JPH0222555B2 - - Google Patents
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- JPH0222555B2 JPH0222555B2 JP13383785A JP13383785A JPH0222555B2 JP H0222555 B2 JPH0222555 B2 JP H0222555B2 JP 13383785 A JP13383785 A JP 13383785A JP 13383785 A JP13383785 A JP 13383785A JP H0222555 B2 JPH0222555 B2 JP H0222555B2
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- circuit
- circuit board
- conductor
- multilayer
- forming
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- Expired
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
論理LSIチツプ素子等を実装するCPUモジユー
ル回路基板等の形成に際して高密度の且つ低抵抗
の配線実装が容易な立体配線基板を提示したもの
である。
ル回路基板等の形成に際して高密度の且つ低抵抗
の配線実装が容易な立体配線基板を提示したもの
である。
本発明は高速コンピユータのCPU部に実装装
着される多層回路基板の製造方法に関す。
着される多層回路基板の製造方法に関す。
従来、複数の論理LSI素子を搭載するCPU用モ
ジユール回路には、同時焼成型の積層回路基板が
使用されており基板内導体配線回路として、例え
ば配線幅が100μｍ、バイアホール径が150μｍ程
度の回路をグリーンシート面に予形成してなり、
これを積層した後同時焼成する基板がある。
ジユール回路には、同時焼成型の積層回路基板が
使用されており基板内導体配線回路として、例え
ば配線幅が100μｍ、バイアホール径が150μｍ程
度の回路をグリーンシート面に予形成してなり、
これを積層した後同時焼成する基板がある。
係る多層セラミツク基板は、焼成時のセラミツ
ク収縮により高密度の且つ低い導体抵抗を具備す
る高速度回路基板を形成するには精度的に限界が
ある。
ク収縮により高密度の且つ低い導体抵抗を具備す
る高速度回路基板を形成するには精度的に限界が
ある。
本発明は、CPUモジユール回路などに適用し
て実装効率が優れ且つ高速度の導体配線回路が実
現容易となる多層基板の要請により提示されるも
のである。
て実装効率が優れ且つ高速度の導体配線回路が実
現容易となる多層基板の要請により提示されるも
のである。
従来におけるLSIチツプを多数実装せしめたこ
の種立体配線モジユール基板構成例を第４図側面
図に示す。
の種立体配線モジユール基板構成例を第４図側面
図に示す。
第４図において、積層の各層回路をグリーンシ
ート上に予め形成しこれを積み重ねて同時焼成さ
れた回路基板３１は、その表面に複数の論理LSI
素子３１，３２を搭載する。また、前記積層回路
基板３１の下方からはマザーボード板に接続する
多数のリードピン端子３３が導出される。
ート上に予め形成しこれを積み重ねて同時焼成さ
れた回路基板３１は、その表面に複数の論理LSI
素子３１，３２を搭載する。また、前記積層回路
基板３１の下方からはマザーボード板に接続する
多数のリードピン端子３３が導出される。
層内に形成する回路の配線パターンは、詳細に
説されないがパターン幅が50〜100μｍ、層間回
路を接続するバイアホール径が100〜200μｍ程度
の導体回路が形成されている。
説されないがパターン幅が50〜100μｍ、層間回
路を接続するバイアホール径が100〜200μｍ程度
の導体回路が形成されている。
前記回路基板３１は、アルミナセラミツク材料
とすることから誘電率が高く、また、導体回路は
高融点金属のＷとMoを使用するため回路抵抗が
大きく伝送特性が良くない。
とすることから誘電率が高く、また、導体回路は
高融点金属のＷとMoを使用するため回路抵抗が
大きく伝送特性が良くない。
本発明は、近年における前記層間接続バイアホ
ール寸法並びに配線パターン幅が100μｍ以下の
セラミツク多層基板に代わつて、より微細な回路
（高密度回路）の開発が進め易い、例えばCuポリ
イミド樹脂等をベースとする耐熱性のよい高速化
に適する薄膜回路が開発を目的として、パターン
微細化による回路の伝播遅延を無くすること。及
びまた、セラミツク基板は高誘電率であることか
ら信号伝播特性上問題があることである。
ール寸法並びに配線パターン幅が100μｍ以下の
セラミツク多層基板に代わつて、より微細な回路
（高密度回路）の開発が進め易い、例えばCuポリ
イミド樹脂等をベースとする耐熱性のよい高速化
に適する薄膜回路が開発を目的として、パターン
微細化による回路の伝播遅延を無くすること。及
びまた、セラミツク基板は高誘電率であることか
ら信号伝播特性上問題があることである。
第１図と第２図は本発明多層回路基板の製造方
法及び積層基板の断面図である。
法及び積層基板の断面図である。
樹脂あるいはセラミツク基板１の上に蒸着手段
により薄膜パターン回路２を形成する第一の手段
と、 前記薄膜パターン回路２をメツキ厚膜導体回路
３とする厚膜回路基板を形成する第二の手段と、 前記メツキ厚膜導体回路基板５に樹脂シート４
をプレス治具６と７を用いて絶縁層を圧着成形す
る第三の手段、 前記せる第一乃至第三手段を単サイクルとして
これを反復して積層する本発明による多層回路基
板の製造方法である。
により薄膜パターン回路２を形成する第一の手段
と、 前記薄膜パターン回路２をメツキ厚膜導体回路
３とする厚膜回路基板を形成する第二の手段と、 前記メツキ厚膜導体回路基板５に樹脂シート４
をプレス治具６と７を用いて絶縁層を圧着成形す
る第三の手段、 前記せる第一乃至第三手段を単サイクルとして
これを反復して積層する本発明による多層回路基
板の製造方法である。
本発明の前記第二の手段により形成される多層
導体配線回路は、微細化パターンとされた金属蒸
着薄膜をベースとして厚膜のメツキ導体回路が形
成されているので低抵抗であること。
導体配線回路は、微細化パターンとされた金属蒸
着薄膜をベースとして厚膜のメツキ導体回路が形
成されているので低抵抗であること。
更に前記第三の手段により形成される圧着樹脂
シート層はセラミツクスに比べ低誘電体の樹脂層
であることから、微細化導体回路に流れる論理回
路制御用パルス信号に対して該信号の伝播特性が
向上する。
シート層はセラミツクスに比べ低誘電体の樹脂層
であることから、微細化導体回路に流れる論理回
路制御用パルス信号に対して該信号の伝播特性が
向上する。
然も、前記各層回路は順次、重ね合わせて同時
に成形加熱されるので基板製造工程が簡易とな
る。
に成形加熱されるので基板製造工程が簡易とな
る。
以下、本発明製造方法を第１図〜第３図に掲げ
る実施例図に従つて詳細に説明する。
る実施例図に従つて詳細に説明する。
第１図多層化回路基板を形成するプロセス図に
おいて、２はセラミツクスもしくは樹脂製の基板
１に対して真空蒸着又はスパツタ法により銅
（Cu）を2μｍ厚さ被着した後、エツチングにより
回路パターンが形成された薄膜回路である。
おいて、２はセラミツクスもしくは樹脂製の基板
１に対して真空蒸着又はスパツタ法により銅
（Cu）を2μｍ厚さ被着した後、エツチングにより
回路パターンが形成された薄膜回路である。
次いで、導体薄膜回路２は、電解メツキ法によ
り厚さ20〜50μｍの低抵抗となすための厚膜導体
膜３が被着される（前記の第二の手段）。
り厚さ20〜50μｍの低抵抗となすための厚膜導体
膜３が被着される（前記の第二の手段）。
前記の厚膜導体膜３が形成の基板５は、第３図
に示されるカレンダ法あるいはドクタブレード法
（図中の１０，１１は成形用ローラ）により得ら
れた樹脂シート４を基板の厚膜導体膜上に載置し
た後、厚膜導体回路３の段差を平坦化するため、
温度80℃とする金型治具６と７によるプレス成形
（前記の第三の手段）がされる。
に示されるカレンダ法あるいはドクタブレード法
（図中の１０，１１は成形用ローラ）により得ら
れた樹脂シート４を基板の厚膜導体膜上に載置し
た後、厚膜導体回路３の段差を平坦化するため、
温度80℃とする金型治具６と７によるプレス成形
（前記の第三の手段）がされる。
温度プレス加工により樹脂シートの粘度は下
り、平坦化が促進される。該平坦化後400℃に加
熱することにより層形成の前記導体膜の安定化が
図られる。
り、平坦化が促進される。該平坦化後400℃に加
熱することにより層形成の前記導体膜の安定化が
図られる。
多層化の場合は、積層層数に応じて前記第一〜
第三の工程手段を繰り返すことで多層回路が形成
される。但し、多層回路基板の最下層基板はセラ
ミツクとするも構わないが、積層の中間該当層は
樹脂絶縁層４を介在させるものである。
第三の工程手段を繰り返すことで多層回路が形成
される。但し、多層回路基板の最下層基板はセラ
ミツクとするも構わないが、積層の中間該当層は
樹脂絶縁層４を介在させるものである。
第３図のカレンダ法による樹脂シート４の成形
に当たり、基材とするシート成形樹脂は、ポリイ
ミド樹脂並びに溶剤をよく混練した後、基材粘度
を300〜600ポイズに調整し、然る後、シート厚さ
が30〜60μｍとなる如くローラ１０と１１による
押し出しをすれば、層間絶縁層として十分な機能
が取得される。
に当たり、基材とするシート成形樹脂は、ポリイ
ミド樹脂並びに溶剤をよく混練した後、基材粘度
を300〜600ポイズに調整し、然る後、シート厚さ
が30〜60μｍとなる如くローラ１０と１１による
押し出しをすれば、層間絶縁層として十分な機能
が取得される。
第２図は本発明の前記手段により形成された多
層回路基板の断面図である。
層回路基板の断面図である。
以上から明らな様に、本発明の多層回路基板の
製造方法によれば、従来のセラミツク多層基板が
抱える高密度化回路実装に対する問題点が解決さ
れることになり、高い配線収容能力のある然も
CPU側から要請されている高速度性能を具備す
る立体配線モジユール回路基板が容易に実現され
ることになる。
製造方法によれば、従来のセラミツク多層基板が
抱える高密度化回路実装に対する問題点が解決さ
れることになり、高い配線収容能力のある然も
CPU側から要請されている高速度性能を具備す
る立体配線モジユール回路基板が容易に実現され
ることになる。
然る観点から本発明の実用的効果は大きい。
第１図は本発明多層化回路基板のプロセス実施
例を示す基板回路の断面図、第２図は本発明の多
層基板の断面図、第３図は樹脂シートを形成する
簡略側面図、第４図は従来の立体配線モジユール
回路基板の側面図である。 図中、１は基板、２は蒸着の導体薄膜、３はメ
ツキ厚膜導体、４は樹脂シート、５はメツキ厚膜
回路基板。
例を示す基板回路の断面図、第２図は本発明の多
層基板の断面図、第３図は樹脂シートを形成する
簡略側面図、第４図は従来の立体配線モジユール
回路基板の側面図である。 図中、１は基板、２は蒸着の導体薄膜、３はメ
ツキ厚膜導体、４は樹脂シート、５はメツキ厚膜
回路基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 樹脂あるいはセラミツク基板１の上に蒸着に
よる導体薄膜回路パターン２を形成する第一の手
段と、前記薄膜回路パターン２にメツキ膜３を被
着する第二の手段と、 前記第一の手段と第二の手段による厚膜回路基
板５上に樹脂シート４を圧着する第三の手段、 からなる層回路形成手段を単サイクルとしてこれ
を順次繰り返して形成することを特徴とする多層
回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13383785A JPS61292398A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13383785A JPS61292398A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292398A JPS61292398A (ja) | 1986-12-23 |
| JPH0222555B2 true JPH0222555B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=15114199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13383785A Granted JPS61292398A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292398A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3813821A1 (de) * | 1988-04-22 | 1989-11-02 | Hoechst Ag | Synthetische vakzine gegen die maul- und klauenseuche und verfahren zu deren herstellung |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP13383785A patent/JPS61292398A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61292398A (ja) | 1986-12-23 |
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