JPH02209759A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は恨ペーストの種類によらず良好なグイ付は性が
得られるリードフレームに関する。

（従来の技術） 樹脂モールドタイプの半導体装置におけるリードフレー
ムのダイパッド上にチップを接合するには、通常、金−
シリコン共晶合金を用いて接合するか、はんだを用いて
接合するか、あるいは銀ペーストとよばれるペーストを
用いて接合する方法が採られる。

上記銀ペーストは、通常エポキシ樹脂あるいはポリイミ
ド樹脂と、銀粉末および硬化剤とを溶剤で練ってペース
ト状にしであるが、粘度の高いもの、低いもの、用いる
銀粉末の形状の相違など、各アッセンブリメーカーによ
って種々多様なものが使用される。

また、チップとリードフレームのダイパッドとの熱膨張
率が相違するために、両者の間に介在する銀ペーストは
両者の熱膨張率の相違による応力歪を吸収する作用が要
求され、この観点からもチップの大きさ、発熱量等を考
慮して多種多様の銀ペーストが使用されている。

（発明が解決しようとする課題） ところで、リードフレームの内部リード部先端にはワイ
ヤボンディング性を向上させるために部分銀めつき皮膜
が形成される。この部分銀めっき皮膜は本来内部リード
先端のワイヤボンディングエリアのみ施されればよいも
のであるが、リング状のエリアに部分めっきを施すのは
厄介であるため、通常グイパッドを含めたエリアに部分
めっきが施される。

前記したようにグイバンドにチップを接合するには種々
多様な銀ペーストが用いられるのであるが、この銀ペー
ストのグイパッド上への濡れ性、あるいはチップのグイ
パッド上への接合強度は、グイパッド上の銀めつき皮膜
の性状に大きく依存する。

すなわち、グイパッド上の部分銀めっき皮膜は無光沢め
っきや光沢めっきが要求されるが、銀ペーストと銀めっ
き皮膜の性状がマツチングしないと銀ペーストの濡れ性
が悪く、したがってチップの充分な接合強度が得られな
いという問題点がある。銀ペーストは熱硬化性のものが
使用され、分散性などの点において安定性が悪く、特に
、銀めっき皮膜とのマツチングが悪いとエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、銀粉末等の成分が銀めつき皮膜上で分
離し易く、特に硬化剤が外方に抜は出してしまうため接
合強度が劣るという、銀ペースト特有の問題点がある。

また逆に銀めつき皮膜の性状によっては銀ペーストが流
れすぎて、グイパッド裏面側に回り込んでしまいやはり
接合強度が劣るという問題点がある。

リードフレームは、一般にリードフレームメーカーがア
ッセンブリメーカーの注文を受けて所定のリードフレー
ムに製造し、これをアッセンブリメーカーに納入するも
のであるが、各アッセンブリメーカーの仕様に合わせて
、多種多様の銀ペーストにマツチングする銀めっき皮膜
を形成したリードフレームを納入しても、時として銀ペ
ーストとのミスマツチが発生し、これをなくすことは極
めて困難であった。

本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、その目的とするところは、多種多様の銀ペーストに対
処でき、良好なグイ付は性が得られるリードフレームを
提供することを目的としている。

（課題を解決するための手段） 上記目的による本発明では、樹脂モールド型半導体装置
に用いるリードフレームであって、グイパッド上に銀め
っき皮膜が形成され、この銀めつき皮膜上に銀ペースト
によりチップが接合されるリードフレームにおいて、前
記銀めつき皮膜は、グイパッド上に粗面と微細面とを有
するように形成されていることを特徴としている。

（作用） 本発明によれば、ダイパッド面上に粗面と微細面とを有
する部分銀めつき皮膜を形成するようにしたので、多種
多様の銀ペーストを用いる際、銀ペーストがいずれかの
銀めっき皮膜の部位になじみがよ（なり、これが引き金
となって全体的に略均−に広がってグイパッド上を濡ら
し、良好なグイ付は性が得られる。

（実施例） 以下では本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。

本実施例では、グイパッド１０上に、部分銀めっきの結
晶粒が微細結晶のエリアと粗大結晶のエリアとができる
ように部分銀めっきを施す。

第１図の実施例では、マスク板で覆うことによって、ダ
イパッド１０の左半分には結晶粒の粗大な部分めっき皮
膜Ａを、右半分には結晶粒の微細な部分めっき皮膜Ｂを
形成している。なお、まずダイパッド１０の全面に粗大
または微細な銀めっき皮Ｈ々を形成し、次いで右半分、
あるいは左半分に逆に微細または粗大の部分銀めっき皮
膜を形成して、ダイパッド１０の左右に結晶粒の大きさ
の異なる部分銀めっき皮膜を形成するようにしてもよい
。

微細な結晶粒あるいは粗大な結晶粒のめっき皮膜を形成
するには、各々の場合でめっき条件を変えるようにすれ
ばよい。例えば浴組成の異なる浴を使用するとか、電流
密度を変えるようにする。

第２図は他の実施例を示す。

本実施例では、グイパッド１０上全面に結晶粒が微細な
部分銀めっき皮膜Ｂを形成して後、この部分めっき皮膜
Ｂ上に複数条の結晶粒が粗大な部分銀めっき皮ＭＡを形
成している。あるいは粗大な部分銀めっき皮膜Ａをグイ
パッド１０全面に形成して後、微細な部分銀めっき皮膜
Ｂを複数条形成するようにしてもよい。

第３図はさらに他の実施例を示し、グイパッド１０上全
面に結晶粒が微細な部分銀めっき皮膜Ｂを形成し、その
上に、リング状に粗大粒子の部分銀めっき皮膜Ａを形成
している。

第４図に示す実施例では、結晶粒が微細な部分銀めっき
皮膜Ｂをダイパッド１０全面に形成してのち、その上に
結晶粒が粗大な部分銀めっき皮膜Ａを散点状に形成して
いる。

以上の各実施例では、結晶粒が粗大と微細の２種類のめ
っきを施して粗面と微細面とを形成するようにしたが、
第５図に示すように、グイパッド１０上に同心状に、内
側程微細となる複数段階のめっき皮膜を形成するように
すると好適である。

また、ハルセル試験器と同様に、リードフレームをめっ
き電極に対して傾斜して配置するようにして、ダイパッ
ドｌＯ上に一端側から他端側に向けて結晶粒の大きさが
連続的に変化するように設定してもよい。

また、グイパッド１０上を化学研摩などによる表面処理
やサンドブラスト処理などの機械的な加工などによって
一部粗面になるように荒らしてのち、ダイパッド１０全
面に部分銀めっき皮膜を形成するようにしてもよい。こ
の場合には同一のめっき皮膜により、ダイパッドｌＯ上
に粗面と平滑な微細面とを形成することができる。

以上のように形成されているので、銀ペーストを用いて
チップをグイパッド１０上に接合する際、粗面とされた
銀めつき皮膜Ａになじむ銀ペーストのときは、粗面に銀
ペーストがなじみ、またこれにつられて微細面上にも銀
ペーストが流れ込み、全体として、銀ペーストがその成
分に分離することなくグイバッド１０上に分散し、良好
なダイ付は性が得られる。すなわち、従来、銀ペースト
と銀めっき皮膜とがマツチングしない場合に、全面的に
マツチングしないために、銀ペーストが成分的に分離し
てしまい、濡れ不良が生じるか、あるいは流れすぎてグ
イバッド１０裏面側を汚損してしまったものが、本発明
では、銀ペーストがグイバッド１０上面のいずれかの銀
めっき皮膜になじみ、これが引き金となって、略均−に
グイパッド１０面に銀ペーストが広がるのである。

特に第５図の実施例では外側にいく程結晶粒が粗大な粗
面となって一般的に銀ペーストの濡れが悪くなるから、
グイパッド１０面側にまで銀ペーストが流れ込まず、好
適である。

以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。

（発明の効果） 以上のように本発明によれば、グイパッド面上に粗面お
よび微細面を有する部分銀めっきを形成するようにした
ので、多種多様の銀ペーストを用いる際、銀ペーストが
いずれかの銀めっきの部分になじみがよくなり、これが
引き金となって全体的に略均−に広がってダイパッド上
を濡らし、良好なグイ付は性が得られるという著効を奏
する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）はダイパッドの左半分を粗面に右
半分が微細面となるように銀めっき皮膜を形成した説明
図、第２図（ａ）、（ｂ）はグイパッド上全面に微細面
となるように銀めっき皮膜を形成し、その上に粗面とな
る銀めつき皮膜を複数条形成した場合の説明図、第３・
図は粗面をリング状に形成した説明図、第４図は粗面を
散点状に形成した説明図、第５図は周辺にいく程粗面に
形成した説明図である。 １０・・・ダイパッド、　Ａ・・・粗な部分めっき皮膜
、　Ｂ・・・微細な部分めっき皮膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂モールド型半導体装置に用いるリードフレーム
   であって、ダイパッド上に銀めっき皮膜が形成され、こ
   の銀めっき皮膜上に銀ペーストによりチップが接合され
   るリードフレームにおいて、 前記銀めっき皮膜は、ダイパッド上に粗面 と微細面とを有するように形成されていることを特徴と
   するリードフレーム。