JPH02197046A - マイクロ波管の電子銃 - Google Patents
マイクロ波管の電子銃Info
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- JPH02197046A JPH02197046A JP1673289A JP1673289A JPH02197046A JP H02197046 A JPH02197046 A JP H02197046A JP 1673289 A JP1673289 A JP 1673289A JP 1673289 A JP1673289 A JP 1673289A JP H02197046 A JPH02197046 A JP H02197046A
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- cathode
- wehnelt
- brazing
- electron gun
- microwave tube
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波管の電子銃に関し、特にカソード
とウェネルトの構造に関する。
とウェネルトの構造に関する。
（従来の技術〕
従来、この種のマイクロ波管の電子銃は、例えば第３図
に示すように、含浸形カソード１と銅の如き金属からな
るウェネルト１４は、モネル等の金属からなるカソード
支持部品１７及び熱シールド１６と溶接またはろう付に
よって組合わされ、電子ビームの集束が最適になるよう
なウェネルトの角部とカソード端部間の距１９Ｇ及びウ
ェネルト内径部と、カソード外径部の隙間ρの寸法が得
られるようにした構造となっていた。
に示すように、含浸形カソード１と銅の如き金属からな
るウェネルト１４は、モネル等の金属からなるカソード
支持部品１７及び熱シールド１６と溶接またはろう付に
よって組合わされ、電子ビームの集束が最適になるよう
なウェネルトの角部とカソード端部間の距１９Ｇ及びウ
ェネルト内径部と、カソード外径部の隙間ρの寸法が得
られるようにした構造となっていた。
上述した従来のマイクロ波管の電子銃は、第４図に示す
ようにウェネルト１４と含浸カソード１との間に隙間ｉ
か存在するために、カソード１の側面から放射される電
子がアノード電位に引張られて軌道１つに示すように隙
間（からアノード側へ出てきてカソード電流の一部とな
る。含浸形カソードの場合、基体金属である多孔質のタ
ングステンに電子放出材料を含浸させであるので、側面
からの電子放出は避けられない。カソード径が大きい場
合は相対的に側面からの放射電流のカソード電流に対す
る割合が小さいので実用上問題にならないが、カソード
径が３北以下になると相対的に側面からの放射電流の割
合が大きくなって、これがビーム透過を悪化させる原因
として無視できなくなるという欠点がある。又、電子銃
に加わる振動１衝撃によってカソードとウェネルトが偏
心することによりビーム透過が悪化する場合があるとい
う欠点もある。
ようにウェネルト１４と含浸カソード１との間に隙間ｉ
か存在するために、カソード１の側面から放射される電
子がアノード電位に引張られて軌道１つに示すように隙
間（からアノード側へ出てきてカソード電流の一部とな
る。含浸形カソードの場合、基体金属である多孔質のタ
ングステンに電子放出材料を含浸させであるので、側面
からの電子放出は避けられない。カソード径が大きい場
合は相対的に側面からの放射電流のカソード電流に対す
る割合が小さいので実用上問題にならないが、カソード
径が３北以下になると相対的に側面からの放射電流の割
合が大きくなって、これがビーム透過を悪化させる原因
として無視できなくなるという欠点がある。又、電子銃
に加わる振動１衝撃によってカソードとウェネルトが偏
心することによりビーム透過が悪化する場合があるとい
う欠点もある。
本発明は、電子を放出するカソードと電子ビームを制御
するウェネルトを有するマイクロ波管の電子銃において
、少くとも電子ビームの放出側に面した表面にメタライ
ズ処理を施し金属の被膜を有するセラミックスからなる
ウェネルトと、そのウェネルトとろう付によって接合さ
れた含浸形カソードとを有することを特徴とする。
するウェネルトを有するマイクロ波管の電子銃において
、少くとも電子ビームの放出側に面した表面にメタライ
ズ処理を施し金属の被膜を有するセラミックスからなる
ウェネルトと、そのウェネルトとろう付によって接合さ
れた含浸形カソードとを有することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例の縦断面図である。含浸形カソ
ード１はウェネルト２と嵌合ろう付するための段を有し
ており、電子ビームの放射面の外径とウェネルトの内径
がぴったり嵌合するようになっている。ウェネルト２は
、例えばアルミナのようなセラミックスからなり、その
表面（図の斜線部）にメタライズ処理を施し金属被膜を
形成し、ウェネルト２と含浸形カソード１はろう付によ
り組合わされる。このとき最適のビーム集束が得られる
ウェネルトの各部とカソード端部間の距離Ｇが決められ
る。カソード１はカソード支持部品３と熱シールド４に
溶接又はろう付により結合され、更に封入板５に溶接又
はろう付により結合されている。
は本発明の第１の実施例の縦断面図である。含浸形カソ
ード１はウェネルト２と嵌合ろう付するための段を有し
ており、電子ビームの放射面の外径とウェネルトの内径
がぴったり嵌合するようになっている。ウェネルト２は
、例えばアルミナのようなセラミックスからなり、その
表面（図の斜線部）にメタライズ処理を施し金属被膜を
形成し、ウェネルト２と含浸形カソード１はろう付によ
り組合わされる。このとき最適のビーム集束が得られる
ウェネルトの各部とカソード端部間の距離Ｇが決められ
る。カソード１はカソード支持部品３と熱シールド４に
溶接又はろう付により結合され、更に封入板５に溶接又
はろう付により結合されている。
本実施例ではカソード１とウェネルト２の間に半径方向
の隙間が無いために、カソード側面からの電子放射が無
くなり、ビーム透過特性の悪化を招くことが無い上に、
振動１衝撃によってカソードがウェネルトに対して偏心
することも無い。
の隙間が無いために、カソード側面からの電子放射が無
くなり、ビーム透過特性の悪化を招くことが無い上に、
振動１衝撃によってカソードがウェネルトに対して偏心
することも無い。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。含浸
形カソード１はアルミナのようなセラミックスからなる
ウェネルト１１にろう付されている。ウェネルト１１の
表面全体にメタライズ処理が施され、金属被膜が形成さ
れている。ウェネルト１］、はウェネルト支持部品１３
にろう付され、ウェネルト支持部品１３は熱シールド１
２と封入板５に溶接又はろう付により固定されている。
形カソード１はアルミナのようなセラミックスからなる
ウェネルト１１にろう付されている。ウェネルト１１の
表面全体にメタライズ処理が施され、金属被膜が形成さ
れている。ウェネルト１］、はウェネルト支持部品１３
にろう付され、ウェネルト支持部品１３は熱シールド１
２と封入板５に溶接又はろう付により固定されている。
この実施例ではウェネルトを支持することによってカソ
ードを支持するので、第１の実施例のように直接カソー
ドを支持するよりカソードの安定性が良いという利点が
ある。
ードを支持するので、第１の実施例のように直接カソー
ドを支持するよりカソードの安定性が良いという利点が
ある。
なお、アルミナの熱伝導率は銅の約１／２ｏであるから
、ウェネルト支持部品１３でウェネルト１１とカソード
を支持してもカソード温度が従来例と比べて低下する心
配は無い。
、ウェネルト支持部品１３でウェネルト１１とカソード
を支持してもカソード温度が従来例と比べて低下する心
配は無い。
以上説明したように本発明は、表面にメタライズ処理を
施し金属被膜を形成したセラミックスからなるウェネル
トと含浸形カソードをろう付により組合せることにより
、ウェネルトとカソードの間の半径方向の隙間を無くし
、カソード側面からの電子放射を無くすことができるの
で、側面からの電子放射によるビーム透過特性の悪化を
完全に無くすことができる効果がある。更に、振動、衝
撃によるカソードのウェネルトに対する偏心も無くなる
ため、安定したビーム透過特性が得られるという効果も
ある。
施し金属被膜を形成したセラミックスからなるウェネル
トと含浸形カソードをろう付により組合せることにより
、ウェネルトとカソードの間の半径方向の隙間を無くし
、カソード側面からの電子放射を無くすことができるの
で、側面からの電子放射によるビーム透過特性の悪化を
完全に無くすことができる効果がある。更に、振動、衝
撃によるカソードのウェネルトに対する偏心も無くなる
ため、安定したビーム透過特性が得られるという効果も
ある。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は本
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来例の縦断
面図、第４図は従来例のビーム軌道を示す図である。 １・・・含浸形カソード、２，１１・・・セラミックス
製ウェネルト、３，１７・・・カソード支持部品、４．
１２．１６・・・熱シールド、５・・・封入板、６・ア
ノード、７・・・ヒータ、８，９．１０・・・セラミッ
クス製真空外囲器、１３．１５・・・ウェネルト支持部
品、１４・−・金属製ウェネルト、１８・・・カソード
前面からの電子放射、１９・・・カソード側面がらの電
子放射。
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来例の縦断
面図、第４図は従来例のビーム軌道を示す図である。 １・・・含浸形カソード、２，１１・・・セラミックス
製ウェネルト、３，１７・・・カソード支持部品、４．
１２．１６・・・熱シールド、５・・・封入板、６・ア
ノード、７・・・ヒータ、８，９．１０・・・セラミッ
クス製真空外囲器、１３．１５・・・ウェネルト支持部
品、１４・−・金属製ウェネルト、１８・・・カソード
前面からの電子放射、１９・・・カソード側面がらの電
子放射。
Claims (1)
- 電子を放出するカソードと電子ビームを制御するウエネ
ルトを有するマイクロ波管の電子銃において、表面にメ
タライズ処理を施し金属の被膜を有するセラミックスか
らなるウエネルトと、そのウエネルトとろう付によって
接合された含浸形カソードとを有することを特徴とする
マイクロ波管の電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1673289A JPH02197046A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | マイクロ波管の電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1673289A JPH02197046A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | マイクロ波管の電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02197046A true JPH02197046A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11924438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1673289A Pending JPH02197046A (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | マイクロ波管の電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02197046A (ja) |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1673289A patent/JPH02197046A/ja active Pending
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