JPH0224941A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0224941A JPH0224941A JP17616088A JP17616088A JPH0224941A JP H0224941 A JPH0224941 A JP H0224941A JP 17616088 A JP17616088 A JP 17616088A JP 17616088 A JP17616088 A JP 17616088A JP H0224941 A JPH0224941 A JP H0224941A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、イオン注入装置に関する。
(従来の技術)
一般にイオン注入装置は、例えば半導体ウェハ等に不純
物をドーピングする装置として広く使用されており、そ
のイオン源として、ガスあるいは固体イオン種を用いて
いる。
物をドーピングする装置として広く使用されており、そ
のイオン源として、ガスあるいは固体イオン種を用いて
いる。
このようなイオン注入装置のうち、固体イオン種を用い
るイオン注入装置では、この固体イオン種を加熱して、
昇華あるいは蒸発させてガス化するためのガス発生機構
が配置されている。
るイオン注入装置では、この固体イオン種を加熱して、
昇華あるいは蒸発させてガス化するためのガス発生機構
が配置されている。
従来のイオン注入装置では、上記ガス発生機構は、例え
ば次のように構成されている。すなわち、第7図に示す
ように、真空チャンバ1の開口2を閉塞する如く外部か
ら挿入固定されたガス発生機構3は、例えば耐熱性のス
テンレス等から棒状に形成された基体4と、この基体4
の端部に設けられ、開口2を閉塞する如く真空チャンバ
1壁に固定される固定用板5および基体4の周囲に巻回
されたヒータ6とを備えており、基体4の先端部には、
固体イオン種を収容するためのイオン種収容孔7が穿設
されている。
ば次のように構成されている。すなわち、第7図に示す
ように、真空チャンバ1の開口2を閉塞する如く外部か
ら挿入固定されたガス発生機構3は、例えば耐熱性のス
テンレス等から棒状に形成された基体4と、この基体4
の端部に設けられ、開口2を閉塞する如く真空チャンバ
1壁に固定される固定用板5および基体4の周囲に巻回
されたヒータ6とを備えており、基体4の先端部には、
固体イオン種を収容するためのイオン種収容孔7が穿設
されている。
また、イオン種収容孔7の先端には、例えば螺子等によ
り、着脱自在にノズル8が設けられており、このノズル
8を取り外してイオン種収容孔7内に粒径例えば数ミリ
程度のリン、ヒ素アンチモン等の固体イオン種を充填可
能に構成されている。
り、着脱自在にノズル8が設けられており、このノズル
8を取り外してイオン種収容孔7内に粒径例えば数ミリ
程度のリン、ヒ素アンチモン等の固体イオン種を充填可
能に構成されている。
そして、ヒータ6に通電することにより、固体イオン種
を加熱し、ガスを発生させ、このガスをノズル8によっ
て図示しないイオン生成室内に導入し、例えば直流電圧
を印加すること等によりイオンを発生させる。
を加熱し、ガスを発生させ、このガスをノズル8によっ
て図示しないイオン生成室内に導入し、例えば直流電圧
を印加すること等によりイオンを発生させる。
なお、上述のようにガス発生機構3のヒータ6は、真空
チャンバ1内に設けられるため、空気を介しての熱伝導
が生じない、そこで、ヒータ6で発生した熱が効率良く
基体4に伝わるように、ヒータ6は、例えばロー付は等
により基体4に溶接されている。
チャンバ1内に設けられるため、空気を介しての熱伝導
が生じない、そこで、ヒータ6で発生した熱が効率良く
基体4に伝わるように、ヒータ6は、例えばロー付は等
により基体4に溶接されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記説明の従来のイオン注入装置では、
例えば固体イオン種を加熱するためのヒータが断線した
ような場合、ガス発生機構を真空チャンバから取り外し
、基体に溶接されたヒタを取り外して交換しなければな
らず、多大な労力と時間とを要するという問題がある。
例えば固体イオン種を加熱するためのヒータが断線した
ような場合、ガス発生機構を真空チャンバから取り外し
、基体に溶接されたヒタを取り外して交換しなければな
らず、多大な労力と時間とを要するという問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて容易にメンテナンスを行うことのできる
イオン注入装置を提供しようとするものである。
、従来に較べて容易にメンテナンスを行うことのできる
イオン注入装置を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明は、固体イオン種を加熱して発生するガ
スをイオン化しイオン注入するイオン注入装置において
、前記ガス発生機構は、前記真空容器壁に固定され該前
記真空容器内に突出する如く設けられる棒状の基体と、
この基体内に内蔵され前記真空容器外側から着脱自在と
された棒状のヒータとを有することを特徴とする。
スをイオン化しイオン注入するイオン注入装置において
、前記ガス発生機構は、前記真空容器壁に固定され該前
記真空容器内に突出する如く設けられる棒状の基体と、
この基体内に内蔵され前記真空容器外側から着脱自在と
された棒状のヒータとを有することを特徴とする。
(作 用)
本発明のイオン注入装置では、真空容器内で固体イオン
種を加熱し、ガスを発生させるガス発生機構のヒータが
、基体内に内蔵された棒状のヒータとされ、真空容器外
側から着脱自在とさている。
種を加熱し、ガスを発生させるガス発生機構のヒータが
、基体内に内蔵された棒状のヒータとされ、真空容器外
側から着脱自在とさている。
したがって、例えばヒータ交換等のメンテナンスを従来
に較べて容易に行うことができる。
に較べて容易に行うことができる。
(実施例)
以下、本発明のイオン注入装置を図面を参照して一実施
例について説明する。
例について説明する。
真空チャンバ11には、開口12が形成されており、こ
の開口12を閉塞する如く外部からガス発生機構13が
挿入固定されている。
の開口12を閉塞する如く外部からガス発生機構13が
挿入固定されている。
すなわち、ガス発生機構13の端部には、第2図にも示
すように材質例えばステンレスのほぼ矩形の固定用板1
4が設けられており、この固定用板14には、真空チャ
ンバ11と当接され気密性を確保するためのOリング1
5が配置されている。
すように材質例えばステンレスのほぼ矩形の固定用板1
4が設けられており、この固定用板14には、真空チャ
ンバ11と当接され気密性を確保するためのOリング1
5が配置されている。
そして、この固定用板14を真空チャンバ11に例えば
螺子等で固定することにより、開口12が気密的に閉塞
され、真空チャンバ11内にガス発生機構13が突出す
る如く設けられる。
螺子等で固定することにより、開口12が気密的に閉塞
され、真空チャンバ11内にガス発生機構13が突出す
る如く設けられる。
また、固定用板14には、材質例えば耐熱性ステンレス
から棒状に構成された基体16がその一端を固定されて
おり、第2図にも示すように、この基体16には、固定
用板14側から長手方向に沿って4つのヒータ挿入孔1
7が穿設され、これらのヒータ挿入孔17には、それぞ
れ棒状に構成されたヒータ18が挿入されている。なお
、これらのヒータ18は、先端から前半部が発熱部18
aとされており、後半部は支持部(非発熱部)18bと
されている。さらに、これらのヒータ挿入孔17の間に
は、温度検出器挿入孔19および3つの冷却気体導入孔
20が穿設されている。そして、第3図および第4図に
示すように、温度検出器挿入孔19には、温度検出器と
して例えば熱雷対21が挿入され、冷却気体導入孔20
には、冷却用気体例えば空気を送出するための配管22
が挿入されている。なお、熱雷対21は、基体16内ら
温度を検出してヒータ16の通電量を調節し、温度制御
を行うためのものであり、配管22は、例えばメンテナ
ンス時等に急速に冷却を行うためのものである。
から棒状に構成された基体16がその一端を固定されて
おり、第2図にも示すように、この基体16には、固定
用板14側から長手方向に沿って4つのヒータ挿入孔1
7が穿設され、これらのヒータ挿入孔17には、それぞ
れ棒状に構成されたヒータ18が挿入されている。なお
、これらのヒータ18は、先端から前半部が発熱部18
aとされており、後半部は支持部(非発熱部)18bと
されている。さらに、これらのヒータ挿入孔17の間に
は、温度検出器挿入孔19および3つの冷却気体導入孔
20が穿設されている。そして、第3図および第4図に
示すように、温度検出器挿入孔19には、温度検出器と
して例えば熱雷対21が挿入され、冷却気体導入孔20
には、冷却用気体例えば空気を送出するための配管22
が挿入されている。なお、熱雷対21は、基体16内ら
温度を検出してヒータ16の通電量を調節し、温度制御
を行うためのものであり、配管22は、例えばメンテナ
ンス時等に急速に冷却を行うためのものである。
一方、上記基体16の先端側には、固体イオン柾カート
リッジ23の外形に合せて、この固体イオン種カートリ
ッジ23を収容するためのカートリッジ収容孔24が穿
設されている。また、基体16の先端部には、この固体
イオン種カートリソジ23を係止するための機構として
、例えばL字状の切り欠き部25が2つ設けられている
。
リッジ23の外形に合せて、この固体イオン種カートリ
ッジ23を収容するためのカートリッジ収容孔24が穿
設されている。また、基体16の先端部には、この固体
イオン種カートリソジ23を係止するための機構として
、例えばL字状の切り欠き部25が2つ設けられている
。
上記固体イオン種カートリッジ23は、第5図に示すよ
うに、材質例えばステンレスにより円柱状に形成されて
おり、内部に例えばリン、ヒ素、アンチモン等の固体イ
オン種を収容するイオン種収容室60が設けられている
。このイオン種収容室60の一端には開口61が形成さ
れており、この開口61には、例えば螺子等により、着
脱自在に一端にフランジ部62を有するノズル63が設
けられている。また、開口61の反対側には、伝熱棒6
4が設けられており、イオン種収容室60の外側部分に
は、開口61側が大径となる如く段差部65が設けられ
、この段差部65には、L字状の爪66が設けられてい
る。
うに、材質例えばステンレスにより円柱状に形成されて
おり、内部に例えばリン、ヒ素、アンチモン等の固体イ
オン種を収容するイオン種収容室60が設けられている
。このイオン種収容室60の一端には開口61が形成さ
れており、この開口61には、例えば螺子等により、着
脱自在に一端にフランジ部62を有するノズル63が設
けられている。また、開口61の反対側には、伝熱棒6
4が設けられており、イオン種収容室60の外側部分に
は、開口61側が大径となる如く段差部65が設けられ
、この段差部65には、L字状の爪66が設けられてい
る。
したがって、基体16に設けられたカートリッジ収容孔
24は、小径となってヒータ18間の部位まで延在して
おり、ここに固体イオン種カートリッジ23の伝熱棒6
4が挿入され、ヒータ18により固体イオン種を効率良
く加熱することができるよう構成されている。
24は、小径となってヒータ18間の部位まで延在して
おり、ここに固体イオン種カートリッジ23の伝熱棒6
4が挿入され、ヒータ18により固体イオン種を効率良
く加熱することができるよう構成されている。
そして、基体16のカートリッジ収容孔24に上記固体
イオン種カートリッジ23を挿入し、基体16のL字状
の切り欠き部25にイオン種カートリッジ23の爪66
を係止させ、このイオン種カートリッジ23の先端にセ
ットナツト26および例えば4枚の皿ばね27を配置し
て、第6図に示すように、円筒状の熱反射カバー28を
被せ、この熱反射カバー28に設けられたL字状の切り
欠き部29と、基体16に設けられた突起30とを係止
させ、固定する。すなわち、固体イオン種カートリッジ
23は、皿ばね27によって基体16に押圧された状態
で固定され、基体16からの熱が固体イオン種カートリ
ッジ23に効率良く伝わるよう構成されている。また、
上記熱反射カバー28は、基体16から輻射によって放
射される熱を反射して基体16に戻し、熱効率を高める
ためのものである。
イオン種カートリッジ23を挿入し、基体16のL字状
の切り欠き部25にイオン種カートリッジ23の爪66
を係止させ、このイオン種カートリッジ23の先端にセ
ットナツト26および例えば4枚の皿ばね27を配置し
て、第6図に示すように、円筒状の熱反射カバー28を
被せ、この熱反射カバー28に設けられたL字状の切り
欠き部29と、基体16に設けられた突起30とを係止
させ、固定する。すなわち、固体イオン種カートリッジ
23は、皿ばね27によって基体16に押圧された状態
で固定され、基体16からの熱が固体イオン種カートリ
ッジ23に効率良く伝わるよう構成されている。また、
上記熱反射カバー28は、基体16から輻射によって放
射される熱を反射して基体16に戻し、熱効率を高める
ためのものである。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置では、固体イオ
ン種カートリッジ23の、イオン種収容室60に固体イ
オン種、例えば粒径数ミリのヒ素等を例えば数十グラム
程度配置し、ガス発生機構13を上述の如く組み立てて
、真空チャンバ11に配置する。そして、ヒータ18に
通電することにより固体イオン種を加熱し、ガスを発生
させる。
ン種カートリッジ23の、イオン種収容室60に固体イ
オン種、例えば粒径数ミリのヒ素等を例えば数十グラム
程度配置し、ガス発生機構13を上述の如く組み立てて
、真空チャンバ11に配置する。そして、ヒータ18に
通電することにより固体イオン種を加熱し、ガスを発生
させる。
このガスは、イオン種収容室60内からノズル63を通
り、例えば直流電圧の印加によりイオンを発生させる図
示しないイオン生成室に流入し、イオン化される。この
イオンは、イオン生成室内から電気的に引き出され、質
量分析マグネット、加速管、静電レンズ等によって所望
の電子ビームとされ、偏向電極等によって走査されて例
えば半導体ウェハ等に走査照射される。
り、例えば直流電圧の印加によりイオンを発生させる図
示しないイオン生成室に流入し、イオン化される。この
イオンは、イオン生成室内から電気的に引き出され、質
量分析マグネット、加速管、静電レンズ等によって所望
の電子ビームとされ、偏向電極等によって走査されて例
えば半導体ウェハ等に走査照射される。
すなわち、この実施例では、ガス発生機構13のヒータ
18が、基体16内に内蔵されており、このヒータ18
と基体16との熱伝達は、常圧雰囲気下で行なわれる。
18が、基体16内に内蔵されており、このヒータ18
と基体16との熱伝達は、常圧雰囲気下で行なわれる。
したがって、効率的に固体イオン種を加熱することがで
きるとともに、例えばヒータ18の交換等のメンテナン
スは、ヒータがロウ付は等されていないため、簡単に短
時間で行うことができる。したがって、装置の稼働率を
向上させることができ、生産性の向上を図ることができ
る。
きるとともに、例えばヒータ18の交換等のメンテナン
スは、ヒータがロウ付は等されていないため、簡単に短
時間で行うことができる。したがって、装置の稼働率を
向上させることができ、生産性の向上を図ることができ
る。
また、固体イオン種カートリッジ23を交換することに
より、固体イオン種の交換を容易に行うことができる。
より、固体イオン種の交換を容易に行うことができる。
[発明の効果]
上述のように、本発明のイオン注入装置では、従来に較
べて容品にメンテナンスを行うことができ、装置の稼働
率を向上させて、生産性の向上を図ることができる。
べて容品にメンテナンスを行うことができ、装置の稼働
率を向上させて、生産性の向上を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例のイオン注入装置の要部構成
を示す断面図、第2図は第1図のA矢視図、第3図は第
2図のB−B断面図、第4図は第2図のC−C断面図、
第5図は第1図に示す固体イオン種カートリッジの分解
図、第6図は第1図の側面図、第7図は従来のイオン注
入装置の要部構成を示す断面図である。 11・・・・・・真空チャンバ、12・・・・・・開口
、13・・・・・・ガス発生機(R116・・・・・・
基体、18・・・・・・ヒータ、23・・・・・・固体
イオン種カートリ・ソジ。
を示す断面図、第2図は第1図のA矢視図、第3図は第
2図のB−B断面図、第4図は第2図のC−C断面図、
第5図は第1図に示す固体イオン種カートリッジの分解
図、第6図は第1図の側面図、第7図は従来のイオン注
入装置の要部構成を示す断面図である。 11・・・・・・真空チャンバ、12・・・・・・開口
、13・・・・・・ガス発生機(R116・・・・・・
基体、18・・・・・・ヒータ、23・・・・・・固体
イオン種カートリ・ソジ。
Claims (1)
- (1)固体イオン種を加熱して発生するガスをイオン化
しイオン注入するイオン注入装置において、前記ガス発
生機構は、前記真空容器壁に固定され該前記真空容器内
に突出する如く設けられる棒状の基体と、この基体内に
内蔵され前記真空容器外側から着脱自在とされた棒状の
ヒータとを有することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17616088A JPH0224941A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17616088A JPH0224941A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0224941A true JPH0224941A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=16008714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17616088A Pending JPH0224941A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0224941A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101943A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Hitachi Ltd | 固体試料用蒸発炉 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP17616088A patent/JPH0224941A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101943A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Hitachi Ltd | 固体試料用蒸発炉 |
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