路２及び第１の先導波路とは分岐したガイド溝５ｂに通
ずる第３の光導波路３をそれぞれ形成し、第１〜第３の
先導波路の上面及び側面をクラッド層で覆うものとする
。
しかしながら上記従来のハイブリット光集積回路の基板
は、その表面に保持ブロックをエツチング法により形成
しているので加工工程数が多くなり、また段差の大きい
（例丸ば１００μｍ）ガイド溝及び保持ブロックを形成
できないのでプナズム、フィルタ、レンズ、光ファイバ
等の光学部品を取り付は位置決めが難しい。
は、その表面に保持ブロックをエツチング法により形成
しているので加工工程数が多くなり、また段差の大きい
（例丸ば１００μｍ）ガイド溝及び保持ブロックを形成
できないのでプナズム、フィルタ、レンズ、光ファイバ
等の光学部品を取り付は位置決めが難しい。
前記光デバイスをエツチングにより形成する工程におい
て、角形突片に直接光学フィルタ膜を形成する時、蒸着
面と蒸着角度を一定に維持することが難しいので、フィ
ルタ性能が劣化する。
て、角形突片に直接光学フィルタ膜を形成する時、蒸着
面と蒸着角度を一定に維持することが難しいので、フィ
ルタ性能が劣化する。
本発明の目的は、上記間麗点に鑑み創作されたもので、
光機能素子の光学関係を高精度で容易に位置決して保持
できるハイブリット集積回路の基板を提供することにお
る。
光機能素子の光学関係を高精度で容易に位置決して保持
できるハイブリット集積回路の基板を提供することにお
る。
上記目的を達成するこの発明は、光ファイバ、光導波路
、コリメータレンズ、干渉フィルタ、プリズム、光カッ
プラ、光合分波器等の光学部品の光学関係を位置決する
保持ブロックをプラスチック樹脂で一体に型成形したこ
とを特徴とするハイブリット集積回路の基板である。
、コリメータレンズ、干渉フィルタ、プリズム、光カッ
プラ、光合分波器等の光学部品の光学関係を位置決する
保持ブロックをプラスチック樹脂で一体に型成形したこ
とを特徴とするハイブリット集積回路の基板である。
また、前記保持ブロックを一体に成形したハイブリット
基板はガラス等の無機物質で型成形したことを特徴とす
るものであればさらに効果を発渾できる。
基板はガラス等の無機物質で型成形したことを特徴とす
るものであればさらに効果を発渾できる。
更に、前記保持ブロックを一体に成形したハイブリット
集積回路の基板に光導波路を形成する凹凸部を設け、そ
の凹凸部に高屈折率の無機材料によりコアを形成して前
記コアを低屈折率の材料で覆うことを特徴とするもので
あっても良い。
集積回路の基板に光導波路を形成する凹凸部を設け、そ
の凹凸部に高屈折率の無機材料によりコアを形成して前
記コアを低屈折率の材料で覆うことを特徴とするもので
あっても良い。
次に、この発明を添付図面に基づいて実施例について説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
第１図及び第２図は本発明のハイブリット集積回路の基
板の２つの実施例を示す斜視図である。
板の２つの実施例を示す斜視図である。
先ず本発明のハイブリット集積回路の基板の第１の実施
例を第、１図に基づいて説明する。本実施例のハイブリ
ット集積回路基板は、その基板４０、保持ブロック５．
６．７．８．９及び第１〜第３の導波路基礎を酸化鉛系
光学ガラス（例えばＦ６０を７０ｗｔ、％、ＳｉＯを２
０〜３０ｗｔ％）或は耐熱性プラスチッ例えばアクリル
樹脂、ポリカーボン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホ
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン樹脂等
で一体に型成形したものである。
例を第、１図に基づいて説明する。本実施例のハイブリ
ット集積回路基板は、その基板４０、保持ブロック５．
６．７．８．９及び第１〜第３の導波路基礎を酸化鉛系
光学ガラス（例えばＦ６０を７０ｗｔ、％、ＳｉＯを２
０〜３０ｗｔ％）或は耐熱性プラスチッ例えばアクリル
樹脂、ポリカーボン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホ
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン樹脂等
で一体に型成形したものである。
保持ブロック５．６．７はそのガイド溝５ａ、６ａ、７
ａに光ファイバを挿着して保持する。保持ブロック８．
９はそのガイド溝８ａ 、 ９ａに光導波路をＣＶＤ法
により形成する。
ａに光ファイバを挿着して保持する。保持ブロック８．
９はそのガイド溝８ａ 、 ９ａに光導波路をＣＶＤ法
により形成する。
光学膜付基板２０は厚さ１ｍｌ１１〜５０μｍの短冊形
状のカラス或はジルコンウェーハのブロック２１の側面
に所定の光学特性を有する光学１Ｋ２２を形成したもの
であり、この先学膜付基板２０は保持ブロック８及び９
との間の０．ｌ〜３ＩＩｆｆｉ隙間に光学接着剤例えば
紫外線硬化樹脂で接着することにより角度精度０．１’
、位置精度μｍオーダで固定する。
状のカラス或はジルコンウェーハのブロック２１の側面
に所定の光学特性を有する光学１Ｋ２２を形成したもの
であり、この先学膜付基板２０は保持ブロック８及び９
との間の０．ｌ〜３ＩＩｆｆｉ隙間に光学接着剤例えば
紫外線硬化樹脂で接着することにより角度精度０．１’
、位置精度μｍオーダで固定する。
次に第２に実施例のハイブリット集積回路の基板を第２
図に基づいて説明する。ハイブリット集積回路は保持ブ
ロック５、を耐熱性プラスチック樹脂例えばポリイミド
、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン樹脂で一
体に型成形したものである。保持ブロック５は凹形状で
高さＨ−１８０ｔｔ ｍ、 Ｌｌ、Ｌ２＝ １００７７
ｍ、Ｆ３−１２５〜１３０μｍでコア径５０μｍ、ク
ラツド径１２５μｍの光ファイバを紫外線硬化樹脂で接
着することにより位置精度μｍで固定できる。保持ブロ
ック３０は両＠＠ｍｒａの角型穴状でカップリングレン
ズを位置決め可能である。保持ブロック３１は高さ１８
０〜２００μｍ１幅５０μｍで光導波路を形成するため
の位置決め用である。
図に基づいて説明する。ハイブリット集積回路は保持ブ
ロック５、を耐熱性プラスチック樹脂例えばポリイミド
、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン樹脂で一
体に型成形したものである。保持ブロック５は凹形状で
高さＨ−１８０ｔｔ ｍ、 Ｌｌ、Ｌ２＝ １００７７
ｍ、Ｆ３−１２５〜１３０μｍでコア径５０μｍ、ク
ラツド径１２５μｍの光ファイバを紫外線硬化樹脂で接
着することにより位置精度μｍで固定できる。保持ブロ
ック３０は両＠＠ｍｒａの角型穴状でカップリングレン
ズを位置決め可能である。保持ブロック３１は高さ１８
０〜２００μｍ１幅５０μｍで光導波路を形成するため
の位置決め用である。
第３図（ａ）及び（ｆ）は本発明のハイブリット集積回
路の基板の他の６つの実施例を示す斜視図である。これ
ら６つの実施例のハイブリッド集積回路の基板は保持ブ
ロックをアクリル樹脂、ポリカーポ樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリサルホルン、ポリエーテルサルホルンポリエー
テルケトン樹脂或は５Ｆ−１１％Ｂ５Ｃ７、ＢａＣＤ１
６、ＢａＣＤ１６チ ＬａＦ３１．ＮｂＦＤ８１等のガラス材料で一体に型成
形する。
路の基板の他の６つの実施例を示す斜視図である。これ
ら６つの実施例のハイブリッド集積回路の基板は保持ブ
ロックをアクリル樹脂、ポリカーポ樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリサルホルン、ポリエーテルサルホルンポリエー
テルケトン樹脂或は５Ｆ−１１％Ｂ５Ｃ７、ＢａＣＤ１
６、ＢａＣＤ１６チ ＬａＦ３１．ＮｂＦＤ８１等のガラス材料で一体に型成
形する。
なお、プラスチック材料は耐熱性が２００℃以上であり
、線膨張率が１０− ’ｄｅｇ−’であり、ガラス材料
は耐熱性が５００℃以上であり、線膨張体が１Ｏ−６〜
１０−’ｄｅｇ−’であるので基板材料としてはガラス
材料が優れる。また、ガラス材料は耐薬性においてもプ
ラスチック材料より優れる。保持ブロックはその形状を
方形、台形、円形、球形、７字型とする。保持ブロック
はその形状を７字型及び台形とすると成形工程において
型抜きを良好におこなえる。保持ブロックは第３図（ｅ
）及び（ｆ）に示すようにその端部を鈍角又は丸みを持
たせることにより、レジスト等の塗膜厚を均一にスピナ
ー等で塗付することができるので光機能素子を確実に接
着して固定できる。
、線膨張率が１０− ’ｄｅｇ−’であり、ガラス材料
は耐熱性が５００℃以上であり、線膨張体が１Ｏ−６〜
１０−’ｄｅｇ−’であるので基板材料としてはガラス
材料が優れる。また、ガラス材料は耐薬性においてもプ
ラスチック材料より優れる。保持ブロックはその形状を
方形、台形、円形、球形、７字型とする。保持ブロック
はその形状を７字型及び台形とすると成形工程において
型抜きを良好におこなえる。保持ブロックは第３図（ｅ
）及び（ｆ）に示すようにその端部を鈍角又は丸みを持
たせることにより、レジスト等の塗膜厚を均一にスピナ
ー等で塗付することができるので光機能素子を確実に接
着して固定できる。
第４図及び第５図は本実施例に示すハイブリット基板に
導波路を一体に形成する工程を示す工程図である。
導波路を一体に形成する工程を示す工程図である。
耐熱性プラスチック材料或はガラス材料で型成形した基
板４０を第４図（ａ）に示すように２００°Ｃに加熱す
る。基板４０表面に形成された凹形状導波路基礎及び保
持ブロックの表面に第４図（ｂ）に示すように例えばシ
ランガスとアンモニアガス（ＳｉＨ，＋ＮＨ，）を用い
て窒化シリコンをプラズマ化学気相成長法で厚さ約ｌＯ
μＩだけ形成する。これにより窒化シリコン層４１，４
２．４３を得る。さらに窒化シリコン層４１．４２．４
３に覆われた基板４０の凹形状表層を第４図（Ｃ）に示
すようにクラッド材料として例えばポリイミド樹脂で覆
う。これにより窒化シリコン層４２をコアとし、その上
層のポリイミド樹脂層と下層及び側層とをクラッド層と
する光導波路が形成される。
板４０を第４図（ａ）に示すように２００°Ｃに加熱す
る。基板４０表面に形成された凹形状導波路基礎及び保
持ブロックの表面に第４図（ｂ）に示すように例えばシ
ランガスとアンモニアガス（ＳｉＨ，＋ＮＨ，）を用い
て窒化シリコンをプラズマ化学気相成長法で厚さ約ｌＯ
μＩだけ形成する。これにより窒化シリコン層４１，４
２．４３を得る。さらに窒化シリコン層４１．４２．４
３に覆われた基板４０の凹形状表層を第４図（Ｃ）に示
すようにクラッド材料として例えばポリイミド樹脂で覆
う。これにより窒化シリコン層４２をコアとし、その上
層のポリイミド樹脂層と下層及び側層とをクラッド層と
する光導波路が形成される。
上記の方法により先導波路を形成すると先導波路が高精
度で形成することができかつ光導波路の再現性が良い。
度で形成することができかつ光導波路の再現性が良い。
また、光７アイパを取り付ける保持ブロックの取付面に
コア材料がｌＯμｍ堆積することを考慮して、基板の形
状を設計すれば光ファイバを保持ブロックに位置・精度
良く確実に取り付けることができる。
コア材料がｌＯμｍ堆積することを考慮して、基板の形
状を設計すれば光ファイバを保持ブロックに位置・精度
良く確実に取り付けることができる。
又第５図は、凹形状の導波路基礎を用いた工程を示して
いる。工程は第４図と同様である。。
いる。工程は第４図と同様である。。
コア材料として無機材料あるいは有機材料が考えられる
。無機材料としては５ｉ０１＋ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｓ
ｉＮｘ。
。無機材料としては５ｉ０１＋ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｓ
ｉＮｘ。
コーニング７０５９、ＢａＯ＋ＳｉＯ，，５ｉＯＮ及び
ＬｉＮｂ０．系等が好ましい。有機材料としてはＰＣ，
ＰＭＭＡ、エポキシ樹脂等が好ましい。
ＬｉＮｂ０．系等が好ましい。有機材料としてはＰＣ，
ＰＭＭＡ、エポキシ樹脂等が好ましい。
クラッド材料としてはコア材料に比して屈折率を約０．
０１〜１．０％だけ小さいものを用いる。
０１〜１．０％だけ小さいものを用いる。
以下に好ましい代表的な材料の組合せ例を示す。
第１の組合せ例としては基板材料としてＢ５Ｃ７（屈折
率ｎ ＝ １．５１６）、コア材料としてＰＣ：ＭＡ、
ＰＭＭＡ、エポキシ樹脂、ホトレジスト、クラッド材料
としてアクリル樹脂である。
率ｎ ＝ １．５１６）、コア材料としてＰＣ：ＭＡ、
ＰＭＭＡ、エポキシ樹脂、ホトレジスト、クラッド材料
としてアクリル樹脂である。
第２の組合せ例としては基板材料としてＢ５Ｃ７（屈折
率ｎ −１，５１６） 、コア材料として５ｉＯ１＋Ｔ
ｉＯ，、ＧｅＯ，、コーニング７０５９、Ｔａ、Ｏ，（
＋ＳｉＯ，）、 Ｎｂ、Ｏ。
率ｎ −１，５１６） 、コア材料として５ｉＯ１＋Ｔ
ｉＯ，、ＧｅＯ，、コーニング７０５９、Ｔａ、Ｏ，（
＋ＳｉＯ，）、 Ｎｂ、Ｏ。
（＋ Ｓ ｉｏ ｘ ） ＋ ＢａＯ＋ Ｓ ｔ Ｏｔ
＋ Ｓ ＋ＯＮｓ Ｓ ｉ Ｎｘｓ Ａｓ ｔ Ｓｓ
クラッド材料として５ｉＯＮ、 ＢａＯ＋ＳｉＯ，、Ｓ
ｉＯ，＋ＴｉＯ，である。
＋ Ｓ ＋ＯＮｓ Ｓ ｉ Ｎｘｓ Ａｓ ｔ Ｓｓ
クラッド材料として５ｉＯＮ、 ＢａＯ＋ＳｉＯ，、Ｓ
ｉＯ，＋ＴｉＯ，である。
第３の組合せ例としては基板材料としてポリミド樹脂（
屈折率ｎ＝１．４〜１．６）、コア材料とじてＰＣ：
ＭＡ％ＰＭＭＡ、エポキシｍｍ、ホトレジスト、クラッ
ド材料としてポリイミド樹脂である。
屈折率ｎ＝１．４〜１．６）、コア材料とじてＰＣ：
ＭＡ％ＰＭＭＡ、エポキシｍｍ、ホトレジスト、クラッ
ド材料としてポリイミド樹脂である。
第４の組合せ例としては基板材料としてポリイミド樹脂
（屈折率ｎ＝１．４〜１．６）、コア材料としてＳｉＯ
，＋ＴｉＯ，、Ｇｅｍ、 、コーニング７０５９、Ｔａ
＊Ｏｓ（＋ＳｉＯ＊） 。
（屈折率ｎ＝１．４〜１．６）、コア材料としてＳｉＯ
，＋ＴｉＯ，、Ｇｅｍ、 、コーニング７０５９、Ｔａ
＊Ｏｓ（＋ＳｉＯ＊） 。
Ｎｂ、Ｏａ（＋ＳｉＯ＊１ＢａＯ＋ＳｉＯ，，５ｉＯＮ
、 ＳｉＮｘ、 ＡｓｔＳ、クラ・ンド材料として５ｉ
ＯＮ、 ＢａＯ＋５ｉＯｉ、ＳｉＪ＋ＴｉＯ２である。
、 ＳｉＮｘ、 ＡｓｔＳ、クラ・ンド材料として５ｉ
ＯＮ、 ＢａＯ＋５ｉＯｉ、ＳｉＪ＋ＴｉＯ２である。
光導波路には多モード系とシングルモード系があり、本
実施例では多モード系の先導波路はコア寸法が４０〜１
００μ市の四角状に形成でき、クラッド寸法が厚さ５Ｉ
請以上で形成でき、この先導波路は光損失２ ｄ Ｂ
／ｃ＋ｏ以下となる。
実施例では多モード系の先導波路はコア寸法が４０〜１
００μ市の四角状に形成でき、クラッド寸法が厚さ５Ｉ
請以上で形成でき、この先導波路は光損失２ ｄ Ｂ
／ｃ＋ｏ以下となる。
また、シングルモード系の先導波路はコア寸法が３〜２
０μｍの四角状に形成でき、クラッド寸法は厚さ５Ｉ１
以上に形成でき、この光導波路は光損失３ｄＢ／ｃ−以
下となる。このようにして多モード系及びシングルモー
ド系の光導波路として充分な使用に耐える性能が簡単な
工程で形成可能となる。
０μｍの四角状に形成でき、クラッド寸法は厚さ５Ｉ１
以上に形成でき、この光導波路は光損失３ｄＢ／ｃ−以
下となる。このようにして多モード系及びシングルモー
ド系の光導波路として充分な使用に耐える性能が簡単な
工程で形成可能となる。
以上説明したように、本発明は保持ブロックをプラスチ
ック樹脂或はガラス等の無機物質で基板に一体成形する
ことにより、光ファイバ、コリメータレンズ、干渉フィ
ルタ、プリズム、光カップラ、光合分波器等の光学部品
を高精度で位置決めできるので、光学部品の光学的位置
関係を精密に保持できる。
ック樹脂或はガラス等の無機物質で基板に一体成形する
ことにより、光ファイバ、コリメータレンズ、干渉フィ
ルタ、プリズム、光カップラ、光合分波器等の光学部品
を高精度で位置決めできるので、光学部品の光学的位置
関係を精密に保持できる。
また、グラスチック樹脂で凹凸部を基板に型成形するこ
とにより段差ができるので、この凹凸部に高屈折率のガ
ラス等の無機物質でコアを形成して、前記コアを低屈折
率の材料で覆うことにより導波路を形成するとエツチン
グ工程を省略することができる。
とにより段差ができるので、この凹凸部に高屈折率のガ
ラス等の無機物質でコアを形成して、前記コアを低屈折
率の材料で覆うことにより導波路を形成するとエツチン
グ工程を省略することができる。
第１図〜第５図はこの発明の実施例を示し、第１図は本
発明のハイブリット集積回路の基板の第１の実施例を示
す斜視図、第２図は本発明のハイブリット集積回路の基
板の第２の実施例を示す斜視図、第３図（ａ）〜（ｆ）
は本発明のハイブリット集積回路の基板の他の６つの実
施例を示す斜視図、第４図及び第５図は本実施例に示す
ハイブリット基板に導波路を一体に形成する工程を示す
工程図、第６図（ａ）〜（ｅ）は従来例の工程を示す図
である。 １〜３・・・光導波路 ５〜９・・・保持ブロック
ｌＯ〜１２・・・光ファイバ ２０・・・光学膜付基板 ２Ｉ・・・ブロック２２・
・・光学膜 ３０．３１・・・保持ブロック４
０・・・基板
発明のハイブリット集積回路の基板の第１の実施例を示
す斜視図、第２図は本発明のハイブリット集積回路の基
板の第２の実施例を示す斜視図、第３図（ａ）〜（ｆ）
は本発明のハイブリット集積回路の基板の他の６つの実
施例を示す斜視図、第４図及び第５図は本実施例に示す
ハイブリット基板に導波路を一体に形成する工程を示す
工程図、第６図（ａ）〜（ｅ）は従来例の工程を示す図
である。 １〜３・・・光導波路 ５〜９・・・保持ブロック
ｌＯ〜１２・・・光ファイバ ２０・・・光学膜付基板 ２Ｉ・・・ブロック２２・
・・光学膜 ３０．３１・・・保持ブロック４
０・・・基板
Claims (4)
- （１）光ファイバ、光導波路、コリメータレンズ、干渉
フィルタ、プリズム、光カップラ、光合分波器等の光学
部品の光学関係を位置決する保持ブロックをプラスチッ
ク樹脂で一体に型成形したことを特徴とするハイブリッ
ト集積回路の基板。 - （２）前記保持ブロックを一体に成形したハイブリット
集積回路の基板はガラス等の無機物質で型成形したこと
を特徴とする請求項１記載のハイブリット集積回路の基
板。 - （３）前記保持ブロックを一体に成形したハイブリット
集積回路の基板に光導波路を形成する凹凸部を設け、そ
の凹凸部に高屈折率の無機材料によりコアを形成して前
記コアを低屈折率の材料で覆うことを特徴とする請求項
１記載のハイブリット集積回路の基板。 - （４）前記成形材料としてはポリイミド樹脂、ポリエー
テルサルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等の耐熱性
プラスチックであることを特徴とする請求項１又は３記
載のハイブリット集積回路の基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7745389A JPH02254404A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | ハイブリット集積回路の基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7745389A JPH02254404A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | ハイブリット集積回路の基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254404A true JPH02254404A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13634434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7745389A Pending JPH02254404A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | ハイブリット集積回路の基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254404A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11287926A (ja) * | 1997-03-13 | 1999-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子実装基板、該実装基板を用いた光モジュール、およびそれらの製造方法 |
| DE10132665C2 (de) * | 2001-07-05 | 2003-12-04 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Trägerkomponente für ein optisches Modul, und ein optisches Modul |
| WO2004059358A1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-15 | Microsolutions, Inc. | Optical device and method for fabricating the same |
| JP2009244337A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気光学モジュール製造方法及び電気光学モジュール |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7745389A patent/JPH02254404A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11287926A (ja) * | 1997-03-13 | 1999-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子実装基板、該実装基板を用いた光モジュール、およびそれらの製造方法 |
| DE10132665C2 (de) * | 2001-07-05 | 2003-12-04 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Trägerkomponente für ein optisches Modul, und ein optisches Modul |
| WO2004059358A1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-15 | Microsolutions, Inc. | Optical device and method for fabricating the same |
| JP2009244337A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気光学モジュール製造方法及び電気光学モジュール |
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