JPH02225393A - 単結晶引上装置における湯漏れ防止構造 - Google Patents
単結晶引上装置における湯漏れ防止構造Info
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- JPH02225393A JPH02225393A JP4310289A JP4310289A JPH02225393A JP H02225393 A JPH02225393 A JP H02225393A JP 4310289 A JP4310289 A JP 4310289A JP 4310289 A JP4310289 A JP 4310289A JP H02225393 A JPH02225393 A JP H02225393A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、多結晶原料から単結晶を引き上げるための単
結晶引上装置における湯漏れ防止構造に関する。
結晶引上装置における湯漏れ防止構造に関する。
（従来の技術）
シリコン等の単結晶は、単結晶引上装置においてＣＺ法
（Ｃｚｏｃｈｒａ Ｉｓｋ ｉ法）によって得られるが
、単結晶引上装置は、チャンバー内に、多結晶原料を収
容するルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒータ、該ヒ
ータの周囲に配される断熱材等を収納して構成される。
（Ｃｚｏｃｈｒａ Ｉｓｋ ｉ法）によって得られるが
、単結晶引上装置は、チャンバー内に、多結晶原料を収
容するルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒータ、該ヒ
ータの周囲に配される断熱材等を収納して構成される。
而して、上記単結晶引上装置においては、ルツボ内に投
入されたシリコン等の多結晶原料がヒータで加熱されて
溶融せしめられ、ルツボ内の多結晶融液（湯）に上方か
ら吊下する種結着を浸漬してこれを回転させながら引き
上げることによって所望の単結晶か得られる。
入されたシリコン等の多結晶原料がヒータで加熱されて
溶融せしめられ、ルツボ内の多結晶融液（湯）に上方か
ら吊下する種結着を浸漬してこれを回転させながら引き
上げることによって所望の単結晶か得られる。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、単結晶引上装置のルツボは耐熱性の高い石英
や黒鉛で構成されるか、石英や黒鉛は脆く、耐衝撃性に
乏しいため１例えば、リチャージに際して多結晶原料を
当該ルツボに役人すると衝撃でこれに亀裂が生し、この
亀裂から高温の多結晶融液かルツボ外へ流れ出すことが
ある。又、リチャージ時に多結晶原料を投入すると、ル
ツボ内の多結晶融液が周囲に飛散することもある。
や黒鉛で構成されるか、石英や黒鉛は脆く、耐衝撃性に
乏しいため１例えば、リチャージに際して多結晶原料を
当該ルツボに役人すると衝撃でこれに亀裂が生し、この
亀裂から高温の多結晶融液かルツボ外へ流れ出すことが
ある。又、リチャージ時に多結晶原料を投入すると、ル
ツボ内の多結晶融液が周囲に飛散することもある。
上記のように高温の多結晶融液かルツボ外へ波出したり
、飛散すると、該融液はルツボの外周壁からチャンバー
下部に落下したり、ルツボの外周から該ルツボな支持す
る支持軸に沿って流下し、金属部に達して該金属部を浸
食する。特に、高温のシリコンは金属に対する浸食作用
か激しい、そして、−旦金属部か浸食を受けると、該金
属部を冷却する冷却水かチャンバー内に流出して蒸気化
し、チャンバー内は高圧の蒸気で満たされて水蒸気爆発
を起こす虞かある。
、飛散すると、該融液はルツボの外周壁からチャンバー
下部に落下したり、ルツボの外周から該ルツボな支持す
る支持軸に沿って流下し、金属部に達して該金属部を浸
食する。特に、高温のシリコンは金属に対する浸食作用
か激しい、そして、−旦金属部か浸食を受けると、該金
属部を冷却する冷却水かチャンバー内に流出して蒸気化
し、チャンバー内は高圧の蒸気で満たされて水蒸気爆発
を起こす虞かある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的と
する処は、不慮の事故によって多結晶融液かルツボ外へ
流出しても、これが金属部に達するのを防いで、チャン
バーの水蒸気爆発等の危険を未然に回避することかでき
る単結晶引上装置における湯漏れ防止構造を提供するに
ある。
する処は、不慮の事故によって多結晶融液かルツボ外へ
流出しても、これが金属部に達するのを防いで、チャン
バーの水蒸気爆発等の危険を未然に回避することかでき
る単結晶引上装置における湯漏れ防止構造を提供するに
ある。
（！！題を解決するための手段）
上記目的を達成すべく本発明は、チャンバー内に、多結
晶原料を収容するルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒ
ータ、該ヒータの周囲に配される断熱材等を収納して構
成される単結晶引上装置の前記ルツボより下方の部位に
、湯切り溝、フィン、フランジ等の湯切り手段を設けた
ことをその特徴とする。
晶原料を収容するルツボ、該ルツボの周囲に配されるヒ
ータ、該ヒータの周囲に配される断熱材等を収納して構
成される単結晶引上装置の前記ルツボより下方の部位に
、湯切り溝、フィン、フランジ等の湯切り手段を設けた
ことをその特徴とする。
（作用）
ルツボに亀裂が生じてこの亀裂から多結晶融液（湯）が
流出しても、これは金属部に達する依然に湯切り溝等の
湯切り手段によってチャンバー底部に落下せしめられる
ため、金属部が高温の多結晶融液によって浸食を受ける
ことがなく、従って該金属部を冷却する冷却水がチャン
バー内に流出することもなく、チャンバーの水蒸気爆発
等の事故の発生か未然に防がれる。
流出しても、これは金属部に達する依然に湯切り溝等の
湯切り手段によってチャンバー底部に落下せしめられる
ため、金属部が高温の多結晶融液によって浸食を受ける
ことがなく、従って該金属部を冷却する冷却水がチャン
バー内に流出することもなく、チャンバーの水蒸気爆発
等の事故の発生か未然に防がれる。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
図面は本発明に係る湯漏れ防止構造を示す単結晶引上装
置要部の縦断面図であり、図中、ｌは密閉タンク状のチ
ャンバーであって、該チャンバー１の周壁に形成された
冷却水通路（図示せず）には冷却水が流されている。そ
して、このチャンバー１内の中心には、中空状の支持軸
２か下方から垂直に臨んでおり、該支持軸２の上端部に
は上下２段の支持台３，４か泡り付けられている。支持
台３上には、石英ルツボ５と該石英ルツボ５の周囲を被
ってこれを保護する黒鉛ルツボ６が載置されている。
置要部の縦断面図であり、図中、ｌは密閉タンク状のチ
ャンバーであって、該チャンバー１の周壁に形成された
冷却水通路（図示せず）には冷却水が流されている。そ
して、このチャンバー１内の中心には、中空状の支持軸
２か下方から垂直に臨んでおり、該支持軸２の上端部に
は上下２段の支持台３，４か泡り付けられている。支持
台３上には、石英ルツボ５と該石英ルツボ５の周囲を被
ってこれを保護する黒鉛ルツボ６が載置されている。
ところで、上記一方の支持台３の下面の外周部近傍には
１図示のようにリング状の湯切り１４３ａか形成されて
おり、他方の支持台４の１面の外周部近傍には、リング
状のフィン４ａが一体に突設され、同支持台４の内周部
（前記支持軸２の上端外周部に嵌合する部位）には下方
に向かって円錐状に広がるテーバフィン４ｂか一体に突
設されている。
１図示のようにリング状の湯切り１４３ａか形成されて
おり、他方の支持台４の１面の外周部近傍には、リング
状のフィン４ａが一体に突設され、同支持台４の内周部
（前記支持軸２の上端外周部に嵌合する部位）には下方
に向かって円錐状に広がるテーバフィン４ｂか一体に突
設されている。
而して、前記チャンバー１内において、前記ルツボ５．
６の周囲には円筒状のヒータ７が配され、該ヒータ７の
周囲には同しく円筒状の断熱材８か配されている。
６の周囲には円筒状のヒータ７が配され、該ヒータ７の
周囲には同しく円筒状の断熱材８か配されている。
上記ヒータ７及び断熱材８は支持部材９によって支持さ
れているか、該支持部材９の下面には、リング状のフィ
ン９ａか一体に突設されている。
れているか、該支持部材９の下面には、リング状のフィ
ン９ａか一体に突設されている。
又、チャンバーｌ内の下部には、ガス管ｌＯかチャンバ
ーｌの底壁を貫通して臨んでおり、該ガス管１０の上端
は円板状のフランジ１０ａにて被われている。そして、
このガス管１０の上部周壁には４つの円孔１１・・・が
穿設されている。尚、チャンバー１内の底部には円板状
の黒鉛板１２か敷設されている。又、図中、１４は湯受
は用黒鉛皿である。
ーｌの底壁を貫通して臨んでおり、該ガス管１０の上端
は円板状のフランジ１０ａにて被われている。そして、
このガス管１０の上部周壁には４つの円孔１１・・・が
穿設されている。尚、チャンバー１内の底部には円板状
の黒鉛板１２か敷設されている。又、図中、１４は湯受
は用黒鉛皿である。
而して、当該単結晶用と装置はＣＺ法によって単結晶を
引き上げるものであって、この引と装置においては、ル
ツボ５，６内に投入されたシリコン等の多結晶原料はヒ
ータ７によって加熱されて溶融せしめられ、ルツボ５，
６内には多結晶の溶融液（湯）１３か収容される。そし
て、この溶融液１３に」一方から吊丁する不図示の種結
晶を浸漬してこれを回転させながら所定の速度で引き上
げれｉＪ、所望の単結晶か引きＦげられる。
引き上げるものであって、この引と装置においては、ル
ツボ５，６内に投入されたシリコン等の多結晶原料はヒ
ータ７によって加熱されて溶融せしめられ、ルツボ５，
６内には多結晶の溶融液（湯）１３か収容される。そし
て、この溶融液１３に」一方から吊丁する不図示の種結
晶を浸漬してこれを回転させながら所定の速度で引き上
げれｉＪ、所望の単結晶か引きＦげられる。
ところで、例えばリチャージに際してルツボ５．６に多
結晶原料を投入した場合、原料投入の＃撃によってルツ
ボ５，６に亀裂か生し、この亀裂から溶融液１３かルツ
ボ５，６外へ流出しても、ルツボ６の外周面に沿って下
方へ流れる溶融漆工３の一部は、支持台３の外周面で切
られて矢印ａにて示すようにヒータ７の底部７ａ及びフ
ランジｌｏａ上に落下する。そして、ヒータ７の底部７
ａ上に落ドした溶融液１３は、支持部材９の周囲に沿っ
て流れ、その流れは該支持部材９の下面に突設されたフ
ィン９ａにて切られて矢印すにて示すようにそこから黒
鉛板１２上に落下する。
結晶原料を投入した場合、原料投入の＃撃によってルツ
ボ５，６に亀裂か生し、この亀裂から溶融液１３かルツ
ボ５，６外へ流出しても、ルツボ６の外周面に沿って下
方へ流れる溶融漆工３の一部は、支持台３の外周面で切
られて矢印ａにて示すようにヒータ７の底部７ａ及びフ
ランジｌｏａ上に落下する。そして、ヒータ７の底部７
ａ上に落ドした溶融液１３は、支持部材９の周囲に沿っ
て流れ、その流れは該支持部材９の下面に突設されたフ
ィン９ａにて切られて矢印すにて示すようにそこから黒
鉛板１２上に落下する。
又、フランジ１０ａＪ：に落下した溶融液１３は、矢印
Ｃにて示すようにフランジｌｏａの外周から黒鉛板１２
に向けて落下するため、これか１円孔１１・・・からガ
ス管ｌＯ内に流入することかない。
Ｃにて示すようにフランジｌｏａの外周から黒鉛板１２
に向けて落下するため、これか１円孔１１・・・からガ
ス管ｌＯ内に流入することかない。
−ト記支持台３の外周面で切られなかった残りの溶融液
１３は、支持台３の下面に沿って該支持台３の中心に向
かって流れるが、その一部は矢印ｄにて示すように湯切
り溝３ａによって切られて黒鉛板１２上及びヒータ７Ｊ
：に落下する。尚、ヒータ７Ｊ−、に落Ｆした溶融液１
３は、前述と同様に支持部材９の下面に突設されたフィ
ン９ａによって切られて最終的には黒鉛板１２上に落下
する。
１３は、支持台３の下面に沿って該支持台３の中心に向
かって流れるが、その一部は矢印ｄにて示すように湯切
り溝３ａによって切られて黒鉛板１２上及びヒータ７Ｊ
：に落下する。尚、ヒータ７Ｊ−、に落Ｆした溶融液１
３は、前述と同様に支持部材９の下面に突設されたフィ
ン９ａによって切られて最終的には黒鉛板１２上に落下
する。
又、］；記湯切り溝３ａて切られなかった溶融液１３は
支持台３から他方の支持台４の外周部に沿って流れ、矢
印ｅにて示すように支持台４の下面に突設されたフィン
４ａによって切られて黒鉛板１２に向けて落下し、フィ
ン４ａによっても切られずに最終的に残った溶融液１３
のすべては矢印ｆにて示すようにテーパフィン４ｂによ
って確実に切られて黒鉛板１２上に落下する。従って、
高温の溶融液１３が支持軸２の外周面に沿って落下する
ことかない。
支持台３から他方の支持台４の外周部に沿って流れ、矢
印ｅにて示すように支持台４の下面に突設されたフィン
４ａによって切られて黒鉛板１２に向けて落下し、フィ
ン４ａによっても切られずに最終的に残った溶融液１３
のすべては矢印ｆにて示すようにテーパフィン４ｂによ
って確実に切られて黒鉛板１２上に落下する。従って、
高温の溶融液１３が支持軸２の外周面に沿って落下する
ことかない。
以上説明したように、不慮の事故によって高温の溶融液
１３か流出しても、これは湯切り溝３ａ、フィ：／ ４
ａ 、 ４ ｂ 、 ９ ａ及びフランジ１０ａから
成る湯切り手段によって切られてその全てか黒鉛板１２
上に安全に落下せしめられるため、不図示の金属部か流
出した溶融液１３によって浸食を受けることかない。こ
のため、金属部を冷却する冷却水がチャンバー１内に流
出して蒸気化することかなく、チャンバー１の水蒸気爆
発等の事故の発生か未然に防かれる。
１３か流出しても、これは湯切り溝３ａ、フィ：／ ４
ａ 、 ４ ｂ 、 ９ ａ及びフランジ１０ａから
成る湯切り手段によって切られてその全てか黒鉛板１２
上に安全に落下せしめられるため、不図示の金属部か流
出した溶融液１３によって浸食を受けることかない。こ
のため、金属部を冷却する冷却水がチャンバー１内に流
出して蒸気化することかなく、チャンバー１の水蒸気爆
発等の事故の発生か未然に防かれる。
（発明の効果）
以丘の説明て明らかな如く本発明によれば、チャンバー
内に、多結晶原料を収容するルツボ。
内に、多結晶原料を収容するルツボ。
該ルツボの周囲に配されるヒータ、該ヒータの周囲に配
される断熱材等を収納して構成される単結品用に装置の
前記ルツボより下方の部位に、湯切り溝、フィン、フラ
ンジ等の場切り手段を設けたため、不慮の事故によって
多結晶融液かルツボ外へ流出しても、これか金属部に達
するのを防いて、チャンバーの水蒸気爆発等の危険を未
然に回避することかできるという効果か得られる。
される断熱材等を収納して構成される単結品用に装置の
前記ルツボより下方の部位に、湯切り溝、フィン、フラ
ンジ等の場切り手段を設けたため、不慮の事故によって
多結晶融液かルツボ外へ流出しても、これか金属部に達
するのを防いて、チャンバーの水蒸気爆発等の危険を未
然に回避することかできるという効果か得られる。
図面は本発明に係る湯漏れ防止構造を示す単結品用り装
置要部の縦断面図である。 １・・・チャンバー、３ａ・・・湯切り溝、４ａ。 ４ｂ・・・フィン４５，６・・・ルツボ、７・・・ヒー
タ８・・・断熱材、９ａ・・・フィン、１０ａ・・・フ
ランジ。
置要部の縦断面図である。 １・・・チャンバー、３ａ・・・湯切り溝、４ａ。 ４ｂ・・・フィン４５，６・・・ルツボ、７・・・ヒー
タ８・・・断熱材、９ａ・・・フィン、１０ａ・・・フ
ランジ。
Claims (1)
- チャンバー内に、多結晶原料を収容するルツボ、該ルツ
ボの周囲に配されるヒータ、該ヒータの周囲に配される
断熱材等を収納して構成される単結晶引上装置の前記ル
ツボより下方の部位に、湯切り溝、フィン、フランジ等
の湯切り手段を設けて成る単結晶引上装置における湯漏
れ防止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043102A JPH0643276B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 単結晶引上装置における湯漏れ防止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043102A JPH0643276B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 単結晶引上装置における湯漏れ防止構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225393A true JPH02225393A (ja) | 1990-09-07 |
| JPH0643276B2 JPH0643276B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=12654471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1043102A Expired - Lifetime JPH0643276B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 単結晶引上装置における湯漏れ防止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0643276B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020096097A (ko) * | 2001-06-16 | 2002-12-31 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳 성장 장치 |
| EP1754807A2 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-21 | BP Corporation North America Inc. | An insulation package for use in high temperature furnaces |
| JP2009161421A (ja) * | 2008-01-03 | 2009-07-23 | Green Energy Technology Inc | スラリー排出ダクト構造を有する結晶成長炉 |
| JP2009215126A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
| WO2010027833A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Bp Corporation North America Inc. | System and method for liquid silicon containment |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5630301B2 (ja) | 2011-02-07 | 2014-11-26 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62275087A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-30 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 結晶引上炉の湯漏れ検出装置 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1043102A patent/JPH0643276B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62275087A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-30 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 結晶引上炉の湯漏れ検出装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020096097A (ko) * | 2001-06-16 | 2002-12-31 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳 성장 장치 |
| EP1754807A2 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-21 | BP Corporation North America Inc. | An insulation package for use in high temperature furnaces |
| EP1754807A3 (en) * | 2005-08-18 | 2008-12-24 | BP Corporation North America Inc. | An insulation package for use in high temperature furnaces |
| JP2009161421A (ja) * | 2008-01-03 | 2009-07-23 | Green Energy Technology Inc | スラリー排出ダクト構造を有する結晶成長炉 |
| JP2009215126A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
| WO2010027833A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Bp Corporation North America Inc. | System and method for liquid silicon containment |
| US8449674B2 (en) | 2008-08-27 | 2013-05-28 | Amg Idealcast Solar Corporation | System and method for liquid silicon containment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0643276B2 (ja) | 1994-06-08 |
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