JPH02253202A - 光学膜 - Google Patents

光学膜

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Publication number
JPH02253202A
JPH02253202A JP1075988A JP7598889A JPH02253202A JP H02253202 A JPH02253202 A JP H02253202A JP 1075988 A JP1075988 A JP 1075988A JP 7598889 A JP7598889 A JP 7598889A JP H02253202 A JPH02253202 A JP H02253202A
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JP
Japan
Prior art keywords
optical film
film
aluminum oxide
refractive index
titanium oxide
Prior art date
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Pending
Application number
JP1075988A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Morishige
森茂 誠
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AGC Techno Glass Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Glass Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Glass Co Ltd filed Critical Toshiba Glass Co Ltd
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Publication of JPH02253202A publication Critical patent/JPH02253202A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は不均質性がなく、かつ適当に高い屈折率を有す
る光学膜を提供するものである。
(従来の技術) 従来から多層反射防止膜において、高屈折率物質として
酸化ジルコニウム(ZrO□)が幅広く使用されている
。しかしながら、酸化ジルコニウムは膜厚が厚くなるに
従って結晶性が進み(不均質性と称する。)、屈折率が
変化するという欠点を有する。このため第5図に示す3
M反射防止膜の場合理論的に得られる反射率曲線と実際
に真空蒸着法で得られた製品の反射率曲線とでは異なる
ことが多い。このことを第6図に示す。図は横軸に波長
をn11の単位でとり、縦軸に反射率を%の単位でとっ
たもので、実線は実際の製品の分光反射率曲線。
破線は理論的に計算した分光反射率曲線を示し、両回線
には大きな差がある。
このため、このような酸化ジルコニウムの不均質性をな
くすため、酸化ジルコニウムに酸化チタン(Tie、 
)を添加して酸化ジルコニウムの不均質性を除去する手
段が採用された。
(発明が解決しようとする課題) 上記酸化ジルコニウムに酸化チタンを添加してなる光学
膜は酸化ジルコニウムを主成分とするため、不均質性を
完全に除去することができず、未だ不満足なものであっ
た。
そこで、本発明の課題は不均質性がなくかつ適当に高い
屈折率を有する光学膜を提供することである。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明は基体上に酸化アルミニウム(AL Oa )が
15〜80重量%、残余が酸化チタン(TiOx )か
らなる薄膜を形成したことにより不均質性がなく、かつ
屈折率が適当に高い光学膜を提供するものである。
(作 用) 酸化チタンはたとえば酸素雰囲気中で蒸着することによ
り、不均質のない良好な光学膜が得られる。しかしなが
ら酸化チタンは屈折率nが2.35で酸化ジルコニウム
の屈折率nの2.05よりはるかに高く、通常、多層反
射防止膜など特殊な用途には不適当である。そこで、化
学的耐久性が優れ、不均質性がなく、屈折率nが1.6
0である酸化アルミニウムを適量添加して酸化ジルコニ
ウムと同程度の屈折率nを有し、不均質性のない光学膜
を得た。
(実施例) 以下1本発明の詳細を実施例によって説明する。
本発明者は真空蒸着法により、硬質ガラス製板状基体表
面に酸化チタンと酸化アルミニウムとを混合被着して両
酸化物の割合いが種々異なる多くの光学膜を形成し、膜
組成と屈折率との関係を調査した。まず、蒸着条件を次
に示す。
1、真空度  lXl0−’〜5X10−’Torr(
酸素導入)2、基板温度  250〜300℃ 3、蒸発源  電子ビーム 4、蒸発剤  両酸化物の混合物 このようにして得られた光学膜につき屈折率nを測定し
、この結果を第1図に示す。図は横軸に酸化チタンと酸
化アルミニウムとの合計を100とする酸化アルミニウ
ムの含有比を重量%でとり、縦軸に屈折率nをとったも
ので、曲線は関連を示す0図において、酸化アルミニウ
ムが15ないし80重量%の範囲において、含有比と屈
折率とが直線的に比例することが判明した。このことか
ら、酸化ジルコニウムと同じ屈折率2.05を得るには
酸化チタン62重量%、酸化アルミニウム38重量%の
含有比に構成すればよいことが解る。
つぎに、この含有比の酸化物を用い、第2図に示す3層
反射膜に構成した。このものは硬質ガラス板表面にガラ
ス板側から順に酸化アルミニウム膜、上述した酸化チタ
ン62重量%、酸化アルミニウム38重量%からなる光
学膜およびふっ化マグネシウム−を順に積層したもので
、第5図に示した従来の3層反射防止膜の酸化ジルコニ
ウム膜をそのまま上述の光学膜に置き換えたものである
。この第2図の3層反都防止膜の反射率特性を第3図に
示す0図は横軸に波長をn■の単位でとり、縦軸に反射
率Rを%の単位で取ったもので1曲線は分光反射率曲線
を示す、この第3図から本発明の光学膜を用いたものの
分光反射率特性は第6図に示した理論的な分光反射率特
性と極めて良く一致し区別が付は難いことが解る。この
ことはこの3層反射防止膜を構成する各膜、特に酸化チ
タンと酸化アルミニウムとからなる光学膜の不均質性が
なく、またこの光学膜の屈折率が酸化ジルコニウムの屈
折率に極めて近似していることを示している。
しかも、5回にわたり同じ膜構成で成膜し、同様にして
分光反射率特性を調査したところ、いずれも同じ特性を
得た。
つぎに、上記第21に示した3層反射防止膜において、
第1層である酸化アルミニウム膜の代りに酸化チタン2
0重量%、酸化アルミニウム80重量%からなる光学膜
に置き換えた。この第1層の光学膜の屈折率nを第1図
から引けば1.63となり、これは酸化アルミニウムの
屈折率1.60よりわずかに高い、そこで、この3層反
射防止膜の分光反射率特性を調査し、その結果を第4・
図に示した6図は横軸に波長をn論の単位でとり、縦軸
に反射率Rを%の単位でとったもので、曲線は分光反射
率曲線を示す、この第4図から解るように、第1層の酸
化アルミニウム膜を上述の酸化チタン20重量%、酸化
アルミニウム80重量%からなる光学膜に置換えたこと
により、第1層の屈折率nが向上して反射防止効果が改
善された。しかも、この第1層も不均質性がほとんどな
かった。
なお、上述の実施例においては酸化チタンと酸化アルミ
ニウムとを同時に真空蒸着して光学膜を形成したが1本
発明はこれに限らず他の製造方法、たとえば有機金属化
合物の塗布焼成方法や気相分解生長法などでもよい、ま
た、得られた本発明の光学膜の用途には限定がされない
〔発明の効果〕
このように1本発明の光学膜は基体上に酸化アルミニウ
ムが15〜80重量%で残余が酸化チタンからなる薄膜
を形成したので不均質性のほとんどない適当屈折率の光
学膜を形成でき、反射防止膜など多様な用途に適する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光学膜の一実施例の酸化アルミニウム
の含有量と屈折率nとの関係を示すグラフ、第2図は上
記実施例光学膜の適用例の模型的拡大断面図、第3図は
この適用例の分光反射率特性を示すグラフ、第4図は他
の適用例の分光反射率特性を示すグラフ、第5図は従来
の光学膜の一適用例の模型的拡大断面図、第6図は同じ
く分光反射率特性を示すグラフである。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 〒皮表 (nm) 第 図 7反問 (nm) 第 図 −A1203 言1比 (土量2) 波長 (tl m )

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基体上に酸化アルミニウムが15ないし80重量%で残
    余が酸化チタンからなる薄膜を形成したことを特徴とす
    る光学膜。
JP1075988A 1989-03-28 1989-03-28 光学膜 Pending JPH02253202A (ja)

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JP1075988A JPH02253202A (ja) 1989-03-28 1989-03-28 光学膜

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5626721B2 (ja) * 1973-03-05 1981-06-20
JPS6128027A (ja) * 1984-07-12 1986-02-07 Howa Mach Ltd 紡糸製造装置
JPS63162549A (ja) * 1986-12-26 1988-07-06 Central Glass Co Ltd 光学薄膜を形成したガラス

Patent Citations (3)

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