JPH02203542A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野］ この発明は、例えばフィルムキャリアを用いてトランス
ファーモールド法により樹脂封止を行う半導体装置の製
造方法に関し、特に封止用の樹脂の外形形状の形成に関
するものである。

［従来の技術］ 第３図は従来例を示す半導体チップをフィルムキャリア
に実装した平面図であり、第４図はそのＩＶ−ＩＶ拡大
断面の半導体チップ（５）に樹脂供給器（１５）で封止
用の樹脂（１２）を滴下してポツテングした図である。

図において（１）は厚さ７５〜１００μｍ程度のフィル
ムキャリア（以下フィルムという）　、（２）はフィル
ム（１）に設けられた導電率の高い厚さ３０〜４０μｍ
１幅５０〜３００マイクロメ一タ程度の金属箔からなり
、先端部は半導体チップ（５）に接続されるフィンガー
　（３）はアウタリード、（４）はフィルムキャリア（
１）を移動させるためのスプロケット穴、（５）は半導
体チップ、（８）はデバイスホール、（９）はフィルム
キャリア（１）に設けられたホール、（１２）は封止用
の樹脂、（１４）は封止用の樹脂（１２）のとび、（１
５）は樹脂供給器、（１Ｂ）は半導体チップ（５）に取
付けられたバンブである。

上記の従来のフィルムキャリアを用いた半導体装置のポ
ツテング方式について以下に説明する。

フィルム（１）の下方からデバイスホール（１２）内に
半導体チップ（５）を挿入し、バンブ（ｉｏ）とフィン
ガー（２）とを熱圧縮等の方法で接続して、第４図に示
す樹脂供給器（１５）により封止用の樹脂（１２）を接
続された半導体チップ（５）に滴下すると、湾曲した形
状にポツテングされる。しかし、樹脂供給器（１５）で
ポツテングしているので封止用の樹脂（１２）が飛散り
、第４図の封止用の樹脂（１２）のとび（１４）として
アウタリード（３）あるいはフィルムキャリア（１）に
付着する。この封止用の樹脂（１２）のとび（１４）を
綿棒等により、取り除くか、あるいは不良品としていた
。

また樹脂供給器（１５）は半導体チップ（５）の中央を
中心として、滴下するので上記で説明したように封止用
の樹脂（１２）が湾曲した形状となり所望とする外形形
状が実現しにくく厚さがでず、かつ平面形状が不安定に
形成される。

上記の問題点を解決する製造方式としてトランスファー
モールド法による樹脂封止の方法が考えられるが、これ
は以下に述べる理由により実施することができなかった
。

第５図はトランスファーモールド法を用いた樹脂対土方
法を示す拡大断面図であり、（１）〜（９）は上記第３
図及び第４図で説明したものと同様なものである。図に
おいて、（ｌＯ）は封止用の樹脂（■２）を注入するポ
ット、（１１）は金型である。

これは、第３図に示しているＤ−Ｄ記号に囲まれた部分
に金型（１１）を被せ、その金型（１１）の凹みがデバ
イスホール（８）を覆うようにし、ボット（ｌＯ）から
ゲート（７）を介し、封止用の樹脂（１２）を注入し、
金型（１１）の凹みに樹脂を流入して固定せしめ、樹脂
封止をしようとするものである。

第６図は封止用の樹脂（１２）が固まった後に金型（１
１）を取り除いた平面図であり、図において、（１）〜
（１２）は上記と同様なものである。

これは、金型（１１）を取り除くと、アウタリード（３
）とアウタリード（３）間はアウタリード（３）の厚み
があるため、金型（１１）を被せても完全に密閉できな
いので、封止用の樹脂（１２）を注入すると隙間から封
止用の樹脂（１２）が洩れてしまい、所望の形状に樹脂
の外形を形成することができないので、トランスファー
モールド法を実施することができなかった。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の半導体の製造方法では、ポツテング
法で樹脂封止する場合は、封止用の樹脂を樹脂供給器で
滴下するため封止用の樹脂が飛散ったり、湾曲してポツ
テングされるので外形形状を一定にすることができず、
また飛散った封止用の樹脂を取り除く場合には、綿棒等
で取り除くか、あるいは不良品としていたので、修正の
ための工数がかかるとか、歩留りが低下する等の問題点
があった。

またトランスファーモールド法の場合は、アウタリード
とアウタリードの間に凹みができるため、封止用の樹脂
がこの凹みから洩れ、トランスファーモールド法を実施
することができないという問題点があった。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、トランスファーモールド法で樹脂封止しても封止
用の樹脂が洩れず、所望の形に樹脂形状が形成できる半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の
入出力端子に接続される導電性のフィンガー及びフィン
ガーのリードとなるアウタリードと半導体を固着するエ
リアを囲むようにしてアウタリードに接続され、かつ、
その厚さがアウタリードと同じであるタイバーを有した
リードフレームをフィルムキャリアの表側に形成し、半
導体装置をフィルムキャリアの裏側からフィンガーに接
続する第１の製造工程と、第１の実装工程により得られ
た前記タイバーに囲まれたエリアをフィルムキャリアの
表裏から金型により、トランスファーモールド法により
樹脂封止する第２の製造工程と、金型を取り除いた後に
タイバーを切削し、アウタリードを残す第３の実装工程
とで製造するものである。

［作用］ この発明においては、フィルムキャリアの表側の半導体
装置を固着するエリアを、同じ厚さのアウタリードとタ
イバーで接続してリードフレームとして、囲むように形
成する第１の製造工程により、金型でトランスファーモ
ールド法による樹脂封止を実施する第２の製造工程をし
ても、エリアから封止用の樹脂が洩れず、封止用の樹脂
が固着し、第３の製造工程で前記第１の工程でえられた
タイバーを切削すると所定の封止樹脂外形が形成されア
ウタリードかのこる。

［実施例］ 第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明のトランスファーモール
ド法による樹脂対土方法を用いた半導体装置の製造方式
の製造工程の一つの実施例を説明する図であり、この製
造方式は後述する第１の工程から第５の工程よりなって
いる。以下図面を用いてこれらを説明する。

第１図（ａ）はこの発明の第１の工程を示す平面図であ
り、図において、（１）はフィルムキャリア、（２）は
フィンガー　（３）はアウタリード、（４）はスプロケ
ット穴、（５）は半導体チップ、（６）は導電性の素材
であるフィンガー（２）及びアウタリード（３）と接続
し半導体チップ（５）を囲むようにフィルムキャリア（
１）に形成されるタイバー　　（８）はデバイスホール
、（９）はフィルムキャリア（１）に設けられたホール
である。

これは、フィルムキャリア（１）に同じ厚みでフィンガ
ー（２）及びアウタリード（３）、タイバー（８）をフ
ォト技術により、デバイスホール（８）を囲むようにし
て同時に形成する。その後に半導体チップ（５）をフィ
ルムキャリア（１）の裏側よりフィンガー　（２）に熱
圧着等により接続する。

次に第２の工程であるｍ１図（ｂ）は第１図（ａ）のＤ
−Ｄ記号に囲まれた部分に金型を用いてトランスファー
モールド法により樹脂封止をするときのｂ−ｂ断面拡大
図であり、図において、（７）を除き、（１）〜（９）
は第１図（ａ）と同様なものであり、（７）は後述する
封止用の樹脂（１２）を注入するために細くされたゲー
ト、（１０）は封止用の樹脂を挿入する部分であるポッ
ト、（１１）は金型、（１２）は封止用の樹脂、（ＩＢ
）は半導体（５）に接続されたバンブである。

上記の第２の工程について以下に説明する。

第１図（ａ）のＤ−Ｄ記号に囲まれた部分に半導体チッ
プ（５）を包み込む金型で密閉し、ポット（１０）より
封止用の樹脂（１２）を注入すると、ゲート（７）を介
して金型り１１）の凹みに注入される。ここでタイバー
（６）とアウタリード（３）はともに接続され、その厚
さも同じにしてデバイスホール（８）を囲っであるので
、注入された封止用の樹脂（１２）はタイバー（８）か
ら洩れずに金型（１１）の凹みの空間部全体に注入され
る。

次に第１図（ｅ）は第３の工程を示した拡大断面図であ
り、（１）〜（１２）は上記第１図（Ｃ）と同様なもの
である。以下に第３の工程を説明する。

これは、第１図（ｂ）の第２の工程で注入した封止用の
樹脂（１２）が固まった後に金型（１１）を取り除くと
、封止用の樹脂（１２）は金型の凹みに対応して例えば
四角型に樹脂封止される（トランスファーモールド）。

第１図（ｄ）は第４の工程をホす平面図であり、これは
、金型（１１）を取り除いたものである。

図において（１）〜（９）は上記第１図（Ｃ）と同様な
ものである。この図の工程段階ではフィンガー（２）及
びアウタリード（３）と接続されてデバイスホール（８
）を囲んでいるタイバー（６）がまだ残っていることを
示している。

第１図（ｅ）は第５の工程を示す平面図であり、図にお
いて、（１）〜（１２）は上記第１図（ｄ）と同様なも
のである。（１３）は切削箇所である。この図において
はタイバー（６）がまだ残っているので斜線でしめされ
た畿所をプレス加工等により切削するとタイバー（６）
及びゲート（７）が切削される。

第１図（ｆ）は第１図（ｅ）の第５の工程が終了した完
成平面図である。第１図（ｇ）はｇ−ｇ断面拡大図であ
る。図において、（１）〜（１２）は上記第１図（ｄ）
と同様なものである。上記第１の工程から第５の工程を
実施することにより、金型（１１）の凹みに封止用の樹
脂（１２）を注入してもアウタリード（３）の隙間より
封止用の樹脂（１２）が洩れずに所望の形で樹脂封止が
完成したことを示している。

第２図は別の実施例を示す図であり、図に示すようにフ
ィルムキャリア（１）にホール（９）をあけずにデバイ
スホール（８）を半導体チップ（５）と同程度にあけた
フィルムキャリア（１）を使用しても上記第１の工程か
ら第５の工程を実施することにより、アウタリード（３
）の隙間より封止用の樹脂（１２）が洩れずに所望の形
でトランスファーモールド法による樹脂封止を完成する
ことができる。

なお、上記実施例では半導体チップの突起であるバンブ
が半導体チップ側に形成される一般的なフィルムキャリ
ア式の実装について述べているが、バンブをフィルムキ
ャリア側に形成して行われる特殊なフィルムキャリア（
メサ式ＴＡＢテープ及び転写バンブ式ＴＡＢテープ）に
適用しても良く、その効果は同様に得られる。またタイ
バー（６）はフィンガー（２）及びアウタリード（３）
の形成後のメツキ工程において、メツキ用の短絡配線と
して利用してもよく、本発明の効果を妨げるものではな
い。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、半導体装置を実装する
エリアをアウタリードと同じ厚さであるタイバーで囲む
ようにしたので、トランスファーモールドを実施しても
封止用の樹脂が洩れずに所定の厚みと形状の樹脂封止外
形を実現することができ、さらに封止用の樹脂が飛散る
ことはないという効果が得られている。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）はこの発明の一つの実施例の第１の工程を
示す平面図、第１図（ｂ）は第２の工程のｂ−す断面拡
大図、第１図（Ｃ）は第３の工程を示した拡大断面図、
第１図（ｄ）は第４の工程を示す平面図、第１図（ｅ）
は第５の工程を示す平面図、第１図（ｒ）は第１図（ｅ
）の第５の工程が終了した完成平面図、第１図（ｇ）は
ｇ−ｇ断面拡大図、第２図は別の実施例を示す平面図、
第３図は従来例を示す半導体チップをフィルムキャリア
に実装した平面図、第４図はＩＶ−ＩＶ拡大断面図、第
５図は従来のトランスファーモールド法による樹脂封止
方法を示す拡大断面図、第６図は金型を封止用の樹脂が
固まった後に取り除いた平面図である。 図において、（１）はフィルムキャリア、（２）はフィ
ンガー　（３）はアウタリード、（４）はスプロケット
穴、（５）は半導体チップ、（６）はタイバー（７）は
ゲート、（８）はデバイスホール、（９）はフィルムキ
ャリア（１）に設けられたホール、（１１）はトラスフ
ァーモールド用金型、（１２）は封止用の樹脂、（１３
）は切断箇所、（１４）は封止用の樹脂のとび、（１Ｂ
）は半導体チップ（５）に付けられたバンブである。 第１図 （ｂ） 代理人　弁理士　佐々木　宗　治 第１図 第１図 Ｉｆ） 第１図 （ｅ） 第４図 Ｏ 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体装置の入出力端子に接続される導電性のフ
   ィンガー及び前記フィンガーのリードとなるアウタリー
   ドと前記半導体を固着するエリアを囲むようにして前記
   アウタリードに接続され、かつ、その厚さが前記アウタ
   リードと同じであるタイバーを有したリードフレームを
   フィルムキャリアの表側に形成し、前記半導体装置を前
   記フィルムキャリアの裏側から前記フィンガーに接続す
   る第１の製造工程と、 前記第１の実装工程により得られた前記タイバーに囲ま
   れたエリアを前記フィルムキャリアの表裏から金型によ
   り、トランスファーモールド法による樹脂封止する第２
   の製造工程と、 前記金型を取り除いた後に前記タイバーを切削し、前記
   アウタリードを残す第３の実装工程と、を特徴とする半
   導体装置の製造方法。