JPH0219170B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、真空精錬炉における測温・サンプ
リング装置の改良に関し、該測温・サンプリング
用のプローブの高温や付着地金によつて、該プロ
ーブの支持棒を囲む真空シールパツキンを損傷す
ることがない装置を提供すること、及び該損傷し
ない装置であつて、槽内を大気に復圧せずに測
温・サンプリングを行なうことのできる測温・サ
ンプリング装置を提供することを目的とする。

なお本発明の測温・サンプリング装置は、測温
のみを行なう場合、あるいはサンプリングのみを
行なう場合、あるいは測温とサンプリングの両方
を行なう場合のいずれの場合にも使用できる。

真空脱ガスや真空精錬などの溶融金属の真空精
錬炉においては溶融金属の分析のために測温・サ
ンプリングをする必要がある。そのためには試料
を真空槽の外へ取出す必要があり、従来の装置で
は第１，２図を参照して、試料採取の際に測温・
サンプリング用のプローブ２及びプローブの支持
棒４がシール部３を通過するために、プローブ２
及びプローブに近い支持棒４部分の高熱やプロー
ブの支持棒４に付着地金５によつてシール３に設
けたパツキン９が損傷し、該損傷したパツキンを
そのままにしておくと真空槽１の真空度の維持が
困難になるので、パツキンを屡々取り替えなけれ
ばならないという問題があつた。

本発明装置は、上記の従来装置がもつている問
題点を解決したものであつて、真空槽の一部に設
けた開口部を経てサンプリング用のプローブを挿
入し、真空槽内部に位置する溶融金属の測温・サ
ンプリングを行なう装置に於て、上記真空槽開口
部に気密に配設され脱着自在のシールカバーに、
前記プローブの支持棒を摺動自在に設けると共
に、該支持棒に設けた係止部によりシールカバー
と係合する如くなしたことを特徴とする真空精錬
炉に於ける測温・サンプリング装置。

真空槽の一部に設けた開口部を経てサンプリン
グ用のプローブを挿入し、真空槽内部に位置する
溶融金属の測温・サンプリングを行なう装置に於
て、上記真空槽開口部上に遮断弁箱を設置すると
共に、上記遮断弁箱に気密に配設され脱着自在の
シールカバーに、前記プローブの支持棒を摺動自
在に設け、該支持棒に設けた係止部によりシール
カバーと係合する如くなしたことを特徴とする真
空精錬炉に於ける測温・サンプリング装置であ
る。

以下、本発明装置の実施例を図面により説明す
る。

第３図及び第４図において、溶融金属６を収納
している真空槽１の上部７には測温・サンプリン
グ用の開口部８が設けられている。その開口部よ
り測温・サンプリング用のプローブ２およびプロ
ーブの支持棒４が真空槽１内に挿入される。

プローブの支持棒４を気密に囲んでいて、該支
持棒４の摺動を許容するグランドパツキン９を収
納しているシールカバー１０は、上部にグランド
パツキンホルダー１１、グランドパツキン押え１
２を有し、下部に接続フランジ１３を有する。尚
３４は伸縮管で必要に応じシールカバー１０の中
間部に設置される。

前記シールカバー１０の接続フランジ１３は真
空槽開口部８周囲のフランジ１４上にシールパツ
キン１５を介して配設してあり、この部分での真
空槽１内の外気からの気密的遮断を確保する。

前記プローブ支持棒４はチエーン１６、スプロ
ケツト１７を介して駆動用電動機１８にて昇降さ
せられる。またプローブ支持棒４には係止部１９
が設けられており、該係止部１９はプローブ支持
棒４が上昇してくるとシールカバー１０の一部と
係止する。

上述の実施例装置において、溶融金属６の測
温・サンプリングを行なう手順は下記に示す通り
である。

第４図の状態、すなわち、シールカバー１０が
真空槽開口部８より分離して上方にありプローブ
２の装着が容易な位置までプローブ支持棒４が上
昇している状態において、作業者の人力作業や図
示しない機械式プローブ装着装置によつて、プロ
ーブ２をプローブ支持棒４に装着する。次にプロ
ーブ支持棒４と一緒にシールカバー１０を下降さ
せ、シールカバー１０のフランジ１３を真空槽開
口部８の周囲のフランジ１４上に載せ、その状態
で、又は適宜なフランジの固着装置によりフラン
ジ１３をフランジ１４に固着（圧着装置は図示せ
ず）した状態で真空槽内の真空処理を行なう。次
いで測温・サンプリングを行なう際には、プロー
ブの支持棒４をグランドパツキン９に対して摺動
させながら下降させ、プローブ２を溶融金属６中
に浸漬し、一定時間後に上昇させ停止する。この
時はまた支持棒の係止部１９はシールカバーに係
止してなく、前記シールカバーのフランジ１３は
真空槽開口部のフランジ１４上に気密性を維持し
て載置している。真空処理が終了後、フランジの
固着装置で固着してある場合は該固着を解除し、
そしてプローブ支持棒４を更に上昇させる。そう
すると係止部１９がシールカバー１０に係合し、
以後シールカバー１０はプローブ支持棒４と共に
上昇させられて作業開始位置に至る。そこでプロ
ーブ２を抜き取る。

従つて、本実施例装置によれば第４図に示した
如く、シールカバー１０はプローブ支持棒４と共
に上昇しプローブ２はシールカバー１０のグラン
ドパツキン９内を通過することがないのでグラン
ドパツキン９はプローブ２等の熱による損傷を受
けることがない。

次に真空処理中は、真空槽内部を大気に復圧せ
ずに数回にわたつて測温・サンプリングを行なう
必要がある時の本発明装置の実施例について説明
する。この実施例装置は第３，４図の実施例装置
に更に遮断弁を追加設置してある。

すなわち、第５図及び第６図において、真空槽
１の開口部８とシールカバー１０との間に遮断弁
２０を収納している遮断弁箱２１が設置されてお
り、該遮断弁２０は腕２２を介して駆動装置２３
により開口部８を閉、又は開する位置に駆動され
る。該駆動装置と遮断弁とを連続する腕は、図示
しない周知の真空シール部品を装備して、気密的
に遮断弁箱２１壁を貫通している。遮断弁２０は
開口部８のフランジ２４にパツキン２５を介して
圧接し該圧接しているときは真空槽１内を外気と
遮断する。なお遮断弁については本図に示したも
の以外の周知の弁構造のものも使用できる。

２６および２７は遮断弁２０が閉の状態の時
に、その遮断弁２０とシールカバー１０とで囲ま
れた空間を真空圧、又は大気圧にするために、遮
断弁箱に開口する排気管および復圧管でありそれ
ぞれ２６と２７は図示しない真空排気装置と復圧
用空気源とに連結されており、その途中にそれぞ
れ弁２８，２９が設置されている。

尚シールカバー１０の下部の接続フランジ１３
は遮断弁箱２１の開口部周辺フランジ１４上に気
密に配設してあり、シールカバー１０は遮断弁箱
に着脱可能である。

この第５，６図に示す装置において真空処理中
に測温・サンプリングを行なう手順は下記に示す
通りである。

第６図の状態すなわち排気管の弁２８及び遮断
弁２０が閉であり、かつシールカバー１０が真空
槽開口部を覆つて設けてある遮断弁箱２１より分
離して上方にありプローブ２の装着が容易な位置
までプローブ支持棒４が上昇している状態におい
て、プローブ２をプローブ支持棒４に装着する。

次にプローブの支持棒４とシールカバー１０と
を一緒に下降させシールカバー１０の接続フラン
ジ１３を遮断弁箱２１のフランジ１４上に載せた
状態で、又はフランジ固着装置によりフランジ１
３をフランジ１４に固着した（圧着装置は図示せ
ず）状態で復圧管の弁２９を閉にしたのち排気管
の弁２８を開にし、シールカバー１０と遮断弁２
０とで囲まれた空間内を真空槽１内と同様真空状
態にした後に遮断弁２０を開にする。その後にプ
ローブ支持棒４をグランドパツキン９に対して摺
動させながら下降させ、プローブ２を溶融金属６
中に一定時間浸漬させる。その後、プローブ２を
上昇させる。プローブの支持棒４がグランドパツ
キン９内部を摺動しつつ上昇し、支持棒の係止部
１９がシールカバー１０に係止するまでの間に遮
断弁２０と排気管の弁２８を閉にし、それから復
圧管の弁２９を開にして前記空間内を大気圧に戻
し、次にフランジ固着装置が設置されている場合
は該固着を解除する。プローブ支持棒４の係止部
１９がシールカバー１０に係止した後はプローブ
支持棒４とシールカバー１０とは一緒に第６図に
示す作業開始位置まで上昇させられる。そこでプ
ローブ２を抜き取る。

なお本実施例装置においては、排気管２６、復
圧管２７を設置したけれども、これらは必須のも
のではない。遮断弁２０が閉の状態では真空槽１
内の圧力が遮断弁箱２１内の圧力より低いために
遮断弁２０を開ける時に本実施例のように遮断弁
箱２１内を排気する場合に比べて排気管２６を設
けてないものは大きな駆動力を要するけれども、
遮断弁２０の駆動装置２３の駆動力をそれだけ大
きくすればよいし、又、排気管２６がないと遮断
弁箱２１内の空気が真空槽１内に流れ込むけれど
も特別に高真空度を要求される精錬の場合以外は
大きな影響はない。また復圧管２７を設置しない
場合は第５図の状態でプローブ支持棒４を引き上
げてシールカバー１０を一緒に上昇させる際、シ
ールカバー１０の内外の圧力差による力がシール
カバー１０に加わるので、遮断弁２０とシールカ
バー１０とで囲まれた空間内を大気圧に戻した場
合に比べて大きな引き上げ力を要するが、これに
しても引き上げ用電動機の駆動力の大きいものを
用いればよい。従つて、排気管２６、復圧管２７
が存在しないとしても本発明の特徴は何ら失われ
ることはない。

本発明によると、シールカバーを真空槽又は遮
断弁箱に対して着脱自在とし、プローブの支持棒
と一緒にシールカバーを上昇させることができる
構成を具備するので、従来の装置のようにプロー
ブ２や高熱になつているプローブの支持棒４の先
端部がグランドパツキン９部を通過することがな
く、従つてグランドパツキンが熱による損傷を受
けることがなく真空シールが確実に行なえるとい
う利点がある。

また、真空槽とシールカバーの間に遮断弁箱を
設け、遮断弁箱とシールカバーとを着脱自在とし
たものでは、上記利点に加えて、真空槽内の真空
度を維持したままで測温・サンプリングができ、
従つて従来の装置に比べて、復圧時間等の時間を
節約することができ、処理時間が短くて済み、さ
らに、真空排気や大気復圧に必要な動力やユーテ
イリテイが不要であるという利点と上記の通り真
空槽の真空度を維持した状態で、真空精錬中の初
期、中期、末期等の各精錬段階に応じて数回の測
温・サンプリングを行なうことができるという利
点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来装置を示してあり、第
１図は測温・サンプリング中の説明図、第２図は
測温・サンプリングの前あるいは後の状態の説明
図である。第３図及び第４図は本発明装置の一実
施例を示し、第５図及び第６図は他の実施例を示
し、第３図及び第５図は測温・サンプリング中の
説明図、第４図及び第６図は測温・サンプリング
の前あるいは後の状態の説明図である。 １…真空槽、２…プローブ、４…支持棒、６…
溶融金属、８…開口部、９…シールパツキン、１
０…シールカバー、１９…係止部、２０…遮断
弁、２１…遮断弁箱。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 真空槽の一部に設けた開口部を経てサンプリ
   ング用のプローブを挿入し、真空槽内部に位置す
   る溶融金属の測温・サンプリングを行なう装置に
   於て、 上記真空槽開口部に気密に配設され脱着自在の
   シールカバーに、前記プローブの支持棒を摺動自
   在に設けると共に、該支持棒に設けた係止部によ
   りシールカバーと係合する如くなしたことを特徴
   とする真空精錬炉に於ける測温・サンプリング装
   置。 ２ 真空槽の一部に設けた開口部を経てサンプリ
   ング用のプローブを挿入し、真空槽内部に位置す
   る溶融金属の測温・サンプリングを行なう装置に
   於て、 上記真空槽開口部上に遮断弁箱を設置すると共
   に、上記遮断弁箱に気密に配設され脱着自在のシ
   ールカバーに、前記プローブの支持棒を摺動自在
   に設け、該支持棒に設けた係止部によりシールカ
   バーと係合する如くなしたことを特徴とする真空
   精錬炉に於ける測温・サンプリング装置。