JPH02205358A - 薄膜トランジスタアレー基板 - Google Patents
薄膜トランジスタアレー基板Info
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- JPH02205358A JPH02205358A JP1025007A JP2500789A JPH02205358A JP H02205358 A JPH02205358 A JP H02205358A JP 1025007 A JP1025007 A JP 1025007A JP 2500789 A JP2500789 A JP 2500789A JP H02205358 A JPH02205358 A JP H02205358A
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- JP
- Japan
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- tpt
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- film transistor
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 8
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜トランジスタ(TFT)アレー基板の光
の透過率を高めるためのTPTまたは、ソース配線の配
置、構成に関する。
の透過率を高めるためのTPTまたは、ソース配線の配
置、構成に関する。
従来の技術
従来における、複数の行(ゲート)配線、複数の列(ソ
ース)配線、絵素電極、及びソース電極とドレイン電極
と半導体等よりなるTPTを形成したTPTアレー基板
の略式構成図を第5図に示す。ゲート配線G1に電圧を
印加することによってそのゲート配線上のTFTAIl
l A12、A13、・・・AInがオン状態となり、
ソース配線S1、S2、S3、・・・Snからの信号が
それらのTPTを介して透明導電体からなる絵素電極B
111B 12、B 13、・・・Blnに供給され
る。
ース)配線、絵素電極、及びソース電極とドレイン電極
と半導体等よりなるTPTを形成したTPTアレー基板
の略式構成図を第5図に示す。ゲート配線G1に電圧を
印加することによってそのゲート配線上のTFTAIl
l A12、A13、・・・AInがオン状態となり、
ソース配線S1、S2、S3、・・・Snからの信号が
それらのTPTを介して透明導電体からなる絵素電極B
111B 12、B 13、・・・Blnに供給され
る。
第3図は、従来のTPTアレーの平面図である。
10はゲート配線、11はソース配線、12はTPTの
ソース電極、13はドレイン電極、14は半導体、15
は絵素電極を示す。TFTアレーにおけるTFT占有領
域を破線で示す。ソース電極12より半導体14を介し
てドレイン電極13に流れる電流(ドレイン電流と呼ぶ
。)の主要成分の流れる方向とゲート配線10が延在す
る行方向との交差角度θが90度である。
ソース電極、13はドレイン電極、14は半導体、15
は絵素電極を示す。TFTアレーにおけるTFT占有領
域を破線で示す。ソース電極12より半導体14を介し
てドレイン電極13に流れる電流(ドレイン電流と呼ぶ
。)の主要成分の流れる方向とゲート配線10が延在す
る行方向との交差角度θが90度である。
一方、第3図の様な絵素構成にした場合、RGB三原色
の同原色絵素が、縦、または斜め45度方向に配列され
、画像において縞模様が形成される。第4図に示すよう
に、絵素を行配線1本置きに画素ピッチの172で、左
右方向にずらして配置させることにより、この悪影響は
解消される(絵素の千鳥配列と呼ぶ。)。
の同原色絵素が、縦、または斜め45度方向に配列され
、画像において縞模様が形成される。第4図に示すよう
に、絵素を行配線1本置きに画素ピッチの172で、左
右方向にずらして配置させることにより、この悪影響は
解消される(絵素の千鳥配列と呼ぶ。)。
発明が解決しようとする課題
このTPTアレー基板と液晶を組み合わせて構成した表
示装置において、画像の明るさを向上させる事は重要な
課題である。ゲート配線、ソース配線、TPTは、通常
非透過性の金属で構成される。TPTアレーの透過率は
、これらゲート配線、ソース配線、TFTの構成面積を
下げ、それに代わって、透明絵素電極面積を拡大させる
ことによって向上する。TPTアレーの透過率が向上す
ることによって、液晶と組み合わせた表示装置において
、画像の明るさが向上する。しかしながら、W/L (
W: チャンネル幅、L:チャンネル長、第3図に示す
。)によって決定されるTFTサイズは、1絵素当りの
静電容量によって限定されてしまい、そのサイズを変え
ることはできない。また、ゲート配線、ソース配線幅を
狭めることは、断線が多発することから限界がある。ま
た、ソース配線とゲート配線を重ねる面積(G−8クロ
ス部と呼ぶ。)を拡大することによってもTPTアレー
の透過率を上げることが可能である(特開昭59−78
588号公報)が、このG−Sクロス部で、ゲート配線
とソース配線の間に介在するゲート絶縁膜にピンホール
が生ずると、ゲート配線とソース電極が短絡し、各々の
配線上のTPTが、十分な駆動電圧が供給されなくなる
(G−8短絡不良と呼ぶ。)。その結果、画像において
、線上に非表示状態となる欠陥が発生する。そのため、
G−Sクロス部の面積は、できるだけ小さい方が望まし
い。
示装置において、画像の明るさを向上させる事は重要な
課題である。ゲート配線、ソース配線、TPTは、通常
非透過性の金属で構成される。TPTアレーの透過率は
、これらゲート配線、ソース配線、TFTの構成面積を
下げ、それに代わって、透明絵素電極面積を拡大させる
ことによって向上する。TPTアレーの透過率が向上す
ることによって、液晶と組み合わせた表示装置において
、画像の明るさが向上する。しかしながら、W/L (
W: チャンネル幅、L:チャンネル長、第3図に示す
。)によって決定されるTFTサイズは、1絵素当りの
静電容量によって限定されてしまい、そのサイズを変え
ることはできない。また、ゲート配線、ソース配線幅を
狭めることは、断線が多発することから限界がある。ま
た、ソース配線とゲート配線を重ねる面積(G−8クロ
ス部と呼ぶ。)を拡大することによってもTPTアレー
の透過率を上げることが可能である(特開昭59−78
588号公報)が、このG−Sクロス部で、ゲート配線
とソース配線の間に介在するゲート絶縁膜にピンホール
が生ずると、ゲート配線とソース電極が短絡し、各々の
配線上のTPTが、十分な駆動電圧が供給されなくなる
(G−8短絡不良と呼ぶ。)。その結果、画像において
、線上に非表示状態となる欠陥が発生する。そのため、
G−Sクロス部の面積は、できるだけ小さい方が望まし
い。
課題を解決するための手段
TPTにおける、ドレイン電流の主要成分の流れる方向
が、ゲート配線が延在する行方向に対して角度θ(0度
<θ<90度)を有するようにTPTを構成する。
が、ゲート配線が延在する行方向に対して角度θ(0度
<θ<90度)を有するようにTPTを構成する。
作用
上記の構成にすることによって、G−Sクロス部の面積
を変化させない、または更に縮小させて、しかも非表示
部であるソース配線、またはTPTの占有面積が低減さ
れる。その結果、絵素電極の面積を増大させ、TPTア
レー基板の透過率を増加させ、TFTLCDの画像の明
るさを向上させることが可能となる。
を変化させない、または更に縮小させて、しかも非表示
部であるソース配線、またはTPTの占有面積が低減さ
れる。その結果、絵素電極の面積を増大させ、TPTア
レー基板の透過率を増加させ、TFTLCDの画像の明
るさを向上させることが可能となる。
実施例
第1の実施例を第1図とともに説明する。第1図は、本
発明のTPTアレーの平面図を示す。
発明のTPTアレーの平面図を示す。
第1図において、10はゲート配線、11はソース配線
、12はTPTのソース電極、13はドレイン電極、1
4は半導体、15は絵素電極を示す。TFTアレーにお
けるTFT占有領域を破線で示す。ドレイン電流の主要
成分の流れる方向とゲート配線10が延在する行方向と
の交差角度θが、一定の範囲内(0度くθ<90度)で
設定されている。ここで、角度θは、第7図に示す様に
、ドレイン電流の主要成分の流れる方向と行方向との交
差角のうち角度の小さい方と定義する。
、12はTPTのソース電極、13はドレイン電極、1
4は半導体、15は絵素電極を示す。TFTアレーにお
けるTFT占有領域を破線で示す。ドレイン電流の主要
成分の流れる方向とゲート配線10が延在する行方向と
の交差角度θが、一定の範囲内(0度くθ<90度)で
設定されている。ここで、角度θは、第7図に示す様に
、ドレイン電流の主要成分の流れる方向と行方向との交
差角のうち角度の小さい方と定義する。
第1図、第3図は、ともに同じマスク合わせルールを元
に構成されている。また、同じW/LのT F T1
同じソース、ゲート配線幅を有する。
に構成されている。また、同じW/LのT F T1
同じソース、ゲート配線幅を有する。
図から明らかなように、本発明を示す第1図におけるT
PTの構成の方が、ソース電極12の占有面積が小さく
なり、TFTの占有面積(破線で示す)が小さくなる。
PTの構成の方が、ソース電極12の占有面積が小さく
なり、TFTの占有面積(破線で示す)が小さくなる。
その分、絵素電極の面積が大きくできる。結果、TPT
アレーの透過率が増大し、TFTLCDの画像の明るさ
が向上する。
アレーの透過率が増大し、TFTLCDの画像の明るさ
が向上する。
特に、高密度化されたTPTアレー基板においては、1
画素に占めるTPTの占有面積の割合が高くなる。故に
、本発明は高密度化されたTPTアレーにおいては、著
しい効果がある。
画素に占めるTPTの占有面積の割合が高くなる。故に
、本発明は高密度化されたTPTアレーにおいては、著
しい効果がある。
また、液晶を配向させるために、通常、液晶に接するT
PTアレー基板、さらに共通電極基板上に配向膜を塗布
し、さらにその配向膜上をラビング処理する。第6図(
b)に示す様に、通常、画面手前正面からみたコントラ
ストが最大となるように、第6図(a)に示す様に、斜
め45度の矢印の方向にラビング処理を施す。第8図(
a)、(b)において、 (イ)は、TPTアレー基板
、 (ロ)は、共通電極基板を示す。その場合、ソース
、ドレイン電極の近傍のラビング方向の前後が十分配向
されない確率が高い。本発明で、θをほぼ45度にした
場合、ラビング方向と一致するため、ラビング方向前後
の未配向となる確率の高い部分の面積が小さくなる。結
果、画像のコントラストを、従来に比べ向上させる効果
を有する。
PTアレー基板、さらに共通電極基板上に配向膜を塗布
し、さらにその配向膜上をラビング処理する。第6図(
b)に示す様に、通常、画面手前正面からみたコントラ
ストが最大となるように、第6図(a)に示す様に、斜
め45度の矢印の方向にラビング処理を施す。第8図(
a)、(b)において、 (イ)は、TPTアレー基板
、 (ロ)は、共通電極基板を示す。その場合、ソース
、ドレイン電極の近傍のラビング方向の前後が十分配向
されない確率が高い。本発明で、θをほぼ45度にした
場合、ラビング方向と一致するため、ラビング方向前後
の未配向となる確率の高い部分の面積が小さくなる。結
果、画像のコントラストを、従来に比べ向上させる効果
を有する。
第2の実施例を第2図とともに説明する。本実施例は、
絵素の千鳥配列を行った場合について説明する。第2図
は、本実施例のTPTアレーの構成である。ドレイン電
流の主要成分の流れる方向が、ゲート配線が延在する行
方向に対しである角度θ(0度<θ<90度)を有する
。第2図、第4図は、ともに同じマスク合わせルールを
元に構成されている。また、同じW/LのT P T1
同じソース、ゲート配線幅を有する。
絵素の千鳥配列を行った場合について説明する。第2図
は、本実施例のTPTアレーの構成である。ドレイン電
流の主要成分の流れる方向が、ゲート配線が延在する行
方向に対しである角度θ(0度<θ<90度)を有する
。第2図、第4図は、ともに同じマスク合わせルールを
元に構成されている。また、同じW/LのT P T1
同じソース、ゲート配線幅を有する。
図から明らかなように、本発明におけるTPTの構成の
方が、ソース配線11の占有面積は小さい。その結果、
絵素電極ISの面積を増大させることができ(第2図の
絵素電極において、第4図の従来の絵素電極を破線で示
す。)、TPTアレーの透過率を向上させることが可能
となる。その結果、TFTLCDの画像の明るさが向上
する。
方が、ソース配線11の占有面積は小さい。その結果、
絵素電極ISの面積を増大させることができ(第2図の
絵素電極において、第4図の従来の絵素電極を破線で示
す。)、TPTアレーの透過率を向上させることが可能
となる。その結果、TFTLCDの画像の明るさが向上
する。
また、ソース電極のゲート配線と重なる面積(黒塗りで
示す。)が従来に比べて小さくなる。本実施例における
G−Sクロス面積は、従来例に比べて約り0%小さい。
示す。)が従来に比べて小さくなる。本実施例における
G−Sクロス面積は、従来例に比べて約り0%小さい。
故に、本実施例においては、G−8短絡不良が低減され
る効果を有する。
る効果を有する。
発明の効果
本発明によれば、TPTの構成を、ソース電極からドレ
イン電極へ流れる電流の主要成分の流れる方向が、ゲー
ト配線、ソース配線が延在する行、列いずれの方向とも
異なるようにすることによって、TFTの占有面積を小
さくでき、代わって絵素電極の面積を大きくすることが
可能となる。その結果TFTLCDの画像の明るさが向
上する効果を有する。
イン電極へ流れる電流の主要成分の流れる方向が、ゲー
ト配線、ソース配線が延在する行、列いずれの方向とも
異なるようにすることによって、TFTの占有面積を小
さくでき、代わって絵素電極の面積を大きくすることが
可能となる。その結果TFTLCDの画像の明るさが向
上する効果を有する。
第1図は、本発明の第1の実施例におけるTPTアレー
の平面構成図、第2図は、本発明の第2の実施例におけ
るTPTアレーの平面構成図、第3図は、従来のTPT
アレーの平面構成図、第4図は、従来における絵素の千
鳥配列を行なったTPTアレーの平面構成図、第5図は
TPTアレーの概略構成図、第6図(a)、 (b)
は、液晶を配向させるために通常配向膜に施されるラビ
ング処理の方向を説明した模式図、第7図(a)、
(b)はθの定義を示す図である。 10・・・ゲート配線、11・・・ソース配線、12・
・・ソース電極、13−・・ドレイン電極、14・拳・
半導体、15・・・絵素電極、A、 AII、 A
12. A13. −Aln、 ・・・A21.’
A22・・・* e*TFT1B、 B11. B1.
2B13.−Bin、 =−B11.B22・・・・・
・絵素容量、Sl、 82. 83゜・・・Sn・・
0ソース配線、Gl、 G2・・・・・・ケート配線
、 (イ)・・・TFTアレー基板、 (ロ)・・・共
通電極基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名III図 1θケートl己線 箔 図 蘂 ■ 第 図 渠 図 ρ 第6図 イ (a−) 子 豹 (bン 鴎 図 (ユ)
の平面構成図、第2図は、本発明の第2の実施例におけ
るTPTアレーの平面構成図、第3図は、従来のTPT
アレーの平面構成図、第4図は、従来における絵素の千
鳥配列を行なったTPTアレーの平面構成図、第5図は
TPTアレーの概略構成図、第6図(a)、 (b)
は、液晶を配向させるために通常配向膜に施されるラビ
ング処理の方向を説明した模式図、第7図(a)、
(b)はθの定義を示す図である。 10・・・ゲート配線、11・・・ソース配線、12・
・・ソース電極、13−・・ドレイン電極、14・拳・
半導体、15・・・絵素電極、A、 AII、 A
12. A13. −Aln、 ・・・A21.’
A22・・・* e*TFT1B、 B11. B1.
2B13.−Bin、 =−B11.B22・・・・・
・絵素容量、Sl、 82. 83゜・・・Sn・・
0ソース配線、Gl、 G2・・・・・・ケート配線
、 (イ)・・・TFTアレー基板、 (ロ)・・・共
通電極基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名III図 1θケートl己線 箔 図 蘂 ■ 第 図 渠 図 ρ 第6図 イ (a−) 子 豹 (bン 鴎 図 (ユ)
Claims (2)
- (1)基板の一主面上に複数の行配線、複数の列記線、
絵素電極、及びソース電極とドレイン電極と半導体等よ
りなる薄膜トランジスタを形成した薄膜トランジスタア
レー基板において、前記ソース電極より前記半導体を介
して前記ドレイン電極に流れる主電流の方向が、行方向
に対して角度θ(0度<θ<90度)を有する事を特徴
とする薄膜トランジスタアレー基板。 - (2)角度θが、ほぼ45度である事を特徴とする請求
項1記載の薄膜トランジスタアレー基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2500789A JPH0828516B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 薄膜トランジスタアレー基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2500789A JPH0828516B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 薄膜トランジスタアレー基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02205358A true JPH02205358A (ja) | 1990-08-15 |
JPH0828516B2 JPH0828516B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12153881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2500789A Expired - Lifetime JPH0828516B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 薄膜トランジスタアレー基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0828516B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599636A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
JPS60189969A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS61249076A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型表示装置 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP2500789A patent/JPH0828516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599636A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体 |
JPS60189969A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS61249076A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0828516B2 (ja) | 1996-03-21 |
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