JPH02251703A - レーザ干渉計 - Google Patents
レーザ干渉計Info
- Publication number
- JPH02251703A JPH02251703A JP7416389A JP7416389A JPH02251703A JP H02251703 A JPH02251703 A JP H02251703A JP 7416389 A JP7416389 A JP 7416389A JP 7416389 A JP7416389 A JP 7416389A JP H02251703 A JPH02251703 A JP H02251703A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum chamber
- stage
- mirror
- auxiliary vacuum
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装置
におけるステージの移動量を測定するレーザ干渉計に関
する。
におけるステージの移動量を測定するレーザ干渉計に関
する。
(従来の技術)
電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装置では、高真
空に排気された描画室内に、被描画材料が載られる移動
ステージを設け、このステージを移動させながら材料全
面に渡っての描画を行っている。この種装置では、ステ
ージの移動を常にレーザ干渉計によって監視するように
している。第4図は、このようなレーザ干渉計を示して
おり、1は描画室2内の移動ステージである。ステージ
1上には、L字状のミラー3が固定されている。
空に排気された描画室内に、被描画材料が載られる移動
ステージを設け、このステージを移動させながら材料全
面に渡っての描画を行っている。この種装置では、ステ
ージの移動を常にレーザ干渉計によって監視するように
している。第4図は、このようなレーザ干渉計を示して
おり、1は描画室2内の移動ステージである。ステージ
1上には、L字状のミラー3が固定されている。
レーザ発振器4からのレーザ光は、ビームスプリッタ5
によってX方向用とY方向用の2つのビームに分けられ
る。
によってX方向用とY方向用の2つのビームに分けられ
る。
ビームスプリッタ5を通過して直進するレーザビームは
、ベンダー6によって曲げられ、透明窓7を透過して描
画室2内のY方向干渉計ユニット8に入る。このユニッ
ト8内でビームは2光束に分けられ、一方はユニット8
内の固定ミラーで反射され、他方はL字状の移動ミラー
3の第1の鏡面3aによって反射される。固定ミラーと
移動ミラーとで反射されたビームは干渉し、その干渉光
はレシーバ9によって検出される。
、ベンダー6によって曲げられ、透明窓7を透過して描
画室2内のY方向干渉計ユニット8に入る。このユニッ
ト8内でビームは2光束に分けられ、一方はユニット8
内の固定ミラーで反射され、他方はL字状の移動ミラー
3の第1の鏡面3aによって反射される。固定ミラーと
移動ミラーとで反射されたビームは干渉し、その干渉光
はレシーバ9によって検出される。
ビームスプリッタ5によって反射されたレーザビームは
、ベンダー10によって曲げられ、透明窓11を透過し
て描画室2内のX方向干渉計ユニット12に入る。この
ユニット12内でビームは2光束に分けられ、一方はユ
ニット12内の固定ミラーで反射され、他方はL字状の
移動ミラー3の第2の鏡面3bによって反射される。固
定ミラーと移動ミラーとで反射されたビームは干渉し、
その干渉光はレシーバ13によって検出される。
、ベンダー10によって曲げられ、透明窓11を透過し
て描画室2内のX方向干渉計ユニット12に入る。この
ユニット12内でビームは2光束に分けられ、一方はユ
ニット12内の固定ミラーで反射され、他方はL字状の
移動ミラー3の第2の鏡面3bによって反射される。固
定ミラーと移動ミラーとで反射されたビームは干渉し、
その干渉光はレシーバ13によって検出される。
このような構成で、ステージ1をx、Yの両方向に移動
させれば、その移動に伴ってミラー3も移動し、レシー
バ9.13によって検出される干渉光の強度が変化する
。この干渉光の強度変化によってステージ1の移動量が
測定される。
させれば、その移動に伴ってミラー3も移動し、レシー
バ9.13によって検出される干渉光の強度が変化する
。この干渉光の強度変化によってステージ1の移動量が
測定される。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装置
などの半導体素子加工分野では、材料が入れられる描画
室を通常高真空と呼ばれる10−6〜10−’torr
よりも更に真空度が高い1o−10torr以下の超高
真空としなければならない。このような高い到達真空度
を得るためには、初期の排気モードにおいて描画室壁や
内装部品の焼き出し処理が必須の要件となる。この加熱
温度は百数十度以上となるため、内装部品もこの熱に耐
え得る構造としなければならない。
などの半導体素子加工分野では、材料が入れられる描画
室を通常高真空と呼ばれる10−6〜10−’torr
よりも更に真空度が高い1o−10torr以下の超高
真空としなければならない。このような高い到達真空度
を得るためには、初期の排気モードにおいて描画室壁や
内装部品の焼き出し処理が必須の要件となる。この加熱
温度は百数十度以上となるため、内装部品もこの熱に耐
え得る構造としなければならない。
しかしながら、第3図に示したレーザ干渉計においては
、干渉計ユニット8.12が描画室2内にあり、このユ
ニットまで高温に加熱すると、ユニット内の内部構造の
劣化が生じてしまい、実際には、描画室内の焼き出し処
理が出来ず、結果として高い真空度を得ることが不可能
となる。
、干渉計ユニット8.12が描画室2内にあり、このユ
ニットまで高温に加熱すると、ユニット内の内部構造の
劣化が生じてしまい、実際には、描画室内の焼き出し処
理が出来ず、結果として高い真空度を得ることが不可能
となる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、描画室などの焼き出し処理が可能なレーザ干渉計
を実現するにある。
的は、描画室などの焼き出し処理が可能なレーザ干渉計
を実現するにある。
(課題を解決するための手段)
本発明に基づくレーザ干渉計は、高真空に排気された真
空室内で、移動するステージ上にレーザ干渉計の移動ミ
ラーを取付け、ステージの移動量を測定するようにした
レーザ干渉計において、ステージが配置される真空室と
は別の補助真空室を設け、補助真空室の内部に移動ミラ
ーからの測長光と、固定ミラーからの参照光とを干渉さ
せるレーザ干渉ユニットを配置すると共に、真空室と補
助真空室との間の接合を切離す機構を有していることを
特徴としている。
空室内で、移動するステージ上にレーザ干渉計の移動ミ
ラーを取付け、ステージの移動量を測定するようにした
レーザ干渉計において、ステージが配置される真空室と
は別の補助真空室を設け、補助真空室の内部に移動ミラ
ーからの測長光と、固定ミラーからの参照光とを干渉さ
せるレーザ干渉ユニットを配置すると共に、真空室と補
助真空室との間の接合を切離す機構を有していることを
特徴としている。
(作用)
レーザ干渉計の移動ミラーが取り付けられるステージが
配置される真空室とは別の補助真空室にレーザ光を干渉
させる干渉計ユニットを入れる。
配置される真空室とは別の補助真空室にレーザ光を干渉
させる干渉計ユニットを入れる。
真空室の焼き出し処理を行うときには、真空室と補助真
空室との間の接合部材を取り外すなどして、両者の接合
を切離し、真空室の熱が補助真空室に伝わらないように
して、干渉計ユニットが高温に加熱されることを防止す
る。
空室との間の接合部材を取り外すなどして、両者の接合
を切離し、真空室の熱が補助真空室に伝わらないように
して、干渉計ユニットが高温に加熱されることを防止す
る。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第1図は、本発明の一実施例であるレーザ干渉計を示
しており、21は描画室22内の移動ステージである。
。第1図は、本発明の一実施例であるレーザ干渉計を示
しており、21は描画室22内の移動ステージである。
ステージ21上には、L字状のミラー23が固定されて
いる。レーザ発振器24からのレーザ光は、ビームスブ
リ・ツタ25によってX方向用とY方向用の2つのビー
ムに分けられる。
いる。レーザ発振器24からのレーザ光は、ビームスブ
リ・ツタ25によってX方向用とY方向用の2つのビー
ムに分けられる。
ビームスプリッタ25を通過して直進するレーザビーム
は、透明窓26を透過して第1の補助真空室27内のY
方向干渉計ユニット28に入る。
は、透明窓26を透過して第1の補助真空室27内のY
方向干渉計ユニット28に入る。
このユニット28内でビームは2光束に分けられ、一方
はユニット28内の固定ミラーで反射され、他方はL字
状の移動ミラー23の第1の鏡面23aによって反射さ
れる。固定ミラーと移動ミラーとで反射されたビームは
干渉し、その干渉光はレシーバ29によって検出される
。
はユニット28内の固定ミラーで反射され、他方はL字
状の移動ミラー23の第1の鏡面23aによって反射さ
れる。固定ミラーと移動ミラーとで反射されたビームは
干渉し、その干渉光はレシーバ29によって検出される
。
ビームスプリッタ25によって反射されたレーザビーム
は、透明窓30を透過して第2の補助真空室31内のX
方向干渉計ユニット32に入る。
は、透明窓30を透過して第2の補助真空室31内のX
方向干渉計ユニット32に入る。
このユニット32内でビームは2光束に分けられ、一方
はユニット32内の固定ミラーで反射され、他方はL字
状の移動ミラー23の第2の鏡面23bによって反射さ
れる。固定ミラーと移動ミラーとで反射されたビームは
干渉し、その干渉光はしシー633によって検出される
。このような構成で、ステージ21をX、Yの両方向に
移動させれば、その移動に伴ってミラー23も移動し、
レシーバ29.33によって検出される干渉光の強度が
変化する。この干渉光の強度変化によってステージ21
の移動量が測定される。
はユニット32内の固定ミラーで反射され、他方はL字
状の移動ミラー23の第2の鏡面23bによって反射さ
れる。固定ミラーと移動ミラーとで反射されたビームは
干渉し、その干渉光はしシー633によって検出される
。このような構成で、ステージ21をX、Yの両方向に
移動させれば、その移動に伴ってミラー23も移動し、
レシーバ29.33によって検出される干渉光の強度が
変化する。この干渉光の強度変化によってステージ21
の移動量が測定される。
描画室22は、排気管34を介して高真空ポンプ35に
よって高真空に排気される。第1の補助真空室27と第
2の補助真空室31は、共通のロータリーポンプ等の補
助的真空ポンプ36によって排気される。描画室22に
は、Y方向の干渉計ユニット28からの光を通過させる
ための透明窓37が設けられ、又、X方向の干渉計ユニ
ット32からの光を通過させるための透明窓38が設け
られている。第1の補助真空室27と描画室22との間
には、スラド可能な円筒部材39が配置され、第2の補
助真空室31と描画室22との間には、スライド可能な
円筒部材40が配置されている。
よって高真空に排気される。第1の補助真空室27と第
2の補助真空室31は、共通のロータリーポンプ等の補
助的真空ポンプ36によって排気される。描画室22に
は、Y方向の干渉計ユニット28からの光を通過させる
ための透明窓37が設けられ、又、X方向の干渉計ユニ
ット32からの光を通過させるための透明窓38が設け
られている。第1の補助真空室27と描画室22との間
には、スラド可能な円筒部材39が配置され、第2の補
助真空室31と描画室22との間には、スライド可能な
円筒部材40が配置されている。
第2図は、第1の補助真空室27と描画室22との接合
部分を拡大した図であり、補助真空室27内と、補助真
空室27と透明窓37との間は、排気管41を介して排
気されている。円筒部材39は、この時、補助真空室2
7と描画室との間の光路の真空を維持するために用いら
れている。円筒部材39がスライドしないように、スト
ッパ42が真空室27の壁部と描画室側の壁部との間に
挿入されている。
部分を拡大した図であり、補助真空室27内と、補助真
空室27と透明窓37との間は、排気管41を介して排
気されている。円筒部材39は、この時、補助真空室2
7と描画室との間の光路の真空を維持するために用いら
れている。円筒部材39がスライドしないように、スト
ッパ42が真空室27の壁部と描画室側の壁部との間に
挿入されている。
次に、描画室22内を高い真空に排気するため、描画室
22内の焼き出し処理を行うときには、第2図における
ストッパ42が外され、第3図に示すように、円筒部材
39を補助真空室27側にスライドさせる。この結果、
補助真空室27内の真空は破れるものの、描画室側の高
い温度は、円筒部材39が描画室側の接合が外されてい
るために、補助真空室27側には伝わらず、干渉計ユニ
ット28の内部構造が熱によって劣化することは防止さ
れる。従って、描画室内の高い温度での焼き出し処理を
行うことができる。
22内の焼き出し処理を行うときには、第2図における
ストッパ42が外され、第3図に示すように、円筒部材
39を補助真空室27側にスライドさせる。この結果、
補助真空室27内の真空は破れるものの、描画室側の高
い温度は、円筒部材39が描画室側の接合が外されてい
るために、補助真空室27側には伝わらず、干渉計ユニ
ット28の内部構造が熱によって劣化することは防止さ
れる。従って、描画室内の高い温度での焼き出し処理を
行うことができる。
以上本発明を詳述したが、本発明は、上述した実施例に
限定されない。例えば、描画室を円筒状に形成したが、
箱型としても良い。又、スライド式の円筒部材によって
補助真空室と描画室との間の接合を切り離すようにした
が、必ずしもスライド式である必要はない。
限定されない。例えば、描画室を円筒状に形成したが、
箱型としても良い。又、スライド式の円筒部材によって
補助真空室と描画室との間の接合を切り離すようにした
が、必ずしもスライド式である必要はない。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、描画室の焼き出し処理を行
うときには、描画室と干渉計ユニットが入れられた真空
室との間の熱的接合を切り離すようにしたので、干渉計
ユニットが描画室の焼き出し処理の際に高い温度に加熱
されることは防止される。
うときには、描画室と干渉計ユニットが入れられた真空
室との間の熱的接合を切り離すようにしたので、干渉計
ユニットが描画室の焼き出し処理の際に高い温度に加熱
されることは防止される。
第1図は、本発明の一実施例を示す図、第2図および第
3図は、第1の補助真空室と描画室との接合部分を拡大
した図、第4図は、描画室内のステージの移動量を測定
するレーザ干渉計を説明するための図である。 1・・・ステージ 2・・・描画室3・・・ミラ
ー 4・・・レーザ発振器5・・・ビームスプ
リッタ 6.10・・・ベンダー 7.11・・・光透過窓8.
12・・・干渉計ユニット 9.13・・・レシーバ 21・・・ステージ 22・・・描画室23・・・
ミラー 24・・・レーザ発振器25・・・ビー
ムスプリッタ 26、38・・・透明窓 27.38・・・補助真空室 28.32・・・干渉計ユニット 29.33・・・レシーバ 35.36・・・真空ポンプ 39.40・・・円筒部材 42・・・ストッパ
3図は、第1の補助真空室と描画室との接合部分を拡大
した図、第4図は、描画室内のステージの移動量を測定
するレーザ干渉計を説明するための図である。 1・・・ステージ 2・・・描画室3・・・ミラ
ー 4・・・レーザ発振器5・・・ビームスプ
リッタ 6.10・・・ベンダー 7.11・・・光透過窓8.
12・・・干渉計ユニット 9.13・・・レシーバ 21・・・ステージ 22・・・描画室23・・・
ミラー 24・・・レーザ発振器25・・・ビー
ムスプリッタ 26、38・・・透明窓 27.38・・・補助真空室 28.32・・・干渉計ユニット 29.33・・・レシーバ 35.36・・・真空ポンプ 39.40・・・円筒部材 42・・・ストッパ
Claims (1)
- 高真空に排気された真空室内で、移動するステージ上に
レーザ干渉計の移動ミラーを取付け、ステージの移動量
を測定するようにしたレーザ干渉計において、ステージ
が配置される真空室とは別の補助真空室を設け、補助真
空室の内部に移動ミラーからの測長光と、固定ミラーか
らの参照光とを干渉させるレーザ干渉ユニットを配置す
ると共に、真空室と補助真空室との間の接合を切離す機
構を有していることを特徴とするレーザ干渉計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7416389A JPH02251703A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | レーザ干渉計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7416389A JPH02251703A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | レーザ干渉計 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02251703A true JPH02251703A (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=13539210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7416389A Pending JPH02251703A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | レーザ干渉計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02251703A (ja) |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7416389A patent/JPH02251703A/ja active Pending
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