JPH02195236A - ３次元実装構造 - Google Patents
３次元実装構造Info
- Publication number
- JPH02195236A JPH02195236A JP1015679A JP1567989A JPH02195236A JP H02195236 A JPH02195236 A JP H02195236A JP 1015679 A JP1015679 A JP 1015679A JP 1567989 A JP1567989 A JP 1567989A JP H02195236 A JPH02195236 A JP H02195236A
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- JP
- Japan
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- chip
- sensor array
- signal processing
- processing circuit
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
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Landscapes
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、センサアレイおよびその信号処理回路の実装
構造に関する。
構造に関する。
〈従来の技術〉
センサおよびその信号処理回路の実装構造としては、第
４図に示すように、基板４１の片面側にセンサアレイチ
ップ４２および信号処理回路用のＩＣチップ４３をフリ
ップチップ法等により実装した構造のものが一般的であ
る。そして、医療用Ｘ線撮像装置等においては、このよ
うな構造のものを、第５図に示すように、センサアレイ
チップ４２の幅分シフトして段階状に積み重ねて、全体
として大規模の面センサユニットを構成している。
４図に示すように、基板４１の片面側にセンサアレイチ
ップ４２および信号処理回路用のＩＣチップ４３をフリ
ップチップ法等により実装した構造のものが一般的であ
る。そして、医療用Ｘ線撮像装置等においては、このよ
うな構造のものを、第５図に示すように、センサアレイ
チップ４２の幅分シフトして段階状に積み重ねて、全体
として大規模の面センサユニットを構成している。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、第４図に示す実装構造によると、センサアレ
イチップ４２の一つの画素幅をＷとし、画素数ｎｘｎと
すれば、ＩＣチップ４３の各信号処理回路をｗ ／ ｎ
の幅に集積することが必要となり、画素数ｎが多い場合
には実質的に集積不可能になる。
イチップ４２の一つの画素幅をＷとし、画素数ｎｘｎと
すれば、ＩＣチップ４３の各信号処理回路をｗ ／ ｎ
の幅に集積することが必要となり、画素数ｎが多い場合
には実質的に集積不可能になる。
さらに、第５図に示すような、面センサユニットを構成
した場合、各センサアレイチップ４２・・・４２にどう
しても段差ができるため、Ｘ線像等の画像に段差に相応
する部分に切れが生じたり、また、光源あるいは線源か
ら各センサアレイチップ４２・・・４２までの距離が異
なり、これにより、画像ムラができるという問題がある
。
した場合、各センサアレイチップ４２・・・４２にどう
しても段差ができるため、Ｘ線像等の画像に段差に相応
する部分に切れが生じたり、また、光源あるいは線源か
ら各センサアレイチップ４２・・・４２までの距離が異
なり、これにより、画像ムラができるという問題がある
。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、上記の諸問題点を一挙に解決すべくなされた
もので、その構成を実施例に対応する第１図を参照しつ
つ説明すると、本発明は、センサアレイ２を第１の平面
上に配設し、この第１の平面に対して平行でない第２の
平面上に信号処理回路３を配設するとともに、そのセン
サアレイ２と信号処理回路３とのコンタクトにハンダバ
ンプ４・・・４を用いたことを特徴としている。
もので、その構成を実施例に対応する第１図を参照しつ
つ説明すると、本発明は、センサアレイ２を第１の平面
上に配設し、この第１の平面に対して平行でない第２の
平面上に信号処理回路３を配設するとともに、そのセン
サアレイ２と信号処理回路３とのコンタクトにハンダバ
ンプ４・・・４を用いたことを特徴としている。
く作用〉
一枚のセンサアレイチップに対して、２枚以上の信号処
理回路用のＩＣチップを設けることが可能になり、ＩＣ
チップ内の信号処理回路の集積度を低く抑えることがで
きる。
理回路用のＩＣチップを設けることが可能になり、ＩＣ
チップ内の信号処理回路の集積度を低く抑えることがで
きる。
さらに、大規模の面センサユニットを構成する際に、各
センサアレイチップを同一の平面上に並べることが可能
になる。
センサアレイチップを同一の平面上に並べることが可能
になる。
〈実施例〉
本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第１図は本発明実施例の構造を示す部分斜視図で、第２
図はその実施例の全体側面図である。
図はその実施例の全体側面図である。
配線用の基板１の両面にそれぞれ信号処理回路用のＩＣ
チップ３が、フリップチップ法により実装されている。
チップ３が、フリップチップ法により実装されている。
各ＩＣチップ３には、それぞれセンサアレイチップ２の
２列分の画素数に相当する個数の信号処理回路が一列に
互いに隣接して形成されており、その各配線Ｂは、それ
ぞれ基板１の下方端部まで導かれている。
２列分の画素数に相当する個数の信号処理回路が一列に
互いに隣接して形成されており、その各配線Ｂは、それ
ぞれ基板１の下方端部まで導かれている。
この信号処理回路用のＩＣチップ３を搭載した基板１が
センサアレイチップ２に、その画素４列ごとにセンサア
レイチップ２に対して垂直に実装されており、センサア
レイチップ２の各画素の信号取り出し電極へと、これに
対応する基板１の配線Ｂとが、それぞれハンダ４によっ
て接続されている。
センサアレイチップ２に、その画素４列ごとにセンサア
レイチップ２に対して垂直に実装されており、センサア
レイチップ２の各画素の信号取り出し電極へと、これに
対応する基板１の配線Ｂとが、それぞれハンダ４によっ
て接続されている。
この基板１のセンサアレイチップ２への実装は、あらか
じめ、基板１の各配線Ｂの端部もしくはセンサアレイチ
ップ２の各信号取り出し電極Ａの端部のいずれか一方、
または双方にバンプ状のノ１ンダを付着しておき、基板
１をセンサアレイチップ２の所定位置に垂直に載せた状
態で、バンプ状のハンダをリフロー（ハンダ融点以上に
加熱）することによって容易に行うことができる。
じめ、基板１の各配線Ｂの端部もしくはセンサアレイチ
ップ２の各信号取り出し電極Ａの端部のいずれか一方、
または双方にバンプ状のノ１ンダを付着しておき、基板
１をセンサアレイチップ２の所定位置に垂直に載せた状
態で、バンプ状のハンダをリフロー（ハンダ融点以上に
加熱）することによって容易に行うことができる。
以上のような実装構造とすることにより、第３図に示す
ように、各センサアレイチップ２・・・２が同一の平面
上に並ぶ大規模の面センサユニットを構成することがで
きる。
ように、各センサアレイチップ２・・・２が同一の平面
上に並ぶ大規模の面センサユニットを構成することがで
きる。
ここで、本発明実施例においては、１枚のＩＣチップ３
により、センサアレイチップ２の２列分の画素の信号処
理を行うので、その各信号処理回路をｗ／２（ｗはセン
サアレイチップ２の画素幅）程度の幅に集積すればよい
。また、画素数を多くした場合でも、ＩＣチップ３の個
数を多くすることによって、ＩＣチップ３内での信号処
理回路の集積度を高（する必要はない。
により、センサアレイチップ２の２列分の画素の信号処
理を行うので、その各信号処理回路をｗ／２（ｗはセン
サアレイチップ２の画素幅）程度の幅に集積すればよい
。また、画素数を多くした場合でも、ＩＣチップ３の個
数を多くすることによって、ＩＣチップ３内での信号処
理回路の集積度を高（する必要はない。
なお、センサアレイチップ２に対する基板１の角度は直
角に限定されることなく、他の任意の角度でもよい。
角に限定されることなく、他の任意の角度でもよい。
また、−枚の基板１の両面それぞれにＩＣチップ３を設
けているが、片面のみに設けても本発明を実施できるこ
とは言うまでもない。
けているが、片面のみに設けても本発明を実施できるこ
とは言うまでもない。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、センサアレイチ
ップの信号処理回路チップをセンサアレイに対して平行
でない平面上に配設するとともに、センサアレイチップ
と信号処理回路チップとのコンタクトをハンダバンプに
よって行うよう構成したから、センサアレイおよび信号
処理回路の３次元的実装が容易に実現できる。これによ
り、−枚のセンサアレイチップに対して２枚以上の信号
処理回路チップを設けることが可能になり、信号処理回
路チップの集積度を従来に比して低くすることができる
。また、従来と同程度の集積度の信号処理回路チップを
用いた場合には、センサアレイチップの単位面積当りの
画素数の増加を図ることができる。さらに、−枚のセン
サアレイチップの画素数が多い場合でも、信号処理回路
チップの集積度を高くすることなく、これに対応できる
。
ップの信号処理回路チップをセンサアレイに対して平行
でない平面上に配設するとともに、センサアレイチップ
と信号処理回路チップとのコンタクトをハンダバンプに
よって行うよう構成したから、センサアレイおよび信号
処理回路の３次元的実装が容易に実現できる。これによ
り、−枚のセンサアレイチップに対して２枚以上の信号
処理回路チップを設けることが可能になり、信号処理回
路チップの集積度を従来に比して低くすることができる
。また、従来と同程度の集積度の信号処理回路チップを
用いた場合には、センサアレイチップの単位面積当りの
画素数の増加を図ることができる。さらに、−枚のセン
サアレイチップの画素数が多い場合でも、信号処理回路
チップの集積度を高くすることなく、これに対応できる
。
さらにまた、大規模の面センサユニットを構成する際、
各センサアレイチップを同一の平面上に並べることがで
き、従って、例え、ば医療用Ｘ線撮像装置あるいは産業
用非破壊検査装置等のセンサユ二−ットに本発明を適用
することにより、画像ムラ等のない鮮明な画像を得るこ
とが可能になる。
各センサアレイチップを同一の平面上に並べることがで
き、従って、例え、ば医療用Ｘ線撮像装置あるいは産業
用非破壊検査装置等のセンサユ二−ットに本発明を適用
することにより、画像ムラ等のない鮮明な画像を得るこ
とが可能になる。
第１図は本発明実施例の構造を示す部分斜視図、第２図
はその実施例の全体側面図である。 第３図は本発明の実施例により構成した大規模の面セン
サユニットの構造を示す側面図である。 第４図は従来の一般的な実装構造を示す斜視図、第５図
は従来の大規模の面センサユニットの構造を示す側面図
である。 １・・・基板 ２・・・センサアレイチップ ３・・・信号処理回路用のＩＣチップ ４・・・４・・・ハンダ 特許出願人 株式会社島津製作所代 理 人
弁理士 西１）新 第１図 第８図
はその実施例の全体側面図である。 第３図は本発明の実施例により構成した大規模の面セン
サユニットの構造を示す側面図である。 第４図は従来の一般的な実装構造を示す斜視図、第５図
は従来の大規模の面センサユニットの構造を示す側面図
である。 １・・・基板 ２・・・センサアレイチップ ３・・・信号処理回路用のＩＣチップ ４・・・４・・・ハンダ 特許出願人 株式会社島津製作所代 理 人
弁理士 西１）新 第１図 第８図
Claims (1)
- センサアレイおよびその信号処理回路の実装構造であっ
て、上記センサアレイを第１の平面上に配設し、この第
１の平面に対して平行でない第２の平面上に上記信号処
理回路を配設するとともに、そのセンサアレイと信号処
理回路とのコンタクトにハンダバンプを用いたことを特
徴とする、３次元実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015679A JPH0619462B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | ３次元実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015679A JPH0619462B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | ３次元実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02195236A true JPH02195236A (ja) | 1990-08-01 |
| JPH0619462B2 JPH0619462B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=11895437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1015679A Expired - Lifetime JPH0619462B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | ３次元実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619462B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375632B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2003-03-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 씨디에스 센서의 부착구조 |
| JP2012018062A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Nippon Kessho Kogaku Kk | 放射線検出装置 |
| CN104180797A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 精工爱普生株式会社 | 传感器单元及其制造方法、以及电子设备和运动体 |
| JP2015072231A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニットおよびその製造方法並びに電子機器および運動体 |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1015679A patent/JPH0619462B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375632B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2003-03-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 씨디에스 센서의 부착구조 |
| JP2012018062A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Nippon Kessho Kogaku Kk | 放射線検出装置 |
| US8735838B2 (en) | 2010-07-07 | 2014-05-27 | Nihon Kessho Koogaku Co., Ltd. | Radiation detecting apparatus |
| CN104180797A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 精工爱普生株式会社 | 传感器单元及其制造方法、以及电子设备和运动体 |
| JP2014228489A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニットおよびその製造方法並びに電子機器および運動体 |
| JP2015072231A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニットおよびその製造方法並びに電子機器および運動体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0619462B2 (ja) | 1994-03-16 |
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