JPH02194303A - マーク位置測定装置 - Google Patents
マーク位置測定装置Info
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- JPH02194303A JPH02194303A JP1013064A JP1306489A JPH02194303A JP H02194303 A JPH02194303 A JP H02194303A JP 1013064 A JP1013064 A JP 1013064A JP 1306489 A JP1306489 A JP 1306489A JP H02194303 A JPH02194303 A JP H02194303A
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Landscapes
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明はマーク位置測定装[Uに係り、特に、LSI等
の半導体素子製造用の露光装置でウェハ上にパターンを
露光する時に、ウェハ上に設置プだマーク位置を検出し
てウェハの位置決めを行うマーク位置測定装置に関する
。
の半導体素子製造用の露光装置でウェハ上にパターンを
露光する時に、ウェハ上に設置プだマーク位置を検出し
てウェハの位置決めを行うマーク位置測定装置に関する
。
(従来の技術)
近年、L S I等の半導体素子の回路パターンの微細
化に伴い、パターン転写手段どして、高解像性能を有す
る光学式投影露光装貿が広く使用されるようになってい
る。この装置を用いて転写を行う場合、露光に先立って
マスクとウェハとを高精度で位置合わせ(アライメン1
〜)する必要がある。
化に伴い、パターン転写手段どして、高解像性能を有す
る光学式投影露光装貿が広く使用されるようになってい
る。この装置を用いて転写を行う場合、露光に先立って
マスクとウェハとを高精度で位置合わせ(アライメン1
〜)する必要がある。
アライメン1〜を行う方法としては、投影光学系とは胃
なる他の光学系(off−axis顕微鏡)を用い、つ
■ハ十に予め形成されたマークを検出してウェハを位置
決めし、その後つ■ハを投影光学系の祝野内の所定の(
I′7胃に高精庶に移動さゼて予めj1確に位置決めさ
れたマスクとのイQ置合わせを間接的に行うoff
axis方式と、マスクとつJハに予め形成された位置
合わせマークを投影光学系を通して検出し、直接マスク
どつIハどを位置合わせ覆るT−1”’ L、 (1旧
’01すh The 1ens )6式とがある。
なる他の光学系(off−axis顕微鏡)を用い、つ
■ハ十に予め形成されたマークを検出してウェハを位置
決めし、その後つ■ハを投影光学系の祝野内の所定の(
I′7胃に高精庶に移動さゼて予めj1確に位置決めさ
れたマスクとのイQ置合わせを間接的に行うoff
axis方式と、マスクとつJハに予め形成された位置
合わせマークを投影光学系を通して検出し、直接マスク
どつIハどを位置合わせ覆るT−1”’ L、 (1旧
’01すh The 1ens )6式とがある。
第8図は前記した。ff−axis方式にJ、る従来の
振動]す光電@微頂を示1構成図である。この図におい
(,1は光源、2,4.6は集束レンズ、3は集束レン
ズ2./1間の光軸十に配設したスリブ1〜(第1?−
り部)、5)は集束レンズ4,6間に配設したガルバノ
ミラ−7,8,9はガルバノミラ−5を振動さける発振
器とドライバとミラ駆動機u4.10はハーフミラ−1
11はミラ−12,13はレンズ系、14は測定対象物
(例えばウェハ)15十に形成されるスリブ1−3に対
応した直線状のマーク(第2マーク部)、16は光電変
換索子、17は増幅器、18は周期検波回路、19は指
示メータである。
振動]す光電@微頂を示1構成図である。この図におい
(,1は光源、2,4.6は集束レンズ、3は集束レン
ズ2./1間の光軸十に配設したスリブ1〜(第1?−
り部)、5)は集束レンズ4,6間に配設したガルバノ
ミラ−7,8,9はガルバノミラ−5を振動さける発振
器とドライバとミラ駆動機u4.10はハーフミラ−1
11はミラ−12,13はレンズ系、14は測定対象物
(例えばウェハ)15十に形成されるスリブ1−3に対
応した直線状のマーク(第2マーク部)、16は光電変
換索子、17は増幅器、18は周期検波回路、19は指
示メータである。
この振動型光電顕微鏡では、光源1から出用した光は、
集束レンズ2を通してスリブ1〜3(第9図参照)を下
方から照明する。そして、スリット3を通過した光線A
1は、集束レンズ4を通してガルバノミラ−5で反則さ
れ、更に、集束レンズ6を通してハーフミラ−10(′
反射されてレンズ系12によりマーク1/I(第10図
参照)十に入rA覆る。この時、発振器7、ドライバ8
、ミラー駆動機構9によりガルバノミラ−5を振動さゼ
ることによって、マー91/4十に入射づる光線△1も
振動する。よつC、マーク14トにはその形状に応じた
スリブ1〜3の像が振動状態で略重なり合う。そして、
振動状態で入射づ−る光線△τはマク14十で反射し、
その反射光A2は、レンズ系12、ハーフミ′7−10
を通ってミラー11で・反射23れレンズ系13を通し
て光電変換索子16に入IJ=+づる。
集束レンズ2を通してスリブ1〜3(第9図参照)を下
方から照明する。そして、スリット3を通過した光線A
1は、集束レンズ4を通してガルバノミラ−5で反則さ
れ、更に、集束レンズ6を通してハーフミラ−10(′
反射されてレンズ系12によりマーク1/I(第10図
参照)十に入rA覆る。この時、発振器7、ドライバ8
、ミラー駆動機構9によりガルバノミラ−5を振動さゼ
ることによって、マー91/4十に入射づる光線△1も
振動する。よつC、マーク14トにはその形状に応じた
スリブ1〜3の像が振動状態で略重なり合う。そして、
振動状態で入射づ−る光線△τはマク14十で反射し、
その反射光A2は、レンズ系12、ハーフミ′7−10
を通ってミラー11で・反射23れレンズ系13を通し
て光電変換索子16に入IJ=+づる。
光電変換素子16からの出力は増幅器17で増幅され、
周期検波回路18を介して指示メータ19に出力される
。この時、光電変模索子16の出力(、L、光線Δ1か
振動し−(いるのでマーク14 十の(’f/置により
その信号波形は異なる。信号波形の変化をマーク1/l
十の位置Xに対しでホりと第11図(a)、(b)のよ
うになる。即ち、48号波形は振動周波数と等しい周波
数、或いはイの倍周波数の+i+ IIIJイi8号ど
イCす、例えt;f マーク1/I上の位置Xがスリブ
1へ3の振動中心位置に一致する時(図で1.1−にか
らt)番に1の信号波形)に振動周波数の218になり
、基本周波数成分aWは零となる。
周期検波回路18を介して指示メータ19に出力される
。この時、光電変模索子16の出力(、L、光線Δ1か
振動し−(いるのでマーク14 十の(’f/置により
その信号波形は異なる。信号波形の変化をマーク1/l
十の位置Xに対しでホりと第11図(a)、(b)のよ
うになる。即ち、48号波形は振動周波数と等しい周波
数、或いはイの倍周波数の+i+ IIIJイi8号ど
イCす、例えt;f マーク1/I上の位置Xがスリブ
1へ3の振動中心位置に一致する時(図で1.1−にか
らt)番に1の信号波形)に振動周波数の218になり
、基本周波数成分aWは零となる。
このJ、うに、振動型光電顕微鏡は、基本周波数成分が
零になる位置を電気的に検出するものである。この基本
周波数成分の変化のイ1方(出ツノ特性曲線)は、スリ
ット3、マーク74の幅及び振動振幅等によっ(変化覆
るが、前:j! シたように、マク14の1)l置がス
リブ1へ3の振動中心に一致すると基本周波数成分aW
は零となり、この前後で符号が逆転するので、ゼロメー
タによる検出やザーボ系の駆動には適している。尚、光
電変換素子16から出力される信号の中から基本周波数
成分のみを取出し、2倍の振動周波数成分を消去してし
まうことは、同19]検波回路18により容易に実現さ
れる。
零になる位置を電気的に検出するものである。この基本
周波数成分の変化のイ1方(出ツノ特性曲線)は、スリ
ット3、マーク74の幅及び振動振幅等によっ(変化覆
るが、前:j! シたように、マク14の1)l置がス
リブ1へ3の振動中心に一致すると基本周波数成分aW
は零となり、この前後で符号が逆転するので、ゼロメー
タによる検出やザーボ系の駆動には適している。尚、光
電変換素子16から出力される信号の中から基本周波数
成分のみを取出し、2倍の振動周波数成分を消去してし
まうことは、同19]検波回路18により容易に実現さ
れる。
(発明が解決しようとする課題)
ところで・、Ar1記した従来の振動型充電顕微鏡を、
例えば、半導体パターンをつJハ上に露光Jる露光装置
のつJ−ハ位胃決めに使用した場合、般に、露光された
第1層目のパターンと第2層口のパターンとを目視観察
(顕微鏡による観察)し、その結果からパターン露光後
の総合的な位PI決め測定を行っていた。或いは、レー
ザ干渉測長系等によりウェハに露光される第1層目のパ
ターンの座標を測定した後、第2層目のパターンの座標
を測定し、その測定値の差(即ち、設計値からの差)に
よってパターン露光後の総合的な位置決め測定を行って
いた。
例えば、半導体パターンをつJハ上に露光Jる露光装置
のつJ−ハ位胃決めに使用した場合、般に、露光された
第1層目のパターンと第2層口のパターンとを目視観察
(顕微鏡による観察)し、その結果からパターン露光後
の総合的な位PI決め測定を行っていた。或いは、レー
ザ干渉測長系等によりウェハに露光される第1層目のパ
ターンの座標を測定した後、第2層目のパターンの座標
を測定し、その測定値の差(即ち、設計値からの差)に
よってパターン露光後の総合的な位置決め測定を行って
いた。
しかしながら、この場合、りT 1層と第2層のパター
ンの各座標を別々に測定してその差を求めるので測定誤
差が生じ易く、ウェハ位置決め精度が悪<4「る。また
、各層にパターンを露光する時にウェハが載置されるテ
ーブルを移動させるのでつ[ハ位首決めに誤ジζが41
.gじ易い。
ンの各座標を別々に測定してその差を求めるので測定誤
差が生じ易く、ウェハ位置決め精度が悪<4「る。また
、各層にパターンを露光する時にウェハが載置されるテ
ーブルを移動させるのでつ[ハ位首決めに誤ジζが41
.gじ易い。
本発明は」二記した課題を解決する目的でなされ、測定
対象物上に形成されるマ〜り位置関係を高精度に測定で
きるマークイl装置測定装置を提供しようとするもので
ある。
対象物上に形成されるマ〜り位置関係を高精度に測定で
きるマークイl装置測定装置を提供しようとするもので
ある。
[発明の構成1
く課題を解決するだめの手段)
前記した課題を解決するために本発明は、光源と、少な
くとも2つのマークで構成される第1マーク部と、測定
対象物上に前記第1マーク部の各マークに対応して設(
プた少なくとも2つのマークで構成される第2マーク部
と、前記光源からの出射光で前記第1マーク部を照明す
ることによって前記第1マーク部の各マークを通過する
光を前記第2マーク部の各マークに導く光学系と、該光
学系を通して前記第2マーク部の各マーク上に導かれる
光を周期的に振動させる振動手段と、前記第2マーク部
の各マーク上に入射する周期的に振動している光の反射
光を受光してその反射光の振動と対応した電気信号に変
換する光電変換手段と、該光電変換手段へ入射する前記
反射光を選IR分#1する選択分離手段と、前記光電変
換手段からそれぞれ出力される前記反射光の振動に対応
した信号を前記振動手段による振動に周期させて検波す
ることにより前記第17−り部の各マークの相対位置に
対する前記第2マーク部の各マークの相対位置のずれを
算出する演算手段とを具備したことを特徴とする。
くとも2つのマークで構成される第1マーク部と、測定
対象物上に前記第1マーク部の各マークに対応して設(
プた少なくとも2つのマークで構成される第2マーク部
と、前記光源からの出射光で前記第1マーク部を照明す
ることによって前記第1マーク部の各マークを通過する
光を前記第2マーク部の各マークに導く光学系と、該光
学系を通して前記第2マーク部の各マーク上に導かれる
光を周期的に振動させる振動手段と、前記第2マーク部
の各マーク上に入射する周期的に振動している光の反射
光を受光してその反射光の振動と対応した電気信号に変
換する光電変換手段と、該光電変換手段へ入射する前記
反射光を選IR分#1する選択分離手段と、前記光電変
換手段からそれぞれ出力される前記反射光の振動に対応
した信号を前記振動手段による振動に周期させて検波す
ることにより前記第17−り部の各マークの相対位置に
対する前記第2マーク部の各マークの相対位置のずれを
算出する演算手段とを具備したことを特徴とする。
(作用)
水炎゛明によれば、第2マーク部の各マーク上に第1マ
ーク部の各マークの振動している像を重ね合わせ、その
反射光をそれぞれ選択して光電変換素子に入射させて、
光電変換手段からの出力を周期検波することにより、第
2マーク部の各マークの位置関係が直接高精度に測定さ
れる。
ーク部の各マークの振動している像を重ね合わせ、その
反射光をそれぞれ選択して光電変換素子に入射させて、
光電変換手段からの出力を周期検波することにより、第
2マーク部の各マークの位置関係が直接高精度に測定さ
れる。
(実施例)
以下、本発明を図示の第1実施例に基づいて詳細に説明
する。尚、従来と同一構成部材には同一符号を付しで説
明する。
する。尚、従来と同一構成部材には同一符号を付しで説
明する。
第1図は本発明に係るマーク位置測定装置を、半導体パ
ターンをウェハ上に露光する露光装置のウェハ位置決め
測定に適用した場合の構成図である。この図に示すよう
に、+−E D等の光源1と測定対象物であるウェハ1
5間には、第1マーク部3と光学系20とガルバノミラ
−5が配設されている。
ターンをウェハ上に露光する露光装置のウェハ位置決め
測定に適用した場合の構成図である。この図に示すよう
に、+−E D等の光源1と測定対象物であるウェハ1
5間には、第1マーク部3と光学系20とガルバノミラ
−5が配設されている。
第1マーク部3は、間隔m l (mは光学倍率)で平
行に配置された2つのスリット状の第1マーク3a、3
bで構成されている(第2図参照)。
行に配置された2つのスリット状の第1マーク3a、3
bで構成されている(第2図参照)。
光学系20は、集束レンズ2.4.6とハーフミラ−1
0とレンズ系12とで構成されており、ガルバノミラ−
5は、発振器7とドライバ8とミラー駆動機構9により
所定の周期で振動する。また、ウェハ15上には、第1
マーク部3の第1マーク3a 、3bに対応した直線上
の第27−ク14a。
0とレンズ系12とで構成されており、ガルバノミラ−
5は、発振器7とドライバ8とミラー駆動機構9により
所定の周期で振動する。また、ウェハ15上には、第1
マーク部3の第1マーク3a 、3bに対応した直線上
の第27−ク14a。
14bで構成される第2マーク部14が設置ノられてい
る(第3図参照)。第2マーク部14について詳細する
と、例えば第1層目の露光時に一方の第27−ク14a
を形成して、第2層目の露光時に他方の第2マーク14
bを形成する。この時、第1層目に対しては通常のアラ
イメントを行い、設計上、一方の第2マーク14aに対
して他方の第2マーク14bを愛だけ離して形成するが
、実際には誤差へ愛があるので第2マーク14a、14
bは(l+△i>の間隔で形成される。つまり、この時
の誤差△斐を検出することにより、第1層目と第2層目
のずれ(アライメント誤差)を測定することができる。
る(第3図参照)。第2マーク部14について詳細する
と、例えば第1層目の露光時に一方の第27−ク14a
を形成して、第2層目の露光時に他方の第2マーク14
bを形成する。この時、第1層目に対しては通常のアラ
イメントを行い、設計上、一方の第2マーク14aに対
して他方の第2マーク14bを愛だけ離して形成するが
、実際には誤差へ愛があるので第2マーク14a、14
bは(l+△i>の間隔で形成される。つまり、この時
の誤差△斐を検出することにより、第1層目と第2層目
のずれ(アライメント誤差)を測定することができる。
尚、光源1、第1マーク部3.ガルバノミラ5、第2マ
ーク部14、光学系20は、光源1からの出射光による
照明で第1マーク3a 、3bを通過した各層a1.a
2が、ガルバノミラ−5、ハーフミラ−10で反射され
て第2マーク14a。
ーク部14、光学系20は、光源1からの出射光による
照明で第1マーク3a 、3bを通過した各層a1.a
2が、ガルバノミラ−5、ハーフミラ−10で反射され
て第2マーク14a。
1i上に入射するように配置されている。
また、第2マーク部14のマーク14a、’ll1〕(
こ入1+1 する光al、a2の反則光a1.a4が光
電変換素子16に入射するように、ミラー11どし・ン
ズ系1ご3が配置されている。光電変換索子1 Gに[
;i Jio)ψ1lffi’L 17.1iIJ I
!!I 検波回路18、it、II 12111U回路
21か接続され、」、た、レンズ系133と光電変換d
+ ’h′16の間には、反II)II光a3 、a4
のどちらか一方を選択弁1ift L−u光電変換索子
16に受光ざμるしばり22が配Hpされており(第4
図参照)、しぼり22はしぼり駆動機構23、ドライバ
24にJ、り動作づ−る。尚、ガルバノミラ−5jの振
動としばり22の動作は制御回路21にJ、って制御さ
れる。
こ入1+1 する光al、a2の反則光a1.a4が光
電変換素子16に入射するように、ミラー11どし・ン
ズ系1ご3が配置されている。光電変換索子1 Gに[
;i Jio)ψ1lffi’L 17.1iIJ I
!!I 検波回路18、it、II 12111U回路
21か接続され、」、た、レンズ系133と光電変換d
+ ’h′16の間には、反II)II光a3 、a4
のどちらか一方を選択弁1ift L−u光電変換索子
16に受光ざμるしばり22が配Hpされており(第4
図参照)、しぼり22はしぼり駆動機構23、ドライバ
24にJ、り動作づ−る。尚、ガルバノミラ−5jの振
動としばり22の動作は制御回路21にJ、って制御さ
れる。
このように、本例(・は第2マーク14a、14])−
1に導かれる光al、a2を周期的に振動させる振動手
段どしてガルバノミラ−5が使用され、また、光電変換
索子16へ入射づる反射光a3゜a4を選択分離する選
択分離手段としてしばり221)(使用され、更に、光
電変換素子16から出力されるイn +:から第2マー
ク部1/1の各マークの相対イ)”l置のずれを紳出−
する演算手段とて周期検波回路18が使用されている。
1に導かれる光al、a2を周期的に振動させる振動手
段どしてガルバノミラ−5が使用され、また、光電変換
索子16へ入射づる反射光a3゜a4を選択分離する選
択分離手段としてしばり221)(使用され、更に、光
電変換素子16から出力されるイn +:から第2マー
ク部1/1の各マークの相対イ)”l置のずれを紳出−
する演算手段とて周期検波回路18が使用されている。
次に、前記した本発明に係るマークイ0置測定装首の動
作について81明り−る。
作について81明り−る。
先ヂ、)I′、源7からの出Q・)光−(゛凭東レンズ
24通して第1マーク部3の第1マーク3a、3bを照
明する。第1マーク3a、3bを通過した各層a、a2
は、集束レンズ4を通してガルバノミラ=5で反射され
、更に、集束レンズ6を通しくハフミラー10で反射さ
れレンズ系12を通しCつ丁ハ151に形成した第2マ
ーク部14の第2マーク14a、14bに人則する。こ
の1+、l、、光a、a2は、発振器8、ドライバ9、
ミラー駆動機構10によって振vJ?lるガルバノミラ
−5により振動しでいるので、第2マーク14a、1l
b−Fに振動状態で入射づる。よって、第2マーク14
a、IzH十にはその形状に対応した第1v/り3a、
3bの像が振動状態で略重t’T−り合う。
24通して第1マーク部3の第1マーク3a、3bを照
明する。第1マーク3a、3bを通過した各層a、a2
は、集束レンズ4を通してガルバノミラ=5で反射され
、更に、集束レンズ6を通しくハフミラー10で反射さ
れレンズ系12を通しCつ丁ハ151に形成した第2マ
ーク部14の第2マーク14a、14bに人則する。こ
の1+、l、、光a、a2は、発振器8、ドライバ9、
ミラー駆動機構10によって振vJ?lるガルバノミラ
−5により振動しでいるので、第2マーク14a、1l
b−Fに振動状態で入射づる。よって、第2マーク14
a、IzH十にはその形状に対応した第1v/り3a、
3bの像が振動状態で略重t’T−り合う。
ぞしで、第2マーク14a、141)に入射した光aI
、a2はその表面で反射し、その反射光a3、a4はレ
ンズ系12、ハーノミンー10を通し−(ミラー11で
反射されレンズ系13を通して光電変換索子1(3に人
則り−る。この時、ドライバ23、しばり駆動機構2/
Iによりしぼり22を動11させ(反射光a2を遮る位
置に移動させ、反射光a1だ(ノを光電変換素子16に
入射さゼる。そしく、この時に光電変換索子16から出
力される信号を増幅器17で増幅して周期検波回路18
で周期検波処理することにより第17−ク3aと第27
−914aどの相対位z1を検出し、制御回路21から
構成される装置ずれ情報に基づいて周期検波出力が零に
イ「るようにつrハコ5の位置を修i[−づ−る。この
修IIはウェハ15をその上面に固盾りるウーlハフー
ープル(不図示)の零点サーボ等により容易に達成でき
る。
、a2はその表面で反射し、その反射光a3、a4はレ
ンズ系12、ハーノミンー10を通し−(ミラー11で
反射されレンズ系13を通して光電変換索子1(3に人
則り−る。この時、ドライバ23、しばり駆動機構2/
Iによりしぼり22を動11させ(反射光a2を遮る位
置に移動させ、反射光a1だ(ノを光電変換素子16に
入射さゼる。そしく、この時に光電変換索子16から出
力される信号を増幅器17で増幅して周期検波回路18
で周期検波処理することにより第17−ク3aと第27
−914aどの相対位z1を検出し、制御回路21から
構成される装置ずれ情報に基づいて周期検波出力が零に
イ「るようにつrハコ5の位置を修i[−づ−る。この
修IIはウェハ15をその上面に固盾りるウーlハフー
ープル(不図示)の零点サーボ等により容易に達成でき
る。
イの後、今後は反則光a1を遮る位置にしぼり22を移
Elさせ−て反射光a2だけを光電変換素子16に人!
)Iさけ、増幅器17、周期検波回路18に、J、り光
電変換素子16から出力される信号を周期検波処理して
第17−り31)と第2マーク14bどの相夕t (1
′/置を検出することによって、第1層目と第2層目の
アライメン1へ誤差が測定C″さ−63゜つまり、周期
検波回路18で周期検波処理ε\れた時のマーク位置検
出の特f1曲線は第5図のJ、うになる。この図で、実
線し1は第17−ク3aと第27−ク14.8との小な
り状態を示し、破線1−2は第17−ク3bと第2マー
ク14bの重4jり状態を示しており、Ll と12は
アライメン1〜誤差△aだけずれている。
Elさせ−て反射光a2だけを光電変換素子16に人!
)Iさけ、増幅器17、周期検波回路18に、J、り光
電変換素子16から出力される信号を周期検波処理して
第17−り31)と第2マーク14bどの相夕t (1
′/置を検出することによって、第1層目と第2層目の
アライメン1へ誤差が測定C″さ−63゜つまり、周期
検波回路18で周期検波処理ε\れた時のマーク位置検
出の特f1曲線は第5図のJ、うになる。この図で、実
線し1は第17−ク3aと第27−ク14.8との小な
り状態を示し、破線1−2は第17−ク3bと第2マー
ク14bの重4jり状態を示しており、Ll と12は
アライメン1〜誤差△aだけずれている。
第6図は本発明に係るマーク位置測定装置の第2実施例
を示す構成図である。本例では、光電変換索子16に入
射する反射光a3 、a4を選択して分離するしぼり2
2を、第1マーク部3ど集束レンズ4との間に配置し、
ドライバ23、しぼり駆動機構24でしぼり22を動作
させる構成である。他の構成は前述した第1実施例と同
様である。
を示す構成図である。本例では、光電変換索子16に入
射する反射光a3 、a4を選択して分離するしぼり2
2を、第1マーク部3ど集束レンズ4との間に配置し、
ドライバ23、しぼり駆動機構24でしぼり22を動作
させる構成である。他の構成は前述した第1実施例と同
様である。
このJ:うに、本例では第1マーク3a、3t、+を通
過した光a、、a2をしぼり22により選択分前してど
ちらか一方を遮るようにしたので、第2マーク14a、
14bからの反射光a3.a4が選択されて光電変摸索
子16に入射される。そしC1前記同様光電変換素子1
6からの出力をそれぞれガルバノミラ−5の振動に周期
させて検波することにより、第1マーク3a 、3bの
相対位置にス、j1する第2マーク1/la、14bの
相対位置のン「れ(アライメント誤差△愛)が測定でき
る。
過した光a、、a2をしぼり22により選択分前してど
ちらか一方を遮るようにしたので、第2マーク14a、
14bからの反射光a3.a4が選択されて光電変摸索
子16に入射される。そしC1前記同様光電変換素子1
6からの出力をそれぞれガルバノミラ−5の振動に周期
させて検波することにより、第1マーク3a 、3bの
相対位置にス、j1する第2マーク1/la、14bの
相対位置のン「れ(アライメント誤差△愛)が測定でき
る。
第7図は本発明に係るマーク位置測定装置の第3実施例
を示づ一構成図である。本例では、しほり22の代りに
光源1と第1マーク部3との間に、光源1からの出射光
を第17−ク3a 、3bの1jへ選択して照明づる照
明選択機構25を設【ノた構成である。この場合、照明
選択機構25としては、例えば音響光学偏向素子や光学
偏向素子が用いられる。照明選択機構25は、制御回路
21ににる制御にJ:リドライバ26を介して動作され
る。
を示づ一構成図である。本例では、しほり22の代りに
光源1と第1マーク部3との間に、光源1からの出射光
を第17−ク3a 、3bの1jへ選択して照明づる照
明選択機構25を設【ノた構成である。この場合、照明
選択機構25としては、例えば音響光学偏向素子や光学
偏向素子が用いられる。照明選択機構25は、制御回路
21ににる制御にJ:リドライバ26を介して動作され
る。
他の構成は前記した第1実施例と同様である。
このように、本例では光源1からの出射光を第17−り
3a、3bの一方へ選択して照明するようにしたので、
第2マーク14a、14.bからの反射光a3 、a4
が選択されて光電変換素子16に入射される。そして、
前記同様光電変換素子16からの出力をそれぞれガルバ
ノミラ−5の振動に周期させて検波することにより、第
17−ク3a、3bの相対位置に対する第2マーク14
a。
3a、3bの一方へ選択して照明するようにしたので、
第2マーク14a、14.bからの反射光a3 、a4
が選択されて光電変換素子16に入射される。そして、
前記同様光電変換素子16からの出力をそれぞれガルバ
ノミラ−5の振動に周期させて検波することにより、第
17−ク3a、3bの相対位置に対する第2マーク14
a。
14bの相対位置のずれくアライメント誤差△斐)が測
定できる。
定できる。
このように、ウェハ15」二の各第2マーク14a、1
4.bの相対位置ずれ(アライメント誤差)を測定する
時に、ウェハ15を固着するウェハテーブル(不図示)
を移動させる必要がないのでウェハテーブル(不図示)
の位置決め精度に影響されることはなく、高精度のアラ
イメント誤差定が行える。
4.bの相対位置ずれ(アライメント誤差)を測定する
時に、ウェハ15を固着するウェハテーブル(不図示)
を移動させる必要がないのでウェハテーブル(不図示)
の位置決め精度に影響されることはなく、高精度のアラ
イメント誤差定が行える。
尚、前記各実施例では、第2マーク部14をウェハ15
の第1層目と第2層目に形成した例であったが、例えば
第2層目と第3層、第3目と第4層目の場合でも全く同
様にアライメント誤差が測定できる。
の第1層目と第2層目に形成した例であったが、例えば
第2層目と第3層、第3目と第4層目の場合でも全く同
様にアライメント誤差が測定できる。
また、光電変換素子16へ入射する反射光を選択分離す
る選択分離手段としては、第1乃至第3実施例に示した
ように、光電変換素子16の直前C選択分離1−るもの
、或いは、第1マーク部3を通過した後の光を選択分離
するもの、更には、第1マーク部3に入射ザる光を選択
分離して、結果どして光電変換素子16へ入oA?lる
反射光を選択分離するもの等が用いられ、これらの要旨
を逸脱しない範囲で秤々変形して用いることができる。
る選択分離手段としては、第1乃至第3実施例に示した
ように、光電変換素子16の直前C選択分離1−るもの
、或いは、第1マーク部3を通過した後の光を選択分離
するもの、更には、第1マーク部3に入射ザる光を選択
分離して、結果どして光電変換素子16へ入oA?lる
反射光を選択分離するもの等が用いられ、これらの要旨
を逸脱しない範囲で秤々変形して用いることができる。
[発明の効果]
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
にJこれば、測定対象物上に形成した少なくども2つの
マークの位置関係を直接測定することができる。従って
、従来のように、−回毎にマークを形成した測定対象物
を移動させて各マークの座標を検出して位置合わせする
必要はなくなるので、マークの座標測定精度や測定対象
物の移動に伴う位置決め精度の影響を受けることなく、
高精度なマーク位置関係を測定ザることができる。
にJこれば、測定対象物上に形成した少なくども2つの
マークの位置関係を直接測定することができる。従って
、従来のように、−回毎にマークを形成した測定対象物
を移動させて各マークの座標を検出して位置合わせする
必要はなくなるので、マークの座標測定精度や測定対象
物の移動に伴う位置決め精度の影響を受けることなく、
高精度なマーク位置関係を測定ザることができる。
第1図は本発明に係るマーク位置測定装置を示ず構成図
、第2図は第1マーク部を示す平面図、第3図は第2マ
ーク部を示す平面図、第4図はしぼりを示す正面図、第
5図は各マークの相対位置のずれを示すグラフ、第6図
及び第7図はそれぞれ本発明の他の実施例に係るマーク
位置測定装置を示す構成図、第8図は従来のマーク位置
測定装置を示す構成図、第9図はスリットを示す平面図
、第10図は測定対象物上に形成したマークを示す平面
図、第11図(a)、(b)はそれぞれ従来のマーク位
置測定装置で得られる出力信号波形と位置検出特性を示
すグラフである。 1・・・光源 3・・・第1マーク部3
a 、3b・・・第17−ク 5・・・ガルバノミラ−
14・・・第2マーク部 14a、14b=・・第2マーク 15・・・ウェハ 16・・・光電変換素子
18・・・周期検波回路 20・・・光学系21・
・・制御回路 22・・・しぼり25・・・照
明選択機構
、第2図は第1マーク部を示す平面図、第3図は第2マ
ーク部を示す平面図、第4図はしぼりを示す正面図、第
5図は各マークの相対位置のずれを示すグラフ、第6図
及び第7図はそれぞれ本発明の他の実施例に係るマーク
位置測定装置を示す構成図、第8図は従来のマーク位置
測定装置を示す構成図、第9図はスリットを示す平面図
、第10図は測定対象物上に形成したマークを示す平面
図、第11図(a)、(b)はそれぞれ従来のマーク位
置測定装置で得られる出力信号波形と位置検出特性を示
すグラフである。 1・・・光源 3・・・第1マーク部3
a 、3b・・・第17−ク 5・・・ガルバノミラ−
14・・・第2マーク部 14a、14b=・・第2マーク 15・・・ウェハ 16・・・光電変換素子
18・・・周期検波回路 20・・・光学系21・
・・制御回路 22・・・しぼり25・・・照
明選択機構
Claims (1)
- 光源と、少なくとも2つのマークで構成される第1マー
ク部と、測定対象物上に前記第1マーク部の各マークに
対応して設けた少なくとも2つのマークで構成される第
2マーク部と、前記光源からの出射光で前記第1マーク
部を照明することによつて前記第1マーク部の各マーク
を通過する光を前記第2マーク部の各マークに導く光学
系と、該光学系を通して前記第2マーク部の各マーク上
に導かれる光を周期的に振動させる振動手段と、前記第
2マーク部の各マーク上に入射する周期的に振動してい
る光の反射光を受光してその反射光の振動と対応した電
気信号に変換する光電変換手段と、該光電変換手段へ入
射する前記反射光を選択分離する選択分離手段と、前記
光電変換手段からそれぞれ出力される前記反射光の振動
に対応した信号を前記振動手段による振動に周期させて
検波することにより前記第1マーク部の各マークの相対
位置に対する前記第2マーク部の各マークの相対位置の
ずれを算出する演算手段とを具備したことを特徴とする
マーク位置測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1013064A JPH02194303A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | マーク位置測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1013064A JPH02194303A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | マーク位置測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02194303A true JPH02194303A (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=11822709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1013064A Pending JPH02194303A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | マーク位置測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02194303A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07261371A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-13 | Nec Corp | 半導体素子製造用レチクルおよび露光装置におけるレチクル製造誤差の補正方法 |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1013064A patent/JPH02194303A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07261371A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-13 | Nec Corp | 半導体素子製造用レチクルおよび露光装置におけるレチクル製造誤差の補正方法 |
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