JPH02194350A - 水分測定方法 - Google Patents
水分測定方法Info
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- JPH02194350A JPH02194350A JP1449589A JP1449589A JPH02194350A JP H02194350 A JPH02194350 A JP H02194350A JP 1449589 A JP1449589 A JP 1449589A JP 1449589 A JP1449589 A JP 1449589A JP H02194350 A JPH02194350 A JP H02194350A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は脱水汚泥等の水分測定を短時間で正確に行うこ
とができる水分測定方法に関するものである。
とができる水分測定方法に関するものである。
（従来の技術）
脱水汚泥等の水分測定法としては、試料を電子天秤に載
せたまま赤外線ランプにより加熱し、その重量減少率が
ある一定値以下となったときに乾燥を終了させてそのと
きの重量と初期重量から水分を求める方法が普通である
。そして特開昭５８−１６２８３９号公報に示されてい
るように、従来は赤外線ランプの出力は、加熱温度が一
定となるように制御さね、でいた。
せたまま赤外線ランプにより加熱し、その重量減少率が
ある一定値以下となったときに乾燥を終了させてそのと
きの重量と初期重量から水分を求める方法が普通である
。そして特開昭５８−１６２８３９号公報に示されてい
るように、従来は赤外線ランプの出力は、加熱温度が一
定となるように制御さね、でいた。
しかし、加熱温度を高めると試料の表面に焦げが発生し
て正確な水分測定が不可能となるため、設定温度は低目
としておく必要があり、乾燥終了までに長時間を要する
という問題があった。また未知試料に対し、でも加熱温
度の定植制御を行・うためｔこ安全を見て低目ムこ設定
温度を定めることとなり、水分測定時間が更に長くなる
という問題があ（発明が、解決しようとする課題） 本発明は１−記したような従来の問題点を解決して、汚
泥等の試料の水分測定を従来よりも短時間でしかも正確
に行・）ごとができる水分測定方法を目的とし、て完成
されたものである。
て正確な水分測定が不可能となるため、設定温度は低目
としておく必要があり、乾燥終了までに長時間を要する
という問題があった。また未知試料に対し、でも加熱温
度の定植制御を行・うためｔこ安全を見て低目ムこ設定
温度を定めることとなり、水分測定時間が更に長くなる
という問題があ（発明が、解決しようとする課題） 本発明は１−記したような従来の問題点を解決して、汚
泥等の試料の水分測定を従来よりも短時間でしかも正確
に行・）ごとができる水分測定方法を目的とし、て完成
されたものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するための第１の発明は、試料を加熱
装置により加熱しつつその重量減少量に基いて水分値を
測定する水分測定方法において、測定初期に加熱温度を
終点設定温度ＴＥより高い設定温度′Ｆ１ まで上昇さ
せ、その後なだらかに降温して終点設定温度ＴＥに達し
た後はその温度？、こ保つことを特徴とするものである
。
装置により加熱しつつその重量減少量に基いて水分値を
測定する水分測定方法において、測定初期に加熱温度を
終点設定温度ＴＥより高い設定温度′Ｆ１ まで上昇さ
せ、その後なだらかに降温して終点設定温度ＴＥに達し
た後はその温度？、こ保つことを特徴とするものである
。
また同一の課題を解決するだめの第２の発明は、試料を
加熱装置ｔこより加熱しつつその重≠波少量に基いて水
分値を測定する水分測定方法において、測定初期に加熱
温度を終点設定温度］゛、より高い設定温度ＴＥまで上
昇させ、その後は試ｒ１の重量変化により演算された演
算乾燥速度がｒめ設定された設定乾燥速度以下になるご
とに設定温度をＴ２、Ｔ３ ・・・・・と順次ステッ
プ状に低下させ、終点設定温度１゛、に達した後はその
温度乙こ保つことを特徴とするものである。
加熱装置ｔこより加熱しつつその重≠波少量に基いて水
分値を測定する水分測定方法において、測定初期に加熱
温度を終点設定温度］゛、より高い設定温度ＴＥまで上
昇させ、その後は試ｒ１の重量変化により演算された演
算乾燥速度がｒめ設定された設定乾燥速度以下になるご
とに設定温度をＴ２、Ｔ３ ・・・・・と順次ステッ
プ状に低下させ、終点設定温度１゛、に達した後はその
温度乙こ保つことを特徴とするものである。
更に第３の発明は、試料を加熱装置により加熱しつつそ
の重量減少量に基いて水分値を測定する水分測定方法に
おいて、測定初期に加熱温度を終点設定温度ＴＥより高
い設定温度′ｒ１まで上昇させ、その後は試料の重量変
化により演算された演算残水分率が設定残水分率以下ｔ
こなるごａｙこ設定温度をＴ ２ 、Ｔ ３ ・・・
・・と順次ステップ状に低下させ、終点設定温度Ｔ□に
達した後はその温度に保つことを特徴とするものである
。
の重量減少量に基いて水分値を測定する水分測定方法に
おいて、測定初期に加熱温度を終点設定温度ＴＥより高
い設定温度′ｒ１まで上昇させ、その後は試料の重量変
化により演算された演算残水分率が設定残水分率以下ｔ
こなるごａｙこ設定温度をＴ ２ 、Ｔ ３ ・・・
・・と順次ステップ状に低下させ、終点設定温度Ｔ□に
達した後はその温度に保つことを特徴とするものである
。
各発明についての具体的な説明に入るに先立って、物質
の水分乾燥特性に関する一般的な理論について説明する
。
の水分乾燥特性に関する一般的な理論について説明する
。
一般に、含水物質を一定温度で加熱した場合、第１図に
示されるように乾燥速度は最初急上昇し、次に一定とな
り、その後下降する。■は予熱期間と呼ばれ、固体内部
から表面層への液状水の移動が支配的であり、固体表面
は十分に液状水で覆われており表面からの蒸発が主とし
て行われる期間である。■は恒率乾燥期間と呼ばれ、予
熱期間と同様の現象が生じているが固体温度はより高い
状態にあｌ）、■と■とを合わせて恒率乾燥期間と呼ば
れることもある。■は減率乾燥期間と呼ばれ、表面は既
に乾燥しており固体内部で蒸発が生ずる期間である。そ
して実際の脱水汚泥を用いてトレースした結果、■の恒
率乾燥期間における汚泥の内部温度は８４〜９８°Ｃで
あり、汚泥が燃焼し始める２００〜２５０ ’Ｃよりも
十分に低温であるから、■と■の期間中は高温で加熱し
ても汚泥を焦がすおそれのないことがＴ１１１認された
。
示されるように乾燥速度は最初急上昇し、次に一定とな
り、その後下降する。■は予熱期間と呼ばれ、固体内部
から表面層への液状水の移動が支配的であり、固体表面
は十分に液状水で覆われており表面からの蒸発が主とし
て行われる期間である。■は恒率乾燥期間と呼ばれ、予
熱期間と同様の現象が生じているが固体温度はより高い
状態にあｌ）、■と■とを合わせて恒率乾燥期間と呼ば
れることもある。■は減率乾燥期間と呼ばれ、表面は既
に乾燥しており固体内部で蒸発が生ずる期間である。そ
して実際の脱水汚泥を用いてトレースした結果、■の恒
率乾燥期間における汚泥の内部温度は８４〜９８°Ｃで
あり、汚泥が燃焼し始める２００〜２５０ ’Ｃよりも
十分に低温であるから、■と■の期間中は高温で加熱し
ても汚泥を焦がすおそれのないことがＴ１１１認された
。
上記の知見に基づき、第１の発明では測定初期において
加熱温度を第２図のように従来の定値制御されていた温
度、即ち終点設定温度ＴＥよ１９も高い設定温度ＴＥま
で急激に１−昇させる。温度センサとしてはサーミスタ
、測温抵抗体、熱電対などを用いることができ、好まし
くは加熱装置である赤外線ランプと試料との中間位置に
おいて赤夕）線ランプからの直接加熱及び雰囲気からの
輻射の両方を感知する。設定温度ＴＥは１３０〜２００
’Ｃ程度であり、この温度に達した後はランプ状制御
を行ってなだらかに降温させる。そして加熱温度が例え
ば１００〜１３０°Ｃ程度の終点設定温度′ｒＦに達し
た後は定植制御を行いその温度に保つ。
加熱温度を第２図のように従来の定値制御されていた温
度、即ち終点設定温度ＴＥよ１９も高い設定温度ＴＥま
で急激に１−昇させる。温度センサとしてはサーミスタ
、測温抵抗体、熱電対などを用いることができ、好まし
くは加熱装置である赤外線ランプと試料との中間位置に
おいて赤夕）線ランプからの直接加熱及び雰囲気からの
輻射の両方を感知する。設定温度ＴＥは１３０〜２００
’Ｃ程度であり、この温度に達した後はランプ状制御
を行ってなだらかに降温させる。そして加熱温度が例え
ば１００〜１３０°Ｃ程度の終点設定温度′ｒＦに達し
た後は定植制御を行いその温度に保つ。
このように、第１の発明では測定初期に加熱温度を終点
設定温度ＴＥよりも高い設定温度ＴＥまで急激に上昇さ
せるが、この間は試料表面に水分が存在するので焦げが
発生することはなく、試料表面が急速に乾燥される。そ
してその後は温度勾配が一定となるようになだらかに降
温させるので、試料が乾燥して焦げの発生し易い状態と
なったときには十分に低い終点設定温度ＴＥまで降温さ
れることとなる。このように第１の発明では焦げを発生
させるおそれなく、第２図に点線で示される従来法より
も多量の熱量を試料に与えることができるから、第３図
に示されるように従来法よりも短時間で試料を乾燥させ
ることができ、水分測定の迅速化を図ることができる。
設定温度ＴＥよりも高い設定温度ＴＥまで急激に上昇さ
せるが、この間は試料表面に水分が存在するので焦げが
発生することはなく、試料表面が急速に乾燥される。そ
してその後は温度勾配が一定となるようになだらかに降
温させるので、試料が乾燥して焦げの発生し易い状態と
なったときには十分に低い終点設定温度ＴＥまで降温さ
れることとなる。このように第１の発明では焦げを発生
させるおそれなく、第２図に点線で示される従来法より
も多量の熱量を試料に与えることができるから、第３図
に示されるように従来法よりも短時間で試料を乾燥させ
ることができ、水分測定の迅速化を図ることができる。
例えば、水分６０％の塩鉄石灰脱水汚泥を第１の発明の
方法と従来法とによって乾燥させたところ、第３図のと
おりの結果となった。第１の発明の方法では最初に１５
０’Ｃまで昇温し、次に１０℃／分の勾配で１００°Ｃ
まで降温させた。一方、従来法では１００°Ｃの定値制
御を行った。乾燥速度がある一定値まで低下するに要し
た時間は第１の発明の方法では１０分、従来法では１５
分であり、乾燥時間は２／３に短縮された。なお従来法
において１３０″Ｃの定植制御を行ったところ、焦げが
発生して測定不能となった。また水分７５％の高分子脱
水汚泥について同様の乾燥を行ったところ、第３図のと
おりの結果となり、従来は２０分を要していた乾燥時間
が１５分となった。
方法と従来法とによって乾燥させたところ、第３図のと
おりの結果となった。第１の発明の方法では最初に１５
０’Ｃまで昇温し、次に１０℃／分の勾配で１００°Ｃ
まで降温させた。一方、従来法では１００°Ｃの定値制
御を行った。乾燥速度がある一定値まで低下するに要し
た時間は第１の発明の方法では１０分、従来法では１５
分であり、乾燥時間は２／３に短縮された。なお従来法
において１３０″Ｃの定植制御を行ったところ、焦げが
発生して測定不能となった。また水分７５％の高分子脱
水汚泥について同様の乾燥を行ったところ、第３図のと
おりの結果となり、従来は２０分を要していた乾燥時間
が１５分となった。
このように、第１の発明によれば焦げを発生させるおそ
れなく乾燥時間の短縮が可能であり、しかも既存の温度
調節計のみで簡便に実施できる利点がある。
れなく乾燥時間の短縮が可能であり、しかも既存の温度
調節計のみで簡便に実施できる利点がある。
次に第２の発明においては、第５図に示されるように第
１の発明と同様に加熱温度を設定温度Ｔまで急激に上昇
させた後、恒率乾燥期間終了までは１３０〜２００°Ｃ
の温度ＴＥのままで制御し、減率乾燥期間では重量減少
率即ち乾燥速度の低下に応じて設定温度を’ｒ２、Ｔｚ
と順次ステ・ノブ状に低下させる。そして終点付近では
終点設定温度Ｔのまま定植制御を行う。これらの一連の
動作はマイクロコンピュータによって自動的に行わせる
ことができる。
１の発明と同様に加熱温度を設定温度Ｔまで急激に上昇
させた後、恒率乾燥期間終了までは１３０〜２００°Ｃ
の温度ＴＥのままで制御し、減率乾燥期間では重量減少
率即ち乾燥速度の低下に応じて設定温度を’ｒ２、Ｔｚ
と順次ステ・ノブ状に低下させる。そして終点付近では
終点設定温度Ｔのまま定植制御を行う。これらの一連の
動作はマイクロコンピュータによって自動的に行わせる
ことができる。
なお、本発明においては、事前のテス１１こよって第４
図に示されるような乾燥速度−焦げ発生温度曲線を設定
しておく。例えば水分６０％の脱水ケーキにおいては乾
燥速度力月、Ｏｇ／分なら１９０°Ｃ以下では焦げが発
生せず、乾燥速度が０．５ｇ／分なら１５０°Ｃ以下な
らば焦げが発生しない。
図に示されるような乾燥速度−焦げ発生温度曲線を設定
しておく。例えば水分６０％の脱水ケーキにおいては乾
燥速度力月、Ｏｇ／分なら１９０°Ｃ以下では焦げが発
生せず、乾燥速度が０．５ｇ／分なら１５０°Ｃ以下な
らば焦げが発生しない。
例えば、水分６０％の塩鉄石灰脱水汚泥を第４図に示し
た乾燥速度−焦げ発生温度曲線に基づいてＴＥ ＝２０
０ ’Ｃで乾燥を開始し、乾燥速度がピークに達した時
点でＴＥ ＝１５０°Ｃに切り換え、乾燥速度が０５ｇ
／分に達した時点でＴＥ＝１３０°Ｃに切り換え、乾燥
速度が０．３ｇ／分に達した時点でＴＥ＝１００°Ｃに
切り換えて乾燥させたところ、第６図のとおりの結果と
なり、乾燥時間を１７２に短縮できた。これに対してＴ
Ｅ・１５０“Ｃから１０°Ｃ／分の勾配で１００°Ｃま
で降温させる第１の発明の方法では１０分間を、また１
００°Ｃの定値制御を行う従来法では１５分間を要した
。
た乾燥速度−焦げ発生温度曲線に基づいてＴＥ ＝２０
０ ’Ｃで乾燥を開始し、乾燥速度がピークに達した時
点でＴＥ ＝１５０°Ｃに切り換え、乾燥速度が０５ｇ
／分に達した時点でＴＥ＝１３０°Ｃに切り換え、乾燥
速度が０．３ｇ／分に達した時点でＴＥ＝１００°Ｃに
切り換えて乾燥させたところ、第６図のとおりの結果と
なり、乾燥時間を１７２に短縮できた。これに対してＴ
Ｅ・１５０“Ｃから１０°Ｃ／分の勾配で１００°Ｃま
で降温させる第１の発明の方法では１０分間を、また１
００°Ｃの定値制御を行う従来法では１５分間を要した
。
このように第２の発明によれば、高含水率のときには高
温で乾燥を行い、含水率の低下につれて低温で乾燥を行
うので焦げの発生がな（、また乾燥速度を温度変更の目
安としているので合理的な制御ができ、第１の発明より
も更に短時間で乾燥が行えることとなる。
温で乾燥を行い、含水率の低下につれて低温で乾燥を行
うので焦げの発生がな（、また乾燥速度を温度変更の目
安としているので合理的な制御ができ、第１の発明より
も更に短時間で乾燥が行えることとなる。
さらに第３の発明においては、第７図に示した残水分率
−焦げ発生温度曲線に基づいて、第８図に示すように設
定温度ＴＥまで上昇させた加熱温度を、減率乾燥期間中
に残水分率に応じてＴ２、Ｔ３と順次ステップ状に低下
させる。ここで残水分率は下式に定義したように、最終
水分から除去された残りの水分を表すものである。
−焦げ発生温度曲線に基づいて、第８図に示すように設
定温度ＴＥまで上昇させた加熱温度を、減率乾燥期間中
に残水分率に応じてＴ２、Ｔ３と順次ステップ状に低下
させる。ここで残水分率は下式に定義したように、最終
水分から除去された残りの水分を表すものである。
残水分率（χ）−最終水分−（１−乾燥後試料重量／乾
燥前試料型１ｉ）Ｘ］、００ この第３の発明においては予め最終水分を推定しておく
必要があり、例えばピーク乾燥速度までの水分減少量よ
り最終水分を推定する方法、初期温度の立上がり方によ
り最終水分を推定する方法、連続測定時には前回のデー
タを用いる方法などがある。なお最初の測定時は他の機
器を用いて測定したデータを用いたり、焦げの発生ずる
おそれのない低温で３０分間程度の長時間をかけて測定
したデータを用いたりすればよい。このように第３の発
明ははじめのうち不安定であるが測定を繰返すにつれて
精度が向上する自立型の水分測定方法であり、連続測定
に適している。またこの第３の発明は、残水分率を指標
としているために最も合理的な乾燥を行うことができ、
試Ｆｌの水分値が変動し７でも１分に対応できる利点が
ある。
燥前試料型１ｉ）Ｘ］、００ この第３の発明においては予め最終水分を推定しておく
必要があり、例えばピーク乾燥速度までの水分減少量よ
り最終水分を推定する方法、初期温度の立上がり方によ
り最終水分を推定する方法、連続測定時には前回のデー
タを用いる方法などがある。なお最初の測定時は他の機
器を用いて測定したデータを用いたり、焦げの発生ずる
おそれのない低温で３０分間程度の長時間をかけて測定
したデータを用いたりすればよい。このように第３の発
明ははじめのうち不安定であるが測定を繰返すにつれて
精度が向上する自立型の水分測定方法であり、連続測定
に適している。またこの第３の発明は、残水分率を指標
としているために最も合理的な乾燥を行うことができ、
試Ｆｌの水分値が変動し７でも１分に対応できる利点が
ある。
例えば水分６０％の塩鉄石灰脱水汚泥を第７図に示した
乾燥速度 焦げ発生温度曲線に基づいて、ＴＥ−２００
°Ｃで乾燥を開始し、残水分率が２５％に達した時点で
１２〜１５０°Ｃに切り換え、残水分率が１５％に達し
た時点でＴ３＝１３０°Ｃに切り換え、残水分率が１０
％乙こ達した時点でＴＥ ＝１００ ’Ｃに切り換えて
乾燥さ−１たところ、第９図のとおりの結果が得られ、
乾燥時間を１／２に短縮できた。これＱこ対し７て１０
０°〔：で定値制御を行う従来法は、前述したとおり乾
燥終了に１５分間を要した。なお、従来方による乾燥速
度と第３の発明による乾燥速度とを対比して第９図に示
す。
乾燥速度 焦げ発生温度曲線に基づいて、ＴＥ−２００
°Ｃで乾燥を開始し、残水分率が２５％に達した時点で
１２〜１５０°Ｃに切り換え、残水分率が１５％に達し
た時点でＴ３＝１３０°Ｃに切り換え、残水分率が１０
％乙こ達した時点でＴＥ ＝１００ ’Ｃに切り換えて
乾燥さ−１たところ、第９図のとおりの結果が得られ、
乾燥時間を１／２に短縮できた。これＱこ対し７て１０
０°〔：で定値制御を行う従来法は、前述したとおり乾
燥終了に１５分間を要した。なお、従来方による乾燥速
度と第３の発明による乾燥速度とを対比して第９図に示
す。
（発明の効果）
本発明は以トに説明したとおり、乾燥速度と焦げ発生温
度の関係や残水分率と焦げ発生温度の関係乙こ基づいて
、乾燥の初期には高いピーク設定温度まで加熱温度を上
げ、その後は順次終点設定温度まで鋒温させることによ
って、焦げを発生させることなく迅速な乾燥を可能とし
たもので、脱水汚泥等の水分測定を短時間で正確に行う
に適したものである。よって本発明は従来の問題点を一
掃した水分測定方法として、産業の発展に寄り、すると
ころは極めて大である。
度の関係や残水分率と焦げ発生温度の関係乙こ基づいて
、乾燥の初期には高いピーク設定温度まで加熱温度を上
げ、その後は順次終点設定温度まで鋒温させることによ
って、焦げを発生させることなく迅速な乾燥を可能とし
たもので、脱水汚泥等の水分測定を短時間で正確に行う
に適したものである。よって本発明は従来の問題点を一
掃した水分測定方法として、産業の発展に寄り、すると
ころは極めて大である。
第１図は一般的な汚泥水分乾燥特性を示すグラフ、第２
図は第１の発明の温度と時間の関係を示すグラフ、第３
図は第１の発明および従来法Ｇこおける温度と時間の関
係を示すグラフ、第４図は乾燥速度と焦げ発生温度との
関係を示すグラフ、第５図は第１の発明の実施例を示す
グラフ、第６図は第１および第２の発明の乾燥速度と時
間の関係を示すグラフ、第７図は残水分率と焦げ発生温
度との関係を示すグラフ、第８図は第３の発明の温度と
時間の関係を示すグラフ１．第９図は第３の発明の乾燥
速度と時間の関係を示すグラフである。 】 １ （旬〃芋事値 トー ト （請喜Ｍ≦ 区 （例ンｊン？２暫Ｙ踵 （’：）、） Ｅ！ −リｌ了 ン覇蓼Ａ （λ）Ｗ票 （”／ｇ） 黍？’＃ ”４ （鞠）ｚｉか功 （勿÷’ｌ、を氾
図は第１の発明の温度と時間の関係を示すグラフ、第３
図は第１の発明および従来法Ｇこおける温度と時間の関
係を示すグラフ、第４図は乾燥速度と焦げ発生温度との
関係を示すグラフ、第５図は第１の発明の実施例を示す
グラフ、第６図は第１および第２の発明の乾燥速度と時
間の関係を示すグラフ、第７図は残水分率と焦げ発生温
度との関係を示すグラフ、第８図は第３の発明の温度と
時間の関係を示すグラフ１．第９図は第３の発明の乾燥
速度と時間の関係を示すグラフである。 】 １ （旬〃芋事値 トー ト （請喜Ｍ≦ 区 （例ンｊン？２暫Ｙ踵 （’：）、） Ｅ！ −リｌ了 ン覇蓼Ａ （λ）Ｗ票 （”／ｇ） 黍？’＃ ”４ （鞠）ｚｉか功 （勿÷’ｌ、を氾
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を加熱装置により加熱しつつその重量減少量に
基いて水分値を測定する水分測定方法において、測定初
期に加熱温度を終点設定温度Ｔ＿Ｅより高い設定温度Ｔ
＿１まで上昇させ、その後なだらかに降温して終点設定
温度Ｔ＿Ｅに達した後はその温度に保つことを特徴とす
る水分測定方法。 ２、試料を加熱装置により加熱しつつその重量減少量に
基いて水分値を測定する水分測定方法において、測定初
期に加熱温度を終点設定温度Ｔ＿Ｅより高い設定温度Ｔ
＿１まで上昇させ、その後は試料の重量変化により演算
された演算乾燥速度が予め設定された設定乾燥速度以下
になるごとに設定温度をＴ＿２、Ｔ＿３・・・・・と順
次ステップ状に低下させ、終点設定温度Ｔ＿Ｅに達した
後はその温度に保つことを特徴とする水分測定方法。 ３、試料を加熱装置により加熱しつつその重量減少量に
基いて水分値を測定する水分測定方法において、測定初
期に加熱温度を終点設定温度Ｔ＿Ｅより高い設定温度Ｔ
＿１まで上昇させ、その後は試料の重量変化により演算
された演算残水分率が設定残水分率以下になるごとに設
定温度をＴ＿２、Ｔ＿３・・・・・と順次ステップ状に
低下させ、終点設定温度Ｔ＿Ｅに達した後はその温度に
保つことを特徴とする水分測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014495A JPH0758251B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 水分測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014495A JPH0758251B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 水分測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194350A true JPH02194350A (ja) | 1990-07-31 |
| JPH0758251B2 JPH0758251B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=11862639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014495A Expired - Lifetime JPH0758251B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 水分測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758251B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7003404B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-02-21 | A&D Company Limited | Control method for moisture meter, control program for moisture meter, record medium recording control program for moisture meter and moisture meter |
| JP2012137333A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Shimadzu Corp | 水分計 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51136489A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-25 | Toshiba Corp | Microwave heating moisture measuring device |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1014495A patent/JPH0758251B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51136489A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-25 | Toshiba Corp | Microwave heating moisture measuring device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7003404B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-02-21 | A&D Company Limited | Control method for moisture meter, control program for moisture meter, record medium recording control program for moisture meter and moisture meter |
| JP2012137333A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Shimadzu Corp | 水分計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758251B2 (ja) | 1995-06-21 |
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