JPH02209479A - レーザースパッタリング装置 - Google Patents
レーザースパッタリング装置Info
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- JPH02209479A JPH02209479A JP1031791A JP3179189A JPH02209479A JP H02209479 A JPH02209479 A JP H02209479A JP 1031791 A JP1031791 A JP 1031791A JP 3179189 A JP3179189 A JP 3179189A JP H02209479 A JPH02209479 A JP H02209479A
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- Japan
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- oxygen
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Links
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- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 18
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜デバイス等の薄膜形成を行うレーザースパ
ッタリング装置に関する。
ッタリング装置に関する。
従来の技術
従来のこの種のレーザースパッタリング装置は、コムラ
他、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス ２７巻 １９８８゜２３頁（Ｓｏ Ｋｏｍ
ｕｒａ ｅＴ ａｌ；Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ｖｏ
ｌ 、 ２７ （１９８８）ｐ、Ｌ２３）に示され
ているように、第２図のような構造になっていた。
他、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フ
ィジックス ２７巻 １９８８゜２３頁（Ｓｏ Ｋｏｍ
ｕｒａ ｅＴ ａｌ；Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ｖｏ
ｌ 、 ２７ （１９８８）ｐ、Ｌ２３）に示され
ているように、第２図のような構造になっていた。
すなわち、真空槽１内において、ターゲット２とターゲ
ット２に対向して基板台３が取り付けてあり、基板台３
の上には基板４が付けである。可視光のＱ−８Ｗ、ＹＡ
Ｇレーザ−５の第２高調波（波長５３２’ｍｍ）レーザ
ー光６を光学系７で集光し、真空槽１に取り付けられた
真空封じ窓８を通して、ターゲット２に照射し、基板４
上にターゲット２の材料の薄膜を堆積させる。
ット２に対向して基板台３が取り付けてあり、基板台３
の上には基板４が付けである。可視光のＱ−８Ｗ、ＹＡ
Ｇレーザ−５の第２高調波（波長５３２’ｍｍ）レーザ
ー光６を光学系７で集光し、真空槽１に取り付けられた
真空封じ窓８を通して、ターゲット２に照射し、基板４
上にターゲット２の材料の薄膜を堆積させる。
発明が解決しようとする課題
しかし、このような構成のものでは、ターゲット２に例
えばＳｒＴ、０３のような酸化物を用いた場合、レーザ
ー光６の照射により、ＳｒＴ、０３がスパッタリングさ
れる時に、酸素が分離し飛散するために、基板４上に形
成された薄膜が酸素不足になるという問題があった。
えばＳｒＴ、０３のような酸化物を用いた場合、レーザ
ー光６の照射により、ＳｒＴ、０３がスパッタリングさ
れる時に、酸素が分離し飛散するために、基板４上に形
成された薄膜が酸素不足になるという問題があった。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決する本発明の技術的な手段は、真空槽
にガス導入口と、ターゲットホルダーに高周波電力を印
加する手段を設けたことを特徴とする。
にガス導入口と、ターゲットホルダーに高周波電力を印
加する手段を設けたことを特徴とする。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、酸素ガスを真空槽に導入し、ターゲットホル
ダーに高周波電力を印加すると、ターゲットと基板間に
酸素プラズマが生成される。この酸素がターゲットと薄
膜の両方に組み込まれ、化学量論比的組成に近い薄膜が
形成される。
ダーに高周波電力を印加すると、ターゲットと基板間に
酸素プラズマが生成される。この酸素がターゲットと薄
膜の両方に組み込まれ、化学量論比的組成に近い薄膜が
形成される。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第１図において、１１は真空槽で真空槽１１にはガス導
入口１２があり、この真空槽１１の内部にターゲットホ
ルダー１３が取り付けてあり、ターゲットホルダー１３
にはターゲット１４がイ」けである。ターゲット１４に
対向して真空槽１１内に配設された基板台１５上に基板
１６が取り付けである。１７は、例えばに、Ｆエキシマ
−レーザー（波長２４９）等のレーザーで、そのレーザ
ー光１８を光学系１９で集光し、真空槽１１に取り付け
られた真空封じ窓２０を通して、ターゲット１４に照射
し、基板１６上に膜生成させるように構成されている。
入口１２があり、この真空槽１１の内部にターゲットホ
ルダー１３が取り付けてあり、ターゲットホルダー１３
にはターゲット１４がイ」けである。ターゲット１４に
対向して真空槽１１内に配設された基板台１５上に基板
１６が取り付けである。１７は、例えばに、Ｆエキシマ
−レーザー（波長２４９）等のレーザーで、そのレーザ
ー光１８を光学系１９で集光し、真空槽１１に取り付け
られた真空封じ窓２０を通して、ターゲット１４に照射
し、基板１６上に膜生成させるように構成されている。
また、ターゲットホルダー１３には高周波電源２１によ
り高周波電力が印加できる。
り高周波電力が印加できる。
なお、２２は真空排気系である。
次に、この一実施例の構成における作用を説明する。ま
ず、ガス導入口１２から、例えば酸素ガスとアルゴンガ
スを１対４の割合で導入し、真空槽１１内のガス圧力を
１０〜１０ Ｔ。、、に保ち、１３．５６Ｈｚの高周
波を例えば１００Ｗターゲツトホルダー１３に印加する
と、ターゲット１４と基板１６の間にプラズマ２３が生
成される。このプラズマ２３の中の酸素イオンとラジカ
ルが、ターゲット１４をスパッタリングすることにより
ターゲット１４に酸素が供給され、レーザー照射により
抜けた酸素をターゲット１４に補う。それと同時に基板
１６上に形成された薄膜にも酸素が供給される。
ず、ガス導入口１２から、例えば酸素ガスとアルゴンガ
スを１対４の割合で導入し、真空槽１１内のガス圧力を
１０〜１０ Ｔ。、、に保ち、１３．５６Ｈｚの高周
波を例えば１００Ｗターゲツトホルダー１３に印加する
と、ターゲット１４と基板１６の間にプラズマ２３が生
成される。このプラズマ２３の中の酸素イオンとラジカ
ルが、ターゲット１４をスパッタリングすることにより
ターゲット１４に酸素が供給され、レーザー照射により
抜けた酸素をターゲット１４に補う。それと同時に基板
１６上に形成された薄膜にも酸素が供給される。
以上の実施例では、レーザー１７をＫＦエキシマ−レー
ザーにしたが、他のレーザーでも同様の効果が得られる
。また、高周波電源２１を１３゜５６ＭＨｚにしたが、
交流、他の領域の高周波、またマイクロ波領域でも同様
の効果が得られる。
ザーにしたが、他のレーザーでも同様の効果が得られる
。また、高周波電源２１を１３゜５６ＭＨｚにしたが、
交流、他の領域の高周波、またマイクロ波領域でも同様
の効果が得られる。
発明の効果
本発明は、レーザースパッタリングによって酸化物を形
成する時に、高周波による酸素プラズマを併用すること
により、ターゲットと形成膜の両方に酸素を補うことに
なり、化学量論比的組成の薄膜を形成することができる
。
成する時に、高周波による酸素プラズマを併用すること
により、ターゲットと形成膜の両方に酸素を補うことに
なり、化学量論比的組成の薄膜を形成することができる
。
第１図は本発明の一実施例のレーザースパッタリング装
置の構成図、第２図は従来のレーザースパッタリング装
置の構成図である。 １１・・・・・・真空槽、１２・・・・・・ガス導入口
、１３・・・・・・ターゲットホルダー １４・・・・
・・ターゲット、１５・・・・・・基板台、１６・・・
・・・基板、１７・・・・・・レーザー １８・・・・
・・レーザー光、２０・・・・・・真空封じ窓、２１・
・・・・・高周波電源、２３・・・・・・プラズマ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１３−汚−
ケ；、ト了、ルダ′。 １４−−一外ゲット １７−ｊ−リ。 １８−−−Ｌ−ザー丸 ｆｑ−・尤雪系 第 図 符開平
置の構成図、第２図は従来のレーザースパッタリング装
置の構成図である。 １１・・・・・・真空槽、１２・・・・・・ガス導入口
、１３・・・・・・ターゲットホルダー １４・・・・
・・ターゲット、１５・・・・・・基板台、１６・・・
・・・基板、１７・・・・・・レーザー １８・・・・
・・レーザー光、２０・・・・・・真空封じ窓、２１・
・・・・・高周波電源、２３・・・・・・プラズマ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１３−汚−
ケ；、ト了、ルダ′。 １４−−一外ゲット １７−ｊ−リ。 １８−−−Ｌ−ザー丸 ｆｑ−・尤雪系 第 図 符開平
Claims (4)
- （１）真空槽と、真空槽に設けられたガス導入口と、真
空槽内に取り付けられたターゲットホルダーと、ターゲ
ットホルダーに設置されたターゲットと、前記ターゲッ
トと対向した基板台と、基板台に設けられた基板と、真
空槽に設けられた真空封じ窓を通してターゲットにレー
ザー光を照射するレーザーと、ターゲットホルダーに高
周波電力を印加する手段とを備えたことを特徴とするレ
ーザースパッタリング装置。 - （２）ガス導入口から酸素ガスを導入する特許請求の範
囲第１項記載のレーザースパッタリング装置。 - （３）ガス導入口から酸素とアルゴンの混合ガスを導入
する特許請求の範囲第１項記載のレーザースパッタリン
グ装置。 - （４）高周波電力の周波数が１３．５６ＭＨｚである特
許請求の範囲第１項記載のレーザースパッタリング装置
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031791A JPH02209479A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | レーザースパッタリング装置 |
| US07/376,087 US5017277A (en) | 1988-07-07 | 1989-07-06 | Laser sputtering apparatus |
| KR1019890009690A KR930004070B1 (ko) | 1988-07-07 | 1989-07-07 | 레이저 스퍼터링 장치와 이를 사용한 유전체 박막의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031791A JPH02209479A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | レーザースパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02209479A true JPH02209479A (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=12340893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1031791A Pending JPH02209479A (ja) | 1988-07-07 | 1989-02-10 | レーザースパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02209479A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053010A (ko) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막형성방법 및 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345369A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-26 | Seiko Epson Corp | 誘電体薄膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1031791A patent/JPH02209479A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345369A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-26 | Seiko Epson Corp | 誘電体薄膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053010A (ko) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막형성방법 및 장치 |
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