JPH02207417A - 透明導電膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法Info
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- JPH02207417A JPH02207417A JP1026302A JP2630289A JPH02207417A JP H02207417 A JPH02207417 A JP H02207417A JP 1026302 A JP1026302 A JP 1026302A JP 2630289 A JP2630289 A JP 2630289A JP H02207417 A JPH02207417 A JP H02207417A
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- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 22
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は光起電力装置等に用いて好適な透明導電膜の形
成方法及び光起電力装置の製造方法に関する。
成方法及び光起電力装置の製造方法に関する。
１口）従来の技術
光起電力装置等において、その出力特性を向上させるに
は、装置に入射される光を効率よく利用できるようにす
ることが効果的である。このために、特公昭６２−７７
１６号公報によれば、光入射側である透明基板上に形成
された透明導電膜の表面を粗面ヒし、透明導電膜を経た
光を散乱して光活性層に入射することにより、入射光の
利用効率を向上させることが行われている。
は、装置に入射される光を効率よく利用できるようにす
ることが効果的である。このために、特公昭６２−７７
１６号公報によれば、光入射側である透明基板上に形成
された透明導電膜の表面を粗面ヒし、透明導電膜を経た
光を散乱して光活性層に入射することにより、入射光の
利用効率を向上させることが行われている。
ここで、透明導電膜の表面を粗面とするための方法とし
ては、 ＋１）！明Ｓｔ膜の形成途中でその形成条件を代えるこ
とにより、形成される透明導電膜の粒径を適宜に変化さ
せる、 （２）透明基板上に透明導電膜を一様に形成した後、そ
の表面を途中までエツチング処理する、（３）基板の表
面にあらかじめ粗面状態のＳｉｎ。
ては、 ＋１）！明Ｓｔ膜の形成途中でその形成条件を代えるこ
とにより、形成される透明導電膜の粒径を適宜に変化さ
せる、 （２）透明基板上に透明導電膜を一様に形成した後、そ
の表面を途中までエツチング処理する、（３）基板の表
面にあらかじめ粗面状態のＳｉｎ。
膜を形成しておく、
（４）イオンビーム等により基板自体の表面を粗面化す
る、 等の方法が行われている。
る、 等の方法が行われている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述のような粗面化方法においては、十
分なｆｆ１面が得ら！尤なかった。
分なｆｆ１面が得ら！尤なかった。
そこで、本発明の目的は透明導電膜の表面に十分な粗面
が得られ、その結果、優れた出力特性を備えた光起電力
装置を提供することにある。
が得られ、その結果、優れた出力特性を備えた光起電力
装置を提供することにある。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の透明導電膜の形成方法は、透明基板Ｅに窒化ア
ルミ膜を形成し、この窒化アルミ膜上に透明導電膜を形
成することを特徴とする。
ルミ膜を形成し、この窒化アルミ膜上に透明導電膜を形
成することを特徴とする。
更に、本発明の光起電力装置の製造方法は、透明基板り
に窒化アルミ膜を形成し、この窒化アルミ膜−ヒに透明
導電膜、非単結晶半導体層及び背面゛電極を積層形成す
ることを特徴とする。
に窒化アルミ膜を形成し、この窒化アルミ膜−ヒに透明
導電膜、非単結晶半導体層及び背面゛電極を積層形成す
ることを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、透明基板上に形成される窒化アルミ膜
はその表面が十分粗面化されたものとなン、従って、こ
の上に形成される透明導電膜もその表面が十分に粗面化
されたものとなる。
はその表面が十分粗面化されたものとなン、従って、こ
の上に形成される透明導電膜もその表面が十分に粗面化
されたものとなる。
（へ）実施例
第１図は本発明の形成方法にて形成された透明導？ｆｌ
’ ＩＪ＋５！を示す概略的断面図である。ガラス等の
透明基板Ｉ Ｊ：、に、真空蒸着法、イオンブレーティ
ング法、スパッタリング法等のＰ Ｖ Ｄ （Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ書１ｏｎ）法により
、少なくとも数βｍの膜Ｉゾで窒化アルミ（Ａ ＩＮ
）膜２を形成し、この窒化アルミ膜２上に、熱ＣＶＤ法
等によりＩｎｔＯｓ、Ｓｎｏｗ等の透明導電膜３を形成
する。
’ ＩＪ＋５！を示す概略的断面図である。ガラス等の
透明基板Ｉ Ｊ：、に、真空蒸着法、イオンブレーティ
ング法、スパッタリング法等のＰ Ｖ Ｄ （Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ書１ｏｎ）法により
、少なくとも数βｍの膜Ｉゾで窒化アルミ（Ａ ＩＮ
）膜２を形成し、この窒化アルミ膜２上に、熱ＣＶＤ法
等によりＩｎｔＯｓ、Ｓｎｏｗ等の透明導電膜３を形成
する。
第２図はこうして形成された透明導電膜３の表面の粗面
化状態を測定するために、可視光領域の各種波長の光に
対するヘイズ率を測定した結果を示す特性図である。
化状態を測定するために、可視光領域の各種波長の光に
対するヘイズ率を測定した結果を示す特性図である。
なお、ヘイズ率は下記の式にょＩ）求められた。
ヘイズ率＝に−Ｘ １００（％）
１ ＋ ＋ Ｉ ！
また、同図には、比較のために上記従来例として（３）
に示した方法にて形成された透明導電膜のへイス率を合
わせて示している。
に示した方法にて形成された透明導電膜のへイス率を合
わせて示している。
この第２図から明らかなように、本発明方法により形成
された透明導電膜のへイス率は、可視光領域の全ての波
長の光に対して９０％以上となっている。従って、透明
導電膜３は、窒化アルミ膜２の粗面に基づいて十分粗面
化された表面を有し、入ｑ・１さｈた光を十分に散乱す
るらのであることが分かる。
された透明導電膜のへイス率は、可視光領域の全ての波
長の光に対して９０％以上となっている。従って、透明
導電膜３は、窒化アルミ膜２の粗面に基づいて十分粗面
化された表面を有し、入ｑ・１さｈた光を十分に散乱す
るらのであることが分かる。
第３図は本発明の製造方法により製造された光起電力装
置の一実施例を示すＷｃ略的断面図である。ガラス等の
透明基板１上に、真空蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタリング法等のＰ〜′Ｄ （Ｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、少な
くとも数Ｈ４の膜厚で窒化アルミ（Ａ ＩＮ ）膜２を
形成し、この窒化アルミ膜２上に、熱ＣＶＤ法等により
ＩｎｔＯｘ、ＳｎＯ，等の透明導電膜３を形成する。更
に、透明導電膜３上に、ｐｎ、 ｐｉｎ等の半導体接合
を有する非単結晶半導体層４及び背面電極５を積層形成
することにより、光起電力装置が製造される。
置の一実施例を示すＷｃ略的断面図である。ガラス等の
透明基板１上に、真空蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタリング法等のＰ〜′Ｄ （Ｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、少な
くとも数Ｈ４の膜厚で窒化アルミ（Ａ ＩＮ ）膜２を
形成し、この窒化アルミ膜２上に、熱ＣＶＤ法等により
ＩｎｔＯｘ、ＳｎＯ，等の透明導電膜３を形成する。更
に、透明導電膜３上に、ｐｎ、 ｐｉｎ等の半導体接合
を有する非単結晶半導体層４及び背面電極５を積層形成
することにより、光起電力装置が製造される。
こうして、製造された光起電力装置にあっては、透明導
電膜３が上述のように入射光を十分に散乱することがで
きるように粗面化されているの？、非単結晶半導体層４
における光の利用効率を高められ、高出力特性を備えた
ものとなる。
電膜３が上述のように入射光を十分に散乱することがで
きるように粗面化されているの？、非単結晶半導体層４
における光の利用効率を高められ、高出力特性を備えた
ものとなる。
（ト）発明の効果
本発明によれば、基板−Ｅに形成された窒化アルミ膜上
に透明導電膜を形成しているので、透明導電膜の表面を
十分に粗面化することができ、また、光起電力装置に用
いられることにより、光起電力装置の出力特性を向上さ
せることができる。
に透明導電膜を形成しているので、透明導電膜の表面を
十分に粗面化することができ、また、光起電力装置に用
いられることにより、光起電力装置の出力特性を向上さ
せることができる。
第１図は本発明の方法により形成される透明導電膜を示
す概略的断面図、第２図は透明導電膜のヘイズ率を示す
特性図、第３図は本発明製造方法により製造される光起
電力装置の一実施例を示すは略的断面図であり、■は透
明基板、２は窒化アルミ膜、３は透明導電膜、４は非単
結晶半導体層である。
す概略的断面図、第２図は透明導電膜のヘイズ率を示す
特性図、第３図は本発明製造方法により製造される光起
電力装置の一実施例を示すは略的断面図であり、■は透
明基板、２は窒化アルミ膜、３は透明導電膜、４は非単
結晶半導体層である。
Claims (3)
- （１）透明基板上に窒化アルミ膜を形成し、この窒化ア
ルミ膜上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明
導電膜の形成方法。 - （２）上記窒化アルミ膜は物理的膜形成法により形成さ
れたことを特徴とする第１項記載の透明導電膜の形成方
法。 - （３）透明基板上に窒化アルミ膜を形成し、この窒化ア
ルミ膜上に透明導電膜、非単結晶半導体層及び背面電極
を積層形成することを特徴とする光起電力装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026302A JPH02207417A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 透明導電膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026302A JPH02207417A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 透明導電膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02207417A true JPH02207417A (ja) | 1990-08-17 |
Family
ID=12189557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1026302A Pending JPH02207417A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 透明導電膜の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02207417A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009089201A3 (en) * | 2008-01-07 | 2009-10-22 | Rosestreet Labs Energy, Inc. | Group iii-nitride solar cell with graded compositions |
| FR2961954A1 (fr) * | 2010-06-25 | 2011-12-30 | Saint Gobain | Cellule comprenant un materiau photovoltaique a base de cadmium |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1026302A patent/JPH02207417A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009089201A3 (en) * | 2008-01-07 | 2009-10-22 | Rosestreet Labs Energy, Inc. | Group iii-nitride solar cell with graded compositions |
| FR2961954A1 (fr) * | 2010-06-25 | 2011-12-30 | Saint Gobain | Cellule comprenant un materiau photovoltaique a base de cadmium |
| EP2400556A3 (fr) * | 2010-06-25 | 2012-06-27 | Saint-Gobain Glass France | Cellule comprenant un materiau photovoltaïque à base de cadmium |
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