JPH02214203A - マイクロ波集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マイクロストリップ線路などの伝送線路に
接続されるマイクロ波集積回路に関するものである。

〔従来の技術〕

第４図は従来のマイクロ波集積回路の接続部を示す斜視
図である。図において、１は伝送線路としてのマイクロ
ストリップ線路、２はこのマイクロストリップ線路１に
接続されるマイクロ波集積回路である。また、１１はマ
イクロストリップ線路１の誘電体基板、１２はこの誘電
体基板１１の表面に形成されたマイクロストリップ線路
１のラインパターン、１３は誘電体基板１１の裏面に配
置されて接地された、マイクロストリップ線路１のアー
ス導体としてのキャリアである。

さらに、２１は良導体にて形成され、マイクロストリッ
プ線路１のキャリア１３に接触して接地されるマイクロ
波集積回路２のケース、２２はこのケース２１より導出
されてマイクロストリップ線路１のラインパターン１２
に接続されるマイクロ波集積回路２のリード端子、２３
はケース２１の側壁より導出されるリード端子２２を電
気的に絶縁して支持している誕電体である。

次に動作について説明する。マイクロストリップ線路１
においては、キャリア１３は接地されており、誘電体基
板１１の上面に配置されたラインパターン１２には、こ
のキャリア１３との間に電界を形成して電波が伝搬され
てゆく。ここで、このラインパターン１２とキャリア１
３との間に形成される電界は、第５図（ａ）に示すよう
にラインパターン１２から下方に向かうほぼ平行な電界
の分布となる。

このような電界の分布によってマイクロストリップ線路
１を伝搬された電波は、リード端子２２よりマイクロ波
集積回路２内に導かれる。ここで、ケース２１はマイク
ロストリップ線路１のキャリア１３に接触することによ
って接地されており、リード端子２２および誘電体２３
とともに、ケース２１を外導体、リード端子２２を内導
体とする同軸線路を形成している。従って、このリード
端子２２に達した電波はこの部分において、その伝送モ
ードがマイクロストリップモードから同軸モードに急激
に変換され、第５図（ｂ）に示すような放射状に分布す
る電界によって伝搬されてゆく。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のマイクロ波集積回路の接続部は以上のように構成
されているので、マイクロ波集積回路２の接続部分にお
いて電波の伝送モードがマイクロストリップモードから
同軸モードに急激に変換されることになり、その部分に
おいて反射が発生して電波が確実に伝搬できなくなると
いう問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、マイクロストリップ線路とマイクロ波集積回
路との間の電波の伝搬を反射のないスムーズなものとす
るマイクロ波集積回路を得ることを目的とする。

（課題を解決するための手段〕 この発明に係るマイクロ波集積回路は、接続部を傾斜面
が設けられた良導体で形成し、その傾斜面に徐々に露出
する貫通孔があけられた変換器を用いて、マイクロ波集
積回路のケースと伝送線路のアース導体との間を接続し
、マイクロ波集積回路をケースより導出されるリード端
子を、この変換器の貫通孔の中心部を通して伝送線路の
ラインパターンに接続するものである。

〔作用〕

この発明における変換器は、マイクロストリップ線路な
どの伝送線路とマイクロ波集積回路との間で伝搬される
電波の伝送モードを連続的にスムーズに変換して、両者
の接続部分における急激な伝送モードの変換による反射
の発生を少なくする。

（実施例〕 以下、この発明の実施例を図について説明する。第１図
において、１はマイクロストリップ線路、２はマイクロ
波集積回路、１１は誘電体基板、１２はラインパターン
、１３はキャリア、２１はケース、２２はリード端子、
２３は誘電体であり、第４図に同一符号を付した従来の
それらと同一　あるいは相当部分であるため詳細な説明
は省略する。

また、３は、伝送線路としてのマイクロストリップ線路
１のアース導体であるキャリア１３とマイクロ波集積回
路２のケース２１との間を接続する、金属片等のブロッ
ク状の良導体よりなる変換器である。また、３１はこの
変換器３に設けられた傾斜面でり、３２はこの傾斜面３
１に徐々に露出するようにあけられた貫通孔である。さ
らに、３３は変換器３をマイクロストリップ線路１のキ
ャリア１３に接続固定するための止めネジであり、３４
はマイクロ波集積回路２のケース２１に接触する接触面
である。

ここで、マイクロ波集積回路２のケース２１より導出さ
れたリード端子２２は、変換器３の貫通孔３２の中心部
を通ってマイクロストリップ線路１のラインパターン１
２に接続される。

次に動作について説明する。マイクロストリップ線路１
を伝送される電波は従来の場合と同様に、誘電体基板１
１の両面に配されたラインパターン１２とキャリア１３
との間を、第２図（ａ）に示すような下方へ向かうほぼ
平行に分布する電界を形成してマイクロストリップモー
ドによって伝搬される。また、リード端子２２よりマイ
クロ波集積回路２内に導かれた電波も従来の場合と同様
に、同軸線路を形成しているリード端子２２とケース２
１の間を、第５図（ｂ）に示すような放射状に分布する
電界を形成して同軸モードによって伝搬される。

また、前記２つの゛状態の中間にある変換器３の部分で
は、マイクロストリップ線路１のアース導体としてのキ
ャリア１３に、変換器３が止めネジ３３によって接続固
定されているため変換器３は接地されている。そのため
、伝送される電波が形成する電界の分布は第２図（ｂ）
および（Ｃ）に示すように、傾斜面３１によって露出し
た貫通孔３２の壁面の部分に集中したものとなる。第２
図（ｂ）は変換器３のマイクロストリップ線路１に近い
部分の電界の分布、第２図（Ｃ）はマイクロ波集積回路
２に近い部分の電界の分布をそれぞれ示している。

ここで、貫通孔３２は傾斜面３１によってその露出状態
が連続的に変化してゆくものであるため、この変換器３
の部分においては、電界の分布状態が第２図（ａ）に示
す下方へ向かうほぼ平行なものから、第２図（ｄ）に示
す放射状のものへ徐々に変化してゆく。従って、マイク
ロストリップ線路１からの電波は、マイクロストリップ
モードから徐々に伝送モードの変換が行われ、同軸モー
ドとなってマイクロ波集積回路２へ伝達される。この時
、変換器３の傾斜面３１は、変換器３の貫通孔３２の中
心部をマイクロ波集積回路２のリード端子２２が通り、
誘電率”１”の空気を誘電体とした伝送線路の特性イン
ピーダンスが、どの部分においても例えば５０Ωに整合
されるようにその形状が決定される。

以上のように、変換器３のどの部分においても、伝送線
路としての特性インピーダンスが５０Ωに整合され、電
界の分布が徐々に変化してゆくため、電界の不連続部が
生ずることはなく、電波は反射を起こすことなくマイク
ロストリップ線路１とマイクロ波集積回路２との間をス
ムーズに伝搬される。

また、止めネジ３３による固定用の穴をバカ穴にしてお
けば、変換器３の接触面３４をマイクロ波集積回路２の
ケース２１にしっかりと密着させることが容易となるた
め、製造時の工作精度をさほど高いものにしなくとも、
アースがこの部分で途切れるようなことはない。

なお、上記実施例では、貫通孔として円形のものを示し
、その貫通孔内に空気を入れたものを示したが、貫通孔
の形状は矩形等の他の形状であってもよく、さらに、こ
の貫通孔内に空気以外の誘電体を充填したものであって
もよい。

また、上記実施例では、マイクロ波集積回路を伝送線路
としてのマイクロストリップ線路に接続する場合につい
て説明したが、伝送線路がコプレーナ線路の場合であっ
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する・。その場
合、変換器３は、第３図に示すようにマイクロストリッ
プ線路の場合とは上下逆さまに使い、伝送線路としての
コプレーナ線路４の、誘電体基板４１の上面のラインパ
ターン４２の両側に配されたアース導体４３に、変換器
３の貫通孔３２の側部に形成された脚部３５が密着する
ように取り付ける。

（発明の効果） 以上のように、この発明によれば、傾斜面に徐々に露出
する貫通孔があけられた変換器を用いて、マイクロ波集
積回路のケースと伝送線路のアース導体との間を接続す
るように構成したので、マイクロストリップ線路などの
伝送線路とマイクロ波集積回路との間で伝搬される電波
の伝送モードの変換が、不連続部のないスムーズなもの
となるため、接続部分における反射の少ないマイクロ波
集積回路が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波集積回路
の接続部を示す斜視図、第２図はその各部における電界
の分布を示す説明図、第３図はこの発明の他の実施例を
示す断面図、第４図は従来のマイクロ波集積回路の接続
部を示す斜視図、第５図はその各部の電界の分布を示す
説明図である。 １は伝送線路（マイクロストリップ線路）、２はマイク
ロ波集積回路、３は変換器、４は伝送線路（コプレーナ
線路）、１２はラインパターン、１３はアース導体（キ
ャリア）、２１はケース、２２はリード端子、２３は誘
電体、３１は傾斜面、３２は貫通孔、４２はラインパタ
ーン、４３はアース導体。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 （外２名） イとや１理イト（マイフロ又トリ、ブブＳζｍ）ケース １３ニア−又導セｌ、、（Ａτり了） ３２：す通孔 ｌｂ） 第２図 （Ｃ） ＋ｄ） ４：イ云’Ｌ８魅ンシ（］ブレープＣ艷シ艶）４２：フ
イシノｖ９−ン ４３ニア−又導体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. マイクロストリップ線路などの伝送線路に接続されるマ
   イクロ波集積回路において、良導体よりなる前記マイク
   ロ波集積回路のケースと前記伝送線路のアース導体との
   間を、傾斜面を有する良導体よりなり、前記傾斜面に徐
   々に露出する貫通孔があけられた変換器にて接続し、前
   記マイクロ波集積回路のケースより誘電体によって絶縁
   支持されて導出されるリード端子を、前記変換器の貫通
   孔の中心部を通して前記伝送線路のラインパターンに接
   続することを特徴とするマイクロ波集積回路。