JPH0222883A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0222883A JPH0222883A JP17341488A JP17341488A JPH0222883A JP H0222883 A JPH0222883 A JP H0222883A JP 17341488 A JP17341488 A JP 17341488A JP 17341488 A JP17341488 A JP 17341488A JP H0222883 A JPH0222883 A JP H0222883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- type gaas
- electrode
- blocking layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 102220552706 Replication protein A 14 kDa subunit_L86A_mutation Human genes 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置に関するものである。
第３図は、従来の半導体レーザ装ａ＋示す断面図である
。図において、（１）はｎ型Ｇａ Ａｓ基板ｓ＜ｚ＋は
ＧａＡｓ基板（１）上に設けられたＡ／ ｏ、４ｓ Ｇ
、１ ｏ、ｓｓ Ａ ｓのｎ型ｉＱ１クラッド層と、（
３）はｎ型第１クラッド層（２）上に設けられたＡ／
ｏ、＋ｓＧａ Ｌ８６ Ａ ｓのｐ型活性層と、（４）
はｐ型活性＃（３）上に設けられたりッヂ部分（７）を
有する” ＠、ａ Ｇａ ＊、＋ｔｓ Ａ ｓのｐ型筒
２クラッド層と、（５）はｐ型筒２クラッド層（４）の
リッヂ部分（７）以外の部分に設けられたｎ型ＧａＡｓ
１！扼ブロツク層と、（６）はｐ型ＧａＡｓコンタクト
層と、（８）はｎ６１１１［極、（９）はｐｍ！極であ
る。
。図において、（１）はｎ型Ｇａ Ａｓ基板ｓ＜ｚ＋は
ＧａＡｓ基板（１）上に設けられたＡ／ ｏ、４ｓ Ｇ
、１ ｏ、ｓｓ Ａ ｓのｎ型ｉＱ１クラッド層と、（
３）はｎ型第１クラッド層（２）上に設けられたＡ／
ｏ、＋ｓＧａ Ｌ８６ Ａ ｓのｐ型活性層と、（４）
はｐ型活性＃（３）上に設けられたりッヂ部分（７）を
有する” ＠、ａ Ｇａ ＊、＋ｔｓ Ａ ｓのｐ型筒
２クラッド層と、（５）はｐ型筒２クラッド層（４）の
リッヂ部分（７）以外の部分に設けられたｎ型ＧａＡｓ
１！扼ブロツク層と、（６）はｐ型ＧａＡｓコンタクト
層と、（８）はｎ６１１１［極、（９）はｐｍ！極であ
る。
次に動作について説明する。ｐ＠電極（９）とｎ側電極
（８）との間に順方向バイアス電圧を印加すると、ｎ型
ＧａＡｓｗＬ流ブロック層（５）により電流はリッヂ部
分（７）のみに流れる。この時Ａ／・、＋ｓＧａ・、５
ａＡｓのｐ型活性層（３）内にキャリアが注入され、電
子と正孔の発光再結合が起こる。半導体レーザ装置の端
面を利用し、ファブリベロー型共振器が形成され、順方
向電流を増すと、ｐ型活性層（３）内の光密度が上昇し
、誘導放出によりレーザ発振する。光は半導体レーザ装
置の上下方向ではｐ型活性層（３）とｎ型第１クラッド
層（２）、ｐ型筒２クラッド層（４）の間の実屈折率差
で閉じ込められる。また半導体レーザ族ｄの左右方向で
は光はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック）ｍ （５）に吸収さ
れることによるＬｏｓｓ ｇｕｉｄｅ型で導波される。
（８）との間に順方向バイアス電圧を印加すると、ｎ型
ＧａＡｓｗＬ流ブロック層（５）により電流はリッヂ部
分（７）のみに流れる。この時Ａ／・、＋ｓＧａ・、５
ａＡｓのｐ型活性層（３）内にキャリアが注入され、電
子と正孔の発光再結合が起こる。半導体レーザ装置の端
面を利用し、ファブリベロー型共振器が形成され、順方
向電流を増すと、ｐ型活性層（３）内の光密度が上昇し
、誘導放出によりレーザ発振する。光は半導体レーザ装
置の上下方向ではｐ型活性層（３）とｎ型第１クラッド
層（２）、ｐ型筒２クラッド層（４）の間の実屈折率差
で閉じ込められる。また半導体レーザ族ｄの左右方向で
は光はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック）ｍ （５）に吸収さ
れることによるＬｏｓｓ ｇｕｉｄｅ型で導波される。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので希望の光出力を得るためにはｎ側電極（８）とｐ側
電極（９）との間に印那する順方向バイアス電圧を調節
することにより、順方向′ｉｌｔ流を調節しなければな
らない問題点がゐった。
ので希望の光出力を得るためにはｎ側電極（８）とｐ側
電極（９）との間に印那する順方向バイアス電圧を調節
することにより、順方向′ｉｌｔ流を調節しなければな
らない問題点がゐった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、ｎ６！！ｌｆＫ極（８）とｐ＠電極（９）
との間に印加する順方向バイアス電圧を調節することな
しに、ｐ型活性層（３）を流れる電流を制御し、それに
より光出力を制御することができる半導体レーザ装ｂｋ
得ることを目的とする。
れたもので、ｎ６！！ｌｆＫ極（８）とｐ＠電極（９）
との間に印加する順方向バイアス電圧を調節することな
しに、ｐ型活性層（３）を流れる電流を制御し、それに
より光出力を制御することができる半導体レーザ装ｂｋ
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層に電極を付け、リッジ部分を含むＡＩ）（Ｇ
ａ ｌ −Ｘ Ａｓ のｐ型第２クラッドΔ上に設け
られたｎ型ＧａＡｓ Ｉｔ流ジブロック層持つものであ
る。
ブロック層に電極を付け、リッジ部分を含むＡＩ）（Ｇ
ａ ｌ −Ｘ Ａｓ のｐ型第２クラッドΔ上に設け
られたｎ型ＧａＡｓ Ｉｔ流ジブロック層持つものであ
る。
この発明における、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層の′ｓ
ｌ極は、ＱＩ Ｘ Ｇ、１ ＋ −ｚ Ａ Ｓのｐ型筒
２クラッド層と、ｎ型Ｇａ Ａｓ電流ブロック層と、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層から成る。ｐ −ｎ−ｐ ）ラ
ンジスタのベース５４Ｌ＝でのる。このベース電極に流
れるベース電流でコレクタ電流を制御することにより、
ＡＩ ｙ ＧＢ ＋ −ｙ Ａ Ｓのｐ型活成層に注入
されるキャリアを制御し、光出力を制御することができ
る。
ｌ極は、ＱＩ Ｘ Ｇ、１ ＋ −ｚ Ａ Ｓのｐ型筒
２クラッド層と、ｎ型Ｇａ Ａｓ電流ブロック層と、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層から成る。ｐ −ｎ−ｐ ）ラ
ンジスタのベース５４Ｌ＝でのる。このベース電極に流
れるベース電流でコレクタ電流を制御することにより、
ＡＩ ｙ ＧＢ ＋ −ｙ Ａ Ｓのｐ型活成層に注入
されるキャリアを制御し、光出力を制御することができ
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、半導体レーザ装置を示す断面図でゐる。
図は、半導体レーザ装置を示す断面図でゐる。
図において、（１）〜（９）は第３図の従来例に示した
ものと同等であるので説明の重複を避ける。ＱＯはｐ型
ＧａＡｓコンタクト層（６）の一部を除去した上に設け
られたｎ型Ｇａへｓｍｋ、ブロック層（５）の電極であ
る。
ものと同等であるので説明の重複を避ける。ＱＯはｐ型
ＧａＡｓコンタクト層（６）の一部を除去した上に設け
られたｎ型Ｇａへｓｍｋ、ブロック層（５）の電極であ
る。
以下、動作について説明する。第２図は上記の一実施例
の半導体レーザ装置の回路図である。
の半導体レーザ装置の回路図である。
ＡＩ ｃ、４ｓＧａ ｏ、ｇ Ａｓ Ｏ） ｐ型筒２ク
ラッド層（４）、ｎ型ＧａＡｓ＆ ｆｆ１ｃブロック７
ｍ（５）、ｐ型Ｇａ Ａｓコンタクタ層（６）は、各々
ｐｎ−ｐ）ランジスタのコレクタ、ベース、エミッタに
対応し、コレクタにＡｔ ｕ、４ｂＧａｏ、ｕ Ａｓ
Ｏ） ｐ型開２のクラッド層（４］、ＡＩ！ｏ、＋ｓＧ
ａ、＋、ａａＡｓのｐ型活性層（３）、Ａ／１１．４５
Ｇａｏ、ｓｓ Ａ”のｎ型ｍｌクラッド層（２）から
なるレーザダイオードが接合されている。
ラッド層（４）、ｎ型ＧａＡｓ＆ ｆｆ１ｃブロック７
ｍ（５）、ｐ型Ｇａ Ａｓコンタクタ層（６）は、各々
ｐｎ−ｐ）ランジスタのコレクタ、ベース、エミッタに
対応し、コレクタにＡｔ ｕ、４ｂＧａｏ、ｕ Ａｓ
Ｏ） ｐ型開２のクラッド層（４］、ＡＩ！ｏ、＋ｓＧ
ａ、＋、ａａＡｓのｐ型活性層（３）、Ａ／１１．４５
Ｇａｏ、ｓｓ Ａ”のｎ型ｍｌクラッド層（２）から
なるレーザダイオードが接合されている。
ｐ＠電極（９）を接地し、ｎ側電極（８）にＶ（Ｖ＜０
）の電圧を、ｐ−ｎ−ｐ）ランジスタが活性領域になる
ほど、印加する。この時レーザダイオードを流れるコレ
クタ電流は、ベース電極であるｎ型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層（５）のｗｉ極叫に印加する電圧によって決まって
いる。
）の電圧を、ｐ−ｎ−ｐ）ランジスタが活性領域になる
ほど、印加する。この時レーザダイオードを流れるコレ
クタ電流は、ベース電極であるｎ型ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層（５）のｗｉ極叫に印加する電圧によって決まって
いる。
すなわちベース電圧によって、レーザダイオードを流れ
る電流を制御し、それにより光出力を制御することがで
きる。
る電流を制御し、それにより光出力を制御することがで
きる。
この°時、リッヂ部分（７）とｎ型ＧａＡｓ 電流ブロ
ック層（５）により、キャリアと光は効率よ（、リッヂ
部分（７）近傍のｐ型活性層（３）に閉じ込められ、レ
ーザ発振のしきい値電流は低下、し、その横モードも安
定する。
ック層（５）により、キャリアと光は効率よ（、リッヂ
部分（７）近傍のｐ型活性層（３）に閉じ込められ、レ
ーザ発振のしきい値電流は低下、し、その横モードも安
定する。
以上のように、この発明によれば、光出力をｎ型にａＡ
ｓ ｌ！流ジブロック層上電極に印加する電圧により制
御することができ、駆動回路等が簡単になり、半導体レ
ーザ族！（？含ひシステムが安価に構成される等の効果
がある。
ｓ ｌ！流ジブロック層上電極に印加する電圧により制
御することができ、駆動回路等が簡単になり、半導体レ
ーザ族！（？含ひシステムが安価に構成される等の効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レー図におい
て（１）はｎ型ＧａＡｓ基板、（２）はｎ型第１クラッ
ド層と、（３）はｐ型活性層と、（４）はｐ型筒２クラ
ッド、（５）はｎ型ＧａＡｓ 電流ブロック層と、（６
）はｐ型ＧａＡｓコンタクト層と、（７）はリッヂ部分
、（８）はｎ側電極、（９）はｐ＠電極、ＱＱはｎ型Ｇ
ａＡｓ電ｉブロック層（５）上の電極である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
て（１）はｎ型ＧａＡｓ基板、（２）はｎ型第１クラッ
ド層と、（３）はｐ型活性層と、（４）はｐ型筒２クラ
ッド、（５）はｎ型ＧａＡｓ 電流ブロック層と、（６
）はｐ型ＧａＡｓコンタクト層と、（７）はリッヂ部分
、（８）はｎ側電極、（９）はｐ＠電極、ＱＱはｎ型Ｇ
ａＡｓ電ｉブロック層（５）上の電極である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ｎ型ＧａＡｓ基板と、ｎ型ＧａＡｓ基板の下部に設けら
れた電極と、該ｎ型ＧａＡｓ基板上に形成されたｎ型Ａ
ｌｘＧａ＾１＾−ｘＡｓ第１クラッド層と該第１クラッ
ド層上に設けられたｐ型、若しくはｎ型、若しくは真性
のＡｌｙＧａ＾１＾−ｙＡｓ活性層と、該活性層上に設
けられたｐ型のＡｌｘＧａ＾１＾−ｘＡｓにより形成さ
れ、ストライプ状のリッヂを有する第２クラッド層と、
リッヂを含む該第２クラッド層上に設けられたｎ型Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層と、該電流ブロック層上に設けられ
たｐ型ＧａＡｓコンタクト層と、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層上に設けられた電極とを備え、ｐ型ＧａＡｓ層コン
タクト層の一部を、第２クラッド層のリッヂ上を含まな
いように除去しｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層の一部が露
出しており、その露出したｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
上に設けられた電極を備えたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17341488A JPH0222883A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17341488A JPH0222883A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222883A true JPH0222883A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15959995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17341488A Pending JPH0222883A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222883A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5111591A (en) * | 1988-10-04 | 1992-05-12 | Carl-Zeiss-Stiftung | Protective arrangement for a longitudinally extendible machine component |
| US8771410B2 (en) | 2009-01-23 | 2014-07-08 | Pentel Kabushiki Kaisha | Ink for ballpoint pens and ballpoint pen using same |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP17341488A patent/JPH0222883A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5111591A (en) * | 1988-10-04 | 1992-05-12 | Carl-Zeiss-Stiftung | Protective arrangement for a longitudinally extendible machine component |
| US8771410B2 (en) | 2009-01-23 | 2014-07-08 | Pentel Kabushiki Kaisha | Ink for ballpoint pens and ballpoint pen using same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06112594A (ja) | 面発光型半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPH0834330B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP0205307B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0222883A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP0260439B1 (en) | Semiconductor light emission system | |
| JP2889626B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01235397A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02116187A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS61289689A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2889628B2 (ja) | ブロードエリアレーザ | |
| JP3241360B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2815165B2 (ja) | 二方向注入型半導体レーザ装置 | |
| JPS62137893A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS594192A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2909133B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2730683B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0740621B2 (ja) | 面発光型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6213087A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| Carney et al. | Effect of longitudinal variations in current injection and carrier concentration in laser diodes | |
| JPH0289383A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH0215688A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS62265786A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH08306953A (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
| JPS62104188A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6062180A (ja) | 半導体発光素子 |