JPS601606B2 - 画像変換素子 - Google Patents
画像変換素子Info
- Publication number
- JPS601606B2 JPS601606B2 JP4257578A JP4257578A JPS601606B2 JP S601606 B2 JPS601606 B2 JP S601606B2 JP 4257578 A JP4257578 A JP 4257578A JP 4257578 A JP4257578 A JP 4257578A JP S601606 B2 JPS601606 B2 JP S601606B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal plate
- image conversion
- light
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0338—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect structurally associated with a photoconductive layer or having photo-refractive properties
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインコヒーレント光の画像情報をコヒーレント
光の画像情報に変換する画像変換素子に関するものであ
る。
光の画像情報に変換する画像変換素子に関するものであ
る。
従来の画像変換素子は、例えば第１図に示すように、電
気光学効果及び波長依存性の光導電効果を有する単結晶
板１と、その両側に設けられた絶縁層２，２′及び透明
電極３，３′から構成されるものである。
気光学効果及び波長依存性の光導電効果を有する単結晶
板１と、その両側に設けられた絶縁層２，２′及び透明
電極３，３′から構成されるものである。
単結晶板１は、ＺｎＳ、Ｂｉ，ぶ０２ｏ、Ｂｉ，２戊０
２ｏ等の単結晶により形成されるが、書込み光に対して
光導電効果が大きいこと及び引上法により大型高品質の
単結晶が容易に得られる等の壊れた特徴を有する前記Ｂ
ｉ，２Ｓｊ０の、Ｂｉ，２Ｇ０２。がもっぱら使用され
ている。絶縁層２，２′は光導電効果により単結晶板１
内部に発生したキャリアが電源４へ流出するのを防ぐも
ので、ポリパラキシレン、フッ化マグネシウム、雲母板
又はシリコンオイル等の薄膜で構成され、又透明電極３
，３′はｌｎ２０３、１叱０３とＳｎ０２の複合体、Ａ
ｕ又はＰｔ等の薄膜で構成されている。透明電極３，３
′に接続された電源４により単結晶板１と絶縁層２，２
′とに電圧を印加すると、定常状態に於いては、電源４
の電圧Ｖにより、結晶板１及び絶縁層２７ ２′の厚さ
とその誘電率で定まる例えば第２図の実線で示すような
電位分布となる。
２ｏ等の単結晶により形成されるが、書込み光に対して
光導電効果が大きいこと及び引上法により大型高品質の
単結晶が容易に得られる等の壊れた特徴を有する前記Ｂ
ｉ，２Ｓｊ０の、Ｂｉ，２Ｇ０２。がもっぱら使用され
ている。絶縁層２，２′は光導電効果により単結晶板１
内部に発生したキャリアが電源４へ流出するのを防ぐも
ので、ポリパラキシレン、フッ化マグネシウム、雲母板
又はシリコンオイル等の薄膜で構成され、又透明電極３
，３′はｌｎ２０３、１叱０３とＳｎ０２の複合体、Ａ
ｕ又はＰｔ等の薄膜で構成されている。透明電極３，３
′に接続された電源４により単結晶板１と絶縁層２，２
′とに電圧を印加すると、定常状態に於いては、電源４
の電圧Ｖにより、結晶板１及び絶縁層２７ ２′の厚さ
とその誘電率で定まる例えば第２図の実線で示すような
電位分布となる。
即ち単結晶板１にはＥ，の電界が印加される。このよう
な状態に於いて、単結晶板１が光導電効果を呈する波長
の光源５の書込み光により原画６を照射して、原画６の
画像をレンズ７、ハーフミラー８を介して単結晶板１に
結像させると、単結晶板１は光導電効果を有するので、
その照射領域に於いては第２図の破線で示すような電位
分布となる。即ち単結晶板１にはＥ２の電界が印加され
、単結晶板１は電気光学効果を有するので、非照射領域
に較べて屈折率が減少し、単結晶板１に画情報に応じた
屈折率分布が形成されることになる。このように単結晶
板１に原画６の画情報が屈折率分布として形成されたの
ち、単結晶板１の光導露効果がほとんど生じない波長を
有するコヒーレント光９を読出し光として、これを偏光
子１０で直綾偏波としハーフミラー８で反射させて単結
晶板１に入射させると、単結晶板１を透過した光１１は
、単結晶板１の屈折率分布に応じた光学的位相差ｒを受
けるものとなる。
な状態に於いて、単結晶板１が光導電効果を呈する波長
の光源５の書込み光により原画６を照射して、原画６の
画像をレンズ７、ハーフミラー８を介して単結晶板１に
結像させると、単結晶板１は光導電効果を有するので、
その照射領域に於いては第２図の破線で示すような電位
分布となる。即ち単結晶板１にはＥ２の電界が印加され
、単結晶板１は電気光学効果を有するので、非照射領域
に較べて屈折率が減少し、単結晶板１に画情報に応じた
屈折率分布が形成されることになる。このように単結晶
板１に原画６の画情報が屈折率分布として形成されたの
ち、単結晶板１の光導露効果がほとんど生じない波長を
有するコヒーレント光９を読出し光として、これを偏光
子１０で直綾偏波としハーフミラー８で反射させて単結
晶板１に入射させると、単結晶板１を透過した光１１は
、単結晶板１の屈折率分布に応じた光学的位相差ｒを受
けるものとなる。
この光１１を検光子１２で検出して得た出力光１３は、
偏光子１０と検光子１２が消光位にあり、且つ議出し光
９が単結晶板１の光学軸に対して４５ｏの角度で入射し
た場合、Ｓｍ２〈亨）に比例した光強度となるから、結
局原画６のインコヒーレンスな画情報がコヒーレント光
の画情報に変換されたことになり、フーリエ変換等の光
学的情報処理に利用可能となる。前述の単結晶板１とし
てＢＬ２Ｓ０２ｏの結晶を使用した場合には、Ｂｉ，２
Ｓの２ｏは紫外から青色光近傍にのみ強い光導電効果を
有するので、光源５は紫外から青色光の波長を有する光
源を使用し、又読出し光９は例えばＨｅ−Ｎｅレーザー
の波長６３３柳の光を使用するものである。ところで、
単結晶板１の両側面は、読出し光の散乱によるスベック
ル・ノイズ等を除去する為、平坦度入／５〜入／１０（
入は謙出し光の波長）程度に光学研摩を施こされている
が、議出し光がコヒーレントな光の為、両側面の平行性
が良いと不用な干渉縞が発生し原画を忠実に再現できな
い欠点があった。
偏光子１０と検光子１２が消光位にあり、且つ議出し光
９が単結晶板１の光学軸に対して４５ｏの角度で入射し
た場合、Ｓｍ２〈亨）に比例した光強度となるから、結
局原画６のインコヒーレンスな画情報がコヒーレント光
の画情報に変換されたことになり、フーリエ変換等の光
学的情報処理に利用可能となる。前述の単結晶板１とし
てＢＬ２Ｓ０２ｏの結晶を使用した場合には、Ｂｉ，２
Ｓの２ｏは紫外から青色光近傍にのみ強い光導電効果を
有するので、光源５は紫外から青色光の波長を有する光
源を使用し、又読出し光９は例えばＨｅ−Ｎｅレーザー
の波長６３３柳の光を使用するものである。ところで、
単結晶板１の両側面は、読出し光の散乱によるスベック
ル・ノイズ等を除去する為、平坦度入／５〜入／１０（
入は謙出し光の波長）程度に光学研摩を施こされている
が、議出し光がコヒーレントな光の為、両側面の平行性
が良いと不用な干渉縞が発生し原画を忠実に再現できな
い欠点があった。
そこで、例えば第３図に示すように、単結晶板１の片面
に数分〜数度の傾斜角を設けて両側面に角度を持たせ、
前記干渉縞の幅を実用上問題にならない程度にまで狭く
する方法が提案されている。しかし、単結晶板１に使用
するＢｉ，２Ｓｉｏ幼、Ｂｊ，２戊○がこは約２２０／
柳の旋光熊ｐがあるから、同図に示すように単結晶板１
の薄い部分を透過する光３１とその厚い部分を透過する
光３２との間には、定常状態に於いてすらその厚みの差
による旋光角差０３２一１３，）×ｐ度（１３，、１斑
はそれぞれ光３１，３２の結晶板１に於ける光路長）が
生じ、一定の偏光軸を有する検光子を介して得た出力光
に歪が生じる欠点があった。とくに議出し光の光東断面
での消光状態に不均一を発生するため、素子のダイナミ
ックレンジを劣化させるという欠点があった。また、旋
光角差以外に光路長戦地（１概−１３，）ｘ勢ｘｎ（舵
単結晶板の屈折率）だけの位相差が生じるから、位相情
報の歪が発生するため正確なコヒーレント光学情報処理
が行なえない欠点もあった。本発明は前述の如き従来の
欠点を改善したものであり、その目的は、旋光角差及び
位相差を完全に除去した高精度の画像変換素子を提供す
るものである。
に数分〜数度の傾斜角を設けて両側面に角度を持たせ、
前記干渉縞の幅を実用上問題にならない程度にまで狭く
する方法が提案されている。しかし、単結晶板１に使用
するＢｉ，２Ｓｉｏ幼、Ｂｊ，２戊○がこは約２２０／
柳の旋光熊ｐがあるから、同図に示すように単結晶板１
の薄い部分を透過する光３１とその厚い部分を透過する
光３２との間には、定常状態に於いてすらその厚みの差
による旋光角差０３２一１３，）×ｐ度（１３，、１斑
はそれぞれ光３１，３２の結晶板１に於ける光路長）が
生じ、一定の偏光軸を有する検光子を介して得た出力光
に歪が生じる欠点があった。とくに議出し光の光東断面
での消光状態に不均一を発生するため、素子のダイナミ
ックレンジを劣化させるという欠点があった。また、旋
光角差以外に光路長戦地（１概−１３，）ｘ勢ｘｎ（舵
単結晶板の屈折率）だけの位相差が生じるから、位相情
報の歪が発生するため正確なコヒーレント光学情報処理
が行なえない欠点もあった。本発明は前述の如き従来の
欠点を改善したものであり、その目的は、旋光角差及び
位相差を完全に除去した高精度の画像変換素子を提供す
るものである。
以下実施例について詳細に説明する。第４図は本発明の
画像変換素子の一実施例の説明図であり、４１は単結晶
板１と同一材料の第２の単結晶板、４２，４２′は透明
電極であって、第１図と同一符号は同一部分を示すもの
である。本実施例の画像変換素子は、同図に示すように
片側面に角度６の傾斜角を設けた単結晶板１（以下第１
の単結晶板と称す）の両側面に絶縁層２，２′及び透明
電極３，３′を設けて構成した従来の画像変換素子の出
力側に、その傾斜面と隣接する側面に前記第１の単結晶
板１の傾斜角と同一且つ逆向きの煩斜角を設けた第２の
単結晶板４１を配置し、この単結晶板４１の両側面に互
いに短絡された透明電極４２，４２′を設けたものであ
る。このような構成により、第１の単結晶板１の薄い部
分を透過した光４３と厚い部分を透過した光４４とが受
ける旋光角及び位相のずれは、光４３が第２の単結晶板
４１の厚い部分を、光４４がその薄い部分を透過するこ
とにより完全に補正され、第２の単結晶板４１を出射す
る光は全て旋光角及び位相の等しい光となるものである
。したがって従来の画像変換素子のような旋光角差及び
位相差による歪もなく、高精度な画像変換が可能となる
ものである。ところで、第１の単結晶板１に原画を書込
む際、その書込みを行なうインコヒーレント光は完全に
単結晶板１で吸収されずその一部が第２の単結晶板４１
に入射する。原画の結像位置は単結晶板１の入射側面で
あるから、第２の単結晶板４１へ入射しその光導電効果
により屈折率分布として形成される像はぼやけたものと
なる。即ち第２の単結晶板４１には電圧は印加されてい
ないが、例えば単結晶板がＢｉ，２ＳｉＯ脚で形成され
ている場合、Ｂｉ，２Ｓｉ○のは高抵抗（約１び４０地
）であるため発生したキャリアが空間分布として残存い
まやけた像が形成される。従ってこの状態で、コヒーレ
ント光により議出した場合、第１の単結晶板１で形成さ
れた正規の像に第２の単結晶板４１のぼやけた像が重畳
され、得られたコヒーレント光の画像はぼやけたものと
なる。しかし本発明に於いては、第２の単結晶板４１の
両側面に互いに短絡された透明電極４２，４２′を設け
、第２の単結晶板４１に加わる電圧を０とする構成とし
た為、単結晶板４１に如何なるキャリア分布が発生しよ
うとも、単結晶板４１を透過する読出し光は前記キャリ
ア分布に影響されず常に位相差０となり、前述したよう
な画像のぼけを生じない。
画像変換素子の一実施例の説明図であり、４１は単結晶
板１と同一材料の第２の単結晶板、４２，４２′は透明
電極であって、第１図と同一符号は同一部分を示すもの
である。本実施例の画像変換素子は、同図に示すように
片側面に角度６の傾斜角を設けた単結晶板１（以下第１
の単結晶板と称す）の両側面に絶縁層２，２′及び透明
電極３，３′を設けて構成した従来の画像変換素子の出
力側に、その傾斜面と隣接する側面に前記第１の単結晶
板１の傾斜角と同一且つ逆向きの煩斜角を設けた第２の
単結晶板４１を配置し、この単結晶板４１の両側面に互
いに短絡された透明電極４２，４２′を設けたものであ
る。このような構成により、第１の単結晶板１の薄い部
分を透過した光４３と厚い部分を透過した光４４とが受
ける旋光角及び位相のずれは、光４３が第２の単結晶板
４１の厚い部分を、光４４がその薄い部分を透過するこ
とにより完全に補正され、第２の単結晶板４１を出射す
る光は全て旋光角及び位相の等しい光となるものである
。したがって従来の画像変換素子のような旋光角差及び
位相差による歪もなく、高精度な画像変換が可能となる
ものである。ところで、第１の単結晶板１に原画を書込
む際、その書込みを行なうインコヒーレント光は完全に
単結晶板１で吸収されずその一部が第２の単結晶板４１
に入射する。原画の結像位置は単結晶板１の入射側面で
あるから、第２の単結晶板４１へ入射しその光導電効果
により屈折率分布として形成される像はぼやけたものと
なる。即ち第２の単結晶板４１には電圧は印加されてい
ないが、例えば単結晶板がＢｉ，２ＳｉＯ脚で形成され
ている場合、Ｂｉ，２Ｓｉ○のは高抵抗（約１び４０地
）であるため発生したキャリアが空間分布として残存い
まやけた像が形成される。従ってこの状態で、コヒーレ
ント光により議出した場合、第１の単結晶板１で形成さ
れた正規の像に第２の単結晶板４１のぼやけた像が重畳
され、得られたコヒーレント光の画像はぼやけたものと
なる。しかし本発明に於いては、第２の単結晶板４１の
両側面に互いに短絡された透明電極４２，４２′を設け
、第２の単結晶板４１に加わる電圧を０とする構成とし
た為、単結晶板４１に如何なるキャリア分布が発生しよ
うとも、単結晶板４１を透過する読出し光は前記キャリ
ア分布に影響されず常に位相差０となり、前述したよう
な画像のぼけを生じない。
即ち例えばＢｉ，２Ｓ０２ｏ、Ｂｉ，２Ｗ０２ｏの結晶
で構成されその両側面が（１００）面となる単結晶板に
電圧を印加した場合、その電気光学効果による光学的位
相差ｒ‘ま結晶長に無関係に結晶板の両側面に印加され
る電圧Ｖのみにより決定されるという次式に示すような
関係がある為、単結晶板４１をそのように構成し、両透
明電極４２，４２′を短絡して印加電圧Ｖを０とするこ
とにより、光学的位相差ｒは常に０となり、従って、議
出し光が単結晶板４１内部のキャリア分布に影響されず
前述したような像のぼやけを発生しないものである。皿
＝傘ｎ３ｙ４・Ｖ（ｙ４・蝿気光学定数）．・・．・・
．・・次に、本実施例のより具体的な構成例をその製造
工程を含めて以下説明する。
で構成されその両側面が（１００）面となる単結晶板に
電圧を印加した場合、その電気光学効果による光学的位
相差ｒ‘ま結晶長に無関係に結晶板の両側面に印加され
る電圧Ｖのみにより決定されるという次式に示すような
関係がある為、単結晶板４１をそのように構成し、両透
明電極４２，４２′を短絡して印加電圧Ｖを０とするこ
とにより、光学的位相差ｒは常に０となり、従って、議
出し光が単結晶板４１内部のキャリア分布に影響されず
前述したような像のぼやけを発生しないものである。皿
＝傘ｎ３ｙ４・Ｖ（ｙ４・蝿気光学定数）．・・．・・
．・・次に、本実施例のより具体的な構成例をその製造
工程を含めて以下説明する。
まず単結晶としてＢＬ２Ｓｉ０２。
単結晶の（１００）ウヱハを使用し、これを加工して、
２仇吻×２仇吻、中心厚０．８柳の第１の単結晶板１及
び２０柳×２０物、中心厚０．５肋の第２の単結晶板４
１を形成し、両単結晶板１，４１に干渉縞のピッチが約
１０叫こなるよう４扮ごの傾斜角を設けた。このとき両
単結晶板１，４１の最厚部と厚薄部の厚み差は０．２６
２側であり、旋光角差にして５．８ｏである。なお、両
単結晶板１，４１の傾斜角を同一にする方法は、それぞ
れの単結晶板を同一の傾斜角を有する研摩治具に貼付け
て光学研摩を施すか、或は傾斜角を施した１枚の単結晶
板を２分割する方法が採用可能である。次に第１の単結
晶板１の両側面にポリパラキシレンを５山の厚さに設け
て絶縁層２，２′を形成し、その後スパッタ法によりｌ
ｎ２０３を２０００△の厚さに設けて透明電極３，３′
を形成した。
２仇吻×２仇吻、中心厚０．８柳の第１の単結晶板１及
び２０柳×２０物、中心厚０．５肋の第２の単結晶板４
１を形成し、両単結晶板１，４１に干渉縞のピッチが約
１０叫こなるよう４扮ごの傾斜角を設けた。このとき両
単結晶板１，４１の最厚部と厚薄部の厚み差は０．２６
２側であり、旋光角差にして５．８ｏである。なお、両
単結晶板１，４１の傾斜角を同一にする方法は、それぞ
れの単結晶板を同一の傾斜角を有する研摩治具に貼付け
て光学研摩を施すか、或は傾斜角を施した１枚の単結晶
板を２分割する方法が採用可能である。次に第１の単結
晶板１の両側面にポリパラキシレンを５山の厚さに設け
て絶縁層２，２′を形成し、その後スパッタ法によりｌ
ｎ２０３を２０００△の厚さに設けて透明電極３，３′
を形成した。
第２の単結晶板４１には、第１の単結晶板１と同様にｌ
ｎ２０３を厚さ２０００△を設けて透明電極４２，４２
′を形成するが、この際マスキングを行なわずｌｎ２０
３を単結晶板４１の周辺部分にも充分付着するようにし
た為両電極４２，４２′は完全な短絡状態となった。こ
のようにして得た第１及び第２の単結晶板１，４１を第
４図に示すように配置し、且つ第１図に示すような光学
装置に配置して実験を行なった結果、第１の単結晶板１
だけの従来の画像変換素子の消光比が−２母Ｂであるの
に対し、本実施例の画像変換素子は４１船の消光比を得
、しかも第２の単結晶板４１を設けたことによる画像の
ぼけは発生しなかった。
ｎ２０３を厚さ２０００△を設けて透明電極４２，４２
′を形成するが、この際マスキングを行なわずｌｎ２０
３を単結晶板４１の周辺部分にも充分付着するようにし
た為両電極４２，４２′は完全な短絡状態となった。こ
のようにして得た第１及び第２の単結晶板１，４１を第
４図に示すように配置し、且つ第１図に示すような光学
装置に配置して実験を行なった結果、第１の単結晶板１
だけの従来の画像変換素子の消光比が−２母Ｂであるの
に対し、本実施例の画像変換素子は４１船の消光比を得
、しかも第２の単結晶板４１を設けたことによる画像の
ぼけは発生しなかった。
又、上記実験に於いて、第２の単結晶板４１に透明電極
４２，４２′を設けなかった場合の分解能が７５本／側
であるのに対し、透明電極４２，４２′を設けた場合は
１００本ノ柳の分解能が得られた。以上の実験により本
発明の有用性が確認された。第５図及び第６図は本発明
のそれぞれ異なる他の実施例の構成説明図であり、各図
に於いて、第４図と同一符号は同一部分を示すものであ
る。第５図に示す実施例の画像変換素子は、第４図に於
ける透明電極３′を省略し、透明電極４２を絶縁層２′
に密着させて構成したもので、電源４の電圧を透明電極
３と透明電極４２，４２′に加えている。このような構
成により、第１の単結晶板１に透明電極３′を設ける工
程を省略することができる。第６図に示す画像変換素子
は更に第５図に於ける絶縁層２′をも省略し第１の単結
晶板１に透明電極４２を直接密着させたものであり、製
造工程がより単純化する利点がある。なお同図のように
構成しても第１の単結晶板１内部で発生したキャリアは
片側の絶縁層２により阻止されるから画像変換作用を行
なうことは勿論可能である。以上説明した如く本発明は
、画像変換作用を行なう第１の単結晶板で生ずる光路長
差による旋光角差及び位相差を、第１の単結晶板に設け
た傾斜角と同角度で且つ逆向きの傾斜角を有する第２の
単結晶板で補正する構成とした為、従来の画像変換素子
のような旋光角差及び位相差による影響を除いて、歪の
ない画像変換が行なえるものである。又、第２の単結晶
板に生じるぼけた像の影響は、第２の単結晶板の両側面
の電位を等しくすることにより完全に除去可能となるか
ら精度の高い画像変換が可能となるものである。
４２，４２′を設けなかった場合の分解能が７５本／側
であるのに対し、透明電極４２，４２′を設けた場合は
１００本ノ柳の分解能が得られた。以上の実験により本
発明の有用性が確認された。第５図及び第６図は本発明
のそれぞれ異なる他の実施例の構成説明図であり、各図
に於いて、第４図と同一符号は同一部分を示すものであ
る。第５図に示す実施例の画像変換素子は、第４図に於
ける透明電極３′を省略し、透明電極４２を絶縁層２′
に密着させて構成したもので、電源４の電圧を透明電極
３と透明電極４２，４２′に加えている。このような構
成により、第１の単結晶板１に透明電極３′を設ける工
程を省略することができる。第６図に示す画像変換素子
は更に第５図に於ける絶縁層２′をも省略し第１の単結
晶板１に透明電極４２を直接密着させたものであり、製
造工程がより単純化する利点がある。なお同図のように
構成しても第１の単結晶板１内部で発生したキャリアは
片側の絶縁層２により阻止されるから画像変換作用を行
なうことは勿論可能である。以上説明した如く本発明は
、画像変換作用を行なう第１の単結晶板で生ずる光路長
差による旋光角差及び位相差を、第１の単結晶板に設け
た傾斜角と同角度で且つ逆向きの傾斜角を有する第２の
単結晶板で補正する構成とした為、従来の画像変換素子
のような旋光角差及び位相差による影響を除いて、歪の
ない画像変換が行なえるものである。又、第２の単結晶
板に生じるぼけた像の影響は、第２の単結晶板の両側面
の電位を等しくすることにより完全に除去可能となるか
ら精度の高い画像変換が可能となるものである。
第１図及び第３図は従来の画像変換素子の構成説明図、
第２図は第１図の画像変換素子の動作説明図、第４図、
第５図及び第６図は本発明のそれぞれ異なる実施例の構
成説明図である。 １，４１は単結晶板、２，２′は絶縁層、３，３′，４
２，４２′は透明電極、４は電源、５は光源、６は原画
、７はしンズ、８はハーフミラー、１川ま偏光子、１２
は検光子である。 オ１図 オ２図 外３図 オ４図 牙６図 オ６図
第２図は第１図の画像変換素子の動作説明図、第４図、
第５図及び第６図は本発明のそれぞれ異なる実施例の構
成説明図である。 １，４１は単結晶板、２，２′は絶縁層、３，３′，４
２，４２′は透明電極、４は電源、５は光源、６は原画
、７はしンズ、８はハーフミラー、１川ま偏光子、１２
は検光子である。 オ１図 オ２図 外３図 オ４図 牙６図 オ６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いに隣接する側面に同角度で且つ逆向きの傾斜角
を設けて配置された電気光学効果及び波長依存性の光導
電効果を有する第１及び第２の単結晶板、該第１の単結
晶板の少なくとも一側面に設けられた絶縁層、該絶縁層
と前記第１の単結晶板とに電界を加える透明電極、前記
第２の単結晶板の両側面を等電位とする手段を具備した
ことを特徴とする画像変換素子。 ２ 前記第１及び第２の単結晶板はビスマスシリコンオ
キサイド（Ｂｉ＿１＿２ＳｉＯ＿２＿０）により形成さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像
変換素子。 ３ 前記第１及び第２の単結晶板はビスマスゲルマニウ
ムオキサイド（Ｂｉ＿１＿２ＧｅＯ＿２＿０）により形
成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
画像変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257578A JPS601606B2 (ja) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | 画像変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257578A JPS601606B2 (ja) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | 画像変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54134656A JPS54134656A (en) | 1979-10-19 |
| JPS601606B2 true JPS601606B2 (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=12639854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4257578A Expired JPS601606B2 (ja) | 1978-04-11 | 1978-04-11 | 画像変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601606B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5868017A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-22 | Ricoh Co Ltd | 画像変換素子 |
| JPH02207539A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-17 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2645664B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1997-08-25 | 国際電信電話株式会社 | 薄膜型光画像素子 |
-
1978
- 1978-04-11 JP JP4257578A patent/JPS601606B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54134656A (en) | 1979-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Grinberg et al. | A new real-time non-coherent to coherent light image converter the hybrid field effect liquid crystal light valve | |
| US4643533A (en) | Differentiating spatial light modulator | |
| JPS601606B2 (ja) | 画像変換素子 | |
| JP2796596B2 (ja) | 空間光変調器の駆動方法及び空間光変調器 | |
| Grinberg et al. | Liquid-crystal electro-optical modulators for optical processing of two-dimensional data | |
| CA2006800C (en) | Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image | |
| US4264193A (en) | Image converting and projecting method and apparatus for carrying out the same | |
| JPS607766B2 (ja) | 画像変換素子 | |
| US4920417A (en) | Photo-to-photo conversion element and its applied system | |
| JP2731220B2 (ja) | 画像変換素子及びそれを用いたｘ線画像検知方法 | |
| JP2630450B2 (ja) | 光書き込み液晶ライトバルブ及びそれを用いた画像出力装置 | |
| JPH04119330A (ja) | 光導電型液晶ライトバルブ | |
| JP2636037B2 (ja) | 光画像変換素子 | |
| JPH0736055A (ja) | 空間光変調器 | |
| US5999246A (en) | Image recording apparatus with improved spatial light modulator | |
| JPH0145275B2 (ja) | ||
| JPH03246560A (ja) | 記録方法 | |
| JPH1195179A (ja) | 空間光変調素子を用いた画像処理方法 | |
| JPH0238932B2 (ja) | ||
| JPH0230496B2 (ja) | ||
| JPH0230495B2 (ja) | ||
| JPH1195177A (ja) | 空間光変調素子を用いた画像処理方法 | |
| Itoh | Spatial resolution of an incoherent-to-coherent converter using bismuth germanium oxide | |
| JPH0230494B2 (ja) | ||
| JPH10274781A (ja) | 画像記録装置の駆動方法 |