JPH0225047A - 半導体装置の製造方法、それに用いるテープキャリアおよび搬送装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法、それに用いるテープキャリアおよび搬送装置Info
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- JPH0225047A JPH0225047A JP17271488A JP17271488A JPH0225047A JP H0225047 A JPH0225047 A JP H0225047A JP 17271488 A JP17271488 A JP 17271488A JP 17271488 A JP17271488 A JP 17271488A JP H0225047 A JPH0225047 A JP H0225047A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、テープ
キャリアに実装された半導体ペレットの集積回路素子の
静電破壊を防止する技術に関するものである。
キャリアに実装された半導体ペレットの集積回路素子の
静電破壊を防止する技術に関するものである。
テープキャリアについては、例えば、総研出版株式会社
、昭和60年6月1日発行、[超LSIテクノロジー1
P596〜P605に記載がある。
、昭和60年6月1日発行、[超LSIテクノロジー1
P596〜P605に記載がある。
ところで、テープキャリアを用いた半導体装置の搬送装
置には、例えば、インナーリードボンダがあり、その搬
送方法は、次の通りである。
置には、例えば、インナーリードボンダがあり、その搬
送方法は、次の通りである。
まず、インナーリードボンダのテープ送り部の送り爪部
に、テープキャリアの送り孔を嵌合させる。この状態で
、テープ送り部を所定のピッチ数だけ回転させ、テープ
キャリアを移動させ、同時に、テープキャリアのリード
と、半導体ペレットのバンプ電極との位置決めを行う。
に、テープキャリアの送り孔を嵌合させる。この状態で
、テープ送り部を所定のピッチ数だけ回転させ、テープ
キャリアを移動させ、同時に、テープキャリアのリード
と、半導体ペレットのバンプ電極との位置決めを行う。
そして、正確に位置決めされた状態で、テープキャリア
と半導体ペレットとを、インナーリードボンダのボンデ
ィングツールで、ギヤングボンディングする。
と半導体ペレットとを、インナーリードボンダのボンデ
ィングツールで、ギヤングボンディングする。
ボンディングが完了したテープキャリアは、収納側リー
ルに巻き取られ、次の組立工程へ搬送される。
ルに巻き取られ、次の組立工程へ搬送される。
ところが、テープキャリアを構成するテープ本体は、ポ
リイミド樹脂や、BTレジン、エポキシ系樹脂などの絶
縁材料で構成されている。このため、テープ本体は、例
えばインナーリードボンダのテープ送り部とテープ本体
の送り孔との接触、摩擦などで発生した静電気により帯
電し易く、この静電気により、テープキャリアに実装さ
れた半導体ペレットの集積回路素子が、破壊されてしま
うといった問題点があった。
リイミド樹脂や、BTレジン、エポキシ系樹脂などの絶
縁材料で構成されている。このため、テープ本体は、例
えばインナーリードボンダのテープ送り部とテープ本体
の送り孔との接触、摩擦などで発生した静電気により帯
電し易く、この静電気により、テープキャリアに実装さ
れた半導体ペレットの集積回路素子が、破壊されてしま
うといった問題点があった。
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、そ
の目的は、テープキャリアの帯電による集積回路素子の
静電破壊を防止することのできる技術を提供することに
ある。
の目的は、テープキャリアの帯電による集積回路素子の
静電破壊を防止することのできる技術を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、明
細書の記載および添付図面から明らかになるであろう。
細書の記載および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、半導体ペレットを実装するテープキャリアの
送り孔に沿って導電性パターンを設け、テープキャリア
を搬送する搬送装置のテープ送り部を導電性材料から構
成するとともに接地と接続し、テープキャリアに帯電し
た静電気を導電性バクーンからテープ送り部を経て、搬
送装置の接地へ放電させる方法である。
送り孔に沿って導電性パターンを設け、テープキャリア
を搬送する搬送装置のテープ送り部を導電性材料から構
成するとともに接地と接続し、テープキャリアに帯電し
た静電気を導電性バクーンからテープ送り部を経て、搬
送装置の接地へ放電させる方法である。
上記した手段によれば、テープキャリアに帯電した静電
気による過大電圧(電流)が、半導体ペレットの集積回
路素子に加わらないため、集積回路素子の破壊を防ぐこ
とができる。
気による過大電圧(電流)が、半導体ペレットの集積回
路素子に加わらないため、集積回路素子の破壊を防ぐこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
において用いるテープキャリアの概略部分平面図、第2
図はこのテープキャリアを搬送する搬送装置の概略正面
図である。
において用いるテープキャリアの概略部分平面図、第2
図はこのテープキャリアを搬送する搬送装置の概略正面
図である。
まず、本実施例で用いるテープキャリアの構成を第1図
により説明する。
により説明する。
テープキャリア1を構成するテープ本体2は、絶縁材料
、例えば、ポリイミド樹脂からなる。テープ本体2の中
央部には、四角形状のデバイス孔3がテープ本体2の長
手方向に沿って一定の間隔をおいて穿孔されている。
、例えば、ポリイミド樹脂からなる。テープ本体2の中
央部には、四角形状のデバイス孔3がテープ本体2の長
手方向に沿って一定の間隔をおいて穿孔されている。
デバイス孔3には、複数のリード5の一端部が所定の間
隔をおいて形成されている。リード5は、テープ本体2
に接着剤によって銅箔を接着した後、これをフォトレジ
スト技術、エツチング技術を用いてパターン形成して得
られ、その表面には、例えば、金(Au)、あるいはス
ズ(Sn)メツキが施されている。
隔をおいて形成されている。リード5は、テープ本体2
に接着剤によって銅箔を接着した後、これをフォトレジ
スト技術、エツチング技術を用いてパターン形成して得
られ、その表面には、例えば、金(Au)、あるいはス
ズ(Sn)メツキが施されている。
テープ本体20両側端近傍には、送り孔である四角形状
のパーフォレーション孔4,4が、テープ本体2の長手
方向に沿って一定の間隔をおいて穿孔されている。
のパーフォレーション孔4,4が、テープ本体2の長手
方向に沿って一定の間隔をおいて穿孔されている。
そして、パーフォレーション孔4,4に沿ってテープ本
体2上には、導電性パターン6.6が、帯状に形成され
ている。
体2上には、導電性パターン6.6が、帯状に形成され
ている。
導電性パターン6.6は、リード5のパターン形成と同
時に形成され、導電性パターン6.6において、テープ
本体2のパーフォレーション孔4゜4の部分は、フォト
レジスト技術、エツチング技術によって、穿孔されてい
る。
時に形成され、導電性パターン6.6において、テープ
本体2のパーフォレーション孔4゜4の部分は、フォト
レジスト技術、エツチング技術によって、穿孔されてい
る。
次に、本実施例で用いるインナーリードボンダの構成を
第2図により説明する。
第2図により説明する。
インナーリードボンダ7の組立本体8の上には、水平面
内で回転自在な回転テーブル9が設置されている。
内で回転自在な回転テーブル9が設置されている。
回転テーブル9の上には、ボンディングステージ10が
設置されており、その上面には、例えば、MO3形トラ
ンジスタ等の集積回路素子を形成した半導体ペレット1
1が、バンプ電極形成面を上に向け、真空吸着で保持さ
れている。
設置されており、その上面には、例えば、MO3形トラ
ンジスタ等の集積回路素子を形成した半導体ペレット1
1が、バンプ電極形成面を上に向け、真空吸着で保持さ
れている。
半導体ペレット11の直上部には、ボンディングツール
12が図示しない昇降アームを介して昇降可能に対向配
置され、その先端がボンディングステージ10に対して
平行となるよう、上記昇降アームに固着されている。
12が図示しない昇降アームを介して昇降可能に対向配
置され、その先端がボンディングステージ10に対して
平行となるよう、上記昇降アームに固着されている。
ボンディングツール12は、パルス電流による抵抗加熱
方式と、コンスタントヒート方式とが選択可能であり、
また、ボンディング時のボンディング加圧力は、図示し
ないばねとエアー圧力との併用機構により可変設定でき
るようになっている。
方式と、コンスタントヒート方式とが選択可能であり、
また、ボンディング時のボンディング加圧力は、図示し
ないばねとエアー圧力との併用機構により可変設定でき
るようになっている。
ボンディングツール12と、ボンディングステージ10
との間には、保持具13がテープキャリア1を保持可能
なように設胃されている。
との間には、保持具13がテープキャリア1を保持可能
なように設胃されている。
また、第2図で示すように、ボンディングツール12の
左右両側には、テープ送り部であるスプロケットホイー
ル14.14が配置されている。
左右両側には、テープ送り部であるスプロケットホイー
ル14.14が配置されている。
スプロケットホイール14.14は、それぞれ図示しな
いステッピングモータと接続されており、このステッピ
ングモータによって、設定されたピッチ数だけ回転でき
るようになっている。
いステッピングモータと接続されており、このステッピ
ングモータによって、設定されたピッチ数だけ回転でき
るようになっている。
また、スプロケットホイール14.14は、導電性の金
属などからなり、インナーリードボンダ7の接地15と
電気的に接続(図示せず)している。
属などからなり、インナーリードボンダ7の接地15と
電気的に接続(図示せず)している。
そして、スプロケットホイール14.14の外周には、
回転時にテープキャリア1のパーフォレーション孔4,
4が嵌合されるように一定の間隔をおいて、送り爪部1
4aが複数突設されている。
回転時にテープキャリア1のパーフォレーション孔4,
4が嵌合されるように一定の間隔をおいて、送り爪部1
4aが複数突設されている。
第2図に示すように、ボンディングツール12の左右斜
め上方には、それぞれ環状の供給側IJ−ル16と、収
納側リール17とが配置されている。
め上方には、それぞれ環状の供給側IJ−ル16と、収
納側リール17とが配置されている。
供給側リール16には、半導体ペレット11をボンディ
ングする前のテープキャリア1が、リード5を保護する
保護用テープ18と共に巻き取られている。
ングする前のテープキャリア1が、リード5を保護する
保護用テープ18と共に巻き取られている。
また、収納側リール17には、半導体ペレット11を実
装したテープキャリア1が、上記保護用テープ18と共
に巻き取られるようになっている。
装したテープキャリア1が、上記保護用テープ18と共
に巻き取られるようになっている。
次に、このインナーリードボンダの作用を説明する。
まず、スプロケットホイール14.14の送り爪部14
a、14aに、パーフォレーション孔4゜4を嵌合させ
た状態で、設定されたピッチ数だけスプロケットホイー
ル14.14をステッピングモータにより回転させる。
a、14aに、パーフォレーション孔4゜4を嵌合させ
た状態で、設定されたピッチ数だけスプロケットホイー
ル14.14をステッピングモータにより回転させる。
この回転により、供給側リール16のテープキャリア1
は、プーリ19a、19aを介してボンディングステー
ジ10へ送られると同時に、テープキャリア1のリード
5と、半導体ペレット11のバンブ電極との位置決めが
行われる。
は、プーリ19a、19aを介してボンディングステー
ジ10へ送られると同時に、テープキャリア1のリード
5と、半導体ペレット11のバンブ電極との位置決めが
行われる。
この際、スプロケットホイール14.14とテープキャ
リア1との接触、摩擦により静電気が発生するが、この
静電気は、テープキャリア1に形成された導電性パター
ン6.6から、スプロケットホイール]、4.14を経
て、インナーリードボンダ7の接地15へ放電される。
リア1との接触、摩擦により静電気が発生するが、この
静電気は、テープキャリア1に形成された導電性パター
ン6.6から、スプロケットホイール]、4.14を経
て、インナーリードボンダ7の接地15へ放電される。
次に、位置合わせが正確になされた状態で、ボンディン
グツール12を下降し、所定の温度、圧力を加え、半導
体ペレット11とリード5とのボンディングを行い、テ
ープキャリア1に半導体ペレット11を実装する。
グツール12を下降し、所定の温度、圧力を加え、半導
体ペレット11とリード5とのボンディングを行い、テ
ープキャリア1に半導体ペレット11を実装する。
半導体ペレット11を実装したテープキャリア1は、プ
ーリ19b、19bを介して収納側り一ル17へ送られ
、供給側リール16からプーリ19C,19Gを介して
直接送られたきた保護用テープ18と共に巻き取られる
。
ーリ19b、19bを介して収納側り一ル17へ送られ
、供給側リール16からプーリ19C,19Gを介して
直接送られたきた保護用テープ18と共に巻き取られる
。
収納側リール17に巻き取られたテープキャリア1は、
その後、テープ状態のままポツティング、外観検査、パ
ンチング等がなされ、さらに、アウターボンダにより、
テープキャリア1のアウターリードと、所定の基板、あ
るいはパッケージの電極との接合がなされ、半導体装置
が完成する。
その後、テープ状態のままポツティング、外観検査、パ
ンチング等がなされ、さらに、アウターボンダにより、
テープキャリア1のアウターリードと、所定の基板、あ
るいはパッケージの電極との接合がなされ、半導体装置
が完成する。
このように本実施例によれば、テープキャリア1に帯電
した静電気は、導電性パターン6.6からスプロケット
ホイール14.14を経て接地15へ放電されるため、
半導体ベレッ)11の集積回路素子の静電破壊が確実に
防止される。
した静電気は、導電性パターン6.6からスプロケット
ホイール14.14を経て接地15へ放電されるため、
半導体ベレッ)11の集積回路素子の静電破壊が確実に
防止される。
また、インナーリードボンディング工程後の半導体装置
の組立工程においても、テープキャリア1に帯電する静
電気は、導電性パターン6.6から各工程で用いられる
搬送装置のテープ送り部を経て除去されるため、集積回
路素子の静電破壊が防止され、信頼性の高い半導体装置
が製造される。
の組立工程においても、テープキャリア1に帯電する静
電気は、導電性パターン6.6から各工程で用いられる
搬送装置のテープ送り部を経て除去されるため、集積回
路素子の静電破壊が防止され、信頼性の高い半導体装置
が製造される。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施例では、テープ本体が、ポリイミド樹
脂からなる場合について説明したが、これに限定される
ものではなく種々適用可能であり、エポキシ系樹脂、B
Tレジンなどの絶縁材料で構成されている場合でもよい
。
脂からなる場合について説明したが、これに限定される
ものではなく種々適用可能であり、エポキシ系樹脂、B
Tレジンなどの絶縁材料で構成されている場合でもよい
。
また、導電性パターンは、少なくともテープ送り部と接
触されればよく、帯状に限定されるものではない。
触されればよく、帯状に限定されるものではない。
また、集積回路素子は、MO3形トランジスタに限定さ
れるものではなく種々変更可能である。
れるものではなく種々変更可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるインナーリードボン
ディング工程に適用した場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく種々適用可能であり、例えば
、アウターリードボンディング工程などに適用してもよ
い。この場合も、テープキャリアに導電性パターンが形
成されているため、テープキャリアの搬送に際し発生す
る静電気が、確実に除去される。
をその背景となった利用分野であるインナーリードボン
ディング工程に適用した場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく種々適用可能であり、例えば
、アウターリードボンディング工程などに適用してもよ
い。この場合も、テープキャリアに導電性パターンが形
成されているため、テープキャリアの搬送に際し発生す
る静電気が、確実に除去される。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、半導体ベレットを実装する絶縁性テープキャ
リアの送り孔に沿って導電性パターンを設け、搬送装置
のテープ送り部を導電材料で構成するとともに接地に接
続し、テープキャリアに帯電する静電気を、前記導電性
パターンからテープ送り部を経て、前記搬送装置の接地
へ放電させることにより、テープキャリアに実装された
半導体ベレットの集積回路素子に静電気による過大電圧
(電流)が加わらないため、集積回路素子の静電破壊が
確実に防止される。
リアの送り孔に沿って導電性パターンを設け、搬送装置
のテープ送り部を導電材料で構成するとともに接地に接
続し、テープキャリアに帯電する静電気を、前記導電性
パターンからテープ送り部を経て、前記搬送装置の接地
へ放電させることにより、テープキャリアに実装された
半導体ベレットの集積回路素子に静電気による過大電圧
(電流)が加わらないため、集積回路素子の静電破壊が
確実に防止される。
第1図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
において用いるテープキャリアの概略部分平面図、 第2図はこのテープキャリアを搬送する搬送装置の概略
正面図である。 1・・・テープキャリア、2・・・テープ本体、3・・
・ダハイス孔、4・・・パーフォレーション孔(送り孔
)、5・・・リード、6・・・導電性パターン、7・・
・インナーリードボンダ、8・・・組立本体、9・・・
回転テーブル、10・・・ボンディングステージ、11
・・・半導体ベレット、12・・・ボンディングツール
、13・・・保持具、14・・・スプロケットホイール
(テープ送り部)、14a・・・送り爪部、15・・・
接地、16・・・供給側リール、17・・・収納側リー
ル、18・・・保護用テープ、19a〜]、9C・・・
プーリ。 1:テープキャリア 4:パーフォレーション孔(送り孔) 6:導電性パターン
において用いるテープキャリアの概略部分平面図、 第2図はこのテープキャリアを搬送する搬送装置の概略
正面図である。 1・・・テープキャリア、2・・・テープ本体、3・・
・ダハイス孔、4・・・パーフォレーション孔(送り孔
)、5・・・リード、6・・・導電性パターン、7・・
・インナーリードボンダ、8・・・組立本体、9・・・
回転テーブル、10・・・ボンディングステージ、11
・・・半導体ベレット、12・・・ボンディングツール
、13・・・保持具、14・・・スプロケットホイール
(テープ送り部)、14a・・・送り爪部、15・・・
接地、16・・・供給側リール、17・・・収納側リー
ル、18・・・保護用テープ、19a〜]、9C・・・
プーリ。 1:テープキャリア 4:パーフォレーション孔(送り孔) 6:導電性パターン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体ペレットを実装する絶縁性テープキャリアの
送り孔に沿って導電性パターンを設け、前記テープキャ
リアを搬送する搬送装置のテープ送り部を導電性材料で
構成するとともに接地に接続し、前記テープキャリアに
帯電した静電気を、前記導電性パターンから前記搬送装
置の前記テープ送り部を経て、前記搬送装置の接地へ放
電させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 2、テープ本体の送り孔に沿って、導電性パターンを形
成したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製
造方法に用いるテープキャリア。 3、テープキャリアを搬送するテープ送り部が導電性材
料からなり、かつ、接地と接続されていることを特徴と
する請求項1記載の半導体装置の製造方法に用いる搬送
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17271488A JPH0225047A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体装置の製造方法、それに用いるテープキャリアおよび搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17271488A JPH0225047A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体装置の製造方法、それに用いるテープキャリアおよび搬送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0225047A true JPH0225047A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15946971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17271488A Pending JPH0225047A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体装置の製造方法、それに用いるテープキャリアおよび搬送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0225047A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0495282A2 (en) * | 1991-01-17 | 1992-07-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Film carrier tape for TAB |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP17271488A patent/JPH0225047A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0495282A2 (en) * | 1991-01-17 | 1992-07-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Film carrier tape for TAB |
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