KR19980059091A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 투명한 절연 기판 상부에 게이트선과 데이터선으로 정의되는 화소 영역에 화소 전극이 형성되어 있으며, 이 화소 전극은 적어도 제1 화소 전극과 제2 화소 전극으로 이루어져 있으며, 반드시 제1 화소 전극 또는 제2 화소 전극 중 하나의 가장자리 부분이 게이트선 또는 데이터선과 중첩되어 있다. 또한 제1 화소 전극과 제2 화소 전극은 화소 영역에서 면적을 가지고 접촉되어 있으며, 게이트선 또는 데이터선과 중첩되는 부분에서는 절연막을 매개로 분리되어 있다. 따라서, 절연막을 매개로 하여 다수의 화소 전극은 쇼트 불량을 발생되지 않으며, 동시에 동일한 층의 형성되는 이웃하는 화소 전극과의 간격을 충분히 가질 수 있으므로 제조시,공정 마진을 충분히 할 수 있으므로 공정 수율을 향상시킬 수 있고, 이에따라 게이트선 및 데이터선의 폭을 최적으로 형성하고, 또한 이러한 최적의 배선 폭을 제외한 부분을 표시 면적이 되므로 개구율을 증가시킬 수 있으며, 화소 영역에서 단차를 가지는 화소 전극을 형성함으로서 광시야각을 구현할 수 있다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 광시야각 및 초개구율을 구현하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 액정 표시 장치는 액정 분자의 성질 때문에 시야각을 넓히는 기술에 대한 많은 연구가 진행되고 있으며, 화소가 형성되어 있는 기판에 게이트선, 데이터선, 박막 트랜지스터 및 광누출을 차단하기 위한 블랙 매트릭스가 형성되어 있으므로 개구율을 향상시키는 연구가 중점적으로 개발되고 있다.

우선, 광시야각을 구현하는 방법으로는 DDTN(double domain twisted nematic) 방법, 위상차 필름을 추가하는 방법이 적용 중에 있다.

여기서 DDTN 방법은 각각의 단위 화소에 제1 배향막과 제2 배향막이 형성하고, 각각의 배향막에 러빙(rubbing)을 달리하여 배향 방향을 다르게 하는 방법이다.

이러한 종래의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 각각의 단위 화소가 서로 다른 배향 방향을 갖도록 하여 화소 단위로 상하 모드와 좌우 모드가 반복 되도록 한다. 그럼으로써 상하 좌우의 시야각의 불균형의 문제를 해결하여 시야각을 넓히게 된다.

그리고 위상차 필름을 사용하는 방법은 위상차 필름을 이용하여 단위 화소에 영역을 투과하는 빛의 위상을 다르게 하는 방법이다.

그러나 전자의 경우에는 공정이 증가되는 요인이 따르고, 후자의 경우에는 비용이 상승하는 문제점을 가지고 있다.

또한 개구율을 향상시키기 위해서는 화소 영역에 형성되는 데이터선, 게이트선 및 광누출을 방지하기 위한 블랙 매트릭스의 폭과 박막 트랜지스터의 크기를 최소화해야 하는데, 저항이나 특성을 고려하면 배선의 폭 및 소자의 크기를 줄이는 대에는 한계가 있다.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 기술에 대하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 평면도이다.

도 1에서 보는 바와 같이, 게이트선(1)이 가로 방향으로 형성되어 있고, 게이트선(1)과 교차하며 화소(P)를 정의하는 데이터선(2)이 형성되어 있으며, 화소 영역(P)의 중앙에는 게이트선(1)과 평행하게 유지 용량용 전극(12)이 형성되어 있다. 게이트선(1)과 데이터선(2)이 교차하는 부분에는 게이트선(1)의 일부인 게이트 전극(11), 데이터선(2)의 일부인 소스 전극(21)과 드레인 전극(22) 및 반도체층(3)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있으며 소스 전극(21)과 드레인 전극(22) 사이에는 에치 스토퍼(9)가 형성되어 있다. 화소 영역(P)에는 가장자리 부분이 게이트선(1) 및 데이터선(2)과 일부 중첩되어 있는 제1 화소 전극(5)이 형성되어 있다. 소스 전극(21)과 연결되어 있으며 소스 전극(21)에서부터 연장되어 유지 용량용 전극(12)와 중첩되어 있고, 두 개의 콘택홀(7)을 통하여 제1 화소 전극(5)과 연결되어 있는 제2 화소 전극(6)이 형성되어 있다.

이러한 종래의 액정 표시 장치의 제조 방법은 우선, 게이트선(1), 게이트전극(11) 및 유지 용량용 전극(12)을 형성한 다음, 게이트 절연막(도시하지 않음)을 형성한다. 이어, 절연막 및 실리콘층을 증착하고 절연막을 패터닝하여 에치 스토퍼(9)를 형성하고, 실리콘층을 식각하여 반도체층(3)을 형성한 다음, 게이트 패드를 형성하기 위하여 게이트선(1)의 가장자리 상부에 형성되어 있는 게이트 절연막(도시하지 않음)의 일부를 식각한다. 다음, ITO를 증착하고 패터닝하여 제2 화소 전극(6)을 형성하고, 금속막을 층착하고 패터닝하여 데이터선(2), 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)을 형성한다. 그리고 유전율이 낮은 유기 절연막을 증착하여 보호막(도시하지 않음)형성하고, 보호막(도시하지 않음)의 일부를 식각하여 제2 화소 전극(6)의 상부에 콘택홀(7)을 형성한다. 마지막으로, ITO를 증착하고 패터닝하여 제1 화소 전극(5)를 형성한다.

그러나, 이러한 종래의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 8단계의 포토 공정이 필요하고, 개구율을 높이기 위하여 게이트선 및 데이터선과 중첩되는 제1 화소 전극을 형성하는데 엄격한 공정 관리가 요구되어 공정 수율이 저하되는 문제점을 가지고 있다. 그리고 게이트선 및 데이터선 상부에 형성되어 있는 화소 전극들의 사이가 인접하게 형성되어 있으므로 쇼트(short) 불량이 발생하는 문제점을 가지고 있다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 6단계의 포토 공정으로 80% 정도의 초개구율을 실현하는 동시에 광시야각을 구현하고, 공정 수율이 향상되는 액정 표시 장치를 제공하는 데 있다.

도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 구도를 도시한 평면도이며,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고,

도 3은 도2에서 A 부분을 상세하게 도시한 단면도이고,

도 4는 도2에서 B 부분을 상세하게 도시한 단면도이며,

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 투명한 절연 기판 상부에 게이트선과 데이터선으로 정의되는 화소 영역에 화소 전극이 형성되어 있으며, 이 화소 전극은 적어도 제1 화소 전극과 제2 화소 전극으로 이루어져 있으며, 반드시 제1 화소 전극 또는 제2 화소 전극 중 하나의 가장자리 부분이 게이트선 또는 데이터선과 중첩되어 있다. 또한 제1 화소 전극과 제2 화소 전극은 화소 영역에서 면적을 가지고 접촉되어 있으며, 게이트선 또는 데이터선과 중첩되는 부분에서는 절연막을 매개로 분리되어 있다.

그리고 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에는 게이트선의 일부인 게이트 전극, 데이터선의 일부인 드레인 전극 및 소스 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.

또한 가장자리 둘레에 게이트선 및 데이터선과 중첩되어 있는 제1 화소 전극과 제2 화소 전극 중 하나는 절연막에 형성된 콘택홀을 통하여 소스 전극과 연결되어 있다.

제1 화소 전극과 제2 화소 전극 중 하나는 절연막을 매개로 하여 박막 트랜지스터 상부에 형성되어 있다.

여기서, 절연막은 유전률이 낮은 유기 절연막이므로 박막 트랜지스터의 특성에는 아무런 영향을 주지 않는다.

또한 제1 화소 전극과 제2 화소 전극이 접촉하는 면적은 다수의 폭을 가지고 있다.

그리고, 가장자리 부분이 게이트선 또는 데이터선과 제1 화소 전극이 중첩되어 있는 부분에는 제2 화소 전극의 가장자리 부분은 화소 영역 안에 형성되어 게이트선 또는 데이터선과 중첩되어 있지 않으며, 제1 화소 전극의 가장자리 부분이 게이트선 또는 데이터선과 중첩되지 않은 부분에는 제2 화소 전극의 가장자리 부분이 게이트선 또는 데이터선과 중첩되어 있다.

이러한 본 발명에 액정 표시 장치에서는 데이터선을 중심으로 데이터선의 상부 및 하부에 절연막을 매개로 하여 제1 화소 전극과 제2 화소 전극이 분리되어 화소 영역의 화소 전극이 되므로 데이터선의 폭을 최소로 형성하더라도 이웃하는 화소 영역의 화소 전극과는 쇼트 불량은 발생하지 않는다.

그리고 게이트선이 형성되어 있는 부분에도 동일한 구조로 형성되어 있으므로 게이트선의 폭을 최소로 형성하더라도 이웃하는 화소 전극과는 쇼트 불량이 발생하지 않는다.

또한 최적의 데이터선 및 게이트선의 폭을 제외한 부분은 모두 화상으로 표시되는 표시 면적이 된다.

제1 화소 전극과 제2 화소 전극이 접촉되는 면적이 다수의 폭을 가지므로 화소 영역에서 단차가 형성되어 회전 분산 효과(rotatory dispersion effect)를 줄이므로써 광시야각을 얻을 수 있다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 투명한 절연 기판 상부에 ITO를 증착하여 제1 화소 전극을 형성하고, 제1 화소 전극을 덮는 절연막을 형성하고, 절연막 상부에 게이트선 및 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 형성하고 게이트선 및 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막과 실리콘층을 형성하고 상기 실리콘층을 식각하여 활성층을 형성하고, 게이트선과 교차하는 데이터선을 형성하는 동시에, 드레인 전극 및 소스 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성하고, 기판 상부에 보호막을 형성하고, 보호막 상부에 제2 화소 전극을 형성한다.

여기서 절연막 및 보호막은 PECVD 방법, 스퍼터링 또는 유기 절연막을 이용한 코팅 방법으로 형성할 수 있다.

또한 제2 화소 전극을 형성하기 전에 보호막, 절연막 및 게이트 절연막의 일부를 식각하여 경사면 및 다른 폭을 가지는 개구부를 형성하는 동시에, 상기 소스 전극의 상부에 콘택홀을 형성하여 제2 화소 전극과 제1 화소 전극을 연결하도록 한다.

그리고 보호막과 절연막을 유전율이 낮은 유기 절연막으로 형성하는 경우에는 제2 화소 전극을 박막 트랜지스터의 상부까지 형성하도록한다.

제2 화소 전극과 제1 화소 전극은 게이트선 또는 데이터선과 중첩되는 부분에서 절연막과 보호막을 매개로 하여 서로 분리되도록 형성한다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 제1 화소 전극을 형성하는 단계, 게이트선 및 게이트 전극을 형성하는 단계, 박막 트랜지스터의 활성층을 형성하는 단계, 데이터선, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 개구부 및 콘택홀을 형성하는 단계 및 제2 화소 전극을 형성하는 단계로 6단계의 공정으로 이루어진다.

그리고 게이트선 및 데이트선의 상부 및 하부에 절연막고 보호막을 매개로 하여 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 각각 분리하여 하나의 화소 전극을 형성함으로써 제조시 엄격한 공정 마진을 요구하지 않는다.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제고 제조 방법의 한 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 평면도이고, 도 3은 도2에서 A 부분을 상세하게 도시한 단면도이며, 도 4는 도2에서 B 부분을 상세하게 도시한 단면도이다.

도2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 투명한 절연 기판(100) 위에 가로 방향으로 게이트선(200)이 형성되어 있고 게이트선(200)과 교차하는 데이터선(300)이 세로로 형성되어 있다. 게이트선(200)과 데이터선(300)이 교차하는 부분에는 게이트선(200)이 일부인 게이트 전극(20), 데이터선(300)의 일부인 드레인 전극(30) 및 소스 전극(40)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 게이트선(200)과 데이터선(300)으로 정의되는 부분에는 가장자리 부분이 게이트선(200)과 데이터선(300)과 중첩되어 있는 ITO막으로 이루어진 화소 전극(130)이 형성되어 있고, 소스 전극(40)은 콘택홀(110)을 통하여 화소 전극(130)과 연결되어 있다.

여기서 화소 전극(130)은 제1 화소 전극(131)과 제2 화소 전극(132)으로 분리 형성되어 있으며 대부분 서로 중첩되어 있고, 화소 영역 내부에 점선으로 표시된 부분(D)은 제1 화소 전극(131)과 제2 화소 전극(132)이 서로 접촉되어 있는 부분을 나타낸 것이다. 제1 화소 전극(131)의 우측 가장자리 부분은 데이터선(300)과 일부 중첩되어 있으며 나머지 둘레 부분은 화소 영역 내부에 형성되어 있다. 제2 화소 전극(132)은 좌측 가장자리 부분과 상부 가장자리 부분이 이웃하는 데이터선(300)과 게이트선(200)과 각각 일부 중첩되어 있다.

도 3은 도2에서 A 부분을 상세하게 도시한 단면도로서, 제1 화소 전극(131)과 제2 화소 전극(132)의 관계를 더욱 상세하게 도시한 것이다.

기판(100) 일부 위에 제2 화소 전극(132)과 데이트선(300)이 절연막(50) 및 게이트 절연막(60)을 매개로 하여 형성되어 있으며 데이터선(300)을 덮는 보호막(70)이 게이트 절연막(60) 상부에 형성되어 있다. 여기서, 절연막(50), 게이트 절연막(60) 및 보호막(70)에는 비스듬하게 형성된 경사면을 가지는 개구부(C)가 형성되어 있으며, 보호막(70) 및 개구부(Y)의 경사면에 형성된 제1 화소 전극(131)은 개구부(C)를 통하여 제2 화소 전극(132)과 접촉하고 있다. 그리고 제1 화소 전극(131)의 우측 끝부분은 보호막(70)을 매개로 하부에 형성된 데이터선(300)과 일부 중첩되어 있으며 제2 화소 전극(132)의 좌측 끝부분은 절연막(50) 및 게이트 절연막(60)을 매개로 상부에 형성된 이웃하는 데이터선(300)의 일부와 중첩되어 있다.

도 4는 도2에서 B 부분을 상세하게 도시한 단면도로서, 이웃하는 데이터선(300)과 제1 화소 전극(131) 및 제2 화소 전극(132)과의 관계를 도시한 것이다.

보호막(70)의 상부에 형성된 제1 화소 전극(131)은 이웃하는 제1 화소 전극(131)과 이웃하는 데이터선(300)의 상부에서 이격되어 있으며, 이웃하는 제1 화소 전극(131)과는 하부에 형성된 이웃하는 데이터선(300)의 좌측 부분이 중첩되어 있으며, 이웃하는 데이터선(300)의 우측 부분은 하부에 형성된 제2 화소 전극(132)과 중첩되어 있다. 그리고 앞에서 설명한 바와 같이, 경사면을 가지는 개구부(C)를 통하여 제1 화소 전극(131)과 제2 화소 전극(132)이 접촉하고 있다.

여기서 이웃하는 데이터선(300)의 우측 단에서 이웃하는 제1 화소 전극(131)의 우측 단까지의 거리를 Y라고 하고, 분리되어 있는 제1 화소 전극(131)의 간격을 X라고 한다면, X를 충분히 멀리 하여 공정 마진을 충분히 주어도 데이터선(300)의 하부에 형성된 제2 화소 전극(132)을 이용하여 표시가 가능하다. 그러므로 데이터선(300)의 폭을 최적으로 형성하더라도 실제로 표시되는 부분은 데이터선(300)의 폭 만큼만 뺀 것이 가능하여 개구율을 최대화 할 수 있다. 이웃하는 화소 전극(130)과의 간격 Y를 충분히 작게 하여도 제1 화소 전극(131)과 제2 화소 전극(132) 사이에는 절연막(50), 게이트 절연막(60) 및 보호막(70)이 있으므로 쇼트 불량이 발생하는 문제는 배제할 수 있다.

이러한 구조는 게이트선(200)과 중첩되는 부분에도 동일하게 적용되므로 게이트선(200)과 데이터선(300)을 최적으로 형성하더라도 배선(200, 300)이 지나가는 부분만을 제외하면 모든 면적이 표시가 가능한 면적이 되어 최대의 표시 면적을 구현할 수 있다.

또한 이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 실시예에 따른 구조에 한정된 것이 아니라, 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 이용하여 게이트선과 데이터선을 중심으로 상부 및 하부에 교대로 중첩되어 게이트선과 데이터선으로 정의되는 화소 영역 모두를 표시 영역으로 할 수 있는 구조는 가능하다.

또한 화소 영역(130)에 절연막(50), 게이트 절연막(60) 보호막(70)의 개구부를 통하여 제1 화소 전극(131)과 제2 화소 전극(132)이 서로 연결되어 있으므로 화소 영역에서 경사를 가지는 단차가 형성되고, 이로 인하여 입사하는 빛의 위상차를 주게되어 시야각이 넓어지게 된다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 다음과 같이 이루어진다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.

도 5a에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 투명한 절연 기판(100) 상부에 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 ITO(indium tin oxide)를 증착하고 제1 마스크를 이용하고 패터닝, 식각하여 제2 화소 전극(132)을 형성한다.

다음 도 5b에서 보는 바와 같이, 제2 화소 전극(132)을 덮는 절연막(50)을 증착한다. 여기서 절연막(50)은 PECVD 방법, 스퍼터링 또는 유기 절연막을 이용한 코팅 방법으로 형성할 수 있다.

이어, 도 5c 내지 도 5d에서 보는 바와 같이 기판(100) 상부에 금속막을 증착하고 제2 마스크를 이용하고 패터닝, 식각하여 게이트선(200) 및 게이트 전극(20)을 형성한다. 계속해서 기판(100) 위에 PECVD 방법을 이용하여 게이트 절연막(60)인 질화막, 도핑되지 않은 비정질 실리콘층 및 고농도로 도핑된 비정질 실리콘을 차례로 증착한다. 이어 제3 마스크인 활성 마스크를 이용하여 고농도 비정질 실리콘층과 도핑되지 않은 비정질 실리콘층을 동시에 식각하여 반도체층(80) 및 콘택층(90)을 형성한다. 계속하여 기판(100) 위에 금속막을 증착하고 제4 마스크인 S/D 마스크를 이용하여 금속막을 패터닝하여 두 전극(30, 40)을 형성하고 두 전극(30, 40)을 마스크로 하여 노출된 콘택층(90)의 일부를 식각하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다.

다음, 도 5e 내지 도 5f에서 보는 바와 같이, 기판(100) 상부에 보호막(70)에 을 형성하고 제5 마스크를 이용하여 소스 전극(40)과 이웃하는 데이터선(300) 사이에 보호막(70), 게이트 절연막(60) 및 절연막(50)의 일부를 식각하여 기판(100) 상부에 형성되어 있는 제2 화소 전극(132)이 노출되도록 개구부(C)한다. 여기서 개구부(C)는 도 2에서 점선으로 도시된 부분(D)과 동일하게 형성되며, 개구부(C)를 만드는 측면은 경사가 완만하게 이루어지도록 형성한다. 여기서 보호막(70)의 형성은 절연막(50)과 동일하게 PECVD 방법, 스퍼터링 또는 유기 절연막을 이용한 코팅 방법으로 형성할 수 있다.

마지막으로, 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 ITO를 기판(100) 상부에 증착하고 제6 마스크를 이용하고 패터닝, 식각하여 제1 화소 전극(131)을 형성한다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 제1 화소 전극(131)을 형성하는 단계, 게이트선(200) 및 게이트 전극(20)을 형성하는 단계, 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(80) 및 콘택층(90)을 형성하는 단계, 데이터선(300), 소스 및 드레인 전극(30, 40)을 형성하는 단계, 개구부(C) 및 콘택홀(110)을 형성하는 단계 및 제2 화소 전극(132)을 형성하는 단계에서만 마스크를 이용한 패턴 공정이 이루어진다.

그리고 게이트선(200) 및 데이트선(300)의 상부 및 하부에 절연막(50), 게이트 절연막(60) 또는 보호막(70)을 매개로 하여 제1 화소 전극(131)과 제2 화소 전극(132)을 각각 분리하여 하나의 화소 전극(130)을 형성함으로써 제조시 엄격한 공정 마진을 요구하지 않는다.

따라서 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 절연막을 매개로 하여 화소 전극을 형성함으로써 쇼트 불량을 방지할 수 있고, 동시에 동일한 층의 형성되는 일부 화소 전극의 간격을 충분히 하여 공정 마진을 충분히 할 수 있으므로 공정 수율을 향상시킬 수 있고, 게이트선 및 데이터선의 폭을 제외한 부분을 표시 면적으로 하여 개구율을 증가시킬 수 있으며, 단차를 가지는 화소 전극을 형성함으로서 광시야각을 구현할 수 있다.

Claims (13)

1. 투명한 절연 기판, 상기 기판 상부에 게이트선과 상기 게이트선과 교차하는 데이터선으로 정의되는 화소 영역, 상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하는 부분에는 상기 게이트선의 일부인 게이트 전극, 상기 데이터선의 일부인 드레인 전극 및 소스 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터, 적어도 제1 화소 전극과 제2 화소 전극으로 이루어져 있으며, 반드시 제1 화소 전극 또는 제2 화소 전극 중 하나의 가장자리 부분이 상기 게이트선 또는 데이터선과 중첩되어 있는 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
2. 청구항 1에서, 상기 게이트선 및 데이터선과 상기 제1 또는 제2 화소 전극 사이에 각각 형성되어 있으며, 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극과 연결되는 부분에는 개구부가 형성되어 있는 절연막을 더 포함하는 액정 표시 장치,
3. 청구항 2에서, 상기 개구부를 통하여 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극이 연결되어 있으며, 상기 개구부는 폭이 다수의 폭을 가지는 액정 표시 장치.
4. 청구항 5에서, 상기 제1 화소 전극과 제2 화소 전극 중 적어도 하나는 상기 게이트선 및 데이터선 상부에 형성되어 있으며, 상기 절연막에 형성되어 있는 콘택홀을 통하여 소스 전극과 연결되어 있는 액정 표시 장치.
5. 청구항 4에서, 가장자리 부분이 상기 게이트선 또는 데이터선과 상기 제1 화소 전극이 중첩되어 있는 부분에는 상기 제2 화소 전극의 가장자리 부분은 중첩되어 있지 않으며, 상기 제1 화소 전극의 가장자리 부분이 상기 게이트선 또는 데이터선과 중첩되지 않은 부분에는 상기 제2 화소 전극의 가장자리 부분이 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
6. 청구항 1에서, 상기 화소 영역에서 상기 제1 화소 전극으로 표시되지 않는 부분은 상기 제2 화소 전극을 통하여 표시되며, 상기 제2 화소 전극으로 표시되지 않는 부분은 상기 제1 화소 전극을 통하여 표시되는 액정 표시 장치.
7. 청구항 6에서, 상기 제1 화소 전극과 제2 화소 전극 중 하나는 절연막을 매개로 하여 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되어 있다.
8. 청구항 7에서, 상기 절연막은 유전률이 낮은 유기 절연막으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
9. 투명한 절연 기판 상부에 ITO를 증착하여 제1 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 화소 전극을 덮는 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상부에 게이트선 및 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트선 및 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막과 실리콘층을 형성하고 상기 실리콘층을 식각하여 활성층을 형성하는 단계, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선을 형성하는 동시에, 드레인 전극 및 소스 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 상부에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막 상부에 제2 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
10. 청구항 9에서, 상기 절연막 및 보호막은 PECVD 방법, 스퍼터링 또는 유기 절연막을 이용한 코팅 방법으로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
11. 청구항 9에서, 상기 제2 화소 전극을 형성하는 단계는, 상기 보호막, 절연막 및 게이트 절연막의 일부를 식각하여 개구부를 형성하는 동시에, 상기 소스 전극의 상부에 콘택홀을 형성한 다음 실시하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
12. 청구항 11에서, 상기 개구부를 통하여 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극은 연결하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
13. 청구항 12에서, 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극과 연결하는 부분을 면적을 가지는 임의 모양으로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.