JPH0220829Y2 - - Google Patents
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- JPH0220829Y2 JPH0220829Y2 JP1987178805U JP17880587U JPH0220829Y2 JP H0220829 Y2 JPH0220829 Y2 JP H0220829Y2 JP 1987178805 U JP1987178805 U JP 1987178805U JP 17880587 U JP17880587 U JP 17880587U JP H0220829 Y2 JPH0220829 Y2 JP H0220829Y2
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- heat insulating
- insulating material
- glass fiber
- semiconductor
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Landscapes
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は半導体熱処理炉用断熱材に関するもの
である。
である。
［従来技術］
従来半導体熱処理炉用断熱材はアスベストもし
くはカオウール等のセラミツクウールが用いられ
ているが、使用中に粉塵として飛散して労働環境
を悪化させ、またこれら繊維に含有される金属あ
るいは金属の化合物などが熱飛散により、半導体
ウエハーを汚染してその機能を損う恐れがあり好
ましくなかつた。この汚染防止から石英ガラスウ
ールを用いる例もあるが、アスベスト、カオウー
ル等と同様、ウールの飛散がとくに清掃のため石
英管を抜き出した時や挿入時に激しく、該断熱材
の改善が要望されていた。
くはカオウール等のセラミツクウールが用いられ
ているが、使用中に粉塵として飛散して労働環境
を悪化させ、またこれら繊維に含有される金属あ
るいは金属の化合物などが熱飛散により、半導体
ウエハーを汚染してその機能を損う恐れがあり好
ましくなかつた。この汚染防止から石英ガラスウ
ールを用いる例もあるが、アスベスト、カオウー
ル等と同様、ウールの飛散がとくに清掃のため石
英管を抜き出した時や挿入時に激しく、該断熱材
の改善が要望されていた。
この改善策として、一般的なセラミツクフアイ
バーであるアルミナ・シリカ系フアイバー（フア
インフレツクス、フアイバーフラツクスなど）を
ボード状に成形したものを一般的なガラス長繊維
であるＥガラスを塩酸処理して高珪酸化（SiO2
分95〜99重量％）して耐熱性を高めた珪酸質繊維
からなるスリーブ内に挿入あるいは該珪酸質繊維
からなる布で包んでドーナツ状に縫製したものを
用いる例もある。この場合、外装材としての高珪
酸質繊維は酸処理したものであるため強度が低く
耐久性が小さいことと、高珪酸質とはいえ、
SiO2以外の金属イオンが％オーダーで含有し、
これら金属が熱飛散してウエハーを汚染する恐れ
がかなり大きい。さらにコア部分のボードからも
金属が熱飛散しウエハーを汚染する可能性が大で
ある。
バーであるアルミナ・シリカ系フアイバー（フア
インフレツクス、フアイバーフラツクスなど）を
ボード状に成形したものを一般的なガラス長繊維
であるＥガラスを塩酸処理して高珪酸化（SiO2
分95〜99重量％）して耐熱性を高めた珪酸質繊維
からなるスリーブ内に挿入あるいは該珪酸質繊維
からなる布で包んでドーナツ状に縫製したものを
用いる例もある。この場合、外装材としての高珪
酸質繊維は酸処理したものであるため強度が低く
耐久性が小さいことと、高珪酸質とはいえ、
SiO2以外の金属イオンが％オーダーで含有し、
これら金属が熱飛散してウエハーを汚染する恐れ
がかなり大きい。さらにコア部分のボードからも
金属が熱飛散しウエハーを汚染する可能性が大で
ある。
［考案の解決しようとする問題点］
本考案の目的は、従来技術が有していた前述の
欠点を解消しようとするものである。すなわち、
使用中に粉塵の発生を押え、金属の熱飛散による
ウエハーの汚染がなく、しかも耐久性の高い断熱
材を新規に提供することを目的とするものであ
る。
欠点を解消しようとするものである。すなわち、
使用中に粉塵の発生を押え、金属の熱飛散による
ウエハーの汚染がなく、しかも耐久性の高い断熱
材を新規に提供することを目的とするものであ
る。
［問題点を解決するための手段］
本考案は前述の問題点を解決すべくなされたも
のであり、半導体ウエハーの拡散炉およびCVD
処理炉において用いられる断熱材であつて、該断
熱材の少くとも一部がSiO2を99.9重量％以上含有
する高純度石英ガラスフアイバーからなることを
特徴とする半導体熱処理炉用断熱材（以下本考案
の断熱材ということである）を提供するものであ
る。
のであり、半導体ウエハーの拡散炉およびCVD
処理炉において用いられる断熱材であつて、該断
熱材の少くとも一部がSiO2を99.9重量％以上含有
する高純度石英ガラスフアイバーからなることを
特徴とする半導体熱処理炉用断熱材（以下本考案
の断熱材ということである）を提供するものであ
る。
特に本考案は、上記拡散炉および上記CVD処
理炉において用いられる断熱材であつて、プロセ
スチユーブである石英管もしくは炭化珪素管とそ
の外周部にある炉心管との空隙、または該石英管
もしくは該炭化珪素管とセラミツク質の支持台と
の空隙を埋める断熱材として適するものである。
理炉において用いられる断熱材であつて、プロセ
スチユーブである石英管もしくは炭化珪素管とそ
の外周部にある炉心管との空隙、または該石英管
もしくは該炭化珪素管とセラミツク質の支持台と
の空隙を埋める断熱材として適するものである。
本考案の実施例として、本考案の断熱材が芯材
と該芯材を被覆する被覆材とからなり、該芯材と
該被覆材のうち少くとも該被覆材がSiO2を99.9重
量％以上含有する高純度石英ガラスフアイバーか
らなる断熱材を挙げることができる。高純度石英
ガラスフアイバーからなる前記被覆材としてはス
リーブもしくはクロスを用いることができる。
と該芯材を被覆する被覆材とからなり、該芯材と
該被覆材のうち少くとも該被覆材がSiO2を99.9重
量％以上含有する高純度石英ガラスフアイバーか
らなる断熱材を挙げることができる。高純度石英
ガラスフアイバーからなる前記被覆材としてはス
リーブもしくはクロスを用いることができる。
前記芯材としては前記した粉塵の発生や金属に
よるウエハーの汚染を最小化して支障を起こさな
い範囲において、前記SiO2純度をもつガラスフ
アイバー以外のガラスフアイバーやその他の材料
を用いることもできる。
よるウエハーの汚染を最小化して支障を起こさな
い範囲において、前記SiO2純度をもつガラスフ
アイバー以外のガラスフアイバーやその他の材料
を用いることもできる。
また本考案の断熱材の実施例として、芯材とし
てSiO2を99.9重量％以上含有する高純度石英ガラ
スフアイバーからなるマツトもしくは繊維束を用
い、外装材として該石英ガラスフアイバーをスリ
ーブもしくはクロスに成形したものを用い、上記
マツトを上記スリーブ内に挿入あるいは上記マツ
トを上記クロスで包み、環状または帯状またはキ
ヤツプ状またはおわん状に成形したものを挙げる
ことができる。なお、スリーブを成形後、上記マ
ツトあるいは上記繊維束を挿入するか、これらを
芯としてスリーブを編み上げていつてもよい。前
記キヤツプ状またはおわん状に成形してなる断熱
材は、その中央部に前記プロセスチユーブを貫通
させるための孔部を設けた形状とすることができ
るが、使用目的に応じて該孔部を貫通させない形
状とすることもできる。また前記キヤツプ状また
はおわん状に成形してなる断熱材は、前記プロセ
スチユーブとその外側にある炉心管との空〓、ま
たは前記プロセスチユーブとセラミツク質の支持
台との空〓を埋めることができる形状を有するこ
ともできる。
てSiO2を99.9重量％以上含有する高純度石英ガラ
スフアイバーからなるマツトもしくは繊維束を用
い、外装材として該石英ガラスフアイバーをスリ
ーブもしくはクロスに成形したものを用い、上記
マツトを上記スリーブ内に挿入あるいは上記マツ
トを上記クロスで包み、環状または帯状またはキ
ヤツプ状またはおわん状に成形したものを挙げる
ことができる。なお、スリーブを成形後、上記マ
ツトあるいは上記繊維束を挿入するか、これらを
芯としてスリーブを編み上げていつてもよい。前
記キヤツプ状またはおわん状に成形してなる断熱
材は、その中央部に前記プロセスチユーブを貫通
させるための孔部を設けた形状とすることができ
るが、使用目的に応じて該孔部を貫通させない形
状とすることもできる。また前記キヤツプ状また
はおわん状に成形してなる断熱材は、前記プロセ
スチユーブとその外側にある炉心管との空〓、ま
たは前記プロセスチユーブとセラミツク質の支持
台との空〓を埋めることができる形状を有するこ
ともできる。
本考案におけるSiO2を99.9重量％以上含有する
高純度石英ガラスフアイバーは、例えばシリコン
アルコキシドを加水分解・縮重合して得られたゾ
ル液を紡糸・焼成することによつて得られるが、
これに限定されるものではない。
高純度石英ガラスフアイバーは、例えばシリコン
アルコキシドを加水分解・縮重合して得られたゾ
ル液を紡糸・焼成することによつて得られるが、
これに限定されるものではない。
以下、本考案を実施例に従つて説明する。ただ
し本考案はこの実施例に限定されるものではな
い。第１図は、本発明による断熱材の形状の１例
であり、同心円の環状に成形したもので、中央の
空間領域に石英管が挿入され、密着される。第２
図は偏心した形状である。第３図は環状に成形せ
ず、帯状にしたもので、これを石英管の周りに巻
きつけてもよい。
し本考案はこの実施例に限定されるものではな
い。第１図は、本発明による断熱材の形状の１例
であり、同心円の環状に成形したもので、中央の
空間領域に石英管が挿入され、密着される。第２
図は偏心した形状である。第３図は環状に成形せ
ず、帯状にしたもので、これを石英管の周りに巻
きつけてもよい。
［実施例］
SiO2を99.9重量％以上含有する高純度石英ガラ
スフアイバーを用いて、直径32mmのスリーブを作
成した。このスリーブは約125ｇ／ｍの重量をも
ち、このスリーブ1m当りに約130ｇのマツトを挿
入し、第１図に示す如き同心円からなる環状にな
るよう縫合した。この環状の断熱材の内径は122
mmで、これを熱処理炉の石英管（内径125mm）の
両端にそれぞれ１個ずつ挿入して、石英管とその
外周の炉心管の隙間を完全に遮蔽し、しかも石英
管を固定した。
スフアイバーを用いて、直径32mmのスリーブを作
成した。このスリーブは約125ｇ／ｍの重量をも
ち、このスリーブ1m当りに約130ｇのマツトを挿
入し、第１図に示す如き同心円からなる環状にな
るよう縫合した。この環状の断熱材の内径は122
mmで、これを熱処理炉の石英管（内径125mm）の
両端にそれぞれ１個ずつ挿入して、石英管とその
外周の炉心管の隙間を完全に遮蔽し、しかも石英
管を固定した。
炉中心部を800℃に保持してウエハーをCVD処
理する炉において、上記断熱材は１ケ月に１回の
割合で石英管の出し入れを行つたにも拘らず、６
ケ月後もなんら損傷なく十分その機能を果たして
いる。
理する炉において、上記断熱材は１ケ月に１回の
割合で石英管の出し入れを行つたにも拘らず、６
ケ月後もなんら損傷なく十分その機能を果たして
いる。
一方、従来法の一つである石英ガラスウールを
そのまま用いた場合、稼働１ケ月後石英管を掃除
するための石英管を抜き出したところ、このウー
ルが粉末状になつて空中に舞い上り、作業環境を
著しく悪化させ、しかも再度石英管を挿入した
処、石英ガラスウールはボロボロになり使用する
ことはできなかつた。
そのまま用いた場合、稼働１ケ月後石英管を掃除
するための石英管を抜き出したところ、このウー
ルが粉末状になつて空中に舞い上り、作業環境を
著しく悪化させ、しかも再度石英管を挿入した
処、石英ガラスウールはボロボロになり使用する
ことはできなかつた。
［考案の効果］
本考案による半導体熱処理炉用断熱材は、十分
な断熱性能を有し、粉塵の発生が認められず、ま
た該断熱材の少くとも一部がSiO2を99.9重量％以
上含有する高純度石英ガラスフアイバーからなる
ため、断熱材からの有害金属の熱飛散によるウエ
ハーの汚染が認められず、しかも高耐久性を有し
ているものである。
な断熱性能を有し、粉塵の発生が認められず、ま
た該断熱材の少くとも一部がSiO2を99.9重量％以
上含有する高純度石英ガラスフアイバーからなる
ため、断熱材からの有害金属の熱飛散によるウエ
ハーの汚染が認められず、しかも高耐久性を有し
ているものである。
第１図〜第３図は本考案の実施例を示すもので
あり、各図においてａは正面図、ｂはAA断面図
である。 １……被覆材、２……芯材。
あり、各図においてａは正面図、ｂはAA断面図
である。 １……被覆材、２……芯材。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体ウエハーの拡散炉およびCVD処理炉
において用いられる断熱材であつて、該断熱材
の少くとも一部がSiO2を99.9重量％以上含有す
る高純度石英ガラスフアイバーからなることを
特徴とする半導体熱処理炉用断熱材。 (2) 前記断熱材が環状、帯状、キヤツプ状または
おわん状であることを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第１項記載の半導体熱処理炉用断熱
材。 (3) 前記断熱材が芯材と該芯材を被覆する被覆材
とからなり、該被覆材がSiO2を99.9重量％以上
含有する高純度石英ガラスフアイバーからなる
クロスもしくはスリーブであることを特徴とす
る実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体
熱処理炉用断熱材。 (4) 前記芯材が前記高純度石英ガラスフアイバー
からなるマツトであることを特徴とする実用新
案登録請求の範囲第３項記載の半導体熱処理炉
用断熱材。 (5) 前記芯材が前記高純度石英ガラスフアイバー
からなる繊維束であることを特徴とする実用新
案登録請求の範囲第３項記載の半導体熱処理炉
用断熱材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987178805U JPH0220829Y2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987178805U JPH0220829Y2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0183326U JPH0183326U (ja) | 1989-06-02 |
| JPH0220829Y2 true JPH0220829Y2 (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=31470404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987178805U Expired JPH0220829Y2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220829Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3587249B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2004-11-10 | 東芝セラミックス株式会社 | 流体加熱装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112926A (en) * | 1975-03-06 | 1976-10-05 | Johns Manville | Manufacture of silica fiber and leaching of glass fiber |
| JPS5210312A (en) * | 1975-07-10 | 1977-01-26 | Bayer Ag | Heattstable silica glass |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP1987178805U patent/JPH0220829Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112926A (en) * | 1975-03-06 | 1976-10-05 | Johns Manville | Manufacture of silica fiber and leaching of glass fiber |
| JPS5210312A (en) * | 1975-07-10 | 1977-01-26 | Bayer Ag | Heattstable silica glass |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0183326U (ja) | 1989-06-02 |
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