JPH02203603A - 高周波高出力増幅器 - Google Patents
高周波高出力増幅器Info
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- JPH02203603A JPH02203603A JP1024624A JP2462489A JPH02203603A JP H02203603 A JPH02203603 A JP H02203603A JP 1024624 A JP1024624 A JP 1024624A JP 2462489 A JP2462489 A JP 2462489A JP H02203603 A JPH02203603 A JP H02203603A
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- amplifier
- high frequency
- electromagnetic wave
- radio wave
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- Pending
Links
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Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
マイクロ波やミリ波などで用いられる超高周波高出力増
幅器に関し、 増幅素子及びマイクロストリップ線路から放射される電
磁波の影響の小さい高周波高出力増幅器を提供すること
を目的とし、 筐体内に高周波増幅器が実装された配線基板が配置され
た高周波高出力増幅器において、前記高周波増幅器と対
向する筐体内部の一部に突出部を配設し、該突出部の端
面には電波吸収体を配設するように構成する。
幅器に関し、 増幅素子及びマイクロストリップ線路から放射される電
磁波の影響の小さい高周波高出力増幅器を提供すること
を目的とし、 筐体内に高周波増幅器が実装された配線基板が配置され
た高周波高出力増幅器において、前記高周波増幅器と対
向する筐体内部の一部に突出部を配設し、該突出部の端
面には電波吸収体を配設するように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、マイクロ波やミリ波などで用いられる高周波
高出力増幅器に関するものであり、更に詳しくは、装置
内部での電磁波の放射の影響を軽減できる高周波高出力
増幅器に関する。
高出力増幅器に関するものであり、更に詳しくは、装置
内部での電磁波の放射の影響を軽減できる高周波高出力
増幅器に関する。
［従来の技術］
一般に、マイクロ波やミリ波などで用いられる高周波高
出力増幅器は、第４図のブロック図に示すように、例え
ばＡ１．Ａ２のような複数の高周波増幅器（以下増幅器
いう）を直列接続して構成されることが多い。一般に使
用周波数が高くなると増幅器のゲインは低下する。従っ
て、１個の増幅器だけでは所定の増幅度を得ることがで
きないため、図に示すように増幅器を複数個直列に接続
して、必要とする増幅度を得ている。
出力増幅器は、第４図のブロック図に示すように、例え
ばＡ１．Ａ２のような複数の高周波増幅器（以下増幅器
いう）を直列接続して構成されることが多い。一般に使
用周波数が高くなると増幅器のゲインは低下する。従っ
て、１個の増幅器だけでは所定の増幅度を得ることがで
きないため、図に示すように増幅器を複数個直列に接続
して、必要とする増幅度を得ている。
第５図は、このような第４図の装置を構成する増幅器Ａ
Ｉ、Ａ２の取付説明図である。図において、１は裏面全
面がメタライズされたフローグラスよりなる基板であり
、表面には主線路２として用いられるマイクロストリッ
プ線路が形成されている。３は増幅器Ａｌ、Ａ２として
用いられるチップＦＥＴであり、マイクロストリップ線
路２の端部相互を接続するように配設されている。
Ｉ、Ａ２の取付説明図である。図において、１は裏面全
面がメタライズされたフローグラスよりなる基板であり
、表面には主線路２として用いられるマイクロストリッ
プ線路が形成されている。３は増幅器Ａｌ、Ａ２として
用いられるチップＦＥＴであり、マイクロストリップ線
路２の端部相互を接続するように配設されている。
第６図は従来の高周波高出力増幅器の一例を示す断面図
であり、第７図は斜視図である。図において、４は筐体
であり、内部底面には第４図のように増幅器３が配設さ
れた基板１が配置されている。５は筐体４の開口部を塞
ぐ蓋であり、これら筐体４及びＭ５は例えばアルミニウ
ムで形成されている。Ｍ５の筐体内部との対向面には、
増幅器３と対向するようにして増幅器３及びマイクロス
トリップ線路２から放射される電磁波を吸収する電磁波
吸収体６が配設されている。
であり、第７図は斜視図である。図において、４は筐体
であり、内部底面には第４図のように増幅器３が配設さ
れた基板１が配置されている。５は筐体４の開口部を塞
ぐ蓋であり、これら筐体４及びＭ５は例えばアルミニウ
ムで形成されている。Ｍ５の筐体内部との対向面には、
増幅器３と対向するようにして増幅器３及びマイクロス
トリップ線路２から放射される電磁波を吸収する電磁波
吸収体６が配設されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来の構成によれば、蓋５に
達しない筐体４の内部の低い位置に放射される電磁波を
吸収することはできない。
達しない筐体４の内部の低い位置に放射される電磁波を
吸収することはできない。
この結果、吸収されなかった電磁波が主線路２に飛び込
んで出力レベルにリップル等のノイズを生じてしまうな
ど、本来の信号が得られなくなるという問題がある。
んで出力レベルにリップル等のノイズを生じてしまうな
ど、本来の信号が得られなくなるという問題がある。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり
、増幅器及びマイクロストリップ線路から放射される電
磁波の影響の小さい高周波高出力増幅器を提供すること
を目的としている。
、増幅器及びマイクロストリップ線路から放射される電
磁波の影響の小さい高周波高出力増幅器を提供すること
を目的としている。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の高周波高出力増幅器の原理構成図であ
る。図において、７は高周波増幅器３と対向する筐体内
部の一部に配設された突出部であり、該突出部７の端面
には電波吸収体６が配設されている。ここで、高周波増
幅器３と電波吸収体６との間隔は、予め実測して電磁波
の吸収率が最大になって出力信号に対する電磁波の影響
が最小になる状態に設定されている。
る。図において、７は高周波増幅器３と対向する筐体内
部の一部に配設された突出部であり、該突出部７の端面
には電波吸収体６が配設されている。ここで、高周波増
幅器３と電波吸収体６との間隔は、予め実測して電磁波
の吸収率が最大になって出力信号に対する電磁波の影響
が最小になる状態に設定されている。
［作用］
高周波増幅器（以下単に増幅器という）３及びマイクロ
ストリップ線路２から放射される電磁波は、電磁波の吸
収率が最大になるように設定された突出部７の端面に配
設されている電波吸収体６により吸収される。これによ
り、吸収されることなく主線路２に飛び込む電磁波は大
幅に減少し、出力信号に対する電磁波の影響は極めて小
さくなる。
ストリップ線路２から放射される電磁波は、電磁波の吸
収率が最大になるように設定された突出部７の端面に配
設されている電波吸収体６により吸収される。これによ
り、吸収されることなく主線路２に飛び込む電磁波は大
幅に減少し、出力信号に対する電磁波の影響は極めて小
さくなる。
［実施例］
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図は斜視
図であり、第１図、第４図及び第５図と同一のものには
同一の符号を付して示している。
図であり、第１図、第４図及び第５図と同一のものには
同一の符号を付して示している。
図において、８は突出部７として用いる調整ねじてあり
、その端面が増幅器３に対向するように蓋５に移動可能
に螺合されている。該調整ねじ８の端面には電波吸収体
６が配設されている。
、その端面が増幅器３に対向するように蓋５に移動可能
に螺合されている。該調整ねじ８の端面には電波吸収体
６が配設されている。
このような構成において、調整ねじ８を回転させること
により増幅器３と電波吸収体６との間隔が変化し、増幅
器３及びマイクロストリップ線路２から放射される電磁
波の吸収率も変化する。そこで、電磁波の吸収率が最大
になる位置を検出して調整ねじを固定する。
により増幅器３と電波吸収体６との間隔が変化し、増幅
器３及びマイクロストリップ線路２から放射される電磁
波の吸収率も変化する。そこで、電磁波の吸収率が最大
になる位置を検出して調整ねじを固定する。
これにより、増幅器３及びマイクロストリップ線路２か
ら放射されて主線路２に飛び込む電磁波は大幅に減少し
、出力信号に対する電磁波の影響は極めて小さ（なる。
ら放射されて主線路２に飛び込む電磁波は大幅に減少し
、出力信号に対する電磁波の影響は極めて小さ（なる。
なお、調整ねじ８を設ける代わりに、蓋５の筐体内部と
対向する面に調整ねじの挿入長さに相当する突出部を形
成し、その端面に電波吸収体を設けるようにしてもよい
。
対向する面に調整ねじの挿入長さに相当する突出部を形
成し、その端面に電波吸収体を設けるようにしてもよい
。
また、電波吸収体が配設される突出部を設ける位置は蓋
に限るものではなく、増幅器の配置位置に応じて増幅器
と対向する位置に設ければよい。
に限るものではなく、増幅器の配置位置に応じて増幅器
と対向する位置に設ければよい。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によれば、高周波増
幅器及びマイクロストリップ線路から放射される電磁波
の影響の極めて小さな高周波高出力増幅器を提供するこ
とができる。
幅器及びマイクロストリップ線路から放射される電磁波
の影響の極めて小さな高周波高出力増幅器を提供するこ
とができる。
第１図は本発明の原理構成図、
第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図は本発
明の一実施例の斜視図、 第４図は超高周波高出力増幅器の構成概念ブロック図、 第５図は増幅器の取付説明図、 第６図は従来の高周波高出力増幅器の一例を示す断面図
、 第７図は従来装置の一例を示す斜視図である。 第１図５第２図、第３図において、 １は配線基板、 ２は主線路、 ３は増幅器、 ４は筐体、 ５は蓋、 ６は電波吸収体、 ７は突出部、 ８は調整ねしである。
明の一実施例の斜視図、 第４図は超高周波高出力増幅器の構成概念ブロック図、 第５図は増幅器の取付説明図、 第６図は従来の高周波高出力増幅器の一例を示す断面図
、 第７図は従来装置の一例を示す斜視図である。 第１図５第２図、第３図において、 １は配線基板、 ２は主線路、 ３は増幅器、 ４は筐体、 ５は蓋、 ６は電波吸収体、 ７は突出部、 ８は調整ねしである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 筐体内に高周波増幅器（３）が実装された配線基板（
１）が配置された高周波高出力増幅器において、 前記高周波増幅器（３）と対向する筐体（５）内部の一
部に突出部（７）が配設され、該突出部（７）の端面に
は電波吸収体（６）が配設されたことを特徴とする高周
波高出力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024624A JPH02203603A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 高周波高出力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024624A JPH02203603A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 高周波高出力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203603A true JPH02203603A (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=12143297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024624A Pending JPH02203603A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 高周波高出力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02203603A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268420A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-28 | 松下電器産業株式会社 | ジユ−サ− |
| JPS6328142U (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP1024624A patent/JPH02203603A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268420A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-28 | 松下電器産業株式会社 | ジユ−サ− |
| JPS6328142U (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 |
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