JPH0222395B2 - - Google Patents
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- JPH0222395B2 JPH0222395B2 JP59149001A JP14900184A JPH0222395B2 JP H0222395 B2 JPH0222395 B2 JP H0222395B2 JP 59149001 A JP59149001 A JP 59149001A JP 14900184 A JP14900184 A JP 14900184A JP H0222395 B2 JPH0222395 B2 JP H0222395B2
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- Japan
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- memory
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 83
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はブラウン管表示装置(以下CRTと
略記する)に表示するドツトパターンを、その表
示面における配列に対応するアドレス位置に記憶
するパターンメモリ(イメジメモリ)に関するも
のであり、更に詳細に言えば表示面のドツトパタ
ーンを拡大又は縮小する場合のイメージメモリの
処理に関するものである。
略記する)に表示するドツトパターンを、その表
示面における配列に対応するアドレス位置に記憶
するパターンメモリ(イメジメモリ)に関するも
のであり、更に詳細に言えば表示面のドツトパタ
ーンを拡大又は縮小する場合のイメージメモリの
処理に関するものである。
第1図はCRT上に縮小表示を行う従来の方法
を示すブロツク図であつて、図において1はイメ
ージメモリ(第1のイメージメモリという)であ
る。
を示すブロツク図であつて、図において1はイメ
ージメモリ(第1のイメージメモリという)であ
る。
以下、説明を簡単にするため、CRTには白黒
の表示が行われ、表示面上の1画素(1ドツト)
に対応して1ドツトのメモリが設けられ、当該メ
モリの論理「1」、「0」に対し、対応する画素が
「黒」、「白」で表示されるとする。またイメージ
メモリ1は水平方向(以下X方向とする)にM×
nビツト、垂直方向(以下Y方向とする)にN×
nビツトが配列されているとする。ここにM,
N,nはそれぞれ整数である。また、第1図のイ
メージメモリ1の枠内に斜線を施した部分が論理
「1」のビツト、其他は論理「0」のビツトであ
るとすると、このイメージメモリ1をそのまま読
出してCRTに表示すると、イメージメモリ1の
枠内の斜線部分に相似する文字が表示される。第
1図に示す回路はCRT上に1/nに縮小して表
示するため1/nに縮小したイメージメモリを作
成する回路である。
の表示が行われ、表示面上の1画素(1ドツト)
に対応して1ドツトのメモリが設けられ、当該メ
モリの論理「1」、「0」に対し、対応する画素が
「黒」、「白」で表示されるとする。またイメージ
メモリ1は水平方向(以下X方向とする)にM×
nビツト、垂直方向(以下Y方向とする)にN×
nビツトが配列されているとする。ここにM,
N,nはそれぞれ整数である。また、第1図のイ
メージメモリ1の枠内に斜線を施した部分が論理
「1」のビツト、其他は論理「0」のビツトであ
るとすると、このイメージメモリ1をそのまま読
出してCRTに表示すると、イメージメモリ1の
枠内の斜線部分に相似する文字が表示される。第
1図に示す回路はCRT上に1/nに縮小して表
示するため1/nに縮小したイメージメモリを作
成する回路である。
1a,1cはX方向アドレスレジスタ、1b,
1dはY方向アドレスレジスタ、2は処理回路、
3は1/n(図に示す例ではn=4)に縮小した
場合のイメージメモリ、3aはX方向アドレスレ
ジスタ、3bはY方向アドレスレジスタ、4は制
御器、5は書込みアドレスカウンタ、6は読出し
アドレスカウンタである。またwは書込み制御信
号を示す。
1dはY方向アドレスレジスタ、2は処理回路、
3は1/n(図に示す例ではn=4)に縮小した
場合のイメージメモリ、3aはX方向アドレスレ
ジスタ、3bはY方向アドレスレジスタ、4は制
御器、5は書込みアドレスカウンタ、6は読出し
アドレスカウンタである。またwは書込み制御信
号を示す。
イメージメモリ1をそれぞれn×nビツトから
構成されるメモリブロツクがX方向にMブロツ
ク、Y方向にNブロツク配列されているとし、i
(0,1,2,…i,…M−1)をX方向ブロツ
クアドレス、j(0,1,2,…j,…N−1)
をY方向ブロツクアドレスとする。イメージメモ
リ1の1ブロツクがイメージメモリ3の1ビツト
に対応するので、(i,j)はイメージメモリ3
の所望のビツトにアクセスするためのアドレスと
なる。
構成されるメモリブロツクがX方向にMブロツ
ク、Y方向にNブロツク配列されているとし、i
(0,1,2,…i,…M−1)をX方向ブロツ
クアドレス、j(0,1,2,…j,…N−1)
をY方向ブロツクアドレスとする。イメージメモ
リ1の1ブロツクがイメージメモリ3の1ビツト
に対応するので、(i,j)はイメージメモリ3
の所望のビツトにアクセスするためのアドレスと
なる。
したがつて、書込みアドレスカウンタ5がアド
レス(i,j)を出力するとき、これがブロツク
アドレスとしてイメージメモリ1に与えられ、イ
メージメモリ1の中の(i,j)ブロツクが選ば
れる。1つのブロツクの中にはn×nビツトのメ
モリが存在するので、n=4とすると読出しアド
レスカウンタは(00,01,02,03,10,11,12,
13,20,21,22,23,30,31,32,33)の16種類
のアドレスを順次出力し、(i,j)ブロツク中
の16個(一般的にはn×n個)のデータが読出さ
れ処理回路2に1時記憶される。処理回路2にた
とえば多数決論理で1ブロツク中の16ビツトのう
ち8ビツト以上が論理「1」であれば論理「1」
を出力しそれ以外は論理「0」を出力する。処理
回路2からの出力がイメージメモリ3へ入力され
ている時点で制御器4は書込み制御信号wを出力
して処理回路2の出力をイメージメモリ3のアド
レス(i,j)位置へ書込み、この書込みが終る
と書込みアドレスカウンタ5はアドレス(i+
1,j)を出力し、イメージメモリ1の(i+
1,j)ブロツクの16個のビツトの多数決論理が
イメージメモリ3のアドレス(i+1,j)位置
のビツトに書込まれる。このようにして、イメー
ジメモリ1を1/4×1/4(一般的には1/n×1/
n)に縮小したイメージメモリ3が作成される。
レス(i,j)を出力するとき、これがブロツク
アドレスとしてイメージメモリ1に与えられ、イ
メージメモリ1の中の(i,j)ブロツクが選ば
れる。1つのブロツクの中にはn×nビツトのメ
モリが存在するので、n=4とすると読出しアド
レスカウンタは(00,01,02,03,10,11,12,
13,20,21,22,23,30,31,32,33)の16種類
のアドレスを順次出力し、(i,j)ブロツク中
の16個(一般的にはn×n個)のデータが読出さ
れ処理回路2に1時記憶される。処理回路2にた
とえば多数決論理で1ブロツク中の16ビツトのう
ち8ビツト以上が論理「1」であれば論理「1」
を出力しそれ以外は論理「0」を出力する。処理
回路2からの出力がイメージメモリ3へ入力され
ている時点で制御器4は書込み制御信号wを出力
して処理回路2の出力をイメージメモリ3のアド
レス(i,j)位置へ書込み、この書込みが終る
と書込みアドレスカウンタ5はアドレス(i+
1,j)を出力し、イメージメモリ1の(i+
1,j)ブロツクの16個のビツトの多数決論理が
イメージメモリ3のアドレス(i+1,j)位置
のビツトに書込まれる。このようにして、イメー
ジメモリ1を1/4×1/4(一般的には1/n×1/
n)に縮小したイメージメモリ3が作成される。
イメージメモリ3を読出してCRT表に表示す
ると1/4×1/4に縮尺した画像表示が得られる。
ると1/4×1/4に縮尺した画像表示が得られる。
従来の装置は以上のように動作するので、イメ
ージメモリ3の1ビツトの書込を行うために、イ
メージメモリ1からn×nビツトの読出しを行わ
ねばならず、かつ、この読出したn×nビツトに
ついて、たとえば、多数決処理を行わねばならぬ
ので、処理時間を多く必要とするという欠点があ
つた。
ージメモリ3の1ビツトの書込を行うために、イ
メージメモリ1からn×nビツトの読出しを行わ
ねばならず、かつ、この読出したn×nビツトに
ついて、たとえば、多数決処理を行わねばならぬ
ので、処理時間を多く必要とするという欠点があ
つた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、この発明ではMn
×Nnビツトの記憶容量を有するイメージメモリ
をn×nビツトの4角形のイメージブロツクのM
列N行の配列と見做してそれぞれブロツクアドレ
ス(i,j)を附し、各ブロツクにブロツク内ア
ドレス(X方向は0,1,…n−1,Y方向は
0,1,…n−1であつてn=4のとき(00)、
(01)、(02)、(03)、(10)、(11)、(12)、(
13)、
(20)、(21)、(22)、(23)、(30)、(31)、(
32)、
(33)となる)を定め、各ブロツク中の同一ブロ
ツク内アドレスのビツトをまとめてブロツクアド
レス順に配列したイメージメモリをn×nグルー
プ構成して、もとのイメージメモリのデータをn
×nグループのイメージメモリに分散配置したイ
メージメモリを備えることにより縮小した画像表
示の為に必要な時間を短縮した。
去するためになされたもので、この発明ではMn
×Nnビツトの記憶容量を有するイメージメモリ
をn×nビツトの4角形のイメージブロツクのM
列N行の配列と見做してそれぞれブロツクアドレ
ス(i,j)を附し、各ブロツクにブロツク内ア
ドレス(X方向は0,1,…n−1,Y方向は
0,1,…n−1であつてn=4のとき(00)、
(01)、(02)、(03)、(10)、(11)、(12)、(
13)、
(20)、(21)、(22)、(23)、(30)、(31)、(
32)、
(33)となる)を定め、各ブロツク中の同一ブロ
ツク内アドレスのビツトをまとめてブロツクアド
レス順に配列したイメージメモリをn×nグルー
プ構成して、もとのイメージメモリのデータをn
×nグループのイメージメモリに分散配置したイ
メージメモリを備えることにより縮小した画像表
示の為に必要な時間を短縮した。
以下この発明の実施例を図面について説明す
る。第2図、第3図はこの発明のイメージメモリ
の構成方法を示す図で、第2図aは第1図に示す
イメージメモリ1のMn×Nnビツトの配列をn×
n(第2図に示す列ではn=4であり、以下の説
明ではn=4の場合について説明する)ビツトの
ブロツクのM×N個の配列と見做したときブロツ
クアドレス(i,j)、(i+1,j)、(i,j+
1)、(i+1,j+1)の4ブロツクを表したも
ので、図中点線で示す曲線Aの第1図1に示す文
字の左上部の部分を表すものとし、第2図aで斜
線を施した小さな4角形は論理「1」を記憶する
ビツトを表し、中空の4角形は論理「0」を記憶
するビツトを表す。
る。第2図、第3図はこの発明のイメージメモリ
の構成方法を示す図で、第2図aは第1図に示す
イメージメモリ1のMn×Nnビツトの配列をn×
n(第2図に示す列ではn=4であり、以下の説
明ではn=4の場合について説明する)ビツトの
ブロツクのM×N個の配列と見做したときブロツ
クアドレス(i,j)、(i+1,j)、(i,j+
1)、(i+1,j+1)の4ブロツクを表したも
ので、図中点線で示す曲線Aの第1図1に示す文
字の左上部の部分を表すものとし、第2図aで斜
線を施した小さな4角形は論理「1」を記憶する
ビツトを表し、中空の4角形は論理「0」を記憶
するビツトを表す。
第2図bは4×4ビツトで構成される1ブロツ
クのブロツク内アドレスを示す図で、このブロツ
クがブロツクアドレス(i,j)のブロツクであ
るとすればブロツク内アドレス(0,0)、(0,
1)のビツトは論理「0」であり、其他のビツト
はすべて論理「1」であることが第2図aからわ
かる。
クのブロツク内アドレスを示す図で、このブロツ
クがブロツクアドレス(i,j)のブロツクであ
るとすればブロツク内アドレス(0,0)、(0,
1)のビツトは論理「0」であり、其他のビツト
はすべて論理「1」であることが第2図aからわ
かる。
第2図aにその一部を示す第1図1のイメージ
メモリを第3図に示す要領で分散配置してM×N
ビツトの互に類似したパターンが配列されたメモ
リグループn×n個を構成する。すなわち、第3
図において(0,0)、(0,1)、(0,2)、…
(1,0)、(1,1)、(1,2)…で示す4角形
がそれぞれメモリグループのグループアドレスを
示し、各グループ内にはM×Nビツトのメモリが
含まれ、グループ内アドレス(i,j)(i=0,
1,2,…i,…M−1;j=0,1,2,…
j,…N−1)位置のビツトにはもとのブロツク
アドレス(i,j)の4×4ビツトのうちのもと
のブロツク内アドレス(第2図b)に対応するビ
ツトの論理がそれぞれのグループのグループ内ア
ドレス位置(i,j)に書込まれる。たとえば、
第2図aのブロツクアドレス(i,j)、(i+
1,j)に対応しグループアドレス(0,0)、
(0,1)、(0,2)、……(1,0)、(1,1)
、
(1,2)…のグループ内アドレス(i,j)、
(i+1,j)のビツトは「01」、「01」、「11」…
「11」、「11」、「11」…のようになることは第2図
aからわかる。
メモリを第3図に示す要領で分散配置してM×N
ビツトの互に類似したパターンが配列されたメモ
リグループn×n個を構成する。すなわち、第3
図において(0,0)、(0,1)、(0,2)、…
(1,0)、(1,1)、(1,2)…で示す4角形
がそれぞれメモリグループのグループアドレスを
示し、各グループ内にはM×Nビツトのメモリが
含まれ、グループ内アドレス(i,j)(i=0,
1,2,…i,…M−1;j=0,1,2,…
j,…N−1)位置のビツトにはもとのブロツク
アドレス(i,j)の4×4ビツトのうちのもと
のブロツク内アドレス(第2図b)に対応するビ
ツトの論理がそれぞれのグループのグループ内ア
ドレス位置(i,j)に書込まれる。たとえば、
第2図aのブロツクアドレス(i,j)、(i+
1,j)に対応しグループアドレス(0,0)、
(0,1)、(0,2)、……(1,0)、(1,1)
、
(1,2)…のグループ内アドレス(i,j)、
(i+1,j)のビツトは「01」、「01」、「11」…
「11」、「11」、「11」…のようになることは第2図
aからわかる。
以上のような分散配列を行うと、第1図に示す
第1のイメージメモリ1の内容は第4図に示すイ
メージメモリ100(第2イメージメモリとい
う)のようになる。第4図はこの発明の一実施例
を示すブロツク図で、第1図と同一符号は同一又
は相当部分を示し、100はこの発明に用いるイ
メージメモリ、100aはX方向のグループ内ア
ドレスレジスタ、100bはY方向のグループ内
アドレスレジスタ、100cはX方向のグループ
アドレスレジスタ、100dはY方向のグループ
アドレスレジスタを示し、7は制御回路、8はア
ドレス変換回路である。
第1のイメージメモリ1の内容は第4図に示すイ
メージメモリ100(第2イメージメモリとい
う)のようになる。第4図はこの発明の一実施例
を示すブロツク図で、第1図と同一符号は同一又
は相当部分を示し、100はこの発明に用いるイ
メージメモリ、100aはX方向のグループ内ア
ドレスレジスタ、100bはY方向のグループ内
アドレスレジスタ、100cはX方向のグループ
アドレスレジスタ、100dはY方向のグループ
アドレスレジスタを示し、7は制御回路、8はア
ドレス変換回路である。
M×Nビツトのイメージメモリ3へ、Mn×Nn
ビツトのイメージメモリ100からその中の特定
のブロツクのデータを書込むにはアドレス変換回
路8からグループアドレスレジスタ100c,1
00dを経て特定のグループを指定し(なるべく
中央のグループを指定した方がよいことは第2
図、第3図に示すイメージメモリ100の作成方
法から明らかであるが)書込みアドレスカウンタ
5の出力であるアドレス信号(i,j)をそのま
まアドレス変換回路8を介してグループ内アドレ
スレジスタ100a,100bに与えてイメージ
メモリ100から読出したデータをイメージメモ
リ3のアドレス(i,j)位置に書込めばよい。
ビツトのイメージメモリ100からその中の特定
のブロツクのデータを書込むにはアドレス変換回
路8からグループアドレスレジスタ100c,1
00dを経て特定のグループを指定し(なるべく
中央のグループを指定した方がよいことは第2
図、第3図に示すイメージメモリ100の作成方
法から明らかであるが)書込みアドレスカウンタ
5の出力であるアドレス信号(i,j)をそのま
まアドレス変換回路8を介してグループ内アドレ
スレジスタ100a,100bに与えてイメージ
メモリ100から読出したデータをイメージメモ
リ3のアドレス(i,j)位置に書込めばよい。
また、イメージメモリ100の複数グループの
データを再配列してイメージメモリ3内に拡大し
たパターンメモリを作成することも容易である。
データを再配列してイメージメモリ3内に拡大し
たパターンメモリを作成することも容易である。
第5図は拡大表示の場合のイメージメモリの再
配列を示す図で、イメージメモリ100の互に隣
接する4グループから右上方の1/4ずつのメモリ
内容を再配列して2倍に拡大したパターンを記憶
するイメージメモリ200を作る場合を示し、イ
メージメモリ100のグループアドレス(1,
1)、(1,2)、(2,1)、(2,2)の4グルー
プのうちの斜線を施した部分を読出しイメージメ
モリ200に再配列している。
配列を示す図で、イメージメモリ100の互に隣
接する4グループから右上方の1/4ずつのメモリ
内容を再配列して2倍に拡大したパターンを記憶
するイメージメモリ200を作る場合を示し、イ
メージメモリ100のグループアドレス(1,
1)、(1,2)、(2,1)、(2,2)の4グルー
プのうちの斜線を施した部分を読出しイメージメ
モリ200に再配列している。
この場合、イメージメモリ200に対する書込
みアドレスカウンタ5の出力(i,j)に対しi
が奇数の場合は100cに1をiが偶数の場合は
100cに2をセツトし、jが奇数の場合には1
00dに1をセツトし、jが偶数の場合は100
dに2をセツトして各グループを切換え、100
aには(M+i)/2、100bにj/2を供給
するようアドレス変換回路8におけるアドレス変
換を行えばよい。
みアドレスカウンタ5の出力(i,j)に対しi
が奇数の場合は100cに1をiが偶数の場合は
100cに2をセツトし、jが奇数の場合には1
00dに1をセツトし、jが偶数の場合は100
dに2をセツトして各グループを切換え、100
aには(M+i)/2、100bにj/2を供給
するようアドレス変換回路8におけるアドレス変
換を行えばよい。
すなわち、いずれの場合においてもM×Nビツ
トのイメージメモリに書込むためにはM×Nビツ
トだけを読出せばよいので、第1図に示す場合の
ようにMn×Nnビツトを読出す必要がなく処理時
間を短縮することができる。
トのイメージメモリに書込むためにはM×Nビツ
トだけを読出せばよいので、第1図に示す場合の
ようにMn×Nnビツトを読出す必要がなく処理時
間を短縮することができる。
更にまた、第1図の場合はイメージメモリ3へ
の書込み速度はイメージメモリ1の読出し速度と
は異るのでCRTへの表示はイメージメモリ3を
介して行う必要があるが、第4図及び第5図の場
合イメージメモリ100の読出し速度とイメージ
メモリ3,200への書込み速度は同一となるの
で、イメージメモリ100から読出したデータを
そのままCRTに表示することができる。
の書込み速度はイメージメモリ1の読出し速度と
は異るのでCRTへの表示はイメージメモリ3を
介して行う必要があるが、第4図及び第5図の場
合イメージメモリ100の読出し速度とイメージ
メモリ3,200への書込み速度は同一となるの
で、イメージメモリ100から読出したデータを
そのままCRTに表示することができる。
以上のようにこの発明によればCRT上の表示
の倍率の変換のための所要時間を短縮することが
でき、オペレータの待時間が短かくなるため作業
効率を向上することができる。
の倍率の変換のための所要時間を短縮することが
でき、オペレータの待時間が短かくなるため作業
効率を向上することができる。
第1図は従来の方法を示すブロツク図、第2
図、第3図はこの発明のイメージメモリの構成方
法を示す図、第4図はこの発明の一実施例を示す
ブロツク図、第5図は拡大表示の場合のイメージ
メモリの再配列を示す説明図である。 1…第1のイメージメモリ、100…第2のイ
メージメモリ、3,200…表示用イメージメモ
リ、5…書込みアドレスカウンタ、7…制御回
路、8…アドレス変換回路。なお、各図中同一符
号は同一又は相当部分を示すものとする。
図、第3図はこの発明のイメージメモリの構成方
法を示す図、第4図はこの発明の一実施例を示す
ブロツク図、第5図は拡大表示の場合のイメージ
メモリの再配列を示す説明図である。 1…第1のイメージメモリ、100…第2のイ
メージメモリ、3,200…表示用イメージメモ
リ、5…書込みアドレスカウンタ、7…制御回
路、8…アドレス変換回路。なお、各図中同一符
号は同一又は相当部分を示すものとする。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ブラウン管表示装置に表示する画像の表示倍
率を変換する表示倍率変換方法において、 上記ブラウン管表示装置に最大倍率で表示され
る画像の各画素に対応する情報が当該画素のブラ
ウン管表示面上の表示位置に対応するアドレス位
置にそれぞれ格納される第1のイメージメモリ内
の記憶素子の配列をX方向にMn個、Y方向にNn
個とするとき(但しM,N,nはそれぞれ整数)、
X方向にn個、Y方向にn個の記憶素子の配列を
1ブロツクとし、上記第1のイメージメモリをX
方向にMブロツク、Y方向にNブロツクの配列と
見做し、各ブロツク内の記憶素子にブロツク内ア
ドレスを定め、ブロツクの配列に対してブロツク
アドレスを定め、上記ブロツクアドレスごとにブ
ロツク内アドレスが同一である1個の記憶素子の
記憶内容を集めこれをブロツクアドレス順に配列
することによつてX方向にM個、Y方向にN個の
記憶素子が配列された記憶素子のグループが上記
ブロツク内アドレス順にn×nグループ配列され
る第2のイメージメモリを作成する段階、 上記第2のイメージメモリの1グループの記憶
内容を読出して上記ブラウン管表示装置に表示
し、又は上記第2のイメージメモリの互に連続す
る複数グループをX方向にk(但しkはM又はN
より小さな複数)グループ、Y方向にkグループ
交互に読出して上記ブラウン管表示装置に表示す
る段階を備えたことを特徴とする表示倍率変換方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14900184A JPS6126086A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 表示倍率変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14900184A JPS6126086A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 表示倍率変換方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6126086A JPS6126086A (ja) | 1986-02-05 |
JPH0222395B2 true JPH0222395B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=15465487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14900184A Granted JPS6126086A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 表示倍率変換方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6126086A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5666892A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-05 | Nippon Electric Co | Image display unit |
JPS5776591A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Nippon Electric Co | Display control system |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14900184A patent/JPS6126086A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5666892A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-05 | Nippon Electric Co | Image display unit |
JPS5776591A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Nippon Electric Co | Display control system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6126086A (ja) | 1986-02-05 |
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