JPH02188937A - Tape carrier for tab of inner-lead connection system, and manufacture of semiconductor integrated circuit using same - Google Patents

Tape carrier for tab of inner-lead connection system, and manufacture of semiconductor integrated circuit using same

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JPH02188937A
JPH02188937A JP804589A JP804589A JPH02188937A JP H02188937 A JPH02188937 A JP H02188937A JP 804589 A JP804589 A JP 804589A JP 804589 A JP804589 A JP 804589A JP H02188937 A JPH02188937 A JP H02188937A
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tape carrier
integrated circuit
semiconductor integrated
tab
inner leads
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Mamoru Onda
護 御田
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Hitachi Cable Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain a tape carrier in which a deformation of inner leads and an irregu larity in their height are small, whose reliability of an element bonding operation is high and whose pitch is fine by a method wherein all tip parts of the inner leads are formed collectively in such a way that they are connected to a connection plate made of a metal foil via narrow parts which can be broken by an external force. CONSTITUTION:In a tape carrier 1 for TAB use, the following are formed: an organic insulating material tape 4 having a device and hole 3 used to assemble a semiconductor integrated circuit element; inner leads 2, made of a metal foil, which are extended on the surface of the tape 4 toward the device hole 3. All tip parts of said inner leads 2 are formed collectively in such a way that they are connected to a connection plate 11 made of a metal foil via narrow parts 2a which can be broken by an external force. The semiconductor integrated circuit element is mounted on the inner leads 2 of the tape carrier 1 for TAB use; after that, said connection plate 11 is stripped off mechanically at said narrow parts 2a; the individual inner leads 2 are insulated electrically; and a semiconductor integrated circuit is manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、インナーリード連結式TAB用テープキャリ
アおよびこれを用いた半導体集積回路の製造方法に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to an inner lead-connected TAB tape carrier and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same.

〈従来の技術〉 半導体素子の実装技術においては、一定水準以上の性能
を持つ製品を高速で量産するために自動化が図られてい
る。
<Conventional Technology> Automation is being attempted in semiconductor element mounting technology to mass-produce products with performance above a certain level at high speed.

この自動化を目的として開発された半導体素子の実装技
術の一つに、長尺のテープキャリアにワイヤレスボンデ
ィングにより半導体素子を組込んでゆ< T A B 
(Tape Automated Bondin、g)
方式がある。
One of the semiconductor element mounting techniques developed for the purpose of this automation is to incorporate semiconductor elements into a long tape carrier by wireless bonding.
(Tape Automated Bondin, g)
There is a method.

このTABでは、半導体素子の各電極端子にバンブを設
け、このバンブと対応するテープキャリアのインナーリ
ードとをボンディングツールにより熱圧着した後、絶縁
性の流動レジンにより樹脂封止され、さらに表面保護コ
ートが施されるという操作が連続的に行なわれる。
In this TAB, a bump is provided on each electrode terminal of a semiconductor element, and after the bump and the inner lead of the corresponding tape carrier are bonded by thermocompression using a bonding tool, the bump is sealed with an insulating fluid resin, and then a surface protection coat is applied. This operation is performed continuously.

最近前記TAB用テープキャリアによるICパッケージ
は、従来の時計用等の民生機からパソコン、高品質液晶
テレビ等にも応用が広がり、いわゆる高級民生機から営
業用にも実用化が急速に進んでいる。
Recently, the application of IC packages using TAB tape carriers has been expanding from conventional consumer devices such as watches to personal computers, high-quality LCD televisions, etc., and their practical use is rapidly progressing from so-called high-end consumer devices to commercial use. .

このような従来のTAB用テープキャリアは、例えば第
5図に示す構造になっている。
Such a conventional TAB tape carrier has a structure shown in FIG. 5, for example.

第5図では18ピンのTAB用テープキャリア1を示し
であるが、実際には100〜300ピンがTAB用テー
プキャリアの主流となっている。
Although FIG. 5 shows an 18-pin TAB tape carrier 1, in reality, TAB tape carriers with 100 to 300 pins are the mainstream.

従来構造は、第5図に示すようにインナーリード2の先
端が完全に独立しており、デバイスホール3の内側に向
かい0.5〜1.0mm突き出している。
In the conventional structure, as shown in FIG. 5, the tips of the inner leads 2 are completely independent and protrude 0.5 to 1.0 mm toward the inside of the device hole 3.

インナーリード2は、18〜35μm厚さで幅60〜1
00μmの微細なフィンガー状となっており、多ピン程
変形しやすいのが最大の欠点である。
Inner lead 2 has a thickness of 18 to 35 μm and a width of 60 to 1
It has a fine finger shape of 00 μm, and its biggest drawback is that it is more easily deformed as the number of pins increases.

なお、4はフィルム、5はパイロットホール、6はアウ
ターリード、7はデバイスホールの端面である。
Note that 4 is a film, 5 is a pilot hole, 6 is an outer lead, and 7 is an end face of a device hole.

第5図に示すリードパターンを有する従来のTAB用テ
ープキャリアは、例えば第6図に示すように標準35m
m幅ポリイミドフィルム4あるいはガラスエポキシ等の
有機絶縁材料テープにまず半導体集積回路素子8(以下
、rc素子という)取付用デバイスホール3を開口させ
その表面に厚さ18〜35μmの銅箔を全面に貼付けて
、フォトエツチング法によりインナーリード2、アクタ
−リード6のパターンを形成させる構造となっていた。
A conventional TAB tape carrier having a lead pattern shown in FIG. 5 has a standard 35 m
First, a device hole 3 for mounting a semiconductor integrated circuit element 8 (hereinafter referred to as an RC element) is opened in an m-wide polyimide film 4 or an organic insulating material tape such as glass epoxy, and a copper foil with a thickness of 18 to 35 μm is completely covered on the surface. The structure was such that patterns of inner leads 2 and actor leads 6 were formed by pasting and photoetching.

そして、第6図に示すように、このTAB用テープキャ
リアはIC素子8をデバイスホール3に取付け、インナ
ーリード2とIC素子電極9とをギヤングボンディング
し、点線で示す領域を封止レジン10で封止する構造と
なっていた。
As shown in FIG. 6, in this TAB tape carrier, the IC element 8 is attached to the device hole 3, the inner lead 2 and the IC element electrode 9 are bonded to each other, and the area indicated by the dotted line is covered with a sealing resin 10. It was designed to be sealed with

〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、前記従来のTAB用テープキャリアには以下
のような問題点があった。
<Problems to be Solved by the Invention> By the way, the conventional TAB tape carrier has the following problems.

(1)インナーリード2が変形しやすく、IC素子電極
9との位置整合がとれなくなる。
(1) The inner lead 2 is easily deformed and cannot be aligned with the IC element electrode 9.

(2)インナーリード2の高さ方向の変動がおき、イン
ナーリード2とIC素子8との接合時、位置検出カメラ
の焦点が合わず、ボンディングエラーをおこしやすい。
(2) The inner lead 2 fluctuates in the height direction, and when the inner lead 2 and the IC element 8 are bonded, the position detection camera is out of focus, which tends to cause bonding errors.

(3)微細ピッチのTAB用テープキャリアの製造が不
可能である。 すなわち、インナーリード2の幅が狭い
微細ピッチTAB用テープキャリア(インナーリード幅
50μm以下で、インナーリード2間の間W850μm
以下=ピッチ100μm以下をいう)ではインナーリー
ド2先端が分離している場合にエツチング液の乱流によ
る細りが生じて、第5図5示すデバイスホール3方向へ
の突き出し寸法dが不揃いになり、この状態でIC素子
電極9と接合した場合、短くなったインナーリードは接
合不良を起こす。
(3) It is impossible to manufacture a fine pitch TAB tape carrier. That is, a tape carrier for fine pitch TAB with narrow inner leads 2 (inner lead width 50 μm or less, distance between inner leads 2 W850 μm)
(hereinafter referred to as a pitch of 100 μm or less), when the tips of the inner leads 2 are separated, thinning occurs due to the turbulent flow of the etching liquid, and the protrusion dimension d in the direction of the device hole 3 shown in FIG. 5 becomes uneven. If the inner lead is bonded to the IC element electrode 9 in this state, the shortened inner lead will cause a bonding failure.

本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、素子接合の
信頼性が高く、微細ピッチのインナーリード連結式TA
B用テープキャリアおよびこれを用いた半導体集積回路
の製造方法を提供することを目的としている。
The present invention solves the problems of the above-mentioned prior art, has high element bonding reliability, and provides a fine-pitch inner lead connection type TA.
The present invention aims to provide a B tape carrier and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same.

く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明によれば、半導体集積
回路素子組み込み用デバイスホールを有する有機絶縁材
料テープと前記テープの表面に前記デバイスホールに向
けて延長する金属箔製インナーリードな形成したTAB
用テープキャリアにおいて、 前記インナーリードのすべての先端部が、金属箔製連結
板に外力によって破断可能な狭隘部を介して接続し゛て
一体に形成されたことを特徴とするインナーリード連結
式TAB用テープキャリアが)是供される。
Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention provides an organic insulating material tape having a device hole for incorporating a semiconductor integrated circuit element, and an organic insulating material tape having a surface of the tape extending toward the device hole. TAB formed with metal foil inner lead
In the tape carrier for inner lead connecting type TAB, wherein all the tips of the inner leads are integrally formed by connecting to a metal foil connecting plate via a narrow part that can be broken by external force. A tape carrier) is provided.

前記金属箔が、銅箔または銅合金箔であるのが好ましい
It is preferable that the metal foil is a copper foil or a copper alloy foil.

また、本発明によれば、前記TAB用テープキャリアを
・用いて半導体集積回路を製造するに際し、 前記TAB用テープキャリアを用意し、このTAB用テ
ープキャリアのインナーリードに半導体集積回路素子を
装着し、この後に前記連結板を前記狭隘部にて機械的に
剥離して各インナーリードを電気的に絶縁することを特
徴とする半導体集積回路の製造方法が提供される6以下
に、本発明をさらに詳細に説明する。
Further, according to the present invention, when manufacturing a semiconductor integrated circuit using the TAB tape carrier, the TAB tape carrier is prepared, and a semiconductor integrated circuit element is mounted on the inner lead of the TAB tape carrier. There is provided a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, characterized in that the connecting plate is then mechanically peeled off at the narrow portion to electrically insulate each inner lead. Explain in detail.

本発明に用いられる有機絶縁材料テープは、フィルム状
の所定幅の長尺のテープであって、加工性がよく、耐熱
性、耐放射線性、耐湿性などを有し、絶縁性に優れた有
機高分子材料製のテープであれば何でもよく、有機絶縁
材料としては、例えば、代表的にポリイミド、ガラスエ
ポキシ、エポキシ樹脂、エポキシポリイミド、ポリイミ
ドシリコーン、感光性ポリイミドなどを挙げることがで
きる。 このテープの厚さはTAB用テープキャリアに
用いられるテープ厚さを有していればよく、特に限定さ
れないが、例えば、通常75〜125μm程度とすれば
よい。
The organic insulating material tape used in the present invention is a film-like long tape with a predetermined width, and has good processability, heat resistance, radiation resistance, moisture resistance, etc. Any tape may be used as long as it is made of a polymeric material, and typical examples of the organic insulating material include polyimide, glass epoxy, epoxy resin, epoxy polyimide, polyimide silicone, and photosensitive polyimide. The thickness of this tape is not particularly limited as long as it has the thickness of a tape used for a TAB tape carrier, but it may be, for example, usually about 75 to 125 μm.

また、本発明に用いられる金属箔としては、導電性のよ
い金属製でフォトエツチング法などにより、リードパタ
ーンあるいは配線パターンを形成できる金属箔であれば
、いかなるものでもよく、例えば、代表的に銅箔、銅合
金箔などが挙げられる。
Further, as the metal foil used in the present invention, any metal foil may be used as long as it is made of a metal with good conductivity and can form a lead pattern or a wiring pattern by a photoetching method. For example, copper is typically used. Examples include foil and copper alloy foil.

また、この金属箔の厚さは特に制限的ではなく、TAB
用テープキャリアとして必要な厚さを金属箔の配線パタ
ーン、剛性等により適宜選択すればよいが、例えば、1
8〜35μm程度とすればよい。
Moreover, the thickness of this metal foil is not particularly limited, and TAB
The thickness required for the tape carrier may be appropriately selected depending on the wiring pattern of the metal foil, rigidity, etc.
The thickness may be approximately 8 to 35 μm.

また、これらの金属箔の表面を半田めっ幹、錫めっき等
で処理してもよい。
Further, the surfaces of these metal foils may be treated with solder plating, tin plating, etc.

また、本発明において、金属箔層に形成される配線パタ
ーンは、第5図に示すIC素子用リードパターン(第1
図も同じ)に限定されないことは勿論、搭載される部品
、回路、デバイス、素子などに応じ適宜必要な配線パタ
ーンをフォトエツチング法などにより形成すればよい。
In addition, in the present invention, the wiring pattern formed on the metal foil layer is the lead pattern for IC element (first
Of course, the present invention is not limited to the above (the same applies to the figures), and a necessary wiring pattern may be formed by photo-etching or the like depending on the components, circuits, devices, elements, etc. to be mounted.

本発明に用いられる前記金属箔用の接着剤は、金属箔を
有機絶縁材料テープに好適に貼り付けることができれば
どのようなものでもよく、絶縁性を有し、耐熱性、耐湿
性を有するものが好ましく、例えば、代表的にエポキシ
系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン樹脂系接着剤
などが挙げられる。
The adhesive for the metal foil used in the present invention may be any adhesive as long as it can suitably attach the metal foil to the organic insulating material tape, and has insulating properties, heat resistance, and moisture resistance. is preferable, and representative examples thereof include epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone resin adhesives, and the like.

本発明の最も特徴とするところは、第2図に示すように
インナーリード2のすべての先端部が、金属箔製連結板
11に外力によって破断可能な狭隘部2aを介して接続
して一体に形成されたことにある。 この連結板11は
、インナーリード2とIC素子電極9とを接続したあと
で容易に機械的に剥離して取り除き、各インナーリード
2を電気的に絶縁することができる。 この剥離は化学
的な手段を必要とせず、物理的、機械的手段で行われる
ように、インナーリード2の先端の狭隘部2aの幅をイ
ンナーリード2の幅よりも細くしておくことが必要であ
る。
The most characteristic feature of the present invention is that, as shown in FIG. 2, all the tips of the inner leads 2 are connected to the metal foil connecting plate 11 via the narrow portion 2a that can be broken by external force, and are integrated into one body. It lies in the fact that it was formed. This connecting plate 11 can be easily mechanically peeled off and removed after the inner leads 2 and the IC element electrodes 9 are connected, and each inner lead 2 can be electrically insulated. This separation does not require chemical means, but is performed by physical or mechanical means, so it is necessary to make the width of the narrow part 2a at the tip of the inner lead 2 narrower than the width of the inner lead 2. It is.

前記連結板11の形状は、第1図に示すような板状のも
のに限ることなく、例えば第3図に示すように内側の一
部を適宜の大きさにくり抜いた形状の連結板11aとす
れば前記剥離作業がやりやすいので好ましい。 この場
合、第3図に示すaの寸法をあまり小さくすると連結板
11aが破断する危険がある。 また、狭隘部2aの幅
は、前記寸法aおよびインナーリード2の幅よりも細く
しておくことが必要である。
The shape of the connecting plate 11 is not limited to the plate-like one shown in FIG. 1, but may be a connecting plate 11a having a shape in which a part of the inner side is hollowed out to an appropriate size as shown in FIG. 3, for example. This is preferable because the peeling operation can be easily performed. In this case, if the dimension a shown in FIG. 3 is made too small, there is a risk that the connecting plate 11a will break. Further, the width of the narrow portion 2a needs to be smaller than the dimension a and the width of the inner lead 2.

次に、前記本発明のTAB用テープキャリアを用いた半
導体集積回路の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the TAB tape carrier of the present invention will be explained.

まず、前記本発明のTAB用テープキャリアを用意し、
第4図に示すようにこのTAB用テープキャリアのイン
ナーリード2とIC素子電極9とを一度にギヤングボン
ディングしたのち、ビンセット等を用いて機械的に連結
板11を剥離すれば、連結板11は容易に各インナーリ
ード2の先端の狭隘部2aにて分離し、各インナーリー
ド2を電気的に絶縁することができる。
First, prepare the TAB tape carrier of the present invention,
As shown in FIG. 4, after the inner lead 2 of this TAB tape carrier and the IC element electrode 9 are bonded at once, the connecting plate 11 is mechanically peeled off using a screw set or the like. 11 can be easily separated at the narrow portion 2a at the tip of each inner lead 2, and each inner lead 2 can be electrically insulated.

続いて、通常の方法により第6図に示すように点線で示
す領域を封止レジン10で封止すれば半導体集積回路が
でき上がる。
Subsequently, as shown in FIG. 6, the region indicated by the dotted line is sealed with a sealing resin 10 by a conventional method, and a semiconductor integrated circuit is completed.

〈実施例〉 以下に、本発明に係るインナーリード連結式TAB用テ
ープキャリアを添付の図面に示す好適実施例に基づいて
さらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるわ
けではない。
<Example> Hereinafter, the inner lead-connected TAB tape carrier according to the present invention will be described in more detail based on a preferred example shown in the accompanying drawings, but the present invention is not limited thereto.

第1図は、本発明のインナーリード連結式TAB用テー
プキャリアの平面図である。本実施例は、有機絶縁材料
テープとしてテープ状のポリイミドフィルム、金属箔と
して銅箔を用いるものである。
FIG. 1 is a plan view of an inner lead-connected TAB tape carrier of the present invention. In this embodiment, a tape-shaped polyimide film is used as the organic insulating material tape, and copper foil is used as the metal foil.

同図に示すように、インナーリード連結式TAB用テー
プキャリア1はポリイミドフィルム4の表面に銅箔層を
接着剤を用いて貼着し、表面銅箔層はポリイミドフィル
ム4に空けられたIC素子8取付用のデバイスホール3
に向けて延長するインナーリード2を有するリードパタ
ーンすなわちIC素子用配線パターンを形成したもので
ある。 前記インナーリード2のすべての先端部が、銅
箔製連結板11に狭隘部2aを介して接続して一体に形
成されている。
As shown in the figure, the tape carrier 1 for inner-lead connected type TAB is made by pasting a copper foil layer on the surface of a polyimide film 4 using an adhesive, and the surface copper foil layer is made of an IC element formed in the polyimide film 4. 8 Device hole 3 for mounting
A lead pattern, ie, a wiring pattern for an IC element, is formed having inner leads 2 extending toward. All the tips of the inner leads 2 are integrally connected to the copper foil connecting plate 11 via the narrow portion 2a.

そして、TAB用テープキャリア1は、IC素子電極(
例えばAuバンブ)9とインナーリード2とを一度にギ
ヤングボンディングしたのち、連結板11を剥離し、第
6図に点線で示す領域を封止レジン10で封止するもの
である。
The TAB tape carrier 1 has an IC element electrode (
For example, after performing gigantic bonding on the Au bumps 9 and the inner leads 2 at once, the connecting plate 11 is peeled off, and the area shown by the dotted line in FIG. 6 is sealed with a sealing resin 10.

このようなインナーリード連結式TAB用テープキャリ
ア1の表面は、従来のTAB用テープキャリアの表面と
同様なものであってよく、例えば、第1図に示すような
表面構成を有する。 長尺のポリイミドフィルム4には
その中央に実装置C素子用のデバイスホール3が空けら
れ、両側に所定間隔でパイロットホール5が連続して設
けられる。 デバイスホール3の周囲には、デバイスホ
ール3に延長するインナーリード2とポリイミドフィル
ムに貼着されているアクタ−リード6からなる銅箔製リ
ードが所定のリードパターンで形成、されている。
The surface of such an inner lead connected type TAB tape carrier 1 may be similar to the surface of a conventional TAB tape carrier, and has a surface configuration as shown in FIG. 1, for example. A long polyimide film 4 has a device hole 3 for an actual device C element in its center, and pilot holes 5 are continuously provided on both sides at predetermined intervals. Around the device hole 3, copper foil leads are formed in a predetermined lead pattern, consisting of an inner lead 2 extending to the device hole 3 and an actor lead 6 stuck to a polyimide film.

これらのリードが狭隘部2aを介して連結板11と一体
となって表面銅箔層を形成する。
These leads are integrated with the connecting plate 11 via the narrow portion 2a to form a surface copper foil layer.

(実施例1) 第1図に示す平面形状を有する本発明のインナーリード
連結式TAB用テープキャリアとしてインナーリード1
00ピン用のものを製造した。 このTAB用テープキ
ャリアの製造方法はまずポリイミドフィルム4をパンチ
ング加工してデバイスホール3を形成させる。 次に、
銅箔層をパイロットホール5の部分を除いて35mm幅
ポリイミドフィルム4の全面にエポキシ系接着剤を用い
て貼付け、フォトレジスト法により所定のリードパター
ンにインナーリード2およびアウターリード6を形成さ
せた。
(Example 1) An inner lead 1 as a tape carrier for an inner lead connected type TAB of the present invention having a planar shape shown in FIG.
A version for 00 pins was manufactured. In this method of manufacturing a TAB tape carrier, first, a polyimide film 4 is punched to form device holes 3. next,
A copper foil layer was attached to the entire surface of a 35 mm wide polyimide film 4 except for the pilot hole 5 using an epoxy adhesive, and inner leads 2 and outer leads 6 were formed in a predetermined lead pattern using a photoresist method.

このとき、デバイスホール3の部分は、第2図に拡大し
て示すように各インナーリード2の先端の狭隘部2aを
介して連結板11に接続して一体に形成させた。 前記
銅箔層の厚さは35μm1パターンの幅は50μm1イ
ンナーリード2の先端の幅は30umとした。
At this time, the device hole 3 portion was integrally connected to the connecting plate 11 via the narrow portion 2a at the tip of each inner lead 2, as shown in an enlarged view in FIG. The thickness of the copper foil layer was 35 μm, the width of one pattern was 50 μm, and the width of the tip of each inner lead 2 was 30 μm.

このTAB用テープキャリアのIC素子電極9との接合
の方法は、従来のGBツールをそのまま用いることがで
幹、第2図に示すように点線12の大きさの底面が完全
平型の高温ツール(350〜450℃)を電極1個当り
荷重約60gで2秒間接触させることにより接合が完了
した。
To join this TAB tape carrier to the IC element electrode 9, a conventional GB tool can be used as is.As shown in FIG. (350 to 450°C) for 2 seconds at a load of about 60 g per electrode to complete bonding.

その後、連結板11を引きちぎることによりリードを完
全に独立させることができた。 この引きちぎりは、半
導体専用の先端が突状のピンセットで、容易におこなう
ことができた。
Thereafter, by tearing off the connecting plate 11, the leads could be made completely independent. This tearing off was easy with tweezers with protruding tips made specifically for semiconductors.

引きちぎりた後の接合部の断面の形状は第4図に示すと
おりで、インナーリード2の変形、高さのバラツキ等が
少なく、素子接合の信頼性の高い微細ピッチのものが得
られた。
The cross-sectional shape of the bonded portion after tearing is as shown in FIG. 4, and the inner leads 2 have little deformation, little variation in height, etc., and have a fine pitch with high reliability for device bonding.

(実施例2) 第3図に示すように内側の一部を適宜の大きさにくり抜
いた形状の連結板11aとしたほかは、実施例1と同様
にして本発明のインナーリード連結式TAB用テープキ
ャリアを製造した。
(Example 2) The inner lead connecting type TAB of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1, except that the connecting plate 11a had a shape in which a part of the inside was hollowed out to an appropriate size as shown in FIG. A tape carrier was manufactured.

この方法の場合、連結板11aを引きちぎりやすいとい
う利点があり、連結板11aの部分をピンセットでつま
み上げるのが極めて容易である。
This method has the advantage that the connecting plate 11a can be easily torn off, and it is extremely easy to pick up the connecting plate 11a with tweezers.

なお、第3図に示すaの寸法をあまり小さくすると連結
板11aが破断する危険があり、弓きちぎり回数が増え
るので、aの値はインナーリードの幅より充分大きいこ
とが必要である。
Note that if the dimension a shown in FIG. 3 is made too small, there is a risk that the connecting plate 11a will break, and the number of times the bow will be torn off will increase, so the value of a needs to be sufficiently larger than the width of the inner lead.

〈発明の効果〉 本発明は、以上説明したように構成されているので、イ
ンナーリードの先端の位置が狭隘部を介して連結板によ
って支持され、インナーリードの変形、高さのバラツキ
等が少なく、素子接合の信頼性の高い微細ピッチの多ピ
ンのインナーリード連結式TAB用テープキャリアを得
ることができた。
<Effects of the Invention> Since the present invention is configured as described above, the position of the tip of the inner lead is supported by the connecting plate through the narrow part, and deformation of the inner lead, variation in height, etc. is minimized. We were able to obtain a fine-pitch, multi-pin, inner lead-connected TAB tape carrier with high reliability in device bonding.

また、本発明のインナーリード連結式TAB用テープキ
ャリアを用いた半導体集積回路の製造方法によれば、容
易に機械的に連結板を剥離できるのでギヤングボンディ
ングのスピードが上がり、かつIC素子実装歩留りが向
上した。
Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using the inner lead-connected TAB tape carrier of the present invention, the connecting plate can be easily mechanically peeled off, increasing the speed of gigantic bonding and improving the IC element mounting yield. has improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明に係るインナーリード連結式TAB用
テープキャリアの実施例の平面図である。 第2図は、インナーリード先端付近の部分拡大図である
。 第3図は、インナーリード先端付近の他の例を示す部分
拡大図である。 第4図は、IC素子接続部分の断面図である。 第5図は、従来のTAB用テープキャリアの平面図であ
る。 第6図は、従来のTAB用テープキャリアの断面図であ
る。 符号の説明 1…TAB用テープキヤリア、 2・・・インナーリード、 2a・・・狭隘部、 3・・・デバイスホール、 4・・・フィルム(ポリイミドフィルム)、5・・・パ
イロットホール、 6・・・アクタ−リード、 7・・・デバイスホールの端面、 8・・・IC素子、 9・・・XC素子電極、 10・・・封止レジン、 11・・・連結板、 12軸参〇Bツール
FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the inner lead-connected TAB tape carrier according to the present invention. FIG. 2 is a partially enlarged view of the vicinity of the tip of the inner lead. FIG. 3 is a partially enlarged view showing another example of the vicinity of the tip of the inner lead. FIG. 4 is a sectional view of the IC element connection portion. FIG. 5 is a plan view of a conventional TAB tape carrier. FIG. 6 is a sectional view of a conventional TAB tape carrier. Explanation of symbols 1... TAB tape carrier, 2... Inner lead, 2a... Narrow part, 3... Device hole, 4... Film (polyimide film), 5... Pilot hole, 6. ... Actor lead, 7... End face of device hole, 8... IC element, 9... XC element electrode, 10... Sealing resin, 11... Connection plate, 12 Axis 〇B tool

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体集積回路素子組み込み用デバイスホールを
有する有機絶縁材料テープと前記テープの表面に前記デ
バイスホールに向けて延長する金属箔製インナーリード
を形成したTAB用テープキャリアにおいて、 前記インナーリードのすべての先端部が、 金属箔製連結板に外力によって破断可能な狭隘部を介し
て接続して一体に形成されたことを特徴とするインナー
リード連結式TAB用テープキャリア。
(1) In a TAB tape carrier comprising an organic insulating material tape having a device hole for incorporating a semiconductor integrated circuit element and a metal foil inner lead extending toward the device hole on the surface of the tape, all of the inner leads are formed. A tape carrier for an inner-lead connected type TAB, characterized in that the tip portion of the TAB is integrally formed by being connected to a metal foil connecting plate via a narrow portion that can be broken by external force.
(2)前記金属箔が、銅箔または銅合金箔である請求項
1記載のインナーリード連結式TAB用テープキャリア
(2) The inner lead-connected TAB tape carrier according to claim 1, wherein the metal foil is a copper foil or a copper alloy foil.
(3)請求項1または2に記載のTAB用テープキャリ
アを用いて半導体集積回路を製造するに際し、 請求項1または2に記載のTAB用テープ キャリアを用意し、このTAB用テープキャリアのイン
ナーリードに半導体集積回路素子を装着し、この後に前
記連結板を前記狭隘部にて機械的に剥離して各インナー
リードを電気的に絶縁することを特徴とする半導体集積
回路の製造方法。
(3) When manufacturing a semiconductor integrated circuit using the TAB tape carrier according to claim 1 or 2, the TAB tape carrier according to claim 1 or 2 is prepared, and the inner leads of the TAB tape carrier are prepared. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, comprising: mounting a semiconductor integrated circuit element on a semiconductor integrated circuit, and then mechanically peeling off the connecting plate at the narrow portion to electrically insulate each inner lead.
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