JPH02232355A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH02232355A JPH02232355A JP1051734A JP5173489A JPH02232355A JP H02232355 A JPH02232355 A JP H02232355A JP 1051734 A JP1051734 A JP 1051734A JP 5173489 A JP5173489 A JP 5173489A JP H02232355 A JPH02232355 A JP H02232355A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は膜単体では形を保てない薄膜を安定に形成す
る方法に関する． 〔従来の技術〕 従来、アクリル板の如き基板にベリリウム（Ｂｅ）の如
き金属材料を蒸着してこの金属材料の薄膜を形成した後
、その基板をアセトン等の溶剤にて溶解除去して薄膜を
形成する方法が知られていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来の技術では、Ｂｅのように非常に丈
夫な材料を用いても、５μｍ厚程度が限界であった． そこで本発明では、膜自身が自立できないような薄い膜
を得る方法を提供することにある．〔課題を解決するた
めの手段〕 そこで本発明は、平面や曲面の表面形状を有する基板に
薄膜形成位置を遮蔽するマスクを介して薄膜支持枠材料
を真空蒸着や、スバツタ、イオンプレーティング等で膜
形成せしめ、その後、前記マスクを除いて、前記薄膜支
持枠材料及び前記マスクにより遮蔽された基板上に薄膜
材料を所定の厚みで、膜形成し（その手段は上述の真空
蒸着、スバフタ、イオンブレーティング等を用いること
ができる）、その後、前記基板を溶解除去することを特
徴とするｙ４膜形成方法である．上述の１膜材料を所定
の厚みで形成した後、再び薄膜形成位置を遮蔽してｙｔ
ｍ支持枠材料を膜形成しても良い．その結果、薄膜形成
位置以外の薄膜材料は、薄膜支持枠材料によって挾まれ
ることになる． また、薄膜支持枠材料を形成する際、基板とマスクとを
離すことを特徴とする薄膜形成方法である． さらに、薄膜支持枠材料と薄膜材料を形成するときの基
Ｆｉ温度を変えることによって、薄膜の応力を制御する
ことを特徴とするｙｉＭ形成方法である． 〔作 用〕 通常薄膜はそれ単体で使われる場合は少く、何らかの支
持枠に張った杖態で使われる場合が多い．本発明では薄
膜を形成する材料を支持枠上にも蒸着したので、′ｇＩ
膜に力が作用することがなく、薄い膜が形成できる．ま
た、薄膜も支持枠も、途中で大気に出す事が無いように
形成することで、薄膜と支持枠の間に不純物が入らず安
定な薄膜が形成できる． 支持枠を形成する時、基板とマスクを離して行うため、
真空蒸着の場合には、蒸着源の大きさ、蒸着源とマスク
、マスクと基板、で決る半影により、支持枠の厚みが境
界部でテーバ状に変化するため、薄膜に応力が集中する
ことが無く、安定な膜が形成できる． 薄膜を冷却した時、薄膜が収縮するよりわずかに多く支
持枠が収縮するように基板の温度を調節することにより
、ｌｌＭに引張り応力を与えられる．〔実施例〕 本発明の膜形成方法の工程の一実施例の概略図を第１図
（イ）〜（ホ）に示した．工程（イ）では、基板１とし
て、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）やアセトン等
の有機溶剤で容易に溶解除去できる表面の滑らかなアク
リル板（ＰＭＭＡ）を選び、金属マスク部材２を基Ｆｉ
１より約工１上方に離してさらに上方よりＴｉ５０人、
Ａｕ２μｍを順次真空蒸着した．金属マスク部材２は、
基板１の薄膜蒸着位宜を遮蔽するマスク２ａを存し、第
２図に平面図を示したように、保持枠２ｂに３つの連結
腕２ｃを用いてマスク２ａを保持する構造である．その
結果、工程（口）に示したように、周辺部の厚みがテー
パ仕に変化するリング状の膜が支持枠３として形成でき
る．周辺部の厚みがテーパ状に変化するのは、マスク部
材２のエッジ部でのＴＩ，Ａｕの蒸気の回り込みによる
ものである． 工程（ハ）では、蒸着源を真空状態のままでベリリウム
（Ｂｅ）に変え、マスク無しで、全面に０．１Ｉ！ｍの
厚みでベリリウムを蒸着した．その結果、ベリリウムの
薄膜４が支持枠３上及び基板１上に形成される． 工程（二）では、工程（イ）と寸法が若干異る金属マス
ク部材６を基板１の上方ＩＣＩ１位の所に置き、再びＴ
ｉ５０人、Ａｕ２ＪＩｍを蒸着した．このマスク部材６
は第３図に平面図を示したように、中央のマスク５ａの
大きさ及び保持枠５ｂの幅が第２図のそれらに比し若干
小さくなるよう構成されており、連結腕５Ｃの位置が工
程（イ）で連結腕２ｃが遮蔽した位置と異なる位置とな
るよう配置する．その結果、基板中央部のｙｌＭ．蒸着
位置を除いた薄膜４上に支持枠６が形成される．工程（
ホ）では、碁板ｌをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ
）や、アセトン等の溶剤で溶解除去した． その結果、中央部にはベリリウムのみの０．１μｍ程度
の薄膜が残り、そのまわりはベリリウムの薄膜を支持枠
３、６により挾み込んだものが得られる． 従って、製造工程（イ）〜（ホ）中には何ら機械的な外
力が加わらないので、ベリリウムの薄膜４が安定にでき
、支持枠３、６は、リング状であるから、支持枠３、６
を持ウて薄膜４を取り扱うことができる。なお、支持枠
６は必須のものではない。
る方法に関する． 〔従来の技術〕 従来、アクリル板の如き基板にベリリウム（Ｂｅ）の如
き金属材料を蒸着してこの金属材料の薄膜を形成した後
、その基板をアセトン等の溶剤にて溶解除去して薄膜を
形成する方法が知られていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来の技術では、Ｂｅのように非常に丈
夫な材料を用いても、５μｍ厚程度が限界であった． そこで本発明では、膜自身が自立できないような薄い膜
を得る方法を提供することにある．〔課題を解決するた
めの手段〕 そこで本発明は、平面や曲面の表面形状を有する基板に
薄膜形成位置を遮蔽するマスクを介して薄膜支持枠材料
を真空蒸着や、スバツタ、イオンプレーティング等で膜
形成せしめ、その後、前記マスクを除いて、前記薄膜支
持枠材料及び前記マスクにより遮蔽された基板上に薄膜
材料を所定の厚みで、膜形成し（その手段は上述の真空
蒸着、スバフタ、イオンブレーティング等を用いること
ができる）、その後、前記基板を溶解除去することを特
徴とするｙ４膜形成方法である．上述の１膜材料を所定
の厚みで形成した後、再び薄膜形成位置を遮蔽してｙｔ
ｍ支持枠材料を膜形成しても良い．その結果、薄膜形成
位置以外の薄膜材料は、薄膜支持枠材料によって挾まれ
ることになる． また、薄膜支持枠材料を形成する際、基板とマスクとを
離すことを特徴とする薄膜形成方法である． さらに、薄膜支持枠材料と薄膜材料を形成するときの基
Ｆｉ温度を変えることによって、薄膜の応力を制御する
ことを特徴とするｙｉＭ形成方法である． 〔作 用〕 通常薄膜はそれ単体で使われる場合は少く、何らかの支
持枠に張った杖態で使われる場合が多い．本発明では薄
膜を形成する材料を支持枠上にも蒸着したので、′ｇＩ
膜に力が作用することがなく、薄い膜が形成できる．ま
た、薄膜も支持枠も、途中で大気に出す事が無いように
形成することで、薄膜と支持枠の間に不純物が入らず安
定な薄膜が形成できる． 支持枠を形成する時、基板とマスクを離して行うため、
真空蒸着の場合には、蒸着源の大きさ、蒸着源とマスク
、マスクと基板、で決る半影により、支持枠の厚みが境
界部でテーバ状に変化するため、薄膜に応力が集中する
ことが無く、安定な膜が形成できる． 薄膜を冷却した時、薄膜が収縮するよりわずかに多く支
持枠が収縮するように基板の温度を調節することにより
、ｌｌＭに引張り応力を与えられる．〔実施例〕 本発明の膜形成方法の工程の一実施例の概略図を第１図
（イ）〜（ホ）に示した．工程（イ）では、基板１とし
て、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）やアセトン等
の有機溶剤で容易に溶解除去できる表面の滑らかなアク
リル板（ＰＭＭＡ）を選び、金属マスク部材２を基Ｆｉ
１より約工１上方に離してさらに上方よりＴｉ５０人、
Ａｕ２μｍを順次真空蒸着した．金属マスク部材２は、
基板１の薄膜蒸着位宜を遮蔽するマスク２ａを存し、第
２図に平面図を示したように、保持枠２ｂに３つの連結
腕２ｃを用いてマスク２ａを保持する構造である．その
結果、工程（口）に示したように、周辺部の厚みがテー
パ仕に変化するリング状の膜が支持枠３として形成でき
る．周辺部の厚みがテーパ状に変化するのは、マスク部
材２のエッジ部でのＴＩ，Ａｕの蒸気の回り込みによる
ものである． 工程（ハ）では、蒸着源を真空状態のままでベリリウム
（Ｂｅ）に変え、マスク無しで、全面に０．１Ｉ！ｍの
厚みでベリリウムを蒸着した．その結果、ベリリウムの
薄膜４が支持枠３上及び基板１上に形成される． 工程（二）では、工程（イ）と寸法が若干異る金属マス
ク部材６を基板１の上方ＩＣＩ１位の所に置き、再びＴ
ｉ５０人、Ａｕ２ＪＩｍを蒸着した．このマスク部材６
は第３図に平面図を示したように、中央のマスク５ａの
大きさ及び保持枠５ｂの幅が第２図のそれらに比し若干
小さくなるよう構成されており、連結腕５Ｃの位置が工
程（イ）で連結腕２ｃが遮蔽した位置と異なる位置とな
るよう配置する．その結果、基板中央部のｙｌＭ．蒸着
位置を除いた薄膜４上に支持枠６が形成される．工程（
ホ）では、碁板ｌをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ
）や、アセトン等の溶剤で溶解除去した． その結果、中央部にはベリリウムのみの０．１μｍ程度
の薄膜が残り、そのまわりはベリリウムの薄膜を支持枠
３、６により挾み込んだものが得られる． 従って、製造工程（イ）〜（ホ）中には何ら機械的な外
力が加わらないので、ベリリウムの薄膜４が安定にでき
、支持枠３、６は、リング状であるから、支持枠３、６
を持ウて薄膜４を取り扱うことができる。なお、支持枠
６は必須のものではない。
さらに、製造工程（イ）〜（ホ）中には基板を大気に出
すことがないので、薄膜４と支持枠３、６の間に不純物
が入らず、安定な薄膜４が形成できる。
すことがないので、薄膜４と支持枠３、６の間に不純物
が入らず、安定な薄膜４が形成できる。
また、薄膜にわずかな引張り応力がかかるようにするに
は、薄膜の線膨張係数よりわずかに小さい線膨張係数を
持つ材料を支持枠材料に選び薄膜の蒸着と支持枠の蒸着
を同じ温度で行えば、基板が冷えて常温になった時、支
持枠が収縮するより余分に薄膜が収縮しようとするため
薄膜に引張り応力がかかる．例えば、支持枠材料の線膨
張係数が薄膜のそれより大きい場合は、支持枠を蒸着す
る時の温度を膜を蒸着する時より低温で行えばよく、逆
の場合はより高温で行えばよい．なお、薄膜材料として
は以上に説明したべリリウム（Ｂｅ）に限られることな
く、他の任意の薄膜材料を選択できることは勿論であり
、膜の形成も上述の真空蒸着以外に、スパッタ、イオン
プレーティング等の膜形成手段を同様に用いることがで
きる。
は、薄膜の線膨張係数よりわずかに小さい線膨張係数を
持つ材料を支持枠材料に選び薄膜の蒸着と支持枠の蒸着
を同じ温度で行えば、基板が冷えて常温になった時、支
持枠が収縮するより余分に薄膜が収縮しようとするため
薄膜に引張り応力がかかる．例えば、支持枠材料の線膨
張係数が薄膜のそれより大きい場合は、支持枠を蒸着す
る時の温度を膜を蒸着する時より低温で行えばよく、逆
の場合はより高温で行えばよい．なお、薄膜材料として
は以上に説明したべリリウム（Ｂｅ）に限られることな
く、他の任意の薄膜材料を選択できることは勿論であり
、膜の形成も上述の真空蒸着以外に、スパッタ、イオン
プレーティング等の膜形成手段を同様に用いることがで
きる。
従来５μｍ厚程度しかできなかった薄膜も本発明の方法
によれば０． １μｍ厚程度のものにすることができる
． わずかな引張り応力を持つ膜ができたので、この膜にパ
ターンを形成した時のパターン精度が安定である． 支持枠を持って扱えば取扱が容易である。
によれば０． １μｍ厚程度のものにすることができる
． わずかな引張り応力を持つ膜ができたので、この膜にパ
ターンを形成した時のパターン精度が安定である． 支持枠を持って扱えば取扱が容易である。
また、このような薄膜は、電子ビームを通過するが、イ
オンの通過は阻止するような機能を持たせることができ
るので、粒子選択として用いることもできる．
オンの通過は阻止するような機能を持たせることができ
るので、粒子選択として用いることもできる．
第１図（イ）〜（ホ）は、本発明の一実施例の薄膜形成
方法の工程を示す図、第２図は第１図の工程（イ）で用
いる金属マスク部材の平面図、第３図は第１図の工程（
二）で用いる金属マスク部材の平面図、である． （主要部分の符号の説明） １・・・基板、 ２、５・・・金属マスク部材、 ２ａ・・・マスク、 ３・・・支持枠、 ４・・・薄膜．
方法の工程を示す図、第２図は第１図の工程（イ）で用
いる金属マスク部材の平面図、第３図は第１図の工程（
二）で用いる金属マスク部材の平面図、である． （主要部分の符号の説明） １・・・基板、 ２、５・・・金属マスク部材、 ２ａ・・・マスク、 ３・・・支持枠、 ４・・・薄膜．
Claims (3)
- （１）基板に薄膜形成位置を遮蔽するマスクを介して薄
膜支持枠材料を膜形成せしめ、その後、前記マスクを除
いて、前記薄膜支持枠材料及び前記マスクにより遮蔽さ
れた基板上に薄膜材料を所定の厚みで膜形成し、その後
、前記基板を溶解除去することを特徴とする薄膜形成方
法。 - （２）請求項（１）記載の薄膜形成方法において、前記
薄膜支持枠材料を膜形成する場合の基板の温度と、前記
薄膜を膜形成する場合の基板の温度とを独立に調節する
ことによって、薄膜の応力を制御することを特徴とする
薄膜形成方法。 - （３）請求項（１）記載の薄膜形成方法において、前記
薄膜支持材料を膜形成する際、前記基板と前記マスクと
を離して行なうことを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051734A JPH02232355A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051734A JPH02232355A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232355A true JPH02232355A (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=12895127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051734A Pending JPH02232355A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02232355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150061368A (ko) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1051734A patent/JPH02232355A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150061368A (ko) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
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