JPH02227646A - 碍子汚損量測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は懸垂碍子や長幹碍子等に付着した塩分、硫化
物、硫酸塩、石膏、あるいはセメント等を含んだ汚損物
の量を測定することができる碍子汚損量測定装置に関す
るものである。

［従来の技術］ 一般に、送電線の支持碍子の塩害等による絶縁低下に起
因する地絡事故を未然に防止するため、碍子に付着した
汚損物を等価塩分付着密度とじて正確に把握することが
重要となる。このような汚損量測定装置として、被測定
碍子を水を胛留した洗浄槽内で超音波振動作用を利用し
て洗浄し、洗浄後の水の電導度を測定して汚損量を求め
る測定装置や、前もって複数の電極が焼き付けである被
測定碍子を使用して表面を均等に湿潤させた状態で電極
間の抵抗を測定して汚損量を求める測定装置があった。

［発明が解決しようとする課題］ ところが、前者の超音波洗浄方式は、累積汚損量を直接
測定することができないという問題があった。

又、後者の測定方式は汚損物を洗浄しないため、累積汚
損量が測定できる反面、碍子表面を均等に湿潤させるの
に時間がかかり、又、表面抵抗から汚損量に換算するた
め、測定精度が低く、汚損分布が測定できない・という
問題があった。

この発明の目的は上記従来技術に存する問題点を解消し
て、汚損量の測定精度を向上することができるとともに
、累積汚損量の測定を行うことができ、さらに、碍子表
面の汚損分布測定や平均汚損量の測定を効率的に行うこ
とができる碍子汚損量測定装置を提供することにある。

［課題を解決するための平膜］ 請求項１記載の発明は、上記目的を達成するため、被測
定碍子を自然暴露位置に支持する碍子支持機構と、前記
被測定碍子を前記自然ａＩＩ位置と汚損量測定位置との
間で交互に位置切換えするための碍子位置切換機構と、
前記汚損量測定位置に移動された被測定碍子に一次Ｘ線
を照射して発生する螢光Ｘ線の強度を検出するＸ線照射
検出ユニットと、前記碍子位置切換機構とＸ線照射検出
ユニットを制御するとともに、前記螢光Ｘ線の実測強度
から碍子の汚損量を演算する制御装置とにより構成して
いる。

又、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発明にお
いて、前記被測定碍子の支持機構に対し、該被測定碍子
を汚損量測定位置において回転させる回転機構を設け、
又、Ｘ線照射検出ユニットに対し測定位置を調節し得る
位置調節機構を設けている。

さらに、請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の
発明において、汚損対象元素を含有する標準試料を設け
、前記Ｘ線照射検出ユニットを前記標準試料の測定位置
へ切換えるためのユニット位置切換ａ楕、又は前記標準
試料を前記Ｘ線照射検出ユニット側の測定位置へ切換え
るための試料位置切換機構を備えている。

［ｆ？４用］ 請求項１記載の発明は、Ｘ線照射検出ユニ・ｙトを主体
とする汚損量測定機構を備えているので、被測定碍子の
汚損表面に対し一次Ｘ線を照射して発生する螢光Ｘ線の
強度を測定することにより、非接触で汚損量を測定する
ため、累積汚損量を測定することができ、さらに、碍子
表面の汚損分布を精度よく測定することができる。

又、請求項２記載の発明は、被測定碍子を汚損量測定位
置において回転させるとともに、Ｘ線照射検出ユニット
の測定位置を調節することにより、汚損量の測定作業を
迅速に行うことができる。

又、請求項３記載の発明は、標準試料に前記Ｘ線照射検
出ユニットからＸ線を照射して、その時発生する螢光Ｘ
線の強度と、標準試料に含まれる被測定元素の含有量の
関係を用いて被測定碍子の螢光Ｘ線の強度とにより汚損
量の演算を行うことができる。さらに、汚損測定の都度
又は所定周期で標準試料を測定することにより、Ｘ線照
射検出ユニットが経時的に劣化しても汚損量を正確に測
定することができる。

［実施例１ 以下、この発明を具体化した塩分量測定の一実施例を第
１図〜第１１図に基づいて説明する。

第１図に示すように、収納ケース１の上部にはブラケッ
ト２が固定され、該ブラケット２には支持棒３が立設さ
れている。その支持棒３にはダミー碍子４が装着され、
該支持棒３及びダミー碍子４は図示しない昇降機構によ
り上下方向の位置切換可能に支持されている。又、前記
収納ゲース１の上部には碍子支持機構を兼用し、かつ碍
子位置切換機構を構成する碍子位置切換アーム５が矢印
方向への往復回動可能に支持され、この位置切換アーム
５の先端部には取付部材６が該切換アーム５に対し相対
回動可能に装着され、該取付部材６には碍子の回転機構
として例えばモータ７が取付られている。前記モータ７
の回転軸８にはダミー碍子９と被測定碍子１０が直列に
連結され、前記被測定碍子１０は前記ダミー碍子４の上
部と接離可能に対応している。そして、前記下部のダミ
ー碍子４を支持棒３とともに第１図の二点鎖線で示すよ
うに被測定！９子１０から離隔した後、前記切換アーム
５を第１図の実線で示す自然暴露位置から反時計回り方
向へ回動すると、取付部材６、モータ７、ダミー碍子９
及び被測定碍子１０が前記自然！露位置から垂直に保持
されたまま前記ダミー碍子４から離隔して同図の二点鎖
線で示すように汚損量測定位置に移動されるようにして
いる。

前記収納ケース１の内部は、開閉ドア１１を備えた垂直
の仕切板１２により、測定室Ｒ１と、後に詳述する標準
試料２５〜２９を収容する試料室Ｒ２及び制御室Ｒ３と
に区画されている。

前記測定室Ｒ１と対応する収納ケース１の上面には、前
記被測定碍子１０が該測定室Ｒ１内に進入できるように
出入口１４が形成され、この出入口１４を開閉するため
の開閉ドア１５が支持軸１６を中心に前記収納ケース１
の上面に沿って水平方向の回動可能に支持されている。

前記試料室Ｒ２内には、前記標準試料２５〜２９及び被
測定碍子１０の裏面の汚損量を測定するためのＸ線照射
検出ユニット１７が装設されている。このＸ線照射検出
ユニット１７は第２図に示すように前記碍子１０のひだ
部１０ｂを有する笠部１０ａ裏面にＸ線を照射するため
のコリメータ１８を具備するＸ線発生装置（Ｘ線管球）
１９と、笠部１０ａ裏面から発生した螢光Ｘ線を検出す
るコリメータ２０を具備する螢光Ｘ線検出装置２１とに
より構成されている。

前記Ｘ線照射検出ユニット１７は第１図に示すように試
料室Ｒ２内に設けたユニット位！切換機槽Ｕ１により、
該試料室Ｒ２から測定室Ｒ１へ移動し測定を行うことが
可能となっている。又、このユニット位置切換機１ｉＵ
１とＸ線照射検出ユニット１７との間には、位置調節機
構Ｕ２が設けられ、第２図において検出ユニット１７の
Ｘ線発生装置（Ｘ線管球）１９から被測定碍子１０の笠
部１０ａ裏面の各測定点Ｐ１〜ｐｔｔまでの距離Ｌ１と
、測定点Ｐ１〜ｐＨから螢光Ｘ線検出装置２１までの距
ＭＬ２とがそれぞれ常に一定となるように、左右動、上
下動及び傾斜動作を行いながら、所定の軌跡上を順次間
欠的に移動し得るようにしている。

この実施例では第１図に示すように前記試料室Ｒ２内に
モータ２２を下向きに固定し、その回転軸２３に対し第
４図に示すように取付ディスク２４を取り付け、該ディ
スク２４に対し標準試料２５〜２９を嵌合固定している
。これらの標準試料のうち４個の試料２５〜２８は、ア
ルカリ金属酸化物と硼酸を主成分とし、塩素０．０１〜
１０重１％を含有する硼酸アルカリ系ガラス化物により
円板状に形成されている。標準試料２５〜２７の塩素含
有量は例えば３段階に変化させるとともに、標準試料２
８は塩素を含有しないものとし、標準試料２９は笠部１
０ａと同様の磁器により四角板状に形成されている。そ
して、前記開閉ドア１１を閉鎖した状態で前記Ｘ線照射
検出ユニット１７を使用しで、前記各標準試料２５〜２
９にＸ線を照射することにより塩素含有量に応じた螢光
Ｘ線強度Ｍ２５〜２９を検出し得るようにしている。

さらに、前記制御室Ｒ３内には、前記切子位置切換アー
ム５、Ｘ線照射検出ユニット１７、モータ７．２２．開
閉ドア１１等の動作を制御するとともに、前記検出ユニ
ット１７から出力された螢光Ｘ線強度から碍子の汚損量
を演算するコンピュータを備えた制御装置３０が配置さ
れている。

ところで、汚損量測定装置の作製時（又はこの前後でも
よい）において制御装置３０のコンピュータのメモリに
予め記憶しておくデータとしては、被測定碍子１０の笠
部裏面形状による強度補正係数に１〜Ｋｌｌと、第９図
に示すように標準試料２５〜２９の塩素含有量から磁器
表面の塩素濃度を求める検量線Ｈ３（方程式として記憶
）とがある。

（笠部形状による強度補正係数に１〜に１１）そこで、
最初に強度補正係数に１〜Ｋｌｌの求め方について以下
に説明するが、第３図に示ずように筒部１０ａの裏面に
は塩素を均一に含有させた高分子フィルム３１が汚損量
の測定動作に先立って補正係数を求める時のみ一時的に
接着される。

又、前記被測定懸垂碍子１０に代えて、これと同一形状
の懸垂碍子を使用してもよい、第５図は被測定懸垂碍子
１０の筒部１０ａの各測定点Ｐ１〜ｐＨを裏面から見た
状態を示すものである。この第５図の鎖線で示すように
前記高分子フィルム３１は筒部１０ａの半径方向にｌｌ
ｌ１所のみ帯状に接着すればよく、同図に示すように実
際の測定点Ｐ１〜ｐＨを多数設定した場合に、それらの
螢光Ｘ線の強度の変化は筒部１０ａの断面形状が同一で
あるため、はぼ同じになるからである。

次に、第３図において例えば１．０ｗｔ％の塩素を均一
に含有させた高分子フィルム３１の各測定点Ｐ１〜ｐＨ
に対し、前記Ｘ線照射検出ユニット１７のＸ線発生装置
（Ｘ線管球）１９から一次Ｘ線を照射して、その時発生
する螢光Ｘ線を螢光Ｘ線検比装置２１により検出し、碍
子表面の各測定点Ｐ１〜ｐＨにおける螢光Ｘ線の強度Ｍ
１〜Ｍｌｌ　（Ｋｃｐｓ）を測定する。このとき前記距
離Ｌ１．Ｌ２を各測定点Ｐ１〜ｐＨについてそれぞれ等
しくしておいても、これらの実測強度Ｍ１〜Ｍｌｌは高
分子フィルム３１の塩素含有率が均一であるにもかかわ
らず、各測定点Ｐ１〜ｐＨにおける一次Ｘ線照射角及び
螢光Ｘ線検出装ｆｆ２１の取り出し角がそれぞれ異なる
ため、第３図に示すようにそれぞれ変動する。ところが
、仮に高分子フィルム３１を平面に展開して測定したと
すると、−次Ｘ線照射角及び螢光Ｘ線検出装置２１の取
り出し角が各測定点Ｐ１〜ｐＨにおいてそれぞれ同じで
あるため、強度の変動は生じない、さらに、標準試料２
５〜２９が平面であるため、碍子表面の測定値も平面で
の測定値に置換する必要がある。従って、碍子形状によ
る強度補正係数に１〜Ｋｌｌを予め求めておいて碍子表
面での各実測強度Ｍ１〜Ｍｌｌを平面で測定した値に補
正する必要がある。

従って、基準となる平面での螢光Ｘｌ１強度を求めるた
め、前述した装置を使用して同じ測定条件（前記距離Ｌ
ｌ、Ｌ２をそれぞれ同一）で、平面を有する磁器製の標
準試料２９に対し高分子フィルム３１を平面状に接着し
、この高分子フィルム３１に一次Ｘ線を照射し、このと
き発生した螢光Ｘ線の実測強度Ｍｏを測定し、これを基
準実測強度Ｍｏとして制御装置３０のメモリに記憶する
。

なお、前記標準試料２９に高分子フィルム３１を接着し
たのは測定作業を能率よく行うためであるが、前記標準
試料２９に代えて別途用意した磁器平板に高分子フィル
ム３１を接着したものを使用してもよい。

次に、前記基準、実測強度ＭＯに対する前記各測定点Ｐ
１〜ｐＨの実測強度Ｍ１〜Ｍｌｌのそれぞれの比を、各
測定点Ｐｉ〜Ｐｉｔにおける碍子形状による強度補正係
数に１〜Ｋｌｌとして前記制御装置３０のメモリに記憶
しておく。

この強度補正係数に１〜Ｋｌｌは碍子形状が変化しない
限り同じ値となるため、−度求めておけばよい、又、測
定を予定している碍子が多数の場合、碍子形状の異なる
複数の強度補正係数を前述した方法でそれぞれ演算して
予め記憶しておくとよい。

ところで、前記実施例では高分子フィルム３１を使用し
たが、これに代えて被測定元素を均一に含浸させた塗料
を筒部裏面に均一厚さの層に塗布してもよい。

なお、前記強度補正係数Ｋｌ〜Ｋｌｌの演算終了後は、
前記高分子フィルム３１は碍子１０及び標準試料２９か
ら取り除かれる。

（検量線Ｈ３の作成理由及び作成方法）Ｘ線照射検出ユ
ニット１７を使用する汚損量測定方法は、碍子表面に一
次Ｘ線を照射することにより螢光Ｘ線が発生し、その螢
光Ｘ線強度により碍子表面の汚損量を求めるものである
。そのため螢光Ｘ線強度から汚損量に変換する過程が必
要になり、この過程を標準試料２５〜２９を用いること
によって行うのである。この標準試料の役割としては、
第１に標準試料の被測定元素の含有率より、碍子表面の
被測定元素濃度に置き換えること、第２にＸ線照射検出
ユニット１７が劣化しても正確に汚損量の測定を行うこ
とである。検量線Ｈ３の作成理由は前記第１の役割を果
たすためであり、実際の汚損的子の測定時において、標
準試料は前記第２の役割を果たすために使用される。

そこで、前記検量線】１３の作成方法について説明する
。

碍子汚損測定装置又は螢光Ｘ線分析装置を用い、これら
の前記標準試料２５〜２８に一次Ｘ線を照射し、発生す
る螢光Ｘ線の強度Ｍ２５〜Ｍ２８を測定する。そして、
螢光Ｘ線強度Ｍ２５〜Ｍ２７から塩素を含有しないＩｌ
ｉ準試料２８の螢光Ｘ線強度Ｍ２８を減算して、第７図
に示すように各螢光Ｘ線強度Ｍ２５〜Ｍ２７と標準試料
２５〜２７の塩素含有量との各データから検量線Ｈ１を
作成し、この検量線Ｈ１を最小二乗法で求めた方程式と
して制御装置３０のメモリに記憶する。

塩素を含有しない前記標準試料２８のＸ線強度Ｍ２８を
各Ｘ線強度Ｍ２５〜２７から減算したのは、検出精度を
向上するためである。このＸ線強度Ｍ２８を減算しなく
てもよいが、この場合には第７図に示す検量線Ｈ１は、
二点鎖線で示すように、塩素含有量の少ない領域におい
て湾曲し、低濃度の塩素含有量の試料では検出精度が低
下する。

又、前記標準試料の個数は多いほど精度の高い検量線Ｈ
１が作成できる。

次に、前述した標準試料２５〜２８の測定時期と同時期
に、又、前述した標準試料の測定と同−幾何学切起！で
同−Ｘ線照射検出ユニットを備えた測定装置を用いて、
第８図に示す螢光Ｘ線強度と磁器表面の塩素過度との関
係を表す検量線）１２の作成を行う。

これについて説明すると、被測定碍子１０と同材質の平
面を有する磁器表面に対し、均等に塩素を塩化物、例え
ばＮａＣＪとして付着させた汚損部を、塩素を段階的に
付着変化させて人工的に形成する。そして、前記各汚損
部及び非汚損部（塩素を付着させていない被測定碍子１
０と同材質の平面を有する磁器の試料、例えば標準試料
２９でもよい）に対し、Ｘ線発生装置１９から一次Ｘ線
を順次照射して各汚損部及び非汚損部の螢光Ｘ線強度Ｍ
ａ〜Ｍｄ、Ｍ２９を測定し、汚損部の螢光Ｘ線強度Ｍａ
〜Ｍｄから非汚損部の螢光Ｘ線強度Ｍ　２９を減算して
、螢光Ｘ線強度Ｍａ−〜Ｍｄ−を算出する。こうして得
られた塩素濃度と螢光Ｘ線強度Ｍａ−〜Ｍｄ−から、検
量線Ｈ２を作成する。なお、前記非汚損部のＸ線強度Ｍ
２９を減算しなくてもよいが、測定精度は低下する。又
、塩素を段階的に変化させた試料の個数が多いほど精度
のよい検量線Ｈ２が作成できる。

次に、この第８図に示す検１１１Ｈ２と前述した第７図
に示す検量線Ｈ１とを螢光Ｘ線強度をパラメータとして
１つの検量線Ｈ３に作成し、この検量線Ｈ３を最小二乗
法で求めた方程式として制御装置３０のメモリに記憶し
ておく。

（汚損碍子の汚損量測定） 次に、前記のようにして制御装２３０のメモリに記憶さ
れた前記強度補正係数に１〜に１１、及び検量ｆｉＨ３
の方程式に基づいて、被測定懸垂碍子１０の被測定元素
の実測螢光Ｘ線強度から、実際の碍子の汚損量の測定方
法を説明する。

今、汚損量測定装置が起動されると、Ｘ線照射検出ユニ
ット１７は試料室Ｒ２内において前記各標準試料２５〜
２９にＸ線を照射してそれぞれの塩素含有量に応じた螢
光Ｘ線の強度Ｍ２５゛〜２９−を測定し、この強度Ｍ２
５−〜２９−と前記各標準試料２５〜２９の塩素含有量
に基づいて前記検量線Ｈ１の作成動作と同様にして第７
図の二点鎖線で示す検量線Ｈ１−を作成し、これを方程
式として制御装置３０のメモリに記憶する。

前記検量線Ｈ１“の作成は、被測定碍子１０の汚損量を
測定する時毎回行なうか、ある一定期間ごとに行われる
。この理由は標準試料２５〜２９の塩素含有量が不変で
もＸ線照射検出ユニット１７が経時的に比較的績やかに
劣化するため、多少なりとも検量線の螢光Ｘ線強度や勾
配が変化するからである。

塩素を含有した標準試料は１個以上あればよいが、１個
の場合は前記検量線Ｈ１の傾きを予め制ｍ装置３０に記
憶しておき、この傾きと一つの実測強度から検量線Ｈ１
−を作成する。

一方、前記検量線Ｈ１−の作成動作と並行、又は多少前
後して、開閉ドア１５が開放され、被測定碍子１０が位
置切換アーム５により自然暴露位置から収納ケース１の
測定室Ｒ１内に移動される。

この状態で測定時か降雨の場合、所定時間放置して被測
定碍子１０に付着している水分を切る。そして、開閉ド
ア１１が解放され試料室Ｒ２から測定室Ｒ１へＸ線照射
検出ユニット１７が移動し、被測定碍子１０の笠部１０
ａ裏面の各測定点Ｐ１〜ｐＨに一次Ｘ線をそれぞれ照射
して、螢光Ｘ線強度Ｍ１〜Ｍｌｌを測定する。この螢光
Ｘ線強度Ｍ１〜Ｍｌｌから前述した被測定碍子１０の各
測定点２１〜ｐＨにおける碍子形状による強度補正係数
Ｋｌ〜Ｋｌｌをそれぞれ掛算することにより、各測定点
ＰＩ〜ｐＨにおける補正螢光Ｘ線強度Ｍ１ａｚＭ１１ａ
を算定する。そして、これらの補正螢光Ｘ線強度Ｍｌａ
〜Ｍｌｌａから前記汚損していない碍子磁器と同等の材
料よりなる標準試料２９の螢光Ｘ線強度Ｍ２９をそれぞ
れ減算して、各測定点２１〜ｐＨのＸ線強度Ｍｌａ〜Ｍ
ｌｌａ−を算出し、これらの強度を制御装置３０のメモ
リに記憶する。

次に、前述した各測定点Ｐ１〜ｐＨのＸ！！強度Ｍｌａ
−〜Ｍｌｌａ−と、第８図に示す検量線Ｈ１°の方程式
とを使用して制御装置３０により各Ｘ線強度Ｍｌａ−〜
Ｍｌｌａ　　からそれぞれの塩素含有量Ｒ１〜Ｒ１１を
演算する。

さらに、制御装置３０により、そのメモリに予め記憶さ
れた第９図に示ず検量線１１３の方程式に基づいて、前
記塩素含有量Ｒ１〜Ｒ１１から被測定碍子１０の各測定
点Ｐ１〜ｐＨにおける塩素濃度Ｔ１〜Ｔｌｌ’）演算す
る。

そして、前記塩素濃度Ｔ１〜Ｔｌｌが演算されると、こ
の値から塩分量Ｗ１〜Ｗｌｌが制御装置３０により演算
される。すなわち、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ　）の分
子量をＥとし、塩素の原子量をＦとすると、塩分量Ｗ１
〜Ｗｌｌは、制御装置３０のメモリに記憶された次の式
により演算される。

Ｗｌ〜Ｗ１１＝Ｔ１〜ＴＩＩＸ（Ｅ／Ｆ）以上説明した
汚損量の測定動作は、第７図において、一つの半径上の
１１箇所の測定点Ｐ１〜ｐＨに行われるが、前記モータ
７を作動することにより、被測定碍子１０を例えば３０
度づつ回転させて、同図の各測定点Ｐ１〜ｐＨの全てに
ついて汚損量が演算される。このため汚損量の分布状態
を知ることができ、又、各測定点Ｐ１〜ｐＨの汚損量を
加算して測定点の数で除算して平均汚損密度を演算する
こともできる。

又、上記のように求めた各測定点Ｐ１〜ｐＨの汚損量に
対し、測定面積比（碍子表面の各測定点が分担する面積
に対する測定面積の割合）で補正して演算し、汚損量を
求めることもできる。

又、前記各測定点Ｐ１〜ｐＨにおいて、前記モータ７を
作動して被測定碍子１０を回転させることにより、各測
定点２１〜ｐＨの円周上の汚損量も平均化して測定する
ことができる。

ところで、汚損量の測定箇所及び面積としては、ＡＸ線
を碍子表面に広く照射する場合 ａ１　多点測定 Ｒ２碍子回転による測定 ＢＸ線を碍子表面に小さく照射する場合ｂ１　多点測定 ｂ２　碍子回転による測定 以上の四方式が考えられる０例えば碍子表面の一つの測
定点において、前述したＡ−ａ１方式で第１０図に示す
ように３ｆｌｉ所（Ｓ〜３３）の測定面積を例えば３１
４ｗ１’（直径２０　ａｍ　）程度に分割し測定した塩
素濃度と、Ｂ−ｂｌ方式で測定面積を７〜７９１１ｓ１
　（直径３〜１０Ｉ１０ｌ１とし、第１１図に示すよう
にＳｌの測定場所を８１−１〜５１−３、Ｓ２を５２−
１〜５２−３、Ｓ３を５３−１〜５３−３にそれぞれ３
分割して測定し、平均したときの塩素濃度を表１に示す
。

表１ （単位＃／ｄ） 又、前記測定位！を変えて実験したところ表２に示す結
果を得た。

表２ （単位ｓｒ　／　ｄ　） この表１．２から明らかなように、大きい面積での測定
値と、その測定場所において小さい面積で多点測定した
ときの平均値は大きな差異はないことがわかる。従って
、Ａ−ａ１方式により大きな測定面積で測定箇所を減少
することにより、測定作業能率を向上することができる ところで、前記実施例では塩素による碍子表面汚損、す
なわち海塩汚損量のみにってい説明したが、この海塩汚
損量の測定機能に、さらに塵埃汚損時などの碍子表面の
汚損物（硫化物、硫酸塩、石膏、或いはセメントなど）
の成分に含まれる硫黄あるいはカルシウム等の元素の螢
光Ｘ線を測定して塵埃汚損量を演算するようにしても良
い。

この場合には螢光Ｘ線検出装置２１のコリメータ１８部
にフィルター又は分光器を設け、塩素、硫黄あるいはカ
ルシウムなどの螢光Ｘ線を選択的に検出する必要がある
。

なお、この発明は次のように具体化することもできる。

（１）第１３図に示ずように、収納ケース１の上面に支
柱４１を立設し、この支柱４１に対し昇降機構を構成す
るモータ４２を装着し、この昇降用モータ４２にはブラ
ケット４３により回転機構を構成するモータ４４と被測
定碍子１０、及びダミー碍子９を装着し、これらの碍子
１０．９を前記モータ４４により回動可能に支持してい
る。さらに、前記モータ４２は図示しない昇降機構によ
り支柱４１に沿って上下方向へ移動されるとともに、回
動動作されるようになっている。

（２）第１４図に示すように、収納ケース１に昇降支持
枠４５を設け、この先端部に被測定碍子ｌＯを装着し、
一方、ケース１の上面に対しダミー碍子４を装着した支
持枠４６を昇降動作可能に、かつその水平部４６ａを回
動可能に支持している。

この実施例ではまず暴露値装置にあるダミー碍子４を昇
降支持枠４６を下方へ移動させて被測定碍子１０からダ
ミー碍子４を離隔した後、該ダミー碍子４を水平方向へ
回動して待機させ、さらに、前記支持枠４５を下方へ移
動して被測定碍子１０を同図二点鎖線で示すように測定
室Ｒ１内に移動するようにしている。

（３）第１５図に示すように、定位置にａ！した固定支
持枠４７の水平部先端に昇降Ｒ横を構成するパワシリン
ダ４８を取付け、そのロッド４９の下端部にモータ５０
を介してダミー碍子９と被測定碍子１０を支持し、一方
、ケース１の上面に設けた回動支持枠５１の上端にはダ
ミー碍子４を支持すること。

（４）第１６図に示すように、前記固定支持枠４７の内
部に滑車５２を設けて４、ワイヤー５３を掛けこのワイ
ヤーの一端をバネ５４に止着し、他端にダミー碍子９と
被測定碍子ｌＯを接続し、さらに、被測定碍子１０の下
部には別のワイヤー５５を接続して基端をモータ５６の
回転軸に止着したプーリ５７に接続し、このモータ５６
を回動することにより被測定碍子ｌＯを暴露位置と測定
位置との間で位置切換可能に構成すること。

（５）第１７図に示すように、ダミー碍子９と被測定碍
子１０を平行四節リンクｍ梢５８の可動リンク５９に装
着すること。

（６）第１８図に示すように、ダミー碍子９と被測定碍
子１０を回動レバー６０の先端部に装着し、両蜀子９．
１０を測定室Ｒ１内で横向きに収容すること。

（７）前記実施例では被測定碍子ｌＯ及び取付ディスク
２４をモータ７．２２により回動して測定時間を短縮す
るようにしたが、これに加え又はこれに代えて前記測定
点Ｐ１にＸ線照射検出ユニット１７を対応した状態で該
検出ユニット１７を回転させ、測定点Ｐ１の汚損量を連
続して測定し、これらの合計値を測定時間で割算して平
均値を算出し、測定点ＰＩを通る円軌跡上の平均汚損密
度を演算するようにしてもよい、以下、前述した動作を
測定点Ｐ２〜ｐＨにっても同様に行ってそれぞれの平均
汚損度を演算し、最後に全体の平均汚損密度を演算して
もよい。

（８）前記Ｘ線照射検出ユニット１７を測定室Ｒ１内に
設置し、標準試料を備えた取付ディスク２４を試料位ｌ
切換機梢（図示時）により測定室Ｒ１側へ移動可能に構
成すること。

［発明の効果］ 以上詳述したように、請求項１記載の発明は碍子表面の
汚損量の測定精度を向上することができるとともに、累
積汚損検出を行い、さらに碍子表面の汚損分布を測定す
ることができる効果がある。

又、請求項２記載の発明は請求項１記載の発明の効果に
加えて、被測定碍子を汚損量測定位置において回転させ
ることにより、汚損量の測定作業を迅速に行うことがで
き効果がある。

又、請求項３記載の発明は請求項１記載の発明の効果に
加えて、標準試料に前記Ｘ線照射検出ユニットから一次
Ｘ線を照射してその時の螢光Ｘ線強度を基準にして、被
測定碍子の螢光Ｘ線の強度から汚損量の演算を行うこと
ができ、汚損Ｉの測定精度を向上することができる効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の碍子汚損量測定装置の一実施例を示
す正断面図、第２図はＸ線照射検出ユニットを示す路体
正面図、第３図は碍子表面に塩素を含有した高分子フィ
ルムを密着させた場合の各測定点における螢光Ｘ線の強
度を示すグラフ、第４図は標準試料を取付ディスクに嵌
合した状態を示す斜視図、第５図は碍子の測定点を示す
裏面図、第６図は汚損量測定方法を示すフローチャート
、第７図は標準試料の塩素含有量と螢光Ｘ線強度との関
係を示す検量線グラフ、第８図は磁器表面の塩素濃度と
螢光Ｘ線強度との関係を示す検量線グラフ、第９図は磁
器表面の塩素濃度と標準試料の塩素含有量との関係を示
す検量線グラフ、第１０図及び第１１図は測定点を示す
平面図、第１２図〜第１７図はそれぞれこの発明の別の
実施例を示す路体正面図である。 １・・・収納ケース、５・・・碍子位置切換ａ構を構成
し、支持機構を兼用する碍子位置切換アーム、１０・・
・被測定碍子、１０ａ・・・筒部、１７・・・螢光線照
射検出ユニット、１８．２０・・・コリメータ、１９・
・・Ｘ線発生装置（Ｘ線管球）、２１・・・螢光Ｘ線検
出装置、２５〜２９・・・標準試料、３０・・・制御装
置、７，４４・・・回転機構を構成するモータ、Ｒ１・
・・測定室、Ｒ２・・・試料室、Ｒ３・・・制御室、Ｕ
ｌ・・・ユニット位置切換機構、Ｕ２・・・ユニット位
置調節機構。 碍子表面の測定点 標準試料−場未含有量（Ｗ鴎） 磁器表面の１ネ濃度（’ｆ／ｃｄ　） 磁器表面の逼未濃度 （ダ／ｄ） 第１８図 １５図 ζ１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被測定碍子を自然暴露位置に支持する碍子支持機構
   と、 前記被測定碍子を前記自然暴露位置と汚損量測定位置と
   の間で交互に位置切換えするための碍子位置切換機構と
   、 前記汚損量測定位置に移動された被測定碍子に一次Ｘ線
   を照射してその表面から発生する螢光Ｘ線の強度を検出
   するＸ線照射検出ユニットと、前記碍子位置切換機構と
   Ｘ線照射検出ユニットを制御するとともに、前記螢光Ｘ
   線の実測強度から碍子の汚損量を演算する制御装置と により構成したことを特徴とする碍子汚損量測定装置。 ２、請求項１記載の碍子汚損量測定装置において、前記
   被測定碍子の支持機構は、該被測定碍子を汚損量測定位
   置において回転させる回転機構を有し、Ｘ線照射検出ユ
   ニットは測定位置を調節し得る位置調節機構を具備して
   いることを特徴とする碍子汚損量測定装置。 ３、請求項１又は２記載の碍子汚損量測定装置において
   、汚損対象元素を含有する標準試料を設け、前記Ｘ線照
   射検出ユニットを前記標準試料の測定位置へ切換えるた
   めのユニット位置切換機構、又は前記標準試料を前記Ｘ
   線照射検出ユニット側の測定位置へ切換えるための試料
   位置切換機構を備えていることを特徴とする碍子汚損量
   測定装置。