JPH02245721A

JPH02245721A - 画像変換素子及びそれを用いたｘ線画像検知方法

Info

Publication number: JPH02245721A
Application number: JP1066509A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Abe; 博明阿部; Yoshinari Kozuka; 小塚　義成
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1989-03-18
Filing date: 1989-03-18
Publication date: 1990-10-01
Anticipated expiration: 2013-03-25
Also published as: JP2731220B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（技術分野）本発明は、画像変換素子及びそれを用いたＸ線画像検知
方法に係り、特に電気光学効果と光伝導効果を併わせ有
する単結晶板を用いて、インコヒーレント画像からコヒ
ーレント画像への変換、空間周波数フィルタリング、光
論理演算等を行なう画像変換素子の改良、及びそのよう
な画像変換素子を用いて、画像情報を持つＸ線による記
録及び光により画像情報を読み取るＸ線画像検知方法に
関するものである。

（背景技術）従来より、ビスマスシリコンオキサイド（ＢＳＯ：　Ｂ
　ｉ＋ｔｓ　ｆｏｘ。）等の画像変換素子は、インコヒ
ーレントな画像をコヒーレントな画像に変換する機能を
有するところから、光を利用した二次元画像処理用の素
子として種々研究されている。

また、その他、空間周波数フィルタリング、光論理演算
等への応用も種々研究されている。

そして、そのような画像変換素子の代表的なものとして
は、ＢＳＯ単結晶の縦方向−次電気光学効果を利用した
ＦＲＯＭ素子（ポッケルス・リードアウト・オプティカ
ル・モジュレータ）が知られている。また、このＦＲＯ
Ｍ素子は、基本的には、第１図に示される如く、ＢＳＯ
単結晶（ウェハ）１１の両面にそれぞれポリパラキシレ
ン等の絶縁層１２を設け、更にその上に酸化インジウム
等の透明電極１３を設けてなる構造となっている。

ところで、このようなＦＲＯＭ素子を用いた書込み動作
は、通常、以下のようにして行なわれることとなる。先
ず、ＢＳＯ結晶１１の両面に所定の電圧を印加した状態
で、かかるＢＳＯ結晶１１の面上に二次元画像を結像さ
せると、ＢＳＯ結晶の光伝導効果のために、入力光強度
に応じて結晶中にキャリア電荷が生じ、そしてこのキャ
リア電荷によって結晶画面にかかる電圧が減少すること
となり、これによって入力光画像をその強度分布に応じ
た電圧分布として結晶中に記録される。

次に、このように記録された画像の続出し動作は、ＢＳ
Ｏ結晶１１に印加されている電圧によって生ずる複屈折
性を利用することにより行なわれることとなる。即ち、
ＢＳＯ結晶１１は、そのウェハ面に平行で互いに直交す
る二つの方向（Ｘ方向とＹ方向）の直線偏光に対して、
それぞれ屈折率が異なっているのである。従って、例え
ば、第２図に示されるように、偏光子２１を介して、Ｘ
軸方向とＹ軸方向の２等分方向の直線偏光よりなる強度
：■五の光をＢＳＯ結晶１１に入射せしめると、このＢ
ＳＯ結晶の複屈折性のために、結晶両面間の局所的な電
圧：Ｖに応じて、入射直線偏光は局所的に楕円偏光とな
る（ポッケルス効果）。

そこで、出力側に入射偏光方向と直交する検光子２２を
置くと、ＢＳＯ結晶１１面上の電圧分布に応じたコヒー
レント光の強度分布として記録されていた入力光画像を
読み出すことが出来る。この時の出力光強度：■。は、
次式：にて示される。但し、上式において、■は局所電圧、■
πは半波長電圧である。

なお、かかる書込み、読出し動作において、−般に、入
力画像の書込み光としては、ＦＲＯＭ素子に対して最も
感度の良い波長である４４０ｎｍ近傍の青色光が用いら
れ、また画像の読出し光としては、感度の低い赤色光や
赤外光が用いられている。また、ＢＳＯ結晶１１に記録
されている画像の消去は、電圧の印加を解除して、ＢＳ
○結晶の全面に強い青色光を照射することにより行なわ
れている。

さて、以上のような動作において、ＦＲＯＭ素子の絶縁
層１２と透明電極１３は、必要不可欠のものであるが、
従来から、そのような絶縁層１２としては、特開昭５４
−４８２６２号公報や特開昭５７−４９９１６号公報等
に明らかにされているように、有機絶縁物のポリパラキ
シレン、ポリスチレンが、或いは無機絶縁物のマイカが
用いられており、また透明電極１３としては、酸化イン
ジウム（Ｉｎ、Ｏ，）等が用いられている。

しかしながら、絶縁層１２としてポリパラキシレンを用
いた場合において、このポリパラキシレンが低融点（３
００°Ｃ以下）であって、１００″Ｃ程度の加熱で劣化
してしまうところから、透明電極であるＩｎｚＯｓを低
抵抗で高透明度に付着させるためには、ポリパラキシレ
ンを付着せしめたＢＳＯ単結晶を冷却しつつ、厳密なＡ
ｒと酸素圧の調整、及び空間磁場の印加、更にスパッタ
電力のコントロールを必要とする、ＤＣスパッタ法を採
用する必要があるが、これらの条件の全てを最適にする
ことは非常に困難であり、またポリパラキシレンは湿度
で劣化し易いために、気密容器に入れ、乾燥窒素ガス中
に封入する必要がある等の問題を内在している。

また、絶縁層１２としてポリスチレンを用いた場合にあ
っては、絶縁耐圧が不足し、更に絶縁層の機械的強度も
小さいために、素子の寿命が短いという問題を内在して
いる。更に、絶縁層１２としてマイカを用いた場合には
、マイカが複屈折材料であるために、ＢＳＯ結晶１１の
電気光学効果による複屈折とマイカの複屈折の両方で直
線偏光に位相差が生じるために、ＢＳＯ結晶１１に電圧
を印加しない時と電圧を印加した時との比、即ち画像の
コントラスト比が低下すること、またマイカにはピンホ
ール等があり、絶縁破壊を起こすこと、更にはマイカの
層厚管理が困難であり、このため作製したＦＲＯＭ素子
の半波長電圧：Ｖπにバラツキが生ずる等の問題がある
。

一方、Ｐ、　ＲＯＭ素子の入力画像の書込み光としてＸ
線を用いる技術が知られている（Ｍ、Ｇｒａｓｅｒ。

Ｊｒ、　ｅｔ、　ａｌ、、ｒＡｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　
Ｌｅｔｔ、　Ｊ　３４　（８）　１５、　Ａｐｒｉｌ　
１９７９　）。この技術は、書込み光としてＸ線を用い
る他は、第１図と同様な素子構成を採用するものであり
、また画像情報記録後の画像読出し方法も同様である。

そして、このＸ線画像検知技術においても、素子の絶縁
層としてポリパラキシレンやポリスチレン等の有機絶縁
物やマイカ等の無機絶縁物が用いられているため、上記
と同様な問題が生じているのである。

（解決課題）ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その解決課題とするところは、画像
変換素子（ＦＲＯＭ素子）の特性指標の一つであるコン
トラスト比を向上せしめ、また安定な絶縁性を確保する
ことにある。また、本発明の別の課題は、絶縁層の厚み
の管理を行ない易くして、半波長電圧：■πを有利に一
定に保ち得る素子構造を提供することにある。更に、本
発明の他の異なる課題とするところは、そのような画像
変換素子を用いたＸ線画像検知方法を提供することにあ
る。

（解決手段）そして、本発明は、上述の如き課題を解決するために、
電気光学効果と光伝導効果を有する単結晶板と、該単結
晶板の少なくとも片面に設けられたガラスから成る絶縁
層と、該絶縁層と前記単結晶板とに電界を加える透明電
極とから成ることを特徴とする画像変換素子を、その要
旨とするものである。

また、このような画像変換素子を用いたＸ線画像検知方
法においては、Ｘ線を所定の被検査体に照射して、記録
すべき画像情報を持つＸ線を得、次いでこのＸ線を画像
変換素子に照射せしめて、画像情報を記録した後、該画
像変換素子に対して所定の読出し光を照射して、かがる
記録された画像情報を読み取ることからなる手法が、採
用されることとなる。

本発明は、また、電気光学効果と光伝導効果を有する単
結晶板と、該単結晶板の一方の面に設けられた導電層と
、該単結晶板の他方の面に設けられたガラスから成る絶
縁層と、該絶縁層と前記単結晶−板とに電界を加える透
明電極とから成ることを特徴とするＸ線画像変換素子を
、その要旨とするものである。

そして、このようなＸ線画像変換素子を用いてＸ線画像
検知するに際しては、先ず、Ｘ線を所定の被検査体に照
射して、記録すべき画像情報を持つＸ線を得、次いでこ
のＸ線を、Ｘ線画像変換素子の導電層側の面に照射せし
めて、かかるＸ線画像変換素子に画像情報を記録した後
、該Ｘ線画像変換素子の前記Ｘ線照射面とは反対側の面
に対して、所定の読出し光を照射して、かかる記録され
た画像情報を読み取ることからなる手法が、採用される
こととなる。

なお、このような画像変換素子或いはＸ線画像変換素子
において、絶縁層と単結晶板に電界を加えるための透明
電極は、有利には、所定の透明板体上に透明電極層を設
けてなる透明電極板にて構成され、またそのような透明
電極板の透明電極層を設けた面の反対側の面の表面には
、反射防止膜が施されることとなる。更に、電気光学効
果と光伝導効果を有する単結晶板としては、ビスマスシ
リコンオキサイド（ＢＳＯ：　Ｂ　ｉ＋ｚｓ　ｔｏ□。

）若しくはビスマスゲルマニウムオキサイド（ＢＧＯ：
　Ｂ　ｉ　１ｚＧ　ｅ　Ｏｚ。）からなるものが用いら
れ、またガラスからなる絶縁層としては、ホウケイ酸ガ
ラス若しくは石英ガラスからなるものが有利に用いられ
る。

（具体的構成）ところで、このような本発明に従う画像変換素子若しく
はＸ線画像変換素子の好ましい具体例が第３図及び第４
図に示されている。

先ず、第３図の具体例において、３１は、電気光学効果
と光伝導効果を有する単結晶板であり、例えばビスマス
シリコンオキサイド（Ｂｉ、□ＳｉＯ！。）やビスマス
ゲルマニウムオキサイド（ＢｉＩ□Ｇ　ｅ　Ｏｚ。）等
の公知の単結晶材料から構成されている。なお、この単
結晶板３１は、一般に、１０μｍ〜５Ｗ程度の厚さを有
するものであって、その両面が公知の適宜の手法に従っ
て研磨されたものが用いられることとなる。

そして、このような単結晶板３１の両面に対して、所定
厚さのガラス絶縁層３２．３２が、それぞれ形成されて
いる。また、このガラス絶縁層３２の形成には（（ａ）
ガラス絶縁層となる光学研磨ガラスを光学接着剤にて単
結晶板３１の表面に張り付ける方法、（ｂ）ガラス絶縁
層を与える材料を単結晶板３１の表面にスクリーン印刷
する方法、（Ｃ）ディッピング法またはスピンコード法
にて、ガラス絶縁層を与える金属アルコキシドを単結晶
板３１の表面にコーティングする方法、（ｄ）伸延した
薄板ガラス（ガラス絶縁層）を光学接着剤にて単結晶板
３１の表面に張り付ける方法、（ｅ）蒸着及びスパッタ
リングによる方法等が適宜に採用されることとなる。な
お、この絶縁層３２を構成するガラス材質としては、石
英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラス
等が用いられるが、特に半波長電圧を小さくする上にお
いて、誘電率の大きいガラスが有利に用いられ、通常、
比誘電率が３．５以上のガラスが好適に用いられる。ま
た、かかるガラス絶縁層３２の厚みとしては、適宜に設
定されることとなるが、一般に、５μｍ〜５００μｍ程
度とされることとなる。更に、絶縁耐圧を大きくするこ
とが望ましく、そのためにはガラスの厚みが厚い方が望
ましいが、素子の半波長電圧は小さい方が望ましく、そ
れ故素子の半波長電圧を小さくするには、ガラス絶縁層
３２の厚みを薄くした方が良い。なお、このガラス絶縁
層３２の形成に際して用いられる光学接着剤としては、
シリコン系接着剤、アクリル系接着剤、エポキシ系接着
剤等の公知のものが用いられる。

また、かかる単結晶板３１の両側の面に形成されたガラ
ス絶縁層３２．３２のそれぞれの外側の面には、酸化イ
ンジウム等の公知の透明な導電性材料からなる透明電極
３３．３３がそれぞれ設けられており、それら透明電極
３３．３３に対して、外部の電源３４からの電圧が印加
されることによって、単結晶板３１とガラス絶縁層３２
．３２に所定の電界が加えられ得るようになっている。

なお、この電源３４に与えられる電極は、０〜３０ＫＶ
程度である。

ところで、この単結晶板３１と絶縁層３２に電界を加え
る透明電極３３の形成には、（イ）ガラス絶縁層３２の
表面に、目的とする透明電極を、直接に形成する方法や
、（ロ）ガラス等の所定の透明板体上に透明電極層を設
けてなる透明電極板を、前述の如き光学接着剤を用いて
、ガラス絶縁層３２上に張り付ける方法等が適宜に採用
され、第３図の具体例では、後者の手法にて透明電極３
３が形成されている。即ち、基盤ガラス３５の一方の面
上に透明電極３３が層状に形成され、そしてかかる透明
電極層３３とガラス絶縁層３２との間が光学接着剤にて
接着せしめられて、一体的な構造とされているのである
。なお、かかる透明電極板の基盤たる基板ガラス３５は
、書込み光や読出し光の波長：λ以下の面精度を有して
いることが望ましい。これは、コヒーレント像を歪ませ
ないためである。また、かかる透明電極板（基盤ガラス
３５）の読出し光が入射する面には、透明な反射防止膜
３６が設けられていることが望ましい。

この反射防止膜３６は、例えば５ｉＯｚとＴ　ｉ　Ｏｔ
の多層膜等からなるものである。

そして、このような画像変換素子を用いて画像の書込み
及び読出しを行なう装置においては、第３図に示されて
いる如く、読出し・書込み光３７の入射側に偏光子３８
が配置され、この偏光子３８を通じて読出し・書込み光
３７が画像変換素子に導かれ、またこの画像変換素子か
ら出力される読出し・書込み光３７は、検光子３９を通
じて取り出されることとなる。

ところで、この画像変換素子を用いた画像変換の動作手
順は、例えば、次のようにして行なわれる。先ず、透明
電極３３．３３間に外部の電源３４から所定の静電圧が
かけられ、それによって単結晶板３１には空間的に−様
な電界が印加せしめられる。その状態において、書込み
動作は、書込み光３７として青色光或いはＸ線画像を入
射させることにより行なわれる。この入射光量に応じて
キャリア電荷が生成され、そしてその生じたキャリア電
荷は外部電界によるクーロン力で結晶端面に移動するが
、絶縁層３２によってそれ以上の移動は妨げられ、そこ
にキャリア電荷が蓄積される。

書込み光の強度分布の情報が分極したキャリア電荷の密
度の情報に置き換えられたことになる。そして、分極し
たキャリア電荷は、外部電界と反対方向の電界を作る。

結晶３１にかかる全電界は外部電界とキャリア電荷によ
る電界の和である。従って、キャリア電荷密度の大きい
部分程、結晶３１内の電界は小さい。そして、最終的に
書込み画像の情報は、結晶３１内の電界分布に置き換え
られるのである。

このように素子内に書き込まれた情報を読み出すには、
この画像変換素子に対して読出し光３７として、光伝導
効果を持たない、従って書込み情報を破壊しない光、例
えば赤色光を用いて、それを入射せしめる。偏光子３８
を透過した直線偏光は、結晶３１内の電界分布に応じた
楕円偏光になり、結晶３１を透過する。そして、クロス
状態に配置された検光子３９を透過し、強度分布を持つ
画像として出力される。この状態では、原画像に対して
ネガ画像が出力される。また、読出しのための他の方法
としては、前述の方法とは異なり、電源３４にて印加さ
れる外部電界を読出し時に０として、それにより結晶３
１内の電界をキャリア電荷の作るもののみとする。この
状態で赤色光等の読出し光３７を入射させることにより
、原画像に対してポジ画像が出力されるようになる。

なお、かかる画像変換素子に書き込まれた情報の消去は
、透明電極３３．３３間を短絡して、強い青色光を照射
することにより行なわれ、そのような照射によって分極
していたキャリア電荷は再結合して、最初の状態に戻る
こととなる。

Ｘ線検知器に用いられる画像変換素子は、上記した第３
図の如き構成を有するものの他、第４図に示される如き
反射型の構成を採ることも可能である。

この第４図に示されたＸ線検知器用画像変換素子におい
て、４１は単結晶板であり、その一方の面にガラス絶縁
層４２が形成され、更にこのガラス絶縁層４２に対して
、基盤ガラス４５の一方の面に一透明電極４３が、他方
の面に反射防止膜４６が、それぞれ設けられてなる透明
電極板が、光学接着剤にて一体的に接着せしめられてい
る。また、単結晶板４１の他方の面には、金属膜４７が
所定厚さに形成されている。なお、この金属膜４７の材
料としては、金、銀、白金、アルミニウム、金属ベリリ
ウム等のＸ線透過率の優れた導電性のものがある。また
、かかる金属膜４７の膜厚は、−般に、１μｍ程度以下
とされることとなる。その膜厚が厚い場合には、書込み
のためのＸＩＪ１４Ｂが透過し難く、露光量が減少する
からである。そして、この金属膜４７と透明電極４３と
の間には、外部電源４４にて所定の電圧が印加せしめら
れ得るようになっているのである。

そして、読出しのための読出し光４９は、偏光ビームス
プリンター５０を通じて、透明電極４３の設けられた側
から画像変換素子に入射せしめられ、そして金属膜４７
によって反射された光が、再び偏光ビームスプリッタ−
５０を通じて取り出されるようになっているのである。

このような第４図に示されるＸ線画像変換素子を用いた
Ｘ線検知器の概略が、第５図に示されている。そこにお
いて、被検査物５１に対してＸ線源５２からＸ線が照射
され、それによって記録すべき画像情報を持つＸ線が形
成され、そしてそれが、画像変換素子５３の金属膜（４
７）の形成側の面に照射せしめられる。これにより、画
像変換素子５３の単結晶板（４１）には、前述の如くＸ
線画像が書き込まれる。一方、読出しは、読出し用の照
射光源５４から照射された読出し光が偏光子５５を通り
、ハーフミラ−５９を通って、画像変換素子５３の前記
Ｘ線照射面とは反対側の面、換言すれば透明電極（４３
）形成側の面に対して入射せしめられ、かかる画像変換
素子５３に記録された画像情報が読み出され、ハーフミ
ラ−５９で反射し、検光子５６を通じてＣＣＤカメラ５
７にて受光される。そして、このＣＣＤカメラ５７で受
光された情報は、画像解析装置６０で処理されて、モニ
タ５８にて画像として現出され、以て被検査物５１の必
要な検査情報が取り出されるのである。

なお、本発明は、以上の具体的説明並びに好ましい実施
形態のみに限定されるものでは決してなく、本発明の趣
旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて
種々なる変更、修正、改良等を加えた形態において実施
され得るものであり、本発明が、またそのような実施形
態のものをも含むものであることが、理解されるべきで
ある。

（実施例）以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発
明の幾つかの実施例を示すが、本発明が、またそのよう
な実施例の記載によって、同等制限的に解釈されるもの
でないことも、言うまでもないところである。

実施例　１形状が１５−角、厚みが３００μｍの両面研磨を行なっ
た四枚のＢＳＯ結晶ウェハの両面に、シリコン系接着剤
を用いて、形状が１８ｍ角、厚みが１０μｍの両面研磨
を行なったソーダガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス
、または石英ガラスのウェハをそれぞれ張り合わせ、更
にその両面にＩＴＯ膜からなる透明電極を設けた透明電
極付きガラス板を張り合わせることにより、第３図に示
される如き画像変換素子の４個を作製した。なお、かか
る透明電極付きガラス板の書込み・読出し光が入射する
側の表面には、読出し光源（Ｈｅ　−Ｎｅレーザ波長：
６３３ｎｍ）用の誘電体多層膜からなる反射防止膜を施
した。

そして、この得られた画像変換素子を用いて、画像の書
込み、読出しを行なった。なお、書込み光源としてはＡ
ｒイオンレーザ（波長：４８８ｎｍ）光、物体としては
メツシュパターン或いは直接光、また読出し光としては
５ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ（波長：６３３ｎｍ）光を平
行光束としたもの、更には出力光強度の定量測定にはホ
トマルチメータを、それぞれ用い、また像を観察すると
きにはスクリーン上に投影した。

充分な読出し像が得られる６０００Ｖ近くまで電源電圧
を昇圧したところ、ソーダガラスまたは鉛ガラスを用い
た素子については絶縁破壊を生じたが、絶縁層としてホ
ウケイ酸ガラスまたは石英ガラスを用いた素子について
は、絶縁破壊が生じることはなかった。

また、素子の作製数を増やし、絶縁層としてのガラスを
種々変えて作製した素子について、その絶縁破壊を調べ
るために、電源電圧：　５０００Ｖで１００サイクルの
電圧印加試験（オン状態５分、オフ状態５分の繰り返し
）を行なったところ、下表の結果を得た。

また、絶縁破壊を生じなかったホウケイ酸ガラスまたは
石英ガラスを用いた素子と特性比較を行なうため、絶縁
層にマイカを用い、上記条件を同一の方法で作製した画
像変換素子とコントラスト比を同一条件で測定した結果
、絶縁層にマイカを用いた場合には１０００　：　１で
あったものが、絶縁層にホウケイ酸ガラスまたは石英ガ
ラスを用いた場合にあっては４０００　：　１と大きく
、著しい効果を示した。

実施例　２形状が１５ｍｏ＋角、厚みが３００μｍの両面研磨を行
なった四枚のＢＳＯ結晶ウェハの片面に、それぞれ、Ａ
２薄膜を蒸着法により２００人の厚さに形成した。また
、かかるＢＳＯ結晶ウェハの他方の面（裏面）には、シ
リコン系接着剤を用いて、形状が１８ｆｆＩＩ１１角、
厚みが１０μｍの両面研磨を行なったソーダガラス、鉛
ガラス、ホウケイ酸ガラスまたは石英ガラスのウェハを
それぞれ張り合わせ、この絶縁層としてのガラスウェハ
面にＩＴＯ膜からなる透明電極を設けた透明電極付きガ
ラスを張り合わせ、第４図に示される如き構成のＸ線画
像変換素子の４個を作製した。なお、透明電極付きガラ
ス板の表面（外側面）には、読出し光源（Ｈｅ　−Ｎ　
ｅレーザ波長：６３３ｎｍ）用の反射防止膜（誘電体多
層膜）が設けられている。

そして、このＸ線画像変換素子を用いて、第５図に示さ
れる如きＸ線検知器を作製した。なお、Ｘ線画像変換素
子は、その、１１薄膜の形成面にＸ線が照射されるよう
に配置された。また、Ｘ線源としては、タングステン管
球を用い、管電圧：４０ＫＶ、管電流：５ｍＡで、被検
査物に５〜１０秒照射し、Ｘ線画像変換素子に画像情報
を記録した。また、かかる記録の後、読出し光として５
ｍＷのＨｅ−Ｎｅレーザ（波長：６３３ｎｍ）光を平行
光束としたものを用い、また出力光強度の定量測定には
ホトマルチメータを用い、そして像を観察するときには
ＣＣＤカメうで捉え、モニタ上に映像した。

充分な読出し像が得られる３０００Ｖ近くまで電源電圧
を昇圧したところ、ソーダガラスや鉛ガラスを用いた素
子については絶縁破壊を生じたが、ホウケイ酸ガラスや
石英ガラスを絶縁層として用いた素子については、絶縁
破壊が生じることはなかった。

また、絶縁破壊を生じなかったホウケイ酸ガラスまたは
石英ガラスを絶縁層として用いた素子と特性比較を行な
うため絶縁層にマイカを用い、上記条件と同様な方法で
作製したＸ線画像変換素子とコントラス比を同一条件で
測定した結果、絶縁層にマイカを用いたものにあっては
１０００：１であったが、絶縁層にホウケイ酸ガラスや
石英ガラスを用いた素子にあっては４０００　：　１と
大きくなり、著しい効果を示した。

さらに、Ｘ線像の解像度は、５〜１５ｉ！、ｐ／ｒＭｉ
と従来のＸ線検知器に用いられているイメージング・イ
ンテンシファイヤ・カメラの０．２〜０．３　Ｉ！。

ｐ／ｖｔｍより良好であることが認められた。

（発明の効果）以上の説明から明らかなように、本発明に従う画像変換
素子やＸ線画像変換素子においては、その特性指標の一
つであるコントラスト比の向上が効果的に達成され得、
また絶縁層としてガラスを用いているところから、素子
の製作が極めて容易となり、且つ安定な絶縁性を確保し
得ると共に、絶縁層の厚みの管理が行ない易く、更には
均一な厚さにて絶縁層を構成することが出来るところか
ら、半波長電圧：Ｖπも効果的に一定と為し得る等の、
数々の効果を達成し得たのであり、またそのような画像
変換素子を用いたＸ線による画像検知を有利に達成し得
たのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の画像変換素子の概略説明図であり、第
２図は、そのような画像変換素子を用いた従来の画像変
換装置の概略説明図である。第３図は、本発明に係る画
像変換素子の一例を示す断面説明図であり、第４図は、
本発明に従うＸ線検知器用画像変換素子の一例を示す断
面説明図であり、第５図は、第４図の素子を用いたＸ線
検知器の配置形態を示す説明図である。３７：続出し・書込み光　　３８：偏光子３９：検光子
　　　　４７：金属膜４８：Ｘ線　　　　　４９：読出し光５０：偏光ビームスプリッタ− ５１：被検査物　　　５２：Ｘ線源５３：画像変換素子　５４：照射光源５５：偏光子　　　　５６：検光子５７：ＣＣＤカメラ　５８：モニタ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電気光学効果と光伝導効果を有する単結晶板と、
該単結晶板の少なくとも片面に設けられたガラスから成
る絶縁層と、該絶縁層と前記単結晶板とに電界を加える
透明電極とから成ることを特徴とする画像変換素子。
（２）電気光学効果と光伝導効果を有する単結晶板と、
該単結晶板の少なくとも片面に設けられたガラスから成
る絶縁層と、該絶縁層と前記単結晶板とに電界を加える
、所定の透明板体上に透明電極層を設けてなる透明電極
板とから成ることを特徴とする画像変換素子。
（３）前記ガラスから成る絶縁層が、ホウケイ酸ガラス
若しくは石英ガラスであることを特徴とする請求項（１
）または（２）記載の画像変換素子。
（４）Ｘ線を被検査体に照射して、記録すべき画像情報
を持つＸ線を得、次いでこのＸ線を、前記請求項（１）
乃至（３）の何れかに記載の画像変換素子に照射せしめ
て、画像情報を記録した後、該画像変換素子に対して所
定の読出し光を照射して、かかる記録された画像情報を
読み取ることを特徴とするＸ線画像検知方法。
（５）電気光学効果と光伝導効果を有する単結晶板と、
該単結晶板の一方の面に設けられた導電層と、該単結晶
板の他方の面に設けられたガラスから成る絶縁層と、該
絶縁層と前記単結晶板とに電界を加える透明電極とから
成ることを特徴とするＸ線画像変換素子。
（６）電気光学効果と光伝導効果を有する単結晶板と、
該単結晶板の一方の面に設けられた導電層と、該単結晶
板の他方の面に設けられたガラスから成る絶縁層と、該
絶縁層と前記単結晶板とに電界を加える、所定の透明板
体上に透明電極層を設けてなる透明電極板とから成るこ
とを特徴とするＸ線画像変換素子。
（７）前記ガラスから成る絶縁層が、ホウケイ酸ガラス
若しくは石英ガラスであることを特徴とする請求項（５
）または（６）記載のＸ線画像変換素子。
（８）Ｘ線を被検査体に照射して、記録すべき画像情報
を持つＸ線を得、次いでこのＸ線を、前記請求項（５）
乃至（７）の何れかに記載のＸ線画像変換素子の導電層
側の面に照射せしめて、画像情報を記録した後、該Ｘ線
画像変換素子の前記Ｘ線照射面とは反対側の面に対して
、所定の読出し光を照射して、かかる記録された画像情
報を読み取ることを特徴とするＸ線画像検知方法。