JPH02198207A - シングルバランスドミキサ回路 - Google Patents
シングルバランスドミキサ回路Info
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- JPH02198207A JPH02198207A JP23209389A JP23209389A JPH02198207A JP H02198207 A JPH02198207 A JP H02198207A JP 23209389 A JP23209389 A JP 23209389A JP 23209389 A JP23209389 A JP 23209389A JP H02198207 A JPH02198207 A JP H02198207A
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- impedance
- frequency
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- balanced mixer
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- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
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Landscapes
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はシングルバランスドミキサ回路に関し、特にハ
イブリッドトランスフォーマ及び電界効果トランジスタ
素子を用いて構成したシングルバランスドミキサ回路に
関するものである。
イブリッドトランスフォーマ及び電界効果トランジスタ
素子を用いて構成したシングルバランスドミキサ回路に
関するものである。
背景技術
かかるシングルバランスドミキサ回路の従来例を第６図
に示す。
に示す。
第６図において、１は４端子ハイブリッドトランスフォ
ーマを示し、その入力端１１にＲＦ（高周波）信号が供
給されている。ハイブリッドトランスフォーマ１の他の
１端子には、電界効果トランジスタ２及び３のチャンネ
ル電流を設定する為の抵抗Ｒ１と高周波的に接地する為
のコンデンサＣ２が接続されている。
ーマを示し、その入力端１１にＲＦ（高周波）信号が供
給されている。ハイブリッドトランスフォーマ１の他の
１端子には、電界効果トランジスタ２及び３のチャンネ
ル電流を設定する為の抵抗Ｒ１と高周波的に接地する為
のコンデンサＣ２が接続されている。
又、このハイブリッドトランスフォーマ１の他の入力端
子Ｐ１にはＦＥＴ （電界効果トランジスタ）２及び３
をミキシング動作させる為の局発信号が印加されている
。
子Ｐ１にはＦＥＴ （電界効果トランジスタ）２及び３
をミキシング動作させる為の局発信号が印加されている
。
このハイブリッドトランスフォーマ１の出力端０１及び
０２にはＦＥＴ２及び３の各チャンネル部の入力である
ソースが夫々接続され、ＦＥＴ２及び３のチャンネルの
出力であるドレインには中間周波同調回路４の入力端が
夫々接続されている。
０２にはＦＥＴ２及び３の各チャンネル部の入力である
ソースが夫々接続され、ＦＥＴ２及び３のチャンネルの
出力であるドレインには中間周波同調回路４の入力端が
夫々接続されている。
両ＦＥＴ２及び３の各ゲートは共に接地されている。
当該同調回路４はコンデンサＣ１及びコイルＬ１の並列
回路構成であって、ＩＦ（中間周波）信号に同調するよ
うに調整されている。このコイルＬ１とコンデンサＣ１
によって、選択的に出力されたＩＦ倍信号コイルＬ２を
介して、平衡−不平衡変換されて出力端に出力される。
回路構成であって、ＩＦ（中間周波）信号に同調するよ
うに調整されている。このコイルＬ１とコンデンサＣ１
によって、選択的に出力されたＩＦ倍信号コイルＬ２を
介して、平衡−不平衡変換されて出力端に出力される。
尚コイルＬ１の中間タップに電源十Ｂが印加されてこの
ミキサ回路のＦＥＴ２及び３のバイアス電圧となってい
る。コンデンサＣ３はバイパス用コンデンサである。
ミキサ回路のＦＥＴ２及び３のバイアス電圧となってい
る。コンデンサＣ３はバイパス用コンデンサである。
かかる構成により、ＲＦ信号入力と局発信号入力とが混
合されて得られる周波数成分から、例えば、画周波数の
差の周波数成分のみが同調回路４により分離されて、該
分離信号がＩＦ倍信号してＩＦ出力端に供給されるので
ある。
合されて得られる周波数成分から、例えば、画周波数の
差の周波数成分のみが同調回路４により分離されて、該
分離信号がＩＦ倍信号してＩＦ出力端に供給されるので
ある。
ハイブリッドトランスフォーマ１を用いてシングルバラ
ンスドミキサ回路を構成するのは以下の理由による。
ンスドミキサ回路を構成するのは以下の理由による。
すなわち、ＲＦ信号入力端工１と局発入力端子Ｐ１との
間のアイソレーションが極めて良好であることから、入
力したＲＦ倍信号局発入力端子Ｐ１に漏洩することなく
出力端０１と０２とへ１８０″の位相差で出力されるこ
と。又、局発信号は、ＲＦ信号入力端子１１に漏洩する
ことなく出力端子０１と０２に同相にて２分配されるこ
と。更には、整合負荷に対して低損失である等の特性を
有する為、ＲＦ倍信号局発信号とを２分配合成するのに
適していることによる。
間のアイソレーションが極めて良好であることから、入
力したＲＦ倍信号局発入力端子Ｐ１に漏洩することなく
出力端０１と０２とへ１８０″の位相差で出力されるこ
と。又、局発信号は、ＲＦ信号入力端子１１に漏洩する
ことなく出力端子０１と０２に同相にて２分配されるこ
と。更には、整合負荷に対して低損失である等の特性を
有する為、ＲＦ倍信号局発信号とを２分配合成するのに
適していることによる。
上記各特性をＶＩＦ帯に於て十分満足する為には、通常
このハイブリッドトランスフォーマとしてフェライトコ
アを用いた伝送線路形のものが最適となる。しかしなが
ら、フェライトコアを用いた伝送線路形のハイブリッド
トランスフォーマは広帯域特性を示すために、ＩＦ周波
数に対して平衡出力端０１及び０２のインピーダンスは
零でなく、ＲＦ信号源インピーダンス、局発信号源イン
ピーダンス及びトランスの伝送線路インピーダンスに関
連した値をもつ。そのために次段に高性能の低雑音ＦＥ
Ｔ２及び３を用いても、高変換利得、低雑音化を図るこ
とができないという欠点がある。
このハイブリッドトランスフォーマとしてフェライトコ
アを用いた伝送線路形のものが最適となる。しかしなが
ら、フェライトコアを用いた伝送線路形のハイブリッド
トランスフォーマは広帯域特性を示すために、ＩＦ周波
数に対して平衡出力端０１及び０２のインピーダンスは
零でなく、ＲＦ信号源インピーダンス、局発信号源イン
ピーダンス及びトランスの伝送線路インピーダンスに関
連した値をもつ。そのために次段に高性能の低雑音ＦＥ
Ｔ２及び３を用いても、高変換利得、低雑音化を図るこ
とができないという欠点がある。
従来回路における上記した不具合について第７図の等価
回路を用いてより詳細に説明する。
回路を用いてより詳細に説明する。
第７図においてＲｇはハイブリッドトランスフォーマ１
の出力端０１及び０２の出力インピーダンス、ＶＲＦ及
びＵＬｏはハイブリッドトランスフォーマ１によって２
分配合成され出力端０１及び０２にあられれた電圧、Ｖ
ＩＦはミキシング動作によって中間周波同調コイル４の
両端にあられれた電圧である。
の出力端０１及び０２の出力インピーダンス、ＶＲＦ及
びＵＬｏはハイブリッドトランスフォーマ１によって２
分配合成され出力端０１及び０２にあられれた電圧、Ｖ
ＩＦはミキシング動作によって中間周波同調コイル４の
両端にあられれた電圧である。
かかる構成において、同調コイル４の両端に取り出され
る中間周波信号の利得Ｇｙは Ｒ。
る中間周波信号の利得Ｇｙは Ｒ。
ｒ ＋Ｒｇ
と表わされる。ここでｒ、はＦＥＴ２及び３のソースの
高周波インピーダンスであり、ＲＬは同調コイル４の共
振インピーダンスである。ここでＲｇは技術的には増幅
段におけるｄｅｇｅｎｅｔａｔｉｏｎ Ｒｅ５ｉｓｔ
ｏｒ （この和訳は学術的には適当な訳がない。）と呼
ばれるものと同一で、利得低減の働きをする。
高周波インピーダンスであり、ＲＬは同調コイル４の共
振インピーダンスである。ここでＲｇは技術的には増幅
段におけるｄｅｇｅｎｅｔａｔｉｏｎ Ｒｅ５ｉｓｔ
ｏｒ （この和訳は学術的には適当な訳がない。）と呼
ばれるものと同一で、利得低減の働きをする。
又、同時にＲｇから発生するＩＦ酸成分雑音も、同調回
路４の両端に出力されるのである。
路４の両端に出力されるのである。
発明の概要
［発明の目的］
本発明は上述した従来回路の欠点を除去すべくなされた
ものであって、その目的とするところは、高変換利得及
び低雑音特性を有するシングルバランスドミキサ回路を
提供することにある。
ものであって、その目的とするところは、高変換利得及
び低雑音特性を有するシングルバランスドミキサ回路を
提供することにある。
［発明の構成］
本発明によるバランスドミキサ回路は、ハイブリッドト
ランスフォーマと、ＩＦ倍信号対し同調する同調回路と
、このハイブリッドトランスフォーマの出力と同調回路
の入力との間にチャンネル部が夫々挿入されたＦＥＴと
から成り、ハイブリッドトランスフォーマの入力へＲＦ
倍信号、又他の入力端に局発信号を供給するようにした
シングルバランスドミキサ回路において、■Ｆ倍信号対
し、低インピーダンスを低し、かつＲＦ倍信号び局発信
号に対し高インピーダンスを低するインピーダンス手段
をＦＥＴの入力段に挿入してなることを特徴とする。
ランスフォーマと、ＩＦ倍信号対し同調する同調回路と
、このハイブリッドトランスフォーマの出力と同調回路
の入力との間にチャンネル部が夫々挿入されたＦＥＴと
から成り、ハイブリッドトランスフォーマの入力へＲＦ
倍信号、又他の入力端に局発信号を供給するようにした
シングルバランスドミキサ回路において、■Ｆ倍信号対
し、低インピーダンスを低し、かつＲＦ倍信号び局発信
号に対し高インピーダンスを低するインピーダンス手段
をＦＥＴの入力段に挿入してなることを特徴とする。
実施例
第１図は本発明によるシングルバランスドミキサ回路の
一実施例を示す回路図である。第１図に示された回路に
おいて第６図に示された回路と同等部分は同一符号にて
示しその説明は省略する。
一実施例を示す回路図である。第１図に示された回路に
おいて第６図に示された回路と同等部分は同一符号にて
示しその説明は省略する。
本実施例では第７図におけるＲｇの存在に着目しており
、ＦＥＴ２及び３の入力端０１ ＋ ０２におけるＩＦ
周波数に対するインピーダンスをできるだけ小とすべく
、両入力端と接地端にインピーダンス回路５及び６を挿
入している。このインピーダンス回路５，６としては、
例えば第２図（Ａ）に示される如きコイルＬｓとコンデ
ンサＣｓとの直列共振回路を用いる。
、ＦＥＴ２及び３の入力端０１ ＋ ０２におけるＩＦ
周波数に対するインピーダンスをできるだけ小とすべく
、両入力端と接地端にインピーダンス回路５及び６を挿
入している。このインピーダンス回路５，６としては、
例えば第２図（Ａ）に示される如きコイルＬｓとコンデ
ンサＣｓとの直列共振回路を用いる。
この直列共振回路５．６はＩＦ周波数に直列共振してい
るので、そのインピーダンス特性は第３図（Ａ）に示さ
れる如く、ＩＦ周波数ωＩＦにおいてはインピーダンス
が零により、ＲＦ信号周波数ωＲＦ及び局発周波数ωＬ
Ｏにおいては高インピーダンスになっている。
るので、そのインピーダンス特性は第３図（Ａ）に示さ
れる如く、ＩＦ周波数ωＩＦにおいてはインピーダンス
が零により、ＲＦ信号周波数ωＲＦ及び局発周波数ωＬ
Ｏにおいては高インピーダンスになっている。
又、他のインピーダンス回路の一つの例として第２図（
Ｂ）に示される回路がある。このインピーダンス回路は
コイルＬｐとコンデンサＣｐとからなる並列共振回路で
ある。この並列共振回路はＲＦ信号周波数及び局発周波
数近傍で並列共振しており、そのインピーダンス特性は
第３図（Ｂ）のように、１Ｆ周波数ωＩＦにおいて低イ
ンピーダンス、ＲＦ信号周波数ωＲＦ及び局発周波数ω
ＬＯにおいて高インピーダンスになっているので、本発
明の目的にかなうものである。
Ｂ）に示される回路がある。このインピーダンス回路は
コイルＬｐとコンデンサＣｐとからなる並列共振回路で
ある。この並列共振回路はＲＦ信号周波数及び局発周波
数近傍で並列共振しており、そのインピーダンス特性は
第３図（Ｂ）のように、１Ｆ周波数ωＩＦにおいて低イ
ンピーダンス、ＲＦ信号周波数ωＲＦ及び局発周波数ω
ＬＯにおいて高インピーダンスになっているので、本発
明の目的にかなうものである。
第４図は実施例の等価回路であり、第７図に示された等
価回路と同等部分には同一符号を付しその説明は省略す
る。
価回路と同等部分には同一符号を付しその説明は省略す
る。
第４図におけるＲｇｏは、本発明の目的を達成する為に
付加した、ＩＦ周波数に対し低インピーダンスを呈し、
且つＲＦ信号周波数及び局発周波数に対しては高インピ
ーダンスを示すインピーダンス回路である。
付加した、ＩＦ周波数に対し低インピーダンスを呈し、
且つＲＦ信号周波数及び局発周波数に対しては高インピ
ーダンスを示すインピーダンス回路である。
かかる構成において、同調コイル４の両端に取り出され
る中間周波信号の利得Ｇｖ’はと表わされる。
る中間周波信号の利得Ｇｖ’はと表わされる。
ここで、ＲｇｏはＩＦ周波数において、零又は極めて小
なるインピーダンスであるから、（２）式％式％ となって、（１）式に示されるＧｖより大となることが
明らかである。又、Ｒｇから発生したＩＦ酸成分雑音も
、接地に対して短絡されるので、低雑音動作が達成され
る。なお、本発明のシングルバランスドミキサ回路は差
動動作回路であるので、第５図に示されるインピーダン
ス回路７の如くインピーダンス回路を一つにして、ＦＥ
Ｔ２，３のソース間に接続しても全く同様の効果が得ら
れる。
なるインピーダンスであるから、（２）式％式％ となって、（１）式に示されるＧｖより大となることが
明らかである。又、Ｒｇから発生したＩＦ酸成分雑音も
、接地に対して短絡されるので、低雑音動作が達成され
る。なお、本発明のシングルバランスドミキサ回路は差
動動作回路であるので、第５図に示されるインピーダン
ス回路７の如くインピーダンス回路を一つにして、ＦＥ
Ｔ２，３のソース間に接続しても全く同様の効果が得ら
れる。
発明の効果
以上の如く、本発明によれば伝送線路形ハイブリッドト
ランスフォーマを用いたシングルバランスドミキサ回路
におけるＦＥＴの前段に中間周波信号に対して低インピ
ーダンスを呈し、かつ高周波信号及び局発信号に対して
高インピーダンスを呈するインピーダンス回路を挿入す
る構成としたので高変換利得及び低雑音特性を得ること
が可能になって、高性能のシングルバランスドミキサ回
路が得られる。
ランスフォーマを用いたシングルバランスドミキサ回路
におけるＦＥＴの前段に中間周波信号に対して低インピ
ーダンスを呈し、かつ高周波信号及び局発信号に対して
高インピーダンスを呈するインピーダンス回路を挿入す
る構成としたので高変換利得及び低雑音特性を得ること
が可能になって、高性能のシングルバランスドミキサ回
路が得られる。
第１図は、本発明の実施例を示す回路図、第２図（Ａ）
及び（Ｂ）は、第１図に示されたインピーダンス回路５
及び６の一例を示す図、第３図（Ａ）及び（Ｂ）は、イ
ンピーダンス回路５及び６のインピーダンス特性例を示
す図、第４図は、第１図に示されたシングルバランスド
ミキサ回路の等価回路図、第５図は、本発明のシングル
バランスドミキサ回路の他の実施例、第６図は、従来の
シングルバランスドミキサ回路の例を示す回路図、第７
図は、第６図に示されたシングルバランスドミキサ回路
の等価回路図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ハイブリッドトランスフォーマ２．３・
・・・・・ＦＥＴ ４・・・・・・同調回路 ５．６．７・・・・・・インピーダンス回路才ｚｔ国 僧３Ｍ イレｃ６−９−：’ス。 ｑ≠１ オｆ７岨 し 手続補正書 く方式） １、事件の表示 平成０１年特許願第２３２０９３号 ２、発明の名称 シングルバランスドミキサ回路 ３、補正をする者 事件との関係
及び（Ｂ）は、第１図に示されたインピーダンス回路５
及び６の一例を示す図、第３図（Ａ）及び（Ｂ）は、イ
ンピーダンス回路５及び６のインピーダンス特性例を示
す図、第４図は、第１図に示されたシングルバランスド
ミキサ回路の等価回路図、第５図は、本発明のシングル
バランスドミキサ回路の他の実施例、第６図は、従来の
シングルバランスドミキサ回路の例を示す回路図、第７
図は、第６図に示されたシングルバランスドミキサ回路
の等価回路図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ハイブリッドトランスフォーマ２．３・
・・・・・ＦＥＴ ４・・・・・・同調回路 ５．６．７・・・・・・インピーダンス回路才ｚｔ国 僧３Ｍ イレｃ６−９−：’ス。 ｑ≠１ オｆ７岨 し 手続補正書 く方式） １、事件の表示 平成０１年特許願第２３２０９３号 ２、発明の名称 シングルバランスドミキサ回路 ３、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- ４端子ハイブリッドトランスフォーマと、中間周波信号
に対して同調する同調手段と、前記４端子ハイブリッド
トランスフォーマの出力と前記同調手段の入力に間にチ
ャンネル部が夫々挿入された電界効果トランジスタ素子
とからなり、前記４端子ハイブリッドトランスフォーマ
の１つの入力端へ高周波信号を印加し、他の入力端へ、
前記電界効果トランジスタ素子をミキシング動作させる
べき局発信号を印加して、前記同調手段から中間周波信
号を取り出すシングルパラリストミキサであって、前記
中間周波信号に対し低インピーダンスを呈し、かつ前記
高周波信号及び局発信号に対し高インピーダンスを呈す
るインピーダンス回路を付加してなることを特徴とする
シングルバランスドミキサ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23209389A JPH02198207A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | シングルバランスドミキサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23209389A JPH02198207A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | シングルバランスドミキサ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198207A true JPH02198207A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=16933897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23209389A Pending JPH02198207A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | シングルバランスドミキサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198207A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5678224A (en) * | 1993-09-25 | 1997-10-14 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Mixer circuit |
| US5742901A (en) * | 1995-10-17 | 1998-04-21 | Nec Corporation | Balanced modulator |
| US5854974A (en) * | 1995-04-11 | 1998-12-29 | Watkins Johnson Company | Compensated ring mixers |
| JP2002299915A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子及び通信装置 |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP23209389A patent/JPH02198207A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5678224A (en) * | 1993-09-25 | 1997-10-14 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Mixer circuit |
| US5854974A (en) * | 1995-04-11 | 1998-12-29 | Watkins Johnson Company | Compensated ring mixers |
| US5742901A (en) * | 1995-10-17 | 1998-04-21 | Nec Corporation | Balanced modulator |
| JP2002299915A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子及び通信装置 |
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