JPH02237176A - 光検出器 - Google Patents
光検出器Info
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- JPH02237176A JPH02237176A JP1056142A JP5614289A JPH02237176A JP H02237176 A JPH02237176 A JP H02237176A JP 1056142 A JP1056142 A JP 1056142A JP 5614289 A JP5614289 A JP 5614289A JP H02237176 A JPH02237176 A JP H02237176A
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Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は波長多重光伝送システムにおいて、入射された
光の中の特定の波長の信号光を選択的検出する光検出器
に関する。
光の中の特定の波長の信号光を選択的検出する光検出器
に関する。
［従来の技術１
従来この種の光検出器は、入射光を分渡して信号光を取
出し、これをフォトダイ才一ド等の光電変換器を用いて
受信していた． 第７図は従来の光検出器の構成を示す図である。
出し、これをフォトダイ才一ド等の光電変換器を用いて
受信していた． 第７図は従来の光検出器の構成を示す図である。
基板７ｌ上に構成されたリッジ型の導波路７３にはそれ
ぞれ異なる波長の信号光を反射させる回折格子７４．〜
７４，が形成されている．光ファイバ７７より入射され
る多重化された信号光は、その波長がブラッグ条件を満
足する回折格子によって反射される。各反射位置には、
同様に形成された回折格子７６，〜７６３をそれぞれ具
備するフオトダイ才一ド等の光検出部７５，〜７５，が
形成されており、各信号光の検出が行なわれる。
ぞれ異なる波長の信号光を反射させる回折格子７４．〜
７４，が形成されている．光ファイバ７７より入射され
る多重化された信号光は、その波長がブラッグ条件を満
足する回折格子によって反射される。各反射位置には、
同様に形成された回折格子７６，〜７６３をそれぞれ具
備するフオトダイ才一ド等の光検出部７５，〜７５，が
形成されており、各信号光の検出が行なわれる。
また、入射光を分波するものとして回折格子の代わりに
干渉フィルタを配置し、特定波長の光のみを透過、もし
くは反射させるものもある。
干渉フィルタを配置し、特定波長の光のみを透過、もし
くは反射させるものもある。
上述した従来の光検出器においては、分波な行なうため
に長い光路な必要とし、その領域も広い面積を要するた
め、光検出器が大きいものとなってしまうという欠点が
ある。また、長い光路によって生じる光吸収損失や種々
の部品を挿入することによって生じる反射散乱損失も大
きなものとなってしまうという欠点があり、波長分解能
も低く、高密度集積化も成されていなかった。
に長い光路な必要とし、その領域も広い面積を要するた
め、光検出器が大きいものとなってしまうという欠点が
ある。また、長い光路によって生じる光吸収損失や種々
の部品を挿入することによって生じる反射散乱損失も大
きなものとなってしまうという欠点があり、波長分解能
も低く、高密度集積化も成されていなかった。
本発明は、高集積化され、損失が少なく、高分解能な光
検出器を提供することを目的とする。
検出器を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段１
本発明の光検出器は、
波長多重化された入力光のうち、特定波長の信号光のみ
を選択的に検出する光検出器であって、信号光が入射さ
れる導波層と、 光が入射されたときに、その強度に応じたキャリヤを生
じる光吸収層と、 波長多重化された信号光の中から特定波長の侶号光を分
離するための回折格子とを具備し、導波層および光吸収
層は各々を中心とする導波モードが異なるように形成さ
れ、 回折格子は、導波層および吸収層を中心とする各導波モ
ードが重なり合う領域に形成されている。
を選択的に検出する光検出器であって、信号光が入射さ
れる導波層と、 光が入射されたときに、その強度に応じたキャリヤを生
じる光吸収層と、 波長多重化された信号光の中から特定波長の侶号光を分
離するための回折格子とを具備し、導波層および光吸収
層は各々を中心とする導波モードが異なるように形成さ
れ、 回折格子は、導波層および吸収層を中心とする各導波モ
ードが重なり合う領域に形成されている。
［作用１
導波層と光吸収層との間に導波モード変換を行なわせる
回折格子が設けられているので、導波層に入射された光
のうち、特定波長のものは光吸収層にその導波モードが
うつり、伝搬しつつ吸収される。このため、該特定波長
の光強度のみが検出される． ［実施例］ 第１図は本発明の第１の実施例の構成を示す図である。
回折格子が設けられているので、導波層に入射された光
のうち、特定波長のものは光吸収層にその導波モードが
うつり、伝搬しつつ吸収される。このため、該特定波長
の光強度のみが検出される． ［実施例］ 第１図は本発明の第１の実施例の構成を示す図である。
本実施例はＮ”−ＧａＡｓである基板１０４上に、厚さ
０．５，ｕｎのＮ−ＧａＡｓであるバツファ層ｌ０５、
厚さ１．５ｕｍのＮ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ． ｓＡｓで
あるクラツド層１０６、厚さ３０人のＮ−ＧａＡＳと厚
さ７０人のＡｌｏ． ５Ｇａ６． ｓＡｓとが交互に積
屡された厚さ０．２μｍの多重量子井戸（ＭＱＷ）であ
る導波層１０１、厚さ０．７μｍのＮ−Ａｌｏ． ｓＧ
ａｏ． ｓＡｓであるクラッドｆｆｉｌ０３，厚さ０．
４μＩＩＩのｉ−ＧａＡｓである光吸収層１０２を分子
線エビタキシャル（ＭＢＥ）法を用いて順に成長させた
ものである。
０．５，ｕｎのＮ−ＧａＡｓであるバツファ層ｌ０５、
厚さ１．５ｕｍのＮ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ． ｓＡｓで
あるクラツド層１０６、厚さ３０人のＮ−ＧａＡＳと厚
さ７０人のＡｌｏ． ５Ｇａ６． ｓＡｓとが交互に積
屡された厚さ０．２μｍの多重量子井戸（ＭＱＷ）であ
る導波層１０１、厚さ０．７μｍのＮ−Ａｌｏ． ｓＧ
ａｏ． ｓＡｓであるクラッドｆｆｉｌ０３，厚さ０．
４μＩＩＩのｉ−ＧａＡｓである光吸収層１０２を分子
線エビタキシャル（ＭＢＥ）法を用いて順に成長させた
ものである。
次に、フォトし７ジストを用いたフォトリソグラフィー
法によりレジストマスクを作成し、光吸収ｉ １０２の
上面にアンモニアと過酸化水素を用いてエッチングを行
ない、深さ０．２μｍであり、ピッチ５．５μ．ｍのコ
ルゲーションからなる回折格子１０７を１００μｍの長
さにわたって形成させた。
法によりレジストマスクを作成し、光吸収ｉ １０２の
上面にアンモニアと過酸化水素を用いてエッチングを行
ない、深さ０．２μｍであり、ピッチ５．５μ．ｍのコ
ルゲーションからなる回折格子１０７を１００μｍの長
さにわたって形成させた。
次に、液相エビタキシャル（ＬＰＥ）法を用い゛ＣＰ−
Ａｌｏ． ｓＧａｏ． ｓＡｓであるクラツド層１０８
を再成長させ、さらにＰ”−ＧａＡｓであるキャップ層
１０９を成長させた。最後に基板１０４の裏面にＡｕ−
ＧｅであるコンタクトＮ（不図示）とＡｕである電極１
１０を成膜させ、キャップ層１０９の上面にはＣ「であ
るコンタクト層（不図示）とＡｕである電極１１１を成
膜させた．このようにしてＰ−ｉ−ｎ型フオトダイオー
ドである光検出器を作製した。
Ａｌｏ． ｓＧａｏ． ｓＡｓであるクラツド層１０８
を再成長させ、さらにＰ”−ＧａＡｓであるキャップ層
１０９を成長させた。最後に基板１０４の裏面にＡｕ−
ＧｅであるコンタクトＮ（不図示）とＡｕである電極１
１０を成膜させ、キャップ層１０９の上面にはＣ「であ
るコンタクト層（不図示）とＡｕである電極１１１を成
膜させた．このようにしてＰ−ｉ−ｎ型フオトダイオー
ドである光検出器を作製した。
本実施例の光検出器は上述の様に構成されることにより
、層方向に積層された導波Ｎ１０１と光吸収層１０２と
が方向性結合器を形成するものである．導波［１０１と
光吸収層１０２とは組成が異なるものとされ、層厚も異
なるものとされているので、各々を導波する光の伝搬定
数も異なるものとなる。光吸収層１０２の上面に形成さ
れる回折格子１０７は、その格子ピッチにより方向性結
合が行なわれる光を選択する。
、層方向に積層された導波Ｎ１０１と光吸収層１０２と
が方向性結合器を形成するものである．導波［１０１と
光吸収層１０２とは組成が異なるものとされ、層厚も異
なるものとされているので、各々を導波する光の伝搬定
数も異なるものとなる。光吸収層１０２の上面に形成さ
れる回折格子１０７は、その格子ピッチにより方向性結
合が行なわれる光を選択する。
第２図は本実施例の光検出器で成立する偶モード３１お
よび奇モード３２の光電界強度分布を示す図である。横
軸は、光吸収ｌ １０２を基準とした距雌を示し、縦軸
は光強度を示す。
よび奇モード３２の光電界強度分布を示す図である。横
軸は、光吸収ｌ １０２を基準とした距雌を示し、縦軸
は光強度を示す。
次に、本実施例の動作について説明する。
本実施例の電極１１０， １１１間に逆バイアスを印加
した状態とし、波長０，Ｏｌμｍきざみの波長０．８１
μｍから０，８７μｍの複数のレーザ光よりなる信号光
＋１２を端面結合を用いて導波層１０１へ入射した。入
力結合された信号光１１２は、第２図に示すような本光
検出器内で成立する偶、奇モード３１．３２のうち、導
波層１０１に中心強度を有する奇モード３２となり、伝
搬していく。この奇モード３２の光電界強度分布３２は
、図示するように光吸収Ｊ’ｌＪ １０２にほとんどお
よんでいないため、吸収による伝搬損失は極めて少ない
． 光吸収層１０２に中心強度を有する偶モード３１と奇モ
ード３２は伝搬定数が異なるため、この二つのモードは
ほとんど結合しない．しかし回折格子の存在する領域に
おいて奇モード伝搬定数β０と偶モード伝搬定数βｅの
間に以下の関係が成立すれば結合が生じる。
した状態とし、波長０，Ｏｌμｍきざみの波長０．８１
μｍから０，８７μｍの複数のレーザ光よりなる信号光
＋１２を端面結合を用いて導波層１０１へ入射した。入
力結合された信号光１１２は、第２図に示すような本光
検出器内で成立する偶、奇モード３１．３２のうち、導
波層１０１に中心強度を有する奇モード３２となり、伝
搬していく。この奇モード３２の光電界強度分布３２は
、図示するように光吸収Ｊ’ｌＪ １０２にほとんどお
よんでいないため、吸収による伝搬損失は極めて少ない
． 光吸収層１０２に中心強度を有する偶モード３１と奇モ
ード３２は伝搬定数が異なるため、この二つのモードは
ほとんど結合しない．しかし回折格子の存在する領域に
おいて奇モード伝搬定数β０と偶モード伝搬定数βｅの
間に以下の関係が成立すれば結合が生じる。
？π
βｅ（λ）一β０（λ）＝■ ・・・・■Δ
ここで、λは光波長であり、Δは回折格子のピッチであ
る．以上のように特定の波長で■式の関係が満足されれ
ば、奇モード３２の光は偶モード３ｌに変換され、光吸
収層１０２に中心強度が移行する．本実施例の場合、前
述したように格子ビツチΔは５．５μｍとされ、０．８
３μｍの波長が検出される。
る．以上のように特定の波長で■式の関係が満足されれ
ば、奇モード３２の光は偶モード３ｌに変換され、光吸
収層１０２に中心強度が移行する．本実施例の場合、前
述したように格子ビツチΔは５．５μｍとされ、０．８
３μｍの波長が検出される。
光吸収ｉ １０２に移行した導波光は吸収され、電子と
正孔を生じ、光電流として外部に検出される。
正孔を生じ、光電流として外部に検出される。
第３図は検出される光の波長分布を示す図である。
半値全幅１６０人の鋭い波長選択が行なわれている様子
が把める。
が把める。
なお、本実施例では回折格子を用いた方向性結合器とし
ての完全結合長（結合効率が最大となる結合領域の長さ
）２６２μｍに達しない１００μｍの長さで回折格子の
領域を設定したが、これは光検出器の応答性を考慮した
上でのことであり、受光面積の増大による応答性の劣化
が許せるなら、完全結合長に回折格子領域の長さを近づ
ければ光の吸収効率はさらに増大する． また、本実施例による素子を回折格子のピッチを変えて
複数個、縦続接続すれば複数の波長を有する信号光を同
時検出可能な集積型光検出器が作成することができる． 第４図は本発明の第２の実施例の構成を示す図である。
ての完全結合長（結合効率が最大となる結合領域の長さ
）２６２μｍに達しない１００μｍの長さで回折格子の
領域を設定したが、これは光検出器の応答性を考慮した
上でのことであり、受光面積の増大による応答性の劣化
が許せるなら、完全結合長に回折格子領域の長さを近づ
ければ光の吸収効率はさらに増大する． また、本実施例による素子を回折格子のピッチを変えて
複数個、縦続接続すれば複数の波長を有する信号光を同
時検出可能な集積型光検出器が作成することができる． 第４図は本発明の第２の実施例の構成を示す図である。
本実施例は横型に形成されたＰ−ｉ−ｎ構造により光検
出を行なうものである。
出を行なうものである。
本実施例の構造は、半絶縁性ＧａＡｓである基板４０１
上に、厚さ０．５ｇｍのｉ−ＧａＡｓであるバッファ層
４０２、厚さ１．５μｍのｉ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ．
ｓＡｓであるクラッド９４０３ ，厚さ５０人のｉ−Ｇ
ａＡｓ層およびＡｌｏ． ｓＧａｏ． ｓＡｓが交互に
積暦されたＭＱＷである厚さ０．２ｕｍの導波Ｊｉ４０
４ 、厚さ０．７５ｕｍのｉ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ．
ｓＡｓであるクラッド層４０５、厚さ０．’３μｍのｉ
−ＧａＡｓである光吸収Ｎ４０６を順に成膜させ、次に
、第１図に示した第１の実施例と同様の工程により、光
吸収層４０Ｇの上面に深さ０，０５μｍでコルゲーショ
ン状の回折格子４０７を作成した。コルゲーションのピ
ッチは４。６μｍ、領域の長さは２００μｍとした。こ
の後、厚さ １．５μｍのｉ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ．
ｓＡｓであるクラッドＮ４０８を成長させ、さらにＳｉ
ａＬである保護Ｎ４０９を成膜させた． 次に、保護層４０９の上面に幅２μｍの間隔をおいてＺ
ｎとＳｔとを両側に熱拡散させ、ｐ型領域４１０、ｎ型
領域４１３を形成させた。この後、ｐ型領域４１０の上
部にｐ′″−ＧａＡｓであるキャップ層４１１、Ｃｒ／
Ａｕである電極４１２を作成し、ｎ型領域４１３の上部
にはｎ”−ＧａＡｓであるキャップ層４１４ 、Ａｕ−
Ｇｅ／Ａｕである電極４１５を作成した。
上に、厚さ０．５ｇｍのｉ−ＧａＡｓであるバッファ層
４０２、厚さ１．５μｍのｉ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ．
ｓＡｓであるクラッド９４０３ ，厚さ５０人のｉ−Ｇ
ａＡｓ層およびＡｌｏ． ｓＧａｏ． ｓＡｓが交互に
積暦されたＭＱＷである厚さ０．２ｕｍの導波Ｊｉ４０
４ 、厚さ０．７５ｕｍのｉ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ．
ｓＡｓであるクラッド層４０５、厚さ０．’３μｍのｉ
−ＧａＡｓである光吸収Ｎ４０６を順に成膜させ、次に
、第１図に示した第１の実施例と同様の工程により、光
吸収層４０Ｇの上面に深さ０，０５μｍでコルゲーショ
ン状の回折格子４０７を作成した。コルゲーションのピ
ッチは４。６μｍ、領域の長さは２００μｍとした。こ
の後、厚さ １．５μｍのｉ−Ａｌｏ． ｓＧａｏ．
ｓＡｓであるクラッドＮ４０８を成長させ、さらにＳｉ
ａＬである保護Ｎ４０９を成膜させた． 次に、保護層４０９の上面に幅２μｍの間隔をおいてＺ
ｎとＳｔとを両側に熱拡散させ、ｐ型領域４１０、ｎ型
領域４１３を形成させた。この後、ｐ型領域４１０の上
部にｐ′″−ＧａＡｓであるキャップ層４１１、Ｃｒ／
Ａｕである電極４１２を作成し、ｎ型領域４１３の上部
にはｎ”−ＧａＡｓであるキャップ層４１４ 、Ａｕ−
Ｇｅ／Ａｕである電極４１５を作成した。
横型Ｐ−ｉ−ｎ構造に対して逆バイアスを印加した状態
で第１の実施例と同様、入力光に対する検出強度の波長
特性を観察した。その結果、第５図に示すように第１の
実施例と同様に良好な波長選択性が得られた．半値全幅
は約３３人であった。
で第１の実施例と同様、入力光に対する検出強度の波長
特性を観察した。その結果、第５図に示すように第１の
実施例と同様に良好な波長選択性が得られた．半値全幅
は約３３人であった。
本実施例の構造は半絶縁性基板を用いているため、他の
素子との電気的分離が容易で、複数個の光検出器を集積
する場合や、検出用アンプ、発光素子あるいは制御用ド
ライバとの集積化においても有利である。
素子との電気的分離が容易で、複数個の光検出器を集積
する場合や、検出用アンプ、発光素子あるいは制御用ド
ライバとの集積化においても有利である。
第６図は本発明の第３の実施例の構成を示す図である．
本実施例は、波長分波検出機能に加えてＦＥＴ構造によ
る増幅機能を付加したものである。
る増幅機能を付加したものである。
まず、構造について説明する。
本実施例は、第２の実施例と同様に半絶縁性ＧａＡｓで
ある基板６０１上に、厚さ０．５μｍのｉ−ＧａＡｓで
あるバッファ層６０２、厚さ１．５μｍのｉ−Ａｌｏ．
ｓＧａｏ， ａＡｓであるクラッド層６０３、第２の
実施例の導波層４０４と同様に構成された厚さ０．２μ
ｍの導波Ｎ６０４ 、厚さ０．６μｍのｉ−Ａｌｏ．
ｓＧａｏ． ｓＡｓであるクラッドＮ６０５をＭＢＥ法
を用いて順次形成させ、この上面に第１および第２の実
施例と同様にコルゲーション状の回折格子６０７を形成
し、続いて、厚さ ０．４μｍのｎ−ＧａＡｓ （ドー
ビシグ濃度〜ＩＸ １０”ｃｍ−３）である光吸収Ｎ６
０６を再成長させた後に、スパッタリングにより厚さ
０．３μｍのＳ！３Ｎ４である絶縁膜６０９を成膜させ
た。
ある基板６０１上に、厚さ０．５μｍのｉ−ＧａＡｓで
あるバッファ層６０２、厚さ１．５μｍのｉ−Ａｌｏ．
ｓＧａｏ， ａＡｓであるクラッド層６０３、第２の
実施例の導波層４０４と同様に構成された厚さ０．２μ
ｍの導波Ｎ６０４ 、厚さ０．６μｍのｉ−Ａｌｏ．
ｓＧａｏ． ｓＡｓであるクラッドＮ６０５をＭＢＥ法
を用いて順次形成させ、この上面に第１および第２の実
施例と同様にコルゲーション状の回折格子６０７を形成
し、続いて、厚さ ０．４μｍのｎ−ＧａＡｓ （ドー
ビシグ濃度〜ＩＸ １０”ｃｍ−３）である光吸収Ｎ６
０６を再成長させた後に、スパッタリングにより厚さ
０．３μｍのＳ！３Ｎ４である絶縁膜６０９を成膜させ
た。
次に、図示するように光吸収Ｈ６０６上にソース電極６
１０、ゲート電極６１ｌ、ドレイン電極６１２を作成し
、ＦＥＴ構造とした。ソース電極６１０およびドレイン
電極６１２はＡｕ−Ｇｅを下敷き層とずるＡｕ電極とさ
れ、ゲート電極６１１はＡＩにより形成されている。
１０、ゲート電極６１ｌ、ドレイン電極６１２を作成し
、ＦＥＴ構造とした。ソース電極６１０およびドレイン
電極６１２はＡｕ−Ｇｅを下敷き層とずるＡｕ電極とさ
れ、ゲート電極６１１はＡＩにより形成されている。
本実施例の動作は前実施例と同様であり、導波Ｈ６０４
に入射した光が、回折格子領域でモード変換され、光吸
収層６０６で吸収される。吸収された結果生じたキャリ
アは増幅され、ドレイン電流として検出される。
に入射した光が、回折格子領域でモード変換され、光吸
収層６０６で吸収される。吸収された結果生じたキャリ
アは増幅され、ドレイン電流として検出される。
本実施例では波長検出機能に加えてＦＥＴ構造による増
幅機能が付加されるため、検出感度に優れた光検出器が
得られる。
幅機能が付加されるため、検出感度に優れた光検出器が
得られる。
なお、以上の各実施例はすべてＧａＡｓ系材料から構成
されていたが、無論、検出波長に合わせてＩｎＧａＡｓ
など他の■一Ｖ族化合物半導体や、Ｓｉ． Ｇｅなとの
半導体や、ＣｄＴｅなとＩＩ−ＶＩ族化合物半導体など
から構成することも無論可能である。
されていたが、無論、検出波長に合わせてＩｎＧａＡｓ
など他の■一Ｖ族化合物半導体や、Ｓｉ． Ｇｅなとの
半導体や、ＣｄＴｅなとＩＩ−ＶＩ族化合物半導体など
から構成することも無論可能である。
また、回折格子の形成される層は、光吸収層、導波層を
中心に成立する導波モード（偶モード３１および奇モー
ド３２）が重なり合う領域ならばいずれでも良い。
中心に成立する導波モード（偶モード３１および奇モー
ド３２）が重なり合う領域ならばいずれでも良い。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、波長選択機能を光
検出器に兼備させることが可能で、かつ、波長分解能に
優れ、集積化に適した光検出器を実現することができる
効果がある。また、本発明による素子は波長多重通信シ
ステムに適用する光検出器として好適であり、他の機能
素子との集積化も容易なため将来の光ＩＣ、○ＥＩＣ
（光電子ＩＣ）にも好適である。また、現在および今後
の光情報伝送システム、光通信システム、光ＬＡＮ、光
コンピューティングなどに広く応用することが可能であ
る。
検出器に兼備させることが可能で、かつ、波長分解能に
優れ、集積化に適した光検出器を実現することができる
効果がある。また、本発明による素子は波長多重通信シ
ステムに適用する光検出器として好適であり、他の機能
素子との集積化も容易なため将来の光ＩＣ、○ＥＩＣ
（光電子ＩＣ）にも好適である。また、現在および今後
の光情報伝送システム、光通信システム、光ＬＡＮ、光
コンピューティングなどに広く応用することが可能であ
る。
第１図は本発明の第１の実施例の構成を示す図、第２図
は第１の実施例の光電界強度分布を示す図、第３図は第
１の実施例にて検出される光の波長分布を示す図、第４
図は本発明の第２の実施例の構成を示す図、第５図は第
２の実施例にて検出される光の波長分布を示す図、第６
図は本発明の第３の実施例の構成を示す図、第７図は従
来例の構成を示す図である。 １０１， ４０４， ６０４・・・導波層、１０２，
４０６， ６０６・・・光吸収層、１．０３， １０６
， １０８， ４０３， ４０５， ４０８， ６０３
， ６０５・・・クラッド層、 ０４， ４０１， ６０１・・・基板、０５， ４０２
， ６０２・・・バッファ層、０７， ４０７， ６０
７・・・回折格子、０９， ４１１， ４１４・・・キ
ャップ層、１０， １１１， ４１２， ４１５・・・
電極、ｌ２・・・信号光、 ４０９ ４１０・・・ｐ型領域、 ４１３ ６０９・・・絶縁膜、 ６１０ ６１１・・・ゲート電極、 ６１２ ・・・保護層、 ・・・ｎ型領域、 ・・・ソース電極、 ・・・ドレイン電極．
は第１の実施例の光電界強度分布を示す図、第３図は第
１の実施例にて検出される光の波長分布を示す図、第４
図は本発明の第２の実施例の構成を示す図、第５図は第
２の実施例にて検出される光の波長分布を示す図、第６
図は本発明の第３の実施例の構成を示す図、第７図は従
来例の構成を示す図である。 １０１， ４０４， ６０４・・・導波層、１０２，
４０６， ６０６・・・光吸収層、１．０３， １０６
， １０８， ４０３， ４０５， ４０８， ６０３
， ６０５・・・クラッド層、 ０４， ４０１， ６０１・・・基板、０５， ４０２
， ６０２・・・バッファ層、０７， ４０７， ６０
７・・・回折格子、０９， ４１１， ４１４・・・キ
ャップ層、１０， １１１， ４１２， ４１５・・・
電極、ｌ２・・・信号光、 ４０９ ４１０・・・ｐ型領域、 ４１３ ６０９・・・絶縁膜、 ６１０ ６１１・・・ゲート電極、 ６１２ ・・・保護層、 ・・・ｎ型領域、 ・・・ソース電極、 ・・・ドレイン電極．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、波長多重化された入力光のうち、特定波長の信号光
のみを選択的に検出する光検出器であって、 前記信号光が入射される導波層と、 光が入射されたときに、その強度に応じたキャリヤを生
じる光吸収層と、 前記波長多重化された信号光の中から前記特定波長の信
号光を分離するための回折格子とを具備し、 前記導波層および前記光吸収層は各々を中心とする導波
モードが異なるように形成され、 前記回折格子は、前記導波層および前記吸収層を中心と
する各導波モードが重なり合う領域に形成されている光
検出器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056142A JP2672141B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光検出器 |
| EP90104675A EP0386797B1 (en) | 1989-03-10 | 1990-03-12 | Photodetector using wavelength selective optical coupler |
| DE69030831T DE69030831T2 (de) | 1989-03-10 | 1990-03-12 | Photodetektor mit wellenlängenselektivem optischem Koppler |
| US07/795,966 US5220573A (en) | 1989-03-10 | 1991-11-21 | Optical apparatus using wavelength selective photocoupler |
| US07/796,929 US5140149A (en) | 1989-03-10 | 1991-11-22 | Optical apparatus using wavelength selective photocoupler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056142A JP2672141B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237176A true JPH02237176A (ja) | 1990-09-19 |
| JP2672141B2 JP2672141B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=13018829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1056142A Expired - Fee Related JP2672141B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2672141B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112201707A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-08 | 三明学院 | 一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH024209A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導波路と受光素子 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1056142A patent/JP2672141B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH024209A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導波路と受光素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112201707A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-08 | 三明学院 | 一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2672141B2 (ja) | 1997-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |