JPH0219921B2 - - Google Patents
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- JPH0219921B2 JPH0219921B2 JP55115275A JP11527580A JPH0219921B2 JP H0219921 B2 JPH0219921 B2 JP H0219921B2 JP 55115275 A JP55115275 A JP 55115275A JP 11527580 A JP11527580 A JP 11527580A JP H0219921 B2 JPH0219921 B2 JP H0219921B2
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/022—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from molten glass in which the resultant product consists of different sorts of glass or is characterised by shape, e.g. hollow fibres, undulated fibres, fibres presenting a rough surface
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明はコアクラツド型構造を有するイオン
結晶光フアイバの製造方法に関するものである。
結晶光フアイバの製造方法に関するものである。
イオン結晶光フアイバの製造については、多結
晶プリフオームを押出し、圧延することによつて
多結晶型イオン光フアイバを得る方法や、溶融塩
からの引上げ法により単結晶の光フアイバを得る
方法がある。コアクラツド型の光フアイバの製造
については、石英系ではCVD法やVAD法などの
秀れた方法があるが、イオン結晶では、まずコア
フアイバを溶融塩から引き上げ、その上にクラツ
ドをコーテイングするなどの方法がとられてきた
が、クラツドの厚みを十分に取ることができず、
コアとクラツドとの界面が、はじめにコアをつく
り、ついてクラツドを付着するため、均一になら
ず、この界面での赤外光の散乱損失があるなどの
欠点があつた。
晶プリフオームを押出し、圧延することによつて
多結晶型イオン光フアイバを得る方法や、溶融塩
からの引上げ法により単結晶の光フアイバを得る
方法がある。コアクラツド型の光フアイバの製造
については、石英系ではCVD法やVAD法などの
秀れた方法があるが、イオン結晶では、まずコア
フアイバを溶融塩から引き上げ、その上にクラツ
ドをコーテイングするなどの方法がとられてきた
が、クラツドの厚みを十分に取ることができず、
コアとクラツドとの界面が、はじめにコアをつく
り、ついてクラツドを付着するため、均一になら
ず、この界面での赤外光の散乱損失があるなどの
欠点があつた。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、充分な厚みのクラツド
を有し、コアとクラツドとの界面が均一でロスが
少なく、更に製造時間の短縮化が達せられるコ
ア・クラツド型のイオン結晶光フアイバの製造方
法を提供することにあり、初めに、クラツドとな
るイオン結晶あるいは金属からなる中空細径のフ
アイバあるいはパイプを形成し、ついでこの中空
細径のフアイバあるいはパイプ中にコアとなるイ
オン結晶の溶融物を吸引して多結晶状態で充填し
たのち、充填されたコアとなる多結晶のイオン結
晶をゾーンメルト法によつて単結晶化させること
を特徴するものである。
その目的とするところは、充分な厚みのクラツド
を有し、コアとクラツドとの界面が均一でロスが
少なく、更に製造時間の短縮化が達せられるコ
ア・クラツド型のイオン結晶光フアイバの製造方
法を提供することにあり、初めに、クラツドとな
るイオン結晶あるいは金属からなる中空細径のフ
アイバあるいはパイプを形成し、ついでこの中空
細径のフアイバあるいはパイプ中にコアとなるイ
オン結晶の溶融物を吸引して多結晶状態で充填し
たのち、充填されたコアとなる多結晶のイオン結
晶をゾーンメルト法によつて単結晶化させること
を特徴するものである。
以下、この発明を詳しく説明する。
この発明で用いられるクラツドとなるイオン結
晶としては、LiF、NaF、NaCl、KCl、KBr、
KI、CsBr、CsIなどのアルカリ金属のハロゲン
化物、CaF2、BaF2、MgF2などのアルカリ土類
金属のハロゲン化物、CuCl2、AgCl、AgBrなど
の銅族元素のハロゲン化物およびZnCl2などの亜
鉛族元素のハロゲン化物からなるイオン結晶の群
から選択されるイオン結晶が用いられ、またクラ
ツドとなる金属としては、赤外光に対して高い反
射率を有する金属、例えばアルミニウム（Al）、
金（Au）、白金（Pt）、銀（Ag）、ニツケル
（Ni）、鉄（Fe）が用いられる。また、コアとな
るイオン結晶としては上記のアルカリ金属のハロ
ゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、銅
族元素のハロゲン化物、亜鉛族元素のハロゲン化
物からなるイオン結晶の群から選択されるイオン
結晶が用いられるが、クラツドとなるイオン結晶
の屈折率よりも高い屈折率を有しかつ、クラツド
となるイオン結晶の融点よりも低い融点を有する
ものに限定される。ただし、クラツドとして赤外
光に対して高い反射率を有する金属を用いる場合
にはこの限りではない。
晶としては、LiF、NaF、NaCl、KCl、KBr、
KI、CsBr、CsIなどのアルカリ金属のハロゲン
化物、CaF2、BaF2、MgF2などのアルカリ土類
金属のハロゲン化物、CuCl2、AgCl、AgBrなど
の銅族元素のハロゲン化物およびZnCl2などの亜
鉛族元素のハロゲン化物からなるイオン結晶の群
から選択されるイオン結晶が用いられ、またクラ
ツドとなる金属としては、赤外光に対して高い反
射率を有する金属、例えばアルミニウム（Al）、
金（Au）、白金（Pt）、銀（Ag）、ニツケル
（Ni）、鉄（Fe）が用いられる。また、コアとな
るイオン結晶としては上記のアルカリ金属のハロ
ゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、銅
族元素のハロゲン化物、亜鉛族元素のハロゲン化
物からなるイオン結晶の群から選択されるイオン
結晶が用いられるが、クラツドとなるイオン結晶
の屈折率よりも高い屈折率を有しかつ、クラツド
となるイオン結晶の融点よりも低い融点を有する
ものに限定される。ただし、クラツドとして赤外
光に対して高い反射率を有する金属を用いる場合
にはこの限りではない。
以下、図面に基づいて、製造方法を説明する。
第１図ないし第３図はこの発明のコア・クラツド
型イオン結晶光フアイバの製造方法を実施するた
めの製造装置の１例を示すもので、第１図はクラ
ツドとなる単結晶のイオン結晶の中空細径フアイ
バを得る装置である。クラツドとなる溶融イオン
結晶１が溶融ルツボ２に満され、外部より、高周
波コイル３で誘導加熱されている。溶融イオン結
晶１は同心２重管ダイス４より引き上げられてク
ラツドとなる中空細径のフアイバ５が得られる。
この引き上げる際、同心２重管ダイス４の寸法に
適合する寸法を有する中空筒状の単結晶の種結晶
を溶融イオン結晶１にダイス４をとうして浸し、
種結晶を徐々に引き上げて、単結晶のイオン結晶
の中空細径のフアイバ５が得られるようにする。
このようにして得られた中空細径のイオン結晶の
フアイバ５は巻取機（図示せず）によつてドラム
に巻取られる。
第１図ないし第３図はこの発明のコア・クラツド
型イオン結晶光フアイバの製造方法を実施するた
めの製造装置の１例を示すもので、第１図はクラ
ツドとなる単結晶のイオン結晶の中空細径フアイ
バを得る装置である。クラツドとなる溶融イオン
結晶１が溶融ルツボ２に満され、外部より、高周
波コイル３で誘導加熱されている。溶融イオン結
晶１は同心２重管ダイス４より引き上げられてク
ラツドとなる中空細径のフアイバ５が得られる。
この引き上げる際、同心２重管ダイス４の寸法に
適合する寸法を有する中空筒状の単結晶の種結晶
を溶融イオン結晶１にダイス４をとうして浸し、
種結晶を徐々に引き上げて、単結晶のイオン結晶
の中空細径のフアイバ５が得られるようにする。
このようにして得られた中空細径のイオン結晶の
フアイバ５は巻取機（図示せず）によつてドラム
に巻取られる。
クラツドに赤外光に対して高い反射率を有する
金属を用いる場合には、これら金属で形成された
細径のパイプあるいはこれら金属を内周壁にメツ
キ、蒸着などの手段によりコーテイングしたパイ
プを用意し、その内周壁を平滑に、清浄にしてお
く。
金属を用いる場合には、これら金属で形成された
細径のパイプあるいはこれら金属を内周壁にメツ
キ、蒸着などの手段によりコーテイングしたパイ
プを用意し、その内周壁を平滑に、清浄にしてお
く。
ついで、中空細径のイオン結晶のフアイバ５お
よび赤外光に対して高い反射率を有する金属から
なる細径のパイプの中空部にコアとなるイオン結
晶を充填する。この作業は第２図に示す装置を用
いてなされる。ドラム６に巻回された中空細径の
イオン結晶のフアイバ５あるいは金属からなる細
径のパイプの一端は真空ポンプ７に接続されたト
ラツプ８に接続され、他端はコアとなる溶融イオ
ン結晶９中に差し込まれている。そして、真空ポ
ンプ７以外は大型の炉１０の内部に置かれてい
る。この炉１０の内部温度はコアとなるイオン結
晶９の融点よりも高い温度でかつクラツドとなる
中空細径のイオン結晶のフアイバ５の融点よりも
低い温度に保たれている。真空ポンプ７を動作さ
せて中空細径のフアイバ５あるいは金属からなる
細径のパイプの中空部を減圧とし、この中空部に
溶融イオン結晶９を溶融状態で導びき込む。十分
に溶融イオン結晶９がフアイバ５あるいはパイプ
の中空部に充填されたならば、真空ポンプ７の動
作作を停止し、炉１０の温度を徐々に低下させた
のち、コアのイオン結晶９が充填された中空細径
のフアイバ５あるいは金属からなるパイプは第３
図に示す炉１１内にうつされる。
よび赤外光に対して高い反射率を有する金属から
なる細径のパイプの中空部にコアとなるイオン結
晶を充填する。この作業は第２図に示す装置を用
いてなされる。ドラム６に巻回された中空細径の
イオン結晶のフアイバ５あるいは金属からなる細
径のパイプの一端は真空ポンプ７に接続されたト
ラツプ８に接続され、他端はコアとなる溶融イオ
ン結晶９中に差し込まれている。そして、真空ポ
ンプ７以外は大型の炉１０の内部に置かれてい
る。この炉１０の内部温度はコアとなるイオン結
晶９の融点よりも高い温度でかつクラツドとなる
中空細径のイオン結晶のフアイバ５の融点よりも
低い温度に保たれている。真空ポンプ７を動作さ
せて中空細径のフアイバ５あるいは金属からなる
細径のパイプの中空部を減圧とし、この中空部に
溶融イオン結晶９を溶融状態で導びき込む。十分
に溶融イオン結晶９がフアイバ５あるいはパイプ
の中空部に充填されたならば、真空ポンプ７の動
作作を停止し、炉１０の温度を徐々に低下させた
のち、コアのイオン結晶９が充填された中空細径
のフアイバ５あるいは金属からなるパイプは第３
図に示す炉１１内にうつされる。
第３図に示す装置はコアのイオン結晶を単結晶
とするためのもので、炉１１はコアのイオン結晶
の融点よりもわずかに高い温度に保たれている。
コアのイオン結晶からなる単結晶の種結晶をコア
の直径に一致するように円柱状に形成し、フアイ
バ５あるいは金属からなるパイプの中心部の溶融
状態のイオン結晶に浸しつつ、フアイバ５あるい
は金属からなるパイプを0.3〜５cm／分の速度で
炉外へ引き上げてゆく。この引き上げ速度はフア
イバ５あるいはパイプの径によつて異る。また、
炉の引き上げ部１１ａの温度はコアのイオン結晶
の融点に対して±２℃以内に保つことが必要であ
る。この操作によりコアのイオン結晶は単結晶と
なり、損失の少ない光フアイバが得られる。
とするためのもので、炉１１はコアのイオン結晶
の融点よりもわずかに高い温度に保たれている。
コアのイオン結晶からなる単結晶の種結晶をコア
の直径に一致するように円柱状に形成し、フアイ
バ５あるいは金属からなるパイプの中心部の溶融
状態のイオン結晶に浸しつつ、フアイバ５あるい
は金属からなるパイプを0.3〜５cm／分の速度で
炉外へ引き上げてゆく。この引き上げ速度はフア
イバ５あるいはパイプの径によつて異る。また、
炉の引き上げ部１１ａの温度はコアのイオン結晶
の融点に対して±２℃以内に保つことが必要であ
る。この操作によりコアのイオン結晶は単結晶と
なり、損失の少ない光フアイバが得られる。
以下、実施例に基づいてこの発明を具体的に説
明する。
明する。
〔実施例 １〕
第１図に示した装置を用いてCaF2の単結晶の
内径0.5mm、外径1.1mmの中空フアイバを得た。
CaF2の溶融温度は1380℃であつた。同心２重管
ダイスの内径は0.6mm、外径は１mmであつた。こ
の長さ3mのCaF2の中空フアイバ内に第２図に示
した装置を用いて、800℃の溶融したKBrを充填
した。ついで、第３図に示した装置により、
KBrの単結晶を0.45mmφに切り出した円柱状の種
結晶を溶融KBrに浸しつつ1.0cm／ｍ分の速度で
フアイバを引上げてゆき、KBrを単結晶化させ
た。炉の温度は735℃に保つた。この結果、外径
1.1mm、コア径0.5mm、長さ2.6mのコアKBr、クラ
ツドCaF2の赤外用コア・クラツド型イオン結晶
光フアイバが得られた。
内径0.5mm、外径1.1mmの中空フアイバを得た。
CaF2の溶融温度は1380℃であつた。同心２重管
ダイスの内径は0.6mm、外径は１mmであつた。こ
の長さ3mのCaF2の中空フアイバ内に第２図に示
した装置を用いて、800℃の溶融したKBrを充填
した。ついで、第３図に示した装置により、
KBrの単結晶を0.45mmφに切り出した円柱状の種
結晶を溶融KBrに浸しつつ1.0cm／ｍ分の速度で
フアイバを引上げてゆき、KBrを単結晶化させ
た。炉の温度は735℃に保つた。この結果、外径
1.1mm、コア径0.5mm、長さ2.6mのコアKBr、クラ
ツドCaF2の赤外用コア・クラツド型イオン結晶
光フアイバが得られた。
〔実施例 ２〕
〔実施例１〕と同様にして、内径0.6mm、外径
1.5mmの同心２重管ダイスを用いて、内径0.5mm外
径1.6mmのCaF2の中空フアイバを得た。この中空
フアイバに480℃にて溶融したAgClを充填した。
ついで、458℃に保つた炉からAgClの種結晶を用
いて〔実施例１〕と同様に1.5cm／分の速度でフ
アイバを引きだしAgClを単結晶化させた。この
様にして得られたイオン結晶光フアイバは外径
1.6mm、コア径0.5mmで、CO2レーザー光（λ＝
10.6μm）を用いて損失を測定したところ0.1dB／
ｍであつた。
1.5mmの同心２重管ダイスを用いて、内径0.5mm外
径1.6mmのCaF2の中空フアイバを得た。この中空
フアイバに480℃にて溶融したAgClを充填した。
ついで、458℃に保つた炉からAgClの種結晶を用
いて〔実施例１〕と同様に1.5cm／分の速度でフ
アイバを引きだしAgClを単結晶化させた。この
様にして得られたイオン結晶光フアイバは外径
1.6mm、コア径0.5mmで、CO2レーザー光（λ＝
10.6μm）を用いて損失を測定したところ0.1dB／
ｍであつた。
〔実施例 ３〕
内径0.6mm、外径1.8mmのステンレスパイプの内
周面に金（Au）を蒸着したパイプに〔（実施例
２〕と同様の方法により、AgClを充填し、単結
晶化させて、金属の反射管を有するイオン結晶光
フアイバを得た。金属の反射管を有する場合は、
機械的強度が高く、定形の形状を有するイオン結
晶光フアイバが得られる利点がある。
周面に金（Au）を蒸着したパイプに〔（実施例
２〕と同様の方法により、AgClを充填し、単結
晶化させて、金属の反射管を有するイオン結晶光
フアイバを得た。金属の反射管を有する場合は、
機械的強度が高く、定形の形状を有するイオン結
晶光フアイバが得られる利点がある。
以上説明したようにこの発明のコアクラツド型
イオン結晶光フアイバの製造方法は、クラツドと
なるイオン結晶あるいは金属からなる中空細径の
フアイバあるいはパイプ中にコアとなるイオン結
晶の溶融物を吸引して充填し、充填されたコアと
なる多結帥晶のイオン結晶をゾーンメルト法によ
つて単結晶せしめるものであるので、充分な厚み
のクラツドを有し、コアとクラツドとの界面が均
一で光損失の少ないイオン結晶光フアイバが得ら
れ、更に工数が少ないので製造時間の短縮化がは
かられ、クラツドに金属からなるパイプを用いた
場合には、機械的強度が高く定形の形状を有する
イオン結晶光フアイバが得られるなどの利点を有
する。また、長尺のイオン結晶光フアイバを製造
することが可能である。
イオン結晶光フアイバの製造方法は、クラツドと
なるイオン結晶あるいは金属からなる中空細径の
フアイバあるいはパイプ中にコアとなるイオン結
晶の溶融物を吸引して充填し、充填されたコアと
なる多結帥晶のイオン結晶をゾーンメルト法によ
つて単結晶せしめるものであるので、充分な厚み
のクラツドを有し、コアとクラツドとの界面が均
一で光損失の少ないイオン結晶光フアイバが得ら
れ、更に工数が少ないので製造時間の短縮化がは
かられ、クラツドに金属からなるパイプを用いた
場合には、機械的強度が高く定形の形状を有する
イオン結晶光フアイバが得られるなどの利点を有
する。また、長尺のイオン結晶光フアイバを製造
することが可能である。
第１図ないし第３図はこの発明を実施するため
製造装置の一例を示すもので、第１図はイオン結
晶のクラツドとなる中空細径のフアイバを得るた
めの装置の説明図、第２図は中空細径のフアイバ
あるいは金属からなるパイプにコアとなる溶融イ
オン結晶を充填するための装置の説明図、第３図
はコアとなるイオン結晶を単結晶化するため装置
の説明図である。 １……クラツドとなる溶融イオン結晶、２……
溶融ルツボ、３……高周波コイル、４……同心２
重管ダイス、５……クラツドとなるイオン結晶の
中空細径のフアイバ、９……コアとなる溶融イオ
ン結晶、１０，１１……炉。
製造装置の一例を示すもので、第１図はイオン結
晶のクラツドとなる中空細径のフアイバを得るた
めの装置の説明図、第２図は中空細径のフアイバ
あるいは金属からなるパイプにコアとなる溶融イ
オン結晶を充填するための装置の説明図、第３図
はコアとなるイオン結晶を単結晶化するため装置
の説明図である。 １……クラツドとなる溶融イオン結晶、２……
溶融ルツボ、３……高周波コイル、４……同心２
重管ダイス、５……クラツドとなるイオン結晶の
中空細径のフアイバ、９……コアとなる溶融イオ
ン結晶、１０，１１……炉。
Claims (1)
- １ クラツドとなるイオン結晶あるいは赤外光に
対して高い反射率を有する金属から形成された細
径の中空管体にコアとなる多結晶のイオン結晶を
溶融状態で吸引して充填し、ついで充填されたコ
アとなる多結晶のイオン結晶をゾーンメルト法に
よつて単結晶化させることを特徴とするコアクラ
ツド型イオン結晶光フアイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55115275A JPS5740204A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Production of core clad type ionic crystal optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55115275A JPS5740204A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Production of core clad type ionic crystal optical fiber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5740204A JPS5740204A (en) | 1982-03-05 |
| JPH0219921B2 true JPH0219921B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=14658621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55115275A Granted JPS5740204A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Production of core clad type ionic crystal optical fiber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5740204A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231945A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子の製造方法 |
| JPH05305393A (ja) * | 1991-06-19 | 1993-11-19 | Morikawa Sangyo Kk | 鋳物の鋳造方法及び鋳造装置 |
| CN111170629B (zh) * | 2020-01-09 | 2022-06-07 | 华南理工大学 | 一种纤芯单晶化后处理方法以及纤芯单晶化装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160534A (ja) * | 1974-09-24 | 1976-05-26 | Post Office |
-
1980
- 1980-08-21 JP JP55115275A patent/JPS5740204A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160534A (ja) * | 1974-09-24 | 1976-05-26 | Post Office |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5740204A (en) | 1982-03-05 |
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