JPH02246133A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ウェハー状態の半導体装置の検査方法に関す
るものである。

従来の技術 従来、ウェハー状態での半導体装置の検査は、各個別半
導体装置ごとに半導体回路内部のポンディングパッドに
導電性１０−ブを接触させ、その１０−ブを通して回路
の電気的特性を検査していた。

発明が解決しようとする課題 しかし、上記の検査方法では、ウェハー周辺部に必ず存
在する４隅のうちの一部分が欠落した不完全な形状の個
別半導体装置に対しても、同様の検査内容であるため、
不完全な形状の個別半導体装置でも、その欠落した部分
の電気的特性を検査していなければ、不良品にもかかわ
らず、良品として次工程に流れる可能性があるという課
題を有していた。

そこで、本発明は上記従来の課題を解決するもので、回
路の電気的特性を検査することなく、不完全な形状の個
別半導体装置の不良を判定できる検査方法を提供するこ
とを目的とする。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の検査方
法は、個別半導体装置が複数個形成されたウェハー状態
の半導体装置の検査方法であって、上記各個別半導体″
ＡＩＩの４隅のスクライブレーンに１０−ブを接触させ
、そしてこれら各１０−ブに電流を供給して各プローブ
端に生じる電圧を検出する方法である。

作用 上記の検査方法によると、各個別半導体装置の４隅のス
クライブレーンにプローブを接触させて、各個別半導体
装置の形状を判断するなめ、回路の電気的特性を検査す
る前に、不良である不完全な形状の半導体装置を確実に
識別することができる。

実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。

まず、第１図の等価回路に基づき半導体装置の検査方法
に使用する検査装置について説明する。

第１図において、１〜４はウェハーのスクライブレーン
に接触させるための導電性１０−ブで、各１０−ブ１〜
４には直流定電流源５〜８が接続されている。また、こ
れら各１０−ブ１〜４は、ウェハーを電気的に導通状態
で載置するステージ１３との間で生じる電圧を検出する
ための各スイッチングトランジスタ９〜１２のベース側
にそれぞれ接続されている。さらに、これら各スイッチ
ングトランジスタ９〜１２は互いに並列に接続されると
ともに、ステージ１３はエミッタ側に接続されている。

そして、上記スイッチングトランジスタ９〜１２のコレ
クタ側には、各１０−ブ１〜４の電圧状態をスイッチン
グトランジスタ９〜１２を介して出力するための出力端
子１４が接続されている。なお、１５はスイッチングト
ランジスタ９〜１２のコレクタ側に接続された負荷抵抗
、１６は回路動作用の直流電圧源である。

次に、ウェハーの各個別半導体装置の検査方法の原理に
ついて説明する。

まず、第１図において、１０−ブ１′の先端が、たとえ
ば導体を介してステージ１３と導通すれば、定電流源５
の電流は、プローブｌから導体を通してステージ１３に
流れる。したがって、スイッチングトランジスタ９のベ
ース側には、電流が供給されず、スイッチングトランジ
スタ９はオフの状態となっている。プローブ２〜４につ
いても同様であれば、スイッチングトランジスタ１０〜
１２も全てオフの状態となり、出力端子１４からの出力
は電圧源１６の電圧と等しくなり、ハイ状態となる。も
し、４本の１０−ブのうちの１本、たとえばプローブ１
の先端が、導体に接触しないオープンの状態になれば、
定電流源５の電流は、スイッチングトランジスタ９のベ
ース側に供給されるため、スイッチングトランジスタ９
はオンの状態となる。したがって、負荷抵抗１５に電流
が流れるため、出力端子１４に生じる電圧は電圧源１６
の電圧に比べて低くなり、ロー状態になる。また、たと
えば１０−ブ２だけがオープンの場合には、定電流源６
の電流でスイッチングトランジスタ１Ｇがオン状態とな
り、１０−ブ３だけがオープンの場合には、定電流源７
の電流でスイッチングトランジスタ１１がオン状態とな
り、プローブ４だけがオープンの場合には、定電流源８
の電流でスイッチングトランジスタ１２がオン状態とな
り、どの場合にも出力端子１４に生じる出力はローの状
態になる。このように、出力端子１４に生じる電圧のハ
イ、ローの状態で、プローブ１〜４の先の状態を判断す
ることができる。

次に、具体的な個別半導体装置の検査について説明する
。

まず、完全な形状の半導体装置を検査する場合は、第２
図および第３図に示すように、完全な形状の個別半導体
装ｆｉ２１の４隅のスクライブシーン２２にそれぞれロ
ーブ１〜４の先端を接触させる。

すると、スクライブレーン２２および半導体基板２３は
導体であるので、プローブ１〜４とステージ１３とは、
スクライブレーン２２と半導体基板２３を介して電気的
にショートした状態となり、第１図における出力端子１
４がハイの状態になる。

次に、不完全な形状の半導体装置を検査する場合は、第
４図および第５図に示すように、不完全な形状の個別半
導体装置２４の４隅にそれぞれ１０−プ１〜４の先端を
接触させる。プローブ２〜４は、完全な形状の個別半導
体装置２１を検査する場合と同様に、スクライブレーン
２２と接触するが、不完全な部分に対応するプローブ１
の先端だけはオープン状態になる。したがって、プロー
ブ１には電流は流れず、第１図における出力端子１４が
ローの状態になるため、不完全な形状の個別半導体装置
であることを検出することができる。

以上のように、本実施例によれば、ウェハー状態の半導
体装置で、各個別半導体装置の４隅のスクライブレーン
に導電性グローブを接触させ、各プローブの状態を電気
的なハイ、ローの状態で出力することにより、回路の電
気的特性を検査せずに、完全な形状の半導体装置と不完
全な形状の半導体装置を識別できる。

発明の効果 以上のように本発明の半導体装置の検査方法によれば、
各個別半導体装置の４隅のスクライブレーンにプローブ
を接触させ、そしてこれら各１０−ブに電流を供給して
各プローブ端に生じる電圧を検出するため、回路の電気
的特性を検査する前に、不良である不完全な形状の半導
体装置を確実に検出することができ、したがって、従来
のように不良品にもかかわらず、良品として次工程に流
れる可能性は無い。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の半導体装置の検査方法の一実施例を示す
もので、第１図は検査装置の概略等価回路図、第２図は
完全な形状の個別半導体装置の検査状態を示す平面図、
第３図は第２図のＩ−Ｉ断面図、第４図は完全な形状の
個別半導体装置の検査状態を示す平面図、第５図は第４
図の■−■断面図である。 １〜４・・・プローブ、５〜８・・・直流定電流源、９
〜１２・・・スイッチングトランジスタ、１４・・・出
力端子、１６・・・直流電圧源、２１．２４・・・個別
半導体装置、２２・・・スクライブレーン。 代理人　　　森　　本　　義　　弘 第１図 １〜＋−〜−ブローフ゛ Ｓ〜８−　直流定電流源 ９〜１２−−−　スイッチングトラ＞シ゛スタ芹−−−
出力端子 ｔ６−−−直！え電、灰；原 ２１．２手−１−個別

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、個別半導体装置が複数個形成されたウェハー状態の
   半導体装置の検査方法であつて、上記各個別半導体装置
   の４隅のスクライブレーンにプローブを接触させ、そし
   てこれら各プローブに電流を供給して各プローブ端に生
   じる電圧を検出する半導体装置の検査方法。