JPH02244680A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPH02244680A JPH02244680A JP1062211A JP6221189A JPH02244680A JP H02244680 A JPH02244680 A JP H02244680A JP 1062211 A JP1062211 A JP 1062211A JP 6221189 A JP6221189 A JP 6221189A JP H02244680 A JPH02244680 A JP H02244680A
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光センサ−、イメージセンサ−等として有用
な有機光半導体を用いた光電変換素子(有機太陽電池)
に関する。
な有機光半導体を用いた光電変換素子(有機太陽電池)
に関する。
[従来の技術]
無機半導体を用いた光電変換素子を作製する試みは多く
なされてきている。その目標はa)変換効率が高く、b
)安価な光電変換素子である。単結晶SL、結晶Siq
Cd55CdTe。
なされてきている。その目標はa)変換効率が高く、b
)安価な光電変換素子である。単結晶SL、結晶Siq
Cd55CdTe。
GaAs、アモルファスSi等の実用化が試みられてい
るが、これらは全てb)の目標を満足しているとは言い
難い。
るが、これらは全てb)の目標を満足しているとは言い
難い。
この欠点を改善するため有機半導体を用いて充電変換素
子を作製する試みが近年なされている。使用された有機
半導体層としては以下の例がある。
子を作製する試みが近年なされている。使用された有機
半導体層としては以下の例がある。
(イ)スピナー塗布されたメロシアニン染料層(特開昭
51−122389、特開昭53−131782及びニ
ー、ケー、ゴウシュ(A、に、Ghosh)著の「ジャ
ーナル、オン。アプライド、フィジックス(J、App
l、Phys、) ] 49.5982.197g)(
0)フタロシアニン蒸若層またはオバレン等の電子供与
体層とビリリウム系染料等の電子受容体層を積層したも
の(特開昭54−27787、特開昭80−20167
2及びアール、オー、ラウトフィ(R,0,Loutl
’y)著(D rジャーナル、オフ。
51−122389、特開昭53−131782及びニ
ー、ケー、ゴウシュ(A、に、Ghosh)著の「ジャ
ーナル、オン。アプライド、フィジックス(J、App
l、Phys、) ] 49.5982.197g)(
0)フタロシアニン蒸若層またはオバレン等の電子供与
体層とビリリウム系染料等の電子受容体層を積層したも
の(特開昭54−27787、特開昭80−20167
2及びアール、オー、ラウトフィ(R,0,Loutl
’y)著(D rジャーナル、オフ。
アプライド、フィジックス(J、Appl、Phys、
) J52.521B、1981) (ハ)ビリリウム系染料とポリカーボネートから生成す
る共晶錯体層(特開昭54−27387)(ニ)無金属
フタロシアニンをバインダーニ分散させた層(特開昭5
5−9497) (ネ)n42シリコンとp型ドープされたポリアセチレ
ン薄膜を積層したもの(特開昭55−130182、特
開昭55−138879及びビー・。アール。
) J52.521B、1981) (ハ)ビリリウム系染料とポリカーボネートから生成す
る共晶錯体層(特開昭54−27387)(ニ)無金属
フタロシアニンをバインダーニ分散させた層(特開昭5
5−9497) (ネ)n42シリコンとp型ドープされたポリアセチレ
ン薄膜を積層したもの(特開昭55−130182、特
開昭55−138879及びビー・。アール。
ワインバーガー(B、R,Velnr+berger)
著のアプライド、フィジックス、レター(^pp1.P
hys。
著のアプライド、フィジックス、レター(^pp1.P
hys。
Lett、)J 38、555.1981)(へ)真空
蒸着されI;メロシアニン染料層(特開昭56−354
77) これらは、これらの有機半導体を溶媒中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られる。
蒸着されI;メロシアニン染料層(特開昭56−354
77) これらは、これらの有機半導体を溶媒中に溶解または分
散した溶液を基板上に塗布したり、あるいは低温度で真
空蒸着し、更にその上に別の導電層を設けることで安価
に大面積のものが得られる。
これらの (イ)〜(へ)の場合半導体層が捏いと接合
面に到達する光量が少なくなったり、生成したキャリア
が半導体層中を移動する時にトラップされ失活する割合
が増加する。そのため半導体層を薄くする必要がある。
面に到達する光量が少なくなったり、生成したキャリア
が半導体層中を移動する時にトラップされ失活する割合
が増加する。そのため半導体層を薄くする必要がある。
しかし半導体層を薄くした場合ピンホールの確率が上が
り、i′WJ放電圧(V oe)の値が小さくなり、交
換効率の低下をまねき実用に供されない。
り、i′WJ放電圧(V oe)の値が小さくなり、交
換効率の低下をまねき実用に供されない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は以上のような従来の欠点を解決するためになさ
れたもののであ・コて、安価で大面積が容易に作製でき
、可撓性の付与も可能な有機材料を用いたものとしては
、高い変換効率を有し、従来に比べ、ピンホールがなく
高い開放電圧が得られ、かつ安定した性能を存する光電
変換素子を提供することを目的とする。
れたもののであ・コて、安価で大面積が容易に作製でき
、可撓性の付与も可能な有機材料を用いたものとしては
、高い変換効率を有し、従来に比べ、ピンホールがなく
高い開放電圧が得られ、かつ安定した性能を存する光電
変換素子を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは前記目的を達成するために鋭意v1究した
結果、電解重合法により作製されたポリ(N、N’−ジ
フェニルベンジジン)をP型半導体または正孔移動層と
して使用することが有効であることを見出し、本発明に
至った。
結果、電解重合法により作製されたポリ(N、N’−ジ
フェニルベンジジン)をP型半導体または正孔移動層と
して使用することが有効であることを見出し、本発明に
至った。
すなわち、本発明は、P型半導体として電解重合法によ
り作製したポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を
使用する光電変換素子である。
り作製したポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を
使用する光電変換素子である。
本発明で使用されるポリ(1’−ジフェニルベンジジン
)の作製法は特開昭H−53328に示されており、一
般的には誘電率の高いアセトニトリルなどの溶媒に、モ
ノマーであるN、N’−ジフェニルベンジジンと電解質
として例えばテトラ−n−ブチルアンモニウムバークロ
レート、添加物として2,6−ルチジンなどを溶解させ
ておき、その電解液中に電極を入れ、電流を流し重合体
を電極上に析出させる方法により作製される。この電解
重合法により得られるポリ(N。
)の作製法は特開昭H−53328に示されており、一
般的には誘電率の高いアセトニトリルなどの溶媒に、モ
ノマーであるN、N’−ジフェニルベンジジンと電解質
として例えばテトラ−n−ブチルアンモニウムバークロ
レート、添加物として2,6−ルチジンなどを溶解させ
ておき、その電解液中に電極を入れ、電流を流し重合体
を電極上に析出させる方法により作製される。この電解
重合法により得られるポリ(N。
No−ジフェニルベンジジン〕は均一かつ強靭な膜とし
て成長し、膜厚は重合時の通7を電荷量により 100
人から数十μ宵まで制御が可能で薄膜状態でもピンホー
ルはない。
て成長し、膜厚は重合時の通7を電荷量により 100
人から数十μ宵まで制御が可能で薄膜状態でもピンホー
ルはない。
このポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)はP型半
導体としての性質を持つため、仕事関数、小さな金属と
ショットキー接合を、又n型半導体とPn接合を形成し
、接合部で光吸収が起これば光起電力が発生し、光電変
換素子、太陽電池としての機能を有する。
導体としての性質を持つため、仕事関数、小さな金属と
ショットキー接合を、又n型半導体とPn接合を形成し
、接合部で光吸収が起これば光起電力が発生し、光電変
換素子、太陽電池としての機能を有する。
またこのポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)は高
い正孔移動度を示すため、他のP型’Is導体層とオー
ミックコンタクトをするピンホールのない正孔移動下敷
層として使用できる。
い正孔移動度を示すため、他のP型’Is導体層とオー
ミックコンタクトをするピンホールのない正孔移動下敷
層として使用できる。
このポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)をP型土
導体として使用した光電変換素子の構成例を第1〜第3
図に示す。
導体として使用した光電変換素子の構成例を第1〜第3
図に示す。
第1図はn型無機゛I′−導体とP型半導体のポリ(N
、N’−ジフェニルベンジジン)を使用したベテロ接合
素子である。支持体5上に下部電極3を設け、その上に
P型半導体層1としてポリ(N、N“−ジフェニルベン
ジジン)を1f合により作製し、その上にn型半導体層
2を通常方法で作製し、上部電極4とサンドイッチした
ものである。この時r)型半導体としては単結晶Si、
多結晶St、アモルファスsi、cds。
、N’−ジフェニルベンジジン)を使用したベテロ接合
素子である。支持体5上に下部電極3を設け、その上に
P型半導体層1としてポリ(N、N“−ジフェニルベン
ジジン)を1f合により作製し、その上にn型半導体層
2を通常方法で作製し、上部電極4とサンドイッチした
ものである。この時r)型半導体としては単結晶Si、
多結晶St、アモルファスsi、cds。
CdTe、GaAs、ZnOなどが使用される。
下部上部電極としては接しているそれぞれの層とオーミ
ックコンタクトをする金属が使用される。また光の入射
が上部、下部のいずれかにより入射側の電極を先透過性
のものを使用する。
ックコンタクトをする金属が使用される。また光の入射
が上部、下部のいずれかにより入射側の電極を先透過性
のものを使用する。
この構成においてP型半導体のポリ(N、N’−ジフェ
ニルベンジジン)層とn型無機半導体層を逆に作製し、
n型無機半導体を下部電極上に成膜し、この上に電解重
合によりp型半導体のポリ(N、N’−ジフェニルベン
ジジン)を重合してもよい。
ニルベンジジン)層とn型無機半導体層を逆に作製し、
n型無機半導体を下部電極上に成膜し、この上に電解重
合によりp型半導体のポリ(N、N’−ジフェニルベン
ジジン)を重合してもよい。
第2図はP型半導体としてポリ(N、N’−ジフェニル
ベンジジン)を使用し、それと仕事関数小さな金属電極
を用いたショットキー接合素子である。下部電極上に電
解重合によりP型半導体であるポリ(N、N’−ジフェ
ニルベンジジン)膜を作製し、その上部に仕事関数の小
さな金属を蒸着などにより作製する。この時使用される
仕事関数の小さな金属としてはAI、Inなどがある。
ベンジジン)を使用し、それと仕事関数小さな金属電極
を用いたショットキー接合素子である。下部電極上に電
解重合によりP型半導体であるポリ(N、N’−ジフェ
ニルベンジジン)膜を作製し、その上部に仕事関数の小
さな金属を蒸着などにより作製する。この時使用される
仕事関数の小さな金属としてはAI、Inなどがある。
また前記へテロ接合素子の場合と同様入射光側電極を光
透過性のものとする。
透過性のものとする。
第3図はn型有機半導体GとP型半導体のポリ(N、N
’−ジフェニルベンジジン)を使用した有機Pn接合素
子である。下部電極上に電解重合によりP型半導体のポ
リ(N、N’−ジフェニルベンジジン)膜を作製し、そ
の上にn型有機半導体層6を作製し、上部電極とサンド
イッチしたものである。前記同様入射光電極は光透過性
のものとする。
’−ジフェニルベンジジン)を使用した有機Pn接合素
子である。下部電極上に電解重合によりP型半導体のポ
リ(N、N’−ジフェニルベンジジン)膜を作製し、そ
の上にn型有機半導体層6を作製し、上部電極とサンド
イッチしたものである。前記同様入射光電極は光透過性
のものとする。
n型有機半導体層として縮合多環系顔料やアゾ顔料など
が使用でき、単独または樹脂などに分散して使用され、
真空蒸着や塗布により成膜される。
が使用でき、単独または樹脂などに分散して使用され、
真空蒸着や塗布により成膜される。
第1〜第3図に示される構成において電解重合により作
製したポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)をP型
半導体として使用することにより、安随で大面積が容易
に作製でき、可撓性の付与も可能であって有機材料を用
いたものとしては高い変換効率を有し、従来に比ベピン
ホールがなく、高い開放電圧が得られ、かつ安定した性
能を有する光電変換素子が得られた。
製したポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)をP型
半導体として使用することにより、安随で大面積が容易
に作製でき、可撓性の付与も可能であって有機材料を用
いたものとしては高い変換効率を有し、従来に比ベピン
ホールがなく、高い開放電圧が得られ、かつ安定した性
能を有する光電変換素子が得られた。
次にポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を正孔移
動層として使用した光電変換素子の構成例を第4図〜第
5図に示す。
動層として使用した光電変換素子の構成例を第4図〜第
5図に示す。
第4図はP型有機半導体層7と上部電極として仕事関数
の小さい金属によるショットキー接合素子においてP型
有機半導体と下部電極との間に電解重合により作製した
ポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を正孔移動層
として設けたものである。この時P型有機半導体層7は
電解重合により作製されたポリ(N、N’−ジフェニル
ベンジジン)上に成膜されるが、その必須成分として用
いられる光吸収性、P型有機半導体はジスアゾ顔料、ト
リスアゾ顔料等のアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、キ
ナクリドン系顔料、ペリレン系顔料、芳香族多環午ノン
系顔料、インジゴ系顔料、チオインジゴ系顔料等の顔料
やトリフェニルメタン染料、シアニン染料、メロシアニ
ン染料等の染料が挙げられる。これらは単独または樹脂
などに分散して使用され、真空蒸着や塗布により成膜さ
れる。上部電極としては仕事関数の小さなAIS In
などの金属が使用される。また前記同様入射光電極は光
透過性のものとする。
の小さい金属によるショットキー接合素子においてP型
有機半導体と下部電極との間に電解重合により作製した
ポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を正孔移動層
として設けたものである。この時P型有機半導体層7は
電解重合により作製されたポリ(N、N’−ジフェニル
ベンジジン)上に成膜されるが、その必須成分として用
いられる光吸収性、P型有機半導体はジスアゾ顔料、ト
リスアゾ顔料等のアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、キ
ナクリドン系顔料、ペリレン系顔料、芳香族多環午ノン
系顔料、インジゴ系顔料、チオインジゴ系顔料等の顔料
やトリフェニルメタン染料、シアニン染料、メロシアニ
ン染料等の染料が挙げられる。これらは単独または樹脂
などに分散して使用され、真空蒸着や塗布により成膜さ
れる。上部電極としては仕事関数の小さなAIS In
などの金属が使用される。また前記同様入射光電極は光
透過性のものとする。
第5図は有機Pn接合素子において下部電極とP型有機
半導層との間に電解重合により作製したポリ(N、N“
−ジフェニルベンジジン)を正孔移動層として設けたも
のである。この時P型有機半導体層、n型有機半導体層
は今まで説明したものと同様に作製される。
半導層との間に電解重合により作製したポリ(N、N“
−ジフェニルベンジジン)を正孔移動層として設けたも
のである。この時P型有機半導体層、n型有機半導体層
は今まで説明したものと同様に作製される。
第4〜5図で示される正孔移動としてポリ(N、N’−
ジフェニルベンジジン)を使用することにより、光吸収
性半導体層を薄くすることができ、これにより光が接合
面に多く到達し、キャリア発生量が増加する。また半導
体層を薄くすることにより、その層中を正孔が移動する
過程でのトラップなどによる失活の割合が減少する。
ジフェニルベンジジン)を使用することにより、光吸収
性半導体層を薄くすることができ、これにより光が接合
面に多く到達し、キャリア発生量が増加する。また半導
体層を薄くすることにより、その層中を正孔が移動する
過程でのトラップなどによる失活の割合が減少する。
またポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)はピンホ
ールがないため下部電極と上部電極が短絡せず、高い開
放電圧が得られ、個々の性能のバラツキが少ない安定し
た光電変換素子が得られる。
ールがないため下部電極と上部電極が短絡せず、高い開
放電圧が得られ、個々の性能のバラツキが少ない安定し
た光電変換素子が得られる。
上記構成上特に指定していない上部、下部電極はほとん
どの金属が使用できる。また支持体としでは光を支持体
側から照射する場合はガラス、透明プラスチックフィル
ムなどが用いられる。また第1図〜第5図上の構成図に
は示されていないが上部電極上に保護膜を設けてもよい
。
どの金属が使用できる。また支持体としでは光を支持体
側から照射する場合はガラス、透明プラスチックフィル
ムなどが用いられる。また第1図〜第5図上の構成図に
は示されていないが上部電極上に保護膜を設けてもよい
。
次に本発明で使用されるポリ(N、N“−ジフェニルベ
ンジジン)の膜厚について示す。ポリ(N、N“−ジフ
ェニルベンジジン)をP型半導体層として使用する場合
0.02〜3μ国が好ましい。
ンジジン)の膜厚について示す。ポリ(N、N“−ジフ
ェニルベンジジン)をP型半導体層として使用する場合
0.02〜3μ国が好ましい。
ポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を正孔移動層
として使用する場合0,01〜1μ覆が好ましい。
として使用する場合0,01〜1μ覆が好ましい。
[実施例]
以Fに、実施例を挙げ本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
抵抗率50Ωe1mのn型単結晶Si基板上にN、N’
−ジフェニルベンジジン3.5mmol/ it 、テ
トラ−n−ブチルアンモニウムバークロレート 0.1
mo115t、2,6−ルチジン50imol/ lを
溶解したアセトニトリル溶液中で対極として白金板、参
照極として飽和カロメル電極(S CE)を使用し、S
CEに対し 1.5Vの定電位にて重合を行い、0.3
μ麿のポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)重合体
を成膜した。この七に 580nmにおける透過率が3
0%のAu電極を蒸着により作製した。この素子の電流
、電圧特性を測定したところ、p−n接合に見られる典
型的な非対称な整流特性を示した。この素子の上部透光
性Au電極側より 75mW/can ’ (AM
1.5フイルター)の光を照射し光電変換特性を測定し
た。この結果開放電圧0.42Vの光起電力を示し変換
効率は0.15%であった。この接合をlOO日間室温
放置したところ暗状態及び光照射状態の電流、電圧特性
に変化が見られなかった。
−ジフェニルベンジジン3.5mmol/ it 、テ
トラ−n−ブチルアンモニウムバークロレート 0.1
mo115t、2,6−ルチジン50imol/ lを
溶解したアセトニトリル溶液中で対極として白金板、参
照極として飽和カロメル電極(S CE)を使用し、S
CEに対し 1.5Vの定電位にて重合を行い、0.3
μ麿のポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)重合体
を成膜した。この七に 580nmにおける透過率が3
0%のAu電極を蒸着により作製した。この素子の電流
、電圧特性を測定したところ、p−n接合に見られる典
型的な非対称な整流特性を示した。この素子の上部透光
性Au電極側より 75mW/can ’ (AM
1.5フイルター)の光を照射し光電変換特性を測定し
た。この結果開放電圧0.42Vの光起電力を示し変換
効率は0.15%であった。この接合をlOO日間室温
放置したところ暗状態及び光照射状態の電流、電圧特性
に変化が見られなかった。
実施例2
表面抵抗20ΩのITOガラス上に実施例1と同様にポ
リ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を0.3μm成
膜し、その上に560ロ1こおける透過率が7%のAl
ff1極を蒸着し素子を作製した。
リ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を0.3μm成
膜し、その上に560ロ1こおける透過率が7%のAl
ff1極を蒸着し素子を作製した。
この素子のA1電極側より電極透過後の光量が1.6μ
V/Cm 2になるような800nmの単色光を照射し
光電変換特性を測定した。この結果開放電圧0.53V
の光起電力を示し、電極透過率を補正した後の変換効率
は0646%であった。
V/Cm 2になるような800nmの単色光を照射し
光電変換特性を測定した。この結果開放電圧0.53V
の光起電力を示し、電極透過率を補正した後の変換効率
は0646%であった。
実施例3
実施例2と同様にITOガラス基上にポリ(N、N’−
ジフェニルベンジジン)を成膜し、その上に下記構造式
で示されるペリレン顔料を真空蒸着により 500人成
膜し その上にAurIs極を蒸着し素子を作製した。
ジフェニルベンジジン)を成膜し、その上に下記構造式
で示されるペリレン顔料を真空蒸着により 500人成
膜し その上にAurIs極を蒸着し素子を作製した。
この素子のITO電極側より実施例1と同様な光を照射
したところ開放電圧0.47Vの光起電力を示し変換効
率は0.10%であった。
したところ開放電圧0.47Vの光起電力を示し変換効
率は0.10%であった。
実施例4
実施例7′:、Il−同様にITOガラス上にポリ(N
。
。
N“−シフ−r、 、ニルベンジジン)を成膜し、その
後テトラ−11−ブチルアンモニウムバークロレート
0.1sol/Qを含むアセトニトリル中でSCEに対
し−0,5Vで10分間脱ドーピングした。
後テトラ−11−ブチルアンモニウムバークロレート
0.1sol/Qを含むアセトニトリル中でSCEに対
し−0,5Vで10分間脱ドーピングした。
この脱ドーピング膜上にAIクロロフタロシアニンを真
空蒸着により 500X成膜し、その上に580nmに
おける透過率が8.2%のA1電極を蒸着し素子を作製
した。この素子のAl電極側より電極透過後の光量が1
.6μW/cffi’になるような750n*の単色光
を照射し光電変換特性をハj定した。この結果開放電圧
0.78Vの光起電力を示し電極透過率を補正した後の
変換効率は1.1%であった。
空蒸着により 500X成膜し、その上に580nmに
おける透過率が8.2%のA1電極を蒸着し素子を作製
した。この素子のAl電極側より電極透過後の光量が1
.6μW/cffi’になるような750n*の単色光
を照射し光電変換特性をハj定した。この結果開放電圧
0.78Vの光起電力を示し電極透過率を補正した後の
変換効率は1.1%であった。
同様な素子を10個作製したところ、いずれ開放電圧も
0.75V〜0.8Vの値を示し、変換効率1.0〜1
.2%の安定した特性を示した。
0.75V〜0.8Vの値を示し、変換効率1.0〜1
.2%の安定した特性を示した。
比較例1
実施例4と同様な素子でポリ(N、N’−ジフェニルベ
ンジジン)の層がない素子を10個作製した。この素子
を実施例4と同様な光を照射l。
ンジジン)の層がない素子を10個作製した。この素子
を実施例4と同様な光を照射l。
光電変換特性を測定したところ10個中4個開放電圧が
0.4〜0,5Vで残りは0.2V以下で特性の大きな
バラツキが見られた。電極透過率を補正した後の変換効
率は0.6%以下であった。
0.4〜0,5Vで残りは0.2V以下で特性の大きな
バラツキが見られた。電極透過率を補正した後の変換効
率は0.6%以下であった。
実施例5
実施例4と同様にポリ(N、N’−ジフェニルベンジジ
ン)の脱ドープ膜を作製し、その上に真空蒸着によりA
Iクロロフタロシアニンを5(10人成膜し、またその
上に実施例3と同じペリレン顔料を500人成膜し、そ
の上に5130rvlこおける透過率が26%のAu電
極を蒸着し、素子を作製した。この素子の上部透過性A
u電極側より75mW/cs2(AM 1.57 イル
9− ) f)光ヲ照射り。
ン)の脱ドープ膜を作製し、その上に真空蒸着によりA
Iクロロフタロシアニンを5(10人成膜し、またその
上に実施例3と同じペリレン顔料を500人成膜し、そ
の上に5130rvlこおける透過率が26%のAu電
極を蒸着し、素子を作製した。この素子の上部透過性A
u電極側より75mW/cs2(AM 1.57 イル
9− ) f)光ヲ照射り。
光電変換特性をaPj定した。その結果開放電圧(1,
57Vの光起電力を示し変換効率は0.17%であった
。
57Vの光起電力を示し変換効率は0.17%であった
。
同様な素子を10個作製したところいずれの開放電圧も
0.55V〜o、e vの値を示し、変換効率0.15
%〜0.2%の安定した特性を示した。
0.55V〜o、e vの値を示し、変換効率0.15
%〜0.2%の安定した特性を示した。
比較例2
実施例5と同様な素子でポリ(N、N’−ジフェニルベ
ンジジン)の層がない素子を10個作製した。この素子
を実施例5と同様な光を照射し光電変換特性を測定した
ところ10個中6個の開放電圧が0.45V 〜0.5
V テ残りハ0.2V以下で特性の大きなバラツキが
見られた。また変換効率0.1%以下であった。
ンジジン)の層がない素子を10個作製した。この素子
を実施例5と同様な光を照射し光電変換特性を測定した
ところ10個中6個の開放電圧が0.45V 〜0.5
V テ残りハ0.2V以下で特性の大きなバラツキが
見られた。また変換効率0.1%以下であった。
[発明の効果]
以上述べた様に本発明によれば電解重合法により作製さ
れるポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)をP型半
導体として使用することにより安価で大面積の高性能な
光電変換素子が達成できる。
れるポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)をP型半
導体として使用することにより安価で大面積の高性能な
光電変換素子が達成できる。
ポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を正孔移動層
として使用することにより高い開放電圧を有する安定し
た性能の光電変換素子が達成できる。
として使用することにより高い開放電圧を有する安定し
た性能の光電変換素子が達成できる。
このため従来成膜性が悪く厚膜状態でのみ使用可能であ
った有機半導体も、ポリ(N、N−ジフェニルベンジジ
ン)との組み合せにより薄膜状態でも使用可能となり材
料の選択範囲が広がり、より高性能な光電変換素子を提
供できる。
った有機半導体も、ポリ(N、N−ジフェニルベンジジ
ン)との組み合せにより薄膜状態でも使用可能となり材
料の選択範囲が広がり、より高性能な光電変換素子を提
供できる。
第1図〜第5図は本発明の光電変換素子の層構成を説明
する図。 オI図
する図。 オI図
Claims (1)
- P型半導体または正孔移動層として電解重合法により作
製したポリ(N、N’−ジフェニルベンジジン)を使用
することを特徴とする光電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062211A JPH02244680A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062211A JPH02244680A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光電変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02244680A true JPH02244680A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13193580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1062211A Pending JPH02244680A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02244680A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2871296A1 (fr) * | 2004-06-02 | 2005-12-09 | Univ Cergy Pontoise | Procede de preparation d'un materiau semi-conducteur photo-actif, materiau ainsi realise et applications |
JP2011077375A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子の製造方法および太陽電池の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP1062211A patent/JPH02244680A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2871296A1 (fr) * | 2004-06-02 | 2005-12-09 | Univ Cergy Pontoise | Procede de preparation d'un materiau semi-conducteur photo-actif, materiau ainsi realise et applications |
WO2005124891A1 (fr) * | 2004-06-02 | 2005-12-29 | Universite De Cergy-Pontoise | Procede de preparation d'un materiau semi-conducteur photo-actif, materiau ainsi realise et applications |
JP2011077375A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子の製造方法および太陽電池の製造方法 |
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