JPH0218772B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0218772B2 JPH0218772B2 JP58131957A JP13195783A JPH0218772B2 JP H0218772 B2 JPH0218772 B2 JP H0218772B2 JP 58131957 A JP58131957 A JP 58131957A JP 13195783 A JP13195783 A JP 13195783A JP H0218772 B2 JPH0218772 B2 JP H0218772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- iil
- current
- collector
- transistor
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/0033—Radiation hardening
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIIL（Integrated Injection Logic）回
路に関するものである。特にそのγ線に対する耐
放射線特性を改善するものである。
路に関するものである。特にそのγ線に対する耐
放射線特性を改善するものである。
IILは少数キヤリア注入用のインジエクタとス
イツチングトランジスタが組み合わされてなる。
イツチングトランジスタが組み合わされてなる。
これまでのIIL回路はγ線等放射線が照射され
た場合の素子特性の劣化は考慮されていない。時
代の進展と共に半導体装置を原子力装置や宇宙で
の装置に用いることが考慮され、こうした放射線
照射のある環境下でのγ線損失対策が重要となつ
てきた。
た場合の素子特性の劣化は考慮されていない。時
代の進展と共に半導体装置を原子力装置や宇宙で
の装置に用いることが考慮され、こうした放射線
照射のある環境下でのγ線損失対策が重要となつ
てきた。
本発明の目的はγ線照射があつても回路動作を
安定に保ち得る補償回路を有するIIL集積回路を
提供するものである。
安定に保ち得る補償回路を有するIIL集積回路を
提供するものである。
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
本発明の基本的概念は、γ線照射によつて生じ
た特性変化の分だけ、IIL回路のバイアス電流を
変化させ回路動作の安定化をはかるものである。
この動作を第１図に示したγ線センサー回路２と
γ線量を電気信号に変換する回路１を用いて極め
て有効に実現出来るものである。
た特性変化の分だけ、IIL回路のバイアス電流を
変化させ回路動作の安定化をはかるものである。
この動作を第１図に示したγ線センサー回路２と
γ線量を電気信号に変換する回路１を用いて極め
て有効に実現出来るものである。
先ず第２図を用いてIIL回路の動作の概念を説
明する。第１図の回路が第２図の回路ブロツク４
の部分に設けられるものである。
明する。第１図の回路が第２図の回路ブロツク４
の部分に設けられるものである。
回路ブロツク３は対象とするIIL回路である。
図示された２つのトランジスタT1，T2によつて
電流を供給する回路が構成され、回路ブロツク４
はγ線によつて生じた照射量に対応した電気量
を、前記電流を供給する回路に入力する回路であ
る。
図示された２つのトランジスタT1，T2によつて
電流を供給する回路が構成され、回路ブロツク４
はγ線によつて生じた照射量に対応した電気量
を、前記電流を供給する回路に入力する回路であ
る。
すなわち、２つのトランジスタT1，T2はカレ
ント・ミラー回路を構成し、コレクタ・ベースが
短絡されダイオード接続されたトランジスタT1
はこのカレント・ミラー回路の入力側トランジス
タとして動作する。このカレント・ミラー回路の
入力側に流れるところの回路ブロツク４の電流Ｉ
に比例した出力電流が出力側トランジスタT2の
エミツタ・コレクタ経路を流れ、動作電流（いわ
ゆるインジエクタ電流）としてIIL回路ブロツク
３に供給される。
ント・ミラー回路を構成し、コレクタ・ベースが
短絡されダイオード接続されたトランジスタT1
はこのカレント・ミラー回路の入力側トランジス
タとして動作する。このカレント・ミラー回路の
入力側に流れるところの回路ブロツク４の電流Ｉ
に比例した出力電流が出力側トランジスタT2の
エミツタ・コレクタ経路を流れ、動作電流（いわ
ゆるインジエクタ電流）としてIIL回路ブロツク
３に供給される。
たとえばγ線の照射量が増大すると、回路ブロ
ツク３の動作余裕を低減するので、電流供給回路
よりの電流値を増大せしめれば良い。
ツク３の動作余裕を低減するので、電流供給回路
よりの電流値を増大せしめれば良い。
第３図はIIL中のトランジスタ、特にnpnトラ
ンジスタのの電流利得とコレクタ電流の関係を示
す図である。
ンジスタのの電流利得とコレクタ電流の関係を示
す図である。
曲線５が照射前、曲線６が照射後の電流利得−
コレクタ電流特性曲線である。素子には電流
I1′にバイアスされ点７に示す電流利得があつた
のが、放射線照射後では９に低下したため、十分
な回路の動作ができなくなつて、回路誤動作が生
じるようになりIIL回路ブロツク３の動作余裕が
低減する。
コレクタ電流特性曲線である。素子には電流
I1′にバイアスされ点７に示す電流利得があつた
のが、放射線照射後では９に低下したため、十分
な回路の動作ができなくなつて、回路誤動作が生
じるようになりIIL回路ブロツク３の動作余裕が
低減する。
そこで本発明の基本的概念は、放射線照射によ
つて生じた特性変化の分だけ、IILの動作電流を
変化させ、回路動作の安定化をはかろうとするも
のである。すなわち第３図において、動作電流を
I1′→I2′に変化させ、８の点の電流利得を用い、
回路動作の安定化をはかるものである。
つて生じた特性変化の分だけ、IILの動作電流を
変化させ、回路動作の安定化をはかろうとするも
のである。すなわち第３図において、動作電流を
I1′→I2′に変化させ、８の点の電流利得を用い、
回路動作の安定化をはかるものである。
このように、放射線照射後はIIL回路のトラン
ジスタ、特にnpnトランジスタの動作点は回路ブ
ロツク４の動作によつてその低電流動作領域I1か
ら大電流動作領域I2に変化させられ、この大電流
動作領域I2の動作点８ではトランジスタは比較的
大きな電流利得を持つようになり、IIL回路ブロ
ツク３は入力信号に対してその出力が十分に応答
できるようになり、IIL回路ブロツク３の動作余
裕の低減が回避される。
ジスタ、特にnpnトランジスタの動作点は回路ブ
ロツク４の動作によつてその低電流動作領域I1か
ら大電流動作領域I2に変化させられ、この大電流
動作領域I2の動作点８ではトランジスタは比較的
大きな電流利得を持つようになり、IIL回路ブロ
ツク３は入力信号に対してその出力が十分に応答
できるようになり、IIL回路ブロツク３の動作余
裕の低減が回避される。
さて、第１図の回路においてはトランジスタ
T3の電流利得パラメータをγ線照射量のセンサ
として用いる。すなわち、照射によつてT3の電
流利得が低下し、T3のコレクタ電位V2が上昇す
ると、変換回路１によつて出力の電流9が増大す
るという信号を発生させるものである。
T3の電流利得パラメータをγ線照射量のセンサ
として用いる。すなわち、照射によつてT3の電
流利得が低下し、T3のコレクタ電位V2が上昇す
ると、変換回路１によつて出力の電流9が増大す
るという信号を発生させるものである。
なお、第１図においてトランジスタT3は、利
得を大きくとるために直接エミツタ接地の回路構
成とし、R1はトランジスタT3を能動領域に設定
するための調整抵抗であり、R2はT3の負荷抵抗
である。また変換回路１は、差動増幅回路Ａと抵
抗R3，R4からなる電圧−電流変換回路で、T3の
コレクタ電圧の上昇に伴ない、出力電流Ｉを増大
させるものである。
得を大きくとるために直接エミツタ接地の回路構
成とし、R1はトランジスタT3を能動領域に設定
するための調整抵抗であり、R2はT3の負荷抵抗
である。また変換回路１は、差動増幅回路Ａと抵
抗R3，R4からなる電圧−電流変換回路で、T3の
コレクタ電圧の上昇に伴ない、出力電流Ｉを増大
させるものである。
なお、第１図で抵抗R1，R2の相互の接続点は
所定の直流動作電位点に接続されていることは言
うまでもない。
所定の直流動作電位点に接続されていることは言
うまでもない。
以上述べた如く、本発明によればγ線照射によ
つて生じた回路特性の変化を電流を調整すること
によつて自動的に復帰させ、安定な動作をはかる
ことができる。
つて生じた回路特性の変化を電流を調整すること
によつて自動的に復帰させ、安定な動作をはかる
ことができる。
第１図はγ線量を検知し電気信号に変換する回
路を示す図、第２図はγ線損傷を補償する回路を
設けたIIL回路、第３図はIIL回路の電流利得とコ
レクタ電流の関係を示す図である。 １……変換回路、２……γ線量検知回路、３…
…対象となるIIL回路、４……γ線損傷を補償す
る回路、T1，T2，T3……トランジスタ、R1，
R2，R3，R4……抵抗。
路を示す図、第２図はγ線損傷を補償する回路を
設けたIIL回路、第３図はIIL回路の電流利得とコ
レクタ電流の関係を示す図である。 １……変換回路、２……γ線量検知回路、３…
…対象となるIIL回路、４……γ線損傷を補償す
る回路、T1，T2，T3……トランジスタ、R1，
R2，R3，R4……抵抗。
Claims (1)
- １ 照射されるγ線量を電気信号に変化する手段
と該手段からの電気信号に基づいてIIL回路の動
作電流を制御する手段を有する耐放射線IIL集積
回路装置であつて、前記照射されるγ線量を電気
信号に変換する手段が所定のバイポーラ・トラン
ジスタのベースとコレクタの各々に第１および第
２の抵抗が接続され、これらの抵抗がその他端で
相互に所定の動作電位点に接続され、前記バイポ
ーラ・トランジスタのエミツタが直接接地され、
前記コレクタがIIL回路の動作電流を制御する手
段に接続されて成ることを特徴とする耐放射線
IIL集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131957A JPS6024724A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 耐放射線ｉｉｌ集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131957A JPS6024724A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 耐放射線ｉｉｌ集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024724A JPS6024724A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH0218772B2 true JPH0218772B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=15070160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131957A Granted JPS6024724A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 耐放射線ｉｉｌ集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024724A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2066475C (en) * | 1991-05-06 | 1997-06-03 | Terence M. Shore | Method and apparatus for continuously hot rolling of ferrous long products |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP58131957A patent/JPS6024724A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6024724A (ja) | 1985-02-07 |
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