JPH02188912A - 3‐5族化合物半導体の選択成長方法 - Google Patents
3‐5族化合物半導体の選択成長方法Info
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- JPH02188912A JPH02188912A JP933089A JP933089A JPH02188912A JP H02188912 A JPH02188912 A JP H02188912A JP 933089 A JP933089 A JP 933089A JP 933089 A JP933089 A JP 933089A JP H02188912 A JPH02188912 A JP H02188912A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、選択成長により基板結晶に垂直な(011)
面を側壁とする突起状の成長層を形成することのできる
III−V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法に
関するものである。
面を側壁とする突起状の成長層を形成することのできる
III−V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法に
関するものである。
(従来の技術)
光通信や、多層間の光配線には光を基板結晶と垂直方向
に取り出す技術が要望されている。これは、光の取出し
のためのファイバーとの接続が容易であり、また、面発
光のアレイを作ることにより、光演算や光コンピュータ
の実現に大きく貢献をすることが期待されるからである
。そこで、従来より種々の面発光レーザや発光ダイオー
ドが提案されて来た。
に取り出す技術が要望されている。これは、光の取出し
のためのファイバーとの接続が容易であり、また、面発
光のアレイを作ることにより、光演算や光コンピュータ
の実現に大きく貢献をすることが期待されるからである
。そこで、従来より種々の面発光レーザや発光ダイオー
ドが提案されて来た。
その−例を第3図に示す。従来、このような構造は、第
4図のような方法で作製されていた。先ず、基板結晶1
3上に5i02のマスク11を施す。次に、フォトリン
グラフィを行なうために、5i02マスク上にレジスト
を塗布して、所望の幅、および長さのパターンを基板上
の所定の位置に露光・現像して、第2図(b)のように
エツチング液により不要部分を取り除く。このエツチン
グの後、例えば反応性イオンエツチング(RIE)によ
りマスクの取り除かれた部分をエツチングして、基板結
晶上に、所定の高さを有する立体構造を作製する。この
エツチングされた側壁15を利用して、ダブルへテロ構
造21などのデバイス構造を作製しようとするものであ
る。
4図のような方法で作製されていた。先ず、基板結晶1
3上に5i02のマスク11を施す。次に、フォトリン
グラフィを行なうために、5i02マスク上にレジスト
を塗布して、所望の幅、および長さのパターンを基板上
の所定の位置に露光・現像して、第2図(b)のように
エツチング液により不要部分を取り除く。このエツチン
グの後、例えば反応性イオンエツチング(RIE)によ
りマスクの取り除かれた部分をエツチングして、基板結
晶上に、所定の高さを有する立体構造を作製する。この
エツチングされた側壁15を利用して、ダブルへテロ構
造21などのデバイス構造を作製しようとするものであ
る。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら上記のようにして作製される側壁はいくつ
か5の問題点を含んでいる。先ず、RIEエツチング加
工においては、平坦な特定の結晶面からなる側壁面を得
ることが困難であり、このような側壁に形成されたデバ
イスはその面の揺らぎの影響を受けることになる。例え
ば、この側壁にダブルへテロ、あるいはシングルへテロ
のレーザ構造を作製したとき、活性層の揺らぎにより発
光効率の低下が懸念される。また、イオンエツチング後
の面はイオンダメージを受けて結晶性の低下が見られ、
この回復のためには高温アニールが必要となるが、形状
が小さくなるに従って熱処理によるエツチング形状の変
化が見られたり、また、この他にデバイス構造をすでに
作製しである集積回路のような場合にはこれらのデバイ
ス特性の劣化が問題となる。さらに、エツチング面には
酸化膜が形成されやすく、これが再成長構造との間の高
抵抗層となってデバイス特性を悪化させる原因となる。
か5の問題点を含んでいる。先ず、RIEエツチング加
工においては、平坦な特定の結晶面からなる側壁面を得
ることが困難であり、このような側壁に形成されたデバ
イスはその面の揺らぎの影響を受けることになる。例え
ば、この側壁にダブルへテロ、あるいはシングルへテロ
のレーザ構造を作製したとき、活性層の揺らぎにより発
光効率の低下が懸念される。また、イオンエツチング後
の面はイオンダメージを受けて結晶性の低下が見られ、
この回復のためには高温アニールが必要となるが、形状
が小さくなるに従って熱処理によるエツチング形状の変
化が見られたり、また、この他にデバイス構造をすでに
作製しである集積回路のような場合にはこれらのデバイ
ス特性の劣化が問題となる。さらに、エツチング面には
酸化膜が形成されやすく、これが再成長構造との間の高
抵抗層となってデバイス特性を悪化させる原因となる。
一方、エツチング加工ではなく、成長によって基板結晶
と垂直な側壁を形成する方法が考えられるが、従来の報
告では基板結晶と叫直な側壁を有する成長形状の報告は
見当たらない。例えば、有機金属熱分解法(MOCVD
)において、次のような結果が報告されている(Tak
ahashi et al、ジャーナルオブクリスタル
グーロスJournal of Crystal Gr
owth68 (1988) 206)。すなわ駄Ga
As(100)面基板結晶上の<011>方向、または
、く0工1〉方向に開口部が形成されている基板結晶上
にMOCVDにより成長を行なった場合、成長側壁は鏡
面となるが、いずれも(111)面が側壁として発達す
るために、基板結晶面と垂直とはならず、この方法では
、最初に述べたような垂直に光を取り出すデバイス構造
の作製には不適当である。
と垂直な側壁を形成する方法が考えられるが、従来の報
告では基板結晶と叫直な側壁を有する成長形状の報告は
見当たらない。例えば、有機金属熱分解法(MOCVD
)において、次のような結果が報告されている(Tak
ahashi et al、ジャーナルオブクリスタル
グーロスJournal of Crystal Gr
owth68 (1988) 206)。すなわ駄Ga
As(100)面基板結晶上の<011>方向、または
、く0工1〉方向に開口部が形成されている基板結晶上
にMOCVDにより成長を行なった場合、成長側壁は鏡
面となるが、いずれも(111)面が側壁として発達す
るために、基板結晶面と垂直とはならず、この方法では
、最初に述べたような垂直に光を取り出すデバイス構造
の作製には不適当である。
本発明は、従来の基板結晶と垂直な側壁形成におけるこ
のような欠点を取り除き、デバイス構造の成長に適した
平坦で、結晶性に優れた基板結晶と垂直な側壁形成する
方法を提供しようとするものである。
のような欠点を取り除き、デバイス構造の成長に適した
平坦で、結晶性に優れた基板結晶と垂直な側壁形成する
方法を提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段)
すなわち、本発明によれば(100)面を有するIII
−V族化合物半導体基板結晶に形成したマスク材上に、
<011>方向に沿った開口部を設け、III族元素の
塩化物を原料とする気相成長方法を用いて、かつ成長領
域に塩化水素を導入することにより、<011>方向に
(011)面側壁を有する突起状成長層を形成すること
を特徴とするIII−V族化合物半導体の選択成長方法
が得られる。
−V族化合物半導体基板結晶に形成したマスク材上に、
<011>方向に沿った開口部を設け、III族元素の
塩化物を原料とする気相成長方法を用いて、かつ成長領
域に塩化水素を導入することにより、<011>方向に
(011)面側壁を有する突起状成長層を形成すること
を特徴とするIII−V族化合物半導体の選択成長方法
が得られる。
(作用)
ここではIII族元素の塩化物を用いる気相成長方法の
一つであるV族元素原料として水素化物を用いるハイド
ライド気相成長(VPE)法により本発明の詳細な説明
する。この装置の概略を第7図に示す。
一つであるV族元素原料として水素化物を用いるハイド
ライド気相成長(VPE)法により本発明の詳細な説明
する。この装置の概略を第7図に示す。
基板結晶として第一図に示すようにマスク材として5i
02マスク11を施した基板結晶13にリソグラフィ技
術を用いて開口部を設けたものを用いた。
02マスク11を施した基板結晶13にリソグラフィ技
術を用いて開口部を設けたものを用いた。
第・7図の装置にこの基板結晶をセットし、下記のよう
な条件で結晶成長を行なった場合、(111)面を側壁
とする逆メサ状の成長層が得られる。
な条件で結晶成長を行なった場合、(111)面を側壁
とする逆メサ状の成長層が得られる。
く成長条件〉
Ga上へ供給する HCI流fl : 5cc/m1
nAsH3流量: 6cc/min 全H2流量: 4700cc/min成長温度ニア0
0℃ これに対して、成長領域にバイパスバイブより塩化水素
を3cc/minの流量で供給した。この結果、第2図
のように基板結晶面と垂直な(011)面が形成される
ことを見いだした。
nAsH3流量: 6cc/min 全H2流量: 4700cc/min成長温度ニア0
0℃ これに対して、成長領域にバイパスバイブより塩化水素
を3cc/minの流量で供給した。この結果、第2図
のように基板結晶面と垂直な(011)面が形成される
ことを見いだした。
次に本発明を実施例に基づき説明する。
(実施例1)
第5図に、本発明により形成された(011)面の側壁
成長、および、この上に成長したInGaP/GaP量
子井戸構造の断面の概略を示す。
成長、および、この上に成長したInGaP/GaP量
子井戸構造の断面の概略を示す。
第6図(a)〜(C)に第3図の構造の作製課程を示す
。
。
(a)マスク38材料として5i02を用い、(100
)面を有する基板結晶の(o’n1方向に長さ1100
p、幅5pmの開口部32を形成する。
)面を有する基板結晶の(o’n1方向に長さ1100
p、幅5pmの開口部32を形成する。
(b)第7図に示したハイドライド成長法の装置の反応
管71の下段成長室73に基板結晶31を移動して、こ
こで選択成長を行ない、GaAs層34に垂直な(01
1)面の側壁面33を形成する。成長条件は、Gaソー
ス温度760°C1成長温度は700°Cで行なった。
管71の下段成長室73に基板結晶31を移動して、こ
こで選択成長を行ない、GaAs層34に垂直な(01
1)面の側壁面33を形成する。成長条件は、Gaソー
ス温度760°C1成長温度は700°Cで行なった。
その他の条件は次の通りである。
成長室73のGaソース上のHCI流量 5cc/m1
nAsH3流’Mk 6cc/m1nG
aにバイパスバイブ76のHCI流量 3cc/m1n
H2流量 4700cc/
min成長手順としては、まず、基板結晶31を反応管
内71の待機室72にセットする。下段成長室73のガ
リウム(Ga)ソース74上に、導入ロア5よりHCI
を供給しGaC1を発生させ、GaC1を成長領域に供
給する。
nAsH3流’Mk 6cc/m1nG
aにバイパスバイブ76のHCI流量 3cc/m1n
H2流量 4700cc/
min成長手順としては、まず、基板結晶31を反応管
内71の待機室72にセットする。下段成長室73のガ
リウム(Ga)ソース74上に、導入ロア5よりHCI
を供給しGaC1を発生させ、GaC1を成長領域に供
給する。
V族原料は、Gaソース74にバイパスするバイブ76
よりAsH3ガスとして供給し、塩化水素を同時に同じ
バイブから成長領域に供給する。成長雰囲気が安定した
ところで、基板結晶31を下段成長室73に移動し、5
分間GaAsを成長する。この結果基板結晶31(10
0)面に垂直な(011)面を有する成長層34が得ら
れる。
よりAsH3ガスとして供給し、塩化水素を同時に同じ
バイブから成長領域に供給する。成長雰囲気が安定した
ところで、基板結晶31を下段成長室73に移動し、5
分間GaAsを成長する。この結果基板結晶31(10
0)面に垂直な(011)面を有する成長層34が得ら
れる。
(c)InGaP/GaAs量子井戸構造は、III族
原料に塩化物を用いた原子層エピタキシャル成長法(A
LE)により第7図の成長装置を用いて形成した。In
GaP層は、下段成長室73、上段成長室77、および
、待機室72を用いてInPとGaPを交互に成長した
。GaAs層は、成長室75、待機室72を用いて成長
した。基板結晶の温度を4σ08C,Ga、 Inソー
ス温度を700°Cとした。
原料に塩化物を用いた原子層エピタキシャル成長法(A
LE)により第7図の成長装置を用いて形成した。In
GaP層は、下段成長室73、上段成長室77、および
、待機室72を用いてInPとGaPを交互に成長した
。GaAs層は、成長室75、待機室72を用いて成長
した。基板結晶の温度を4σ08C,Ga、 Inソー
ス温度を700°Cとした。
その他の条件を下記に示す。
成長室75のGaソース上のHCI流量 lee/mi
n成長室77のInソース上のHCI流量 8cc/m
in成長室72のAsH3流量 6cc/m
1nPH3流量 25cc/m1nH2(
各成長室)流ft 4700cc/min成長手
順は、次の通りである。上記、(b)を形成後、基板結
晶31を待機室72に移動して基板結晶温度を400°
Cに下げる。成長温度が安定したところで、下段成長室
73のガリウム(Ga)ソース74上、および、上段成
長室77のInソース78上に、導入ロア5、および、
導入ロア9よりHCIを供給しGaC1、InClを発
生させ成長領域に供給する。雰囲気が安定したところで
、基板結晶31を下段成長室73に移動してGaC1雰
囲気にさらしGaC1を吸着させる。次に、基板結晶3
1を待機室72に移動して、PH3を供給して、GaP
を形成する。引き続いて、基板結晶31を上段成長室7
7に移動して、InCl雰囲気にさらしInClを吸着
させる。この後、基板結晶31を待機室72に移動して
、PH3を供給して、InPを形成する。以上の操作を
200回繰り返し第一のInGaPのバリア層35を形
成した。今度は基板結晶31を下段成長室73に移動し
てGaC1雰囲気にさらしGaC1を吸着させる。
n成長室77のInソース上のHCI流量 8cc/m
in成長室72のAsH3流量 6cc/m
1nPH3流量 25cc/m1nH2(
各成長室)流ft 4700cc/min成長手
順は、次の通りである。上記、(b)を形成後、基板結
晶31を待機室72に移動して基板結晶温度を400°
Cに下げる。成長温度が安定したところで、下段成長室
73のガリウム(Ga)ソース74上、および、上段成
長室77のInソース78上に、導入ロア5、および、
導入ロア9よりHCIを供給しGaC1、InClを発
生させ成長領域に供給する。雰囲気が安定したところで
、基板結晶31を下段成長室73に移動してGaC1雰
囲気にさらしGaC1を吸着させる。次に、基板結晶3
1を待機室72に移動して、PH3を供給して、GaP
を形成する。引き続いて、基板結晶31を上段成長室7
7に移動して、InCl雰囲気にさらしInClを吸着
させる。この後、基板結晶31を待機室72に移動して
、PH3を供給して、InPを形成する。以上の操作を
200回繰り返し第一のInGaPのバリア層35を形
成した。今度は基板結晶31を下段成長室73に移動し
てGaC1雰囲気にさらしGaC1を吸着させる。
さらに、基板結晶31を待機室72に移動して、AsH
3を供給して、GaAsを形成する。この操作を7回繰
り返し、GaAsの井戸層36を7層形成した。この後
、再び上記のInGaPの成長手順を150回繰り返し
、第2のInGaPのバリア層37を形成した。以上の
成長をおこなうことで第3図の構造を形成した。
3を供給して、GaAsを形成する。この操作を7回繰
り返し、GaAsの井戸層36を7層形成した。この後
、再び上記のInGaPの成長手順を150回繰り返し
、第2のInGaPのバリア層37を形成した。以上の
成長をおこなうことで第3図の構造を形成した。
(011)面側壁に成長した量子井戸構造のホトルミネ
ッセンス(PL)評価から、750nmの発光波長、発
光強度の強い量子井戸構造が形成されていることが判っ
た。
ッセンス(PL)評価から、750nmの発光波長、発
光強度の強い量子井戸構造が形成されていることが判っ
た。
(実施例2)
第8図に、本発明により形成された(011)面側壁成
長、および、この上に成長したInGaP/GaAsダ
ブルへテロレーザ構造の断面の概略図を示す。
長、および、この上に成長したInGaP/GaAsダ
ブルへテロレーザ構造の断面の概略図を示す。
第9図(a)〜(e)に第5図の発光素子のInGaP
/GaAs構造の作製課程を例に示す。成長装置は、第
7図に示したハイドライド法成長装置を用いて形成した
。
/GaAs構造の作製課程を例に示す。成長装置は、第
7図に示したハイドライド法成長装置を用いて形成した
。
(a)まず、マスク60材料として5i02を用い、(
100)面のGaAs n+基板結晶51の<011>
方向に長さ1100p、輻5pmの開口部52を形成す
る。
100)面のGaAs n+基板結晶51の<011>
方向に長さ1100p、輻5pmの開口部52を形成す
る。
(b)実施例1(b)の作製に用いた気相エピタキシャ
ル成長装置を用いて、実施例1(b)の成長条件に、n
型の不純物としてH2Se(Se)を待機室72に導入
して、(011)面の側壁を有する突起状n型のGaA
s成長層53を開口部に成長する。
ル成長装置を用いて、実施例1(b)の成長条件に、n
型の不純物としてH2Se(Se)を待機室72に導入
して、(011)面の側壁を有する突起状n型のGaA
s成長層53を開口部に成長する。
(e)上記、実施例1(c)に用いたALE法を用い、
さらにH2SeをPH3導入時に同時に待機室72に導
入し、n型の第1のInGaP層54(クラッド層)を
0.511m成長する。次にInGaP53層と、Ga
As17層を交互に4回繰り返した層55(活性層)を
成長する。さらにZnをドーパントとしてp型のInG
aP層56(クラッド層)を111m成長する。n+型
GaAs基板結晶51にはAu/Geオーミック電極5
7、第2のInGaP層(クラッド層)56には、Au
/Znオーミック電極58を形成する。以上の成長をお
こなうことで第6図の光素子構造を形成した。このよう
な構造に電圧を印加した結果、基板結晶に垂直なレーザ
発振が得られ、基板結晶面に垂直に光を取り出すことが
できた。
さらにH2SeをPH3導入時に同時に待機室72に導
入し、n型の第1のInGaP層54(クラッド層)を
0.511m成長する。次にInGaP53層と、Ga
As17層を交互に4回繰り返した層55(活性層)を
成長する。さらにZnをドーパントとしてp型のInG
aP層56(クラッド層)を111m成長する。n+型
GaAs基板結晶51にはAu/Geオーミック電極5
7、第2のInGaP層(クラッド層)56には、Au
/Znオーミック電極58を形成する。以上の成長をお
こなうことで第6図の光素子構造を形成した。このよう
な構造に電圧を印加した結果、基板結晶に垂直なレーザ
発振が得られ、基板結晶面に垂直に光を取り出すことが
できた。
実施例では、成長領域にIII族原材原料イパスするバ
イブより塩化水素を供給したが、III族原材原料度を
低温化し、接触時間を短くすることによって、III族
原材原料化水素との反応を抑制し、未反応塩化水素を発
生させ成長領域に供給することでも同じ効果がある。
イブより塩化水素を供給したが、III族原材原料度を
低温化し、接触時間を短くすることによって、III族
原材原料化水素との反応を抑制し、未反応塩化水素を発
生させ成長領域に供給することでも同じ効果がある。
以上の実施例においてはハイドライド気相成長方法を用
いた例を示したが、III族原材原料てIII族塩化物
を用いる成長方法であれば、本発明は適用可能である。
いた例を示したが、III族原材原料てIII族塩化物
を用いる成長方法であれば、本発明は適用可能である。
例えばジエチルガリウムクロライドやアルシンなどを原
料とする有機金属気相成長方法、ガリウムや三塩化砒素
などを原料とするクロライド気相成長方法などに有効で
あることは言うまでもない。
料とする有機金属気相成長方法、ガリウムや三塩化砒素
などを原料とするクロライド気相成長方法などに有効で
あることは言うまでもない。
またマスク材は5i02以外の材料、例えばSiNxな
どであっても良い。
どであっても良い。
(発明の効果)
以上述べたように、本発明による選択成長方法を用いれ
ば、(011)面側壁を有する突起状成長層を再現性良
く形成することができ、このようにして形成した側壁に
、例えば原子層エピタキシャル成長方法を用いて量子井
戸構造、ダブルへテロレーザ構造等を作製することがで
きる。この側壁に形成された発光素子構造からは光を基
板結晶面と垂直に取り出すことが可能であり、光ファイ
バーとの結合や、面発光素子への応用を計ることが出来
る。
ば、(011)面側壁を有する突起状成長層を再現性良
く形成することができ、このようにして形成した側壁に
、例えば原子層エピタキシャル成長方法を用いて量子井
戸構造、ダブルへテロレーザ構造等を作製することがで
きる。この側壁に形成された発光素子構造からは光を基
板結晶面と垂直に取り出すことが可能であり、光ファイ
バーとの結合や、面発光素子への応用を計ることが出来
る。
第1図は、<011>方向に開口部を有する5i02マ
スク付き(100)基板結晶の斜視図、第2図は本発明
による成長方法を用いて形成したGaAs層の断面の概
略図、第3図は、従来報告された面発光デバイス構造の
概念図、第4図は第3図の構造の製作過程を示す図、第
5図は本発明による突起状の成長層上に原子層エピタキ
シャル成長方法により形成したInGaP/GaAs1
子井戸構造を示す図、第6図はその作製過程を示す図、
第7図は本発明を実施するために用いたハイドライド気
相成長装置の反応管概略図、第8図は本発明による突起
状の成長層上に原子層エピタキシャル成長方法により形
成したInGaP/GaAsダブルへテロレーザ構造を
示す図、第9図はその作製過程を示す図である。 11、38.60・・・5i02マスク、12、32.
52・・・5i02マスクの開口部、13、31.51
・・・基板結晶、 14.34−−−GaAs選択成長層、15、33 ・
、 −(011)側壁、35.37−−− InGaP
層、36・・・GaAs井戸層、53・・・n型GaA
s選択成長層、54・・・n型InGaPクラッド層、
55−−− InGaP/GaAs超格子層、56・・
・p型InGaPクラッド層・57・・・Au/Geオ
ーミック電極、58・・・Au/Znオーミック電極、
71・・・反応管、72・・・待機室、73・・・下段
成長室、74 ・−・Gaソース、75.79−、、H
C1導入管、76・・・バイパスパイプ、77・・・上
段成長室、78・・・Inソース
スク付き(100)基板結晶の斜視図、第2図は本発明
による成長方法を用いて形成したGaAs層の断面の概
略図、第3図は、従来報告された面発光デバイス構造の
概念図、第4図は第3図の構造の製作過程を示す図、第
5図は本発明による突起状の成長層上に原子層エピタキ
シャル成長方法により形成したInGaP/GaAs1
子井戸構造を示す図、第6図はその作製過程を示す図、
第7図は本発明を実施するために用いたハイドライド気
相成長装置の反応管概略図、第8図は本発明による突起
状の成長層上に原子層エピタキシャル成長方法により形
成したInGaP/GaAsダブルへテロレーザ構造を
示す図、第9図はその作製過程を示す図である。 11、38.60・・・5i02マスク、12、32.
52・・・5i02マスクの開口部、13、31.51
・・・基板結晶、 14.34−−−GaAs選択成長層、15、33 ・
、 −(011)側壁、35.37−−− InGaP
層、36・・・GaAs井戸層、53・・・n型GaA
s選択成長層、54・・・n型InGaPクラッド層、
55−−− InGaP/GaAs超格子層、56・・
・p型InGaPクラッド層・57・・・Au/Geオ
ーミック電極、58・・・Au/Znオーミック電極、
71・・・反応管、72・・・待機室、73・・・下段
成長室、74 ・−・Gaソース、75.79−、、H
C1導入管、76・・・バイパスパイプ、77・・・上
段成長室、78・・・Inソース
Claims (1)
- (100)面を表面に有するIII−V族化合物半導体結
晶上にIII族塩化物をIII族原料とする気相成長方法によ
りIII−V族化合物半導体を成長させる方法において、
前記結晶表面に結晶の<110>方向に沿った開口部を
有するマスク材を形成させる工程と、III族及びV族原
料ガスを結晶上に供給すると同時に成長領域に塩化水素
を導入することにより、前記開口部に<011>方向に
{011}面側壁を有するIII−V族化合物半導体の突
起状成長層を成長させる工程とを備えてなることを特徴
とするIII−V族化合物半導体の選択成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP933089A JPH02188912A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 3‐5族化合物半導体の選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP933089A JPH02188912A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 3‐5族化合物半導体の選択成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02188912A true JPH02188912A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11717461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP933089A Pending JPH02188912A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | 3‐5族化合物半導体の選択成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02188912A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102605422A (zh) * | 2011-01-24 | 2012-07-25 | 清华大学 | 用于生长外延结构的掩模及其使用方法 |
WO2016150850A3 (de) * | 2015-03-20 | 2017-01-26 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Züchtung von a-b kristallen ohne kristallgitter-krümmung |
WO2023276107A1 (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-05 | 日本電信電話株式会社 | 半導体層の形成方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4844830A (ja) * | 1971-10-06 | 1973-06-27 | ||
JPS4987278A (ja) * | 1972-12-23 | 1974-08-21 | ||
JPS50156889A (ja) * | 1974-05-13 | 1975-12-18 | ||
JPS51117199A (en) * | 1975-03-19 | 1976-10-15 | Philips Nv | Method of making single crystal |
JPS63182299A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-27 | Nec Corp | 3−5族化合物半導体の気相成長方法 |
-
1989
- 1989-01-17 JP JP933089A patent/JPH02188912A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102605422B (zh) * | 2011-01-24 | 2015-07-29 | 清华大学 | 用于生长外延结构的掩模及其使用方法 |
WO2016150850A3 (de) * | 2015-03-20 | 2017-01-26 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Züchtung von a-b kristallen ohne kristallgitter-krümmung |
US10662549B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-05-26 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Growth of A-B crystals without crystal lattice curvature |
WO2023276107A1 (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-05 | 日本電信電話株式会社 | 半導体層の形成方法 |
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