JPH0218561Y2 - - Google Patents

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JPH0218561Y2
JPH0218561Y2 JP1980020823U JP2082380U JPH0218561Y2 JP H0218561 Y2 JPH0218561 Y2 JP H0218561Y2 JP 1980020823 U JP1980020823 U JP 1980020823U JP 2082380 U JP2082380 U JP 2082380U JP H0218561 Y2 JPH0218561 Y2 JP H0218561Y2
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conductor
circulator
capacitor
equivalent circuit
substrate
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はマイクロ波帯で用いる集中定数型サー
キユレータの改良に関するものである。
マイクロ波帯で使用する集中定数型サーキユレ
ータにおいて帯域幅が広くかつ各ポートの特性が
揃つたものが必要である。
従来の集中定数型サーキユレータの構成を第1
図に示す。第1図aは上面図、第1図bは第1図
aのA−A′断面図、第1図cは斜視図である。
サーキユレータ素子は磁性体基板1の上面に配
置された3つの導体2・3および4を含み、各導
体の中央部分は少なくとも2つに分割された導体
に分けられ相互に絶縁され交差している。これら
の導体は動作周波数において誘導性リアクタンス
を示すので、共振させるためには各回路に直列ま
たは並列にコンデンサを挿入しなければならな
い。従来の集中定数型サーキユレータにおいては
並列コンデンサは導体の外側部分から伸びる一群
の導体板5〜10から成り、インターデイジタル・
コンデンサを形成している。容量の大きさは導体
板5〜10の数、寸法および間隔によつて決定され
る。
小孔11,12および13を通じて伸びている
針は基板1の下面にある接地板14に各導体の一
端を接続する。第1図に示したように導体2,
3,4はその接地端が略々120゜ずつ離れるように
配置される。各非接地端はこのように2つの接地
端によつて両側を囲まれ、導体枝群は六分円にな
つているので、各非接地端は対称的に配置された
2つのコンデンサを通して接地される。
しかし、この方法によると次の様な欠がある。
第1の欠点はサーキユレータの帯域幅がせまい。
これを第2図a,bにより説明する。第2図aは
第1図の構造のサーキユレータの等価回路であ
り、第2図bは第1図のサーキユレータの回転励
振固有値の等価回路である。第2図aにおいて鎖
線で囲つた部分はインター・デイジタルコンデン
サ部分のストレー・インダクタンスも含めた等価
回路である。
このストレー・インダクタンスはインター・デ
イジタルコンデンサが細状導体枝5〜10により構
成されているためである。ストレー・インダクタ
ンスの影響を明確にするために第2図bに回転励
振時の等価回路を示す鎖線で囲つた部分はコンデ
ンサ部の等価回路を示す。等価回路より明らかな
ように並例共振回路に対して外部負荷がタツプ・
ダウンされて接続される様になる。このため並列
共振回路QL(負荷Q)が大きくなり、回転励振固
有値の位相の変化が急激になり帯域が狭くなる。
第2の欠点は、インター・デイジタルコンデン
サの構造上、導体膜回路製造後に容量の調整が困
難であり、各ポートの特性を揃えることが難しい
ことである。
本考案の目的は、並列コンデンサの構成を改良
することにより従来の欠点を取り除き各ポートの
特性が一致し、かつ広帯域の集中定数型サーキユ
レータを提供することにある。
以下、本考案を詳細に説明する。
第3図に本考案の実施例を示す。第3図aは上
面図、bはA−A′断面図、cはコンデンサ15
近傍の詳細図である。
本考案のサーキユレータは磁性体基板1′の上面
に導体2′,3′,4′を被着した接合部及びこの
接合部とコンデンサ15,16,17を搭載する
誘電体基板30とから構成される。接合部は磁性
体基板1′の上面に配置された3つの導体2′,
3′,4′を含み、各導体の中央部分は少なくとも
2つに分割された導体に分けられており、各導体
は相互に絶縁され、略々120度の角度をもつて交
又したものからなる。接合部は導体31を介して
誘電体基板30に搭載されている。コンデンサ1
5,16,17は接合部と同様に導体31を介し
て誘電体基板30に搭載されている。コンデンサ
は、第3図cに示すように高誘電率基板41の両
面に導体膜を被着したもので、上面は図に示す様
に導体膜42はいくつかの電極により構成されて
おり導体43により導体膜間を接続したりあるい
はこれを切断することができる。コンデンサの容
量は高誘電率基板41の誘電率、厚さを変えた
り、導体膜42の面積を変えたり、あるいは導体
膜42の間を接続する導体線43を切断すること
により変化させることができる。コンデンサ1
5,16,17はコンデンサの裏面導体を介し更
に導体32を介して誘電体基板30に搭載されて
いる。接合部の導体膜2′,3′,4′とコンデン
サ15,16,17の導体膜42はそれぞれ導体
18,19,20で接続される。更に導体膜42
は誘電体基板上の導体膜27,28,29とそれ
ぞれ導体21,22,23で接続されている。誘
電体基板の裏面には接地導体32が被着されてお
り、導体膜31とコンデンサを形成している。
なお、ここで形成されたコンデンサは、例え
ば、マイクロ波研究会資料MW72−87,1972−10
に示されているものと同様である。
第4図に本考案の等価回路を示す。第4図aは
等価回路で鎖線内は接続導体18〜23のストレ
ー・インダクタンスを含む等価回路である。第4
図bは回転励振時の等価回路である。第2図bと
比較して並列同調回路の入力端子は、タツプ・ダ
ウンされていないものでQLは従来の構造のもの
に比較して小さくなる。従つて回転励振固有値の
位相の変化はゆるやかになり広帯域のサーキユレ
ータがえられる。第1図及び第3図の構成のサー
キユレータに同相励振固有値補正用の付加回路を
接続し実験を行うとこれらのサーキユレータの構
造による差があきらかとなる。第1図の構造のサ
ーキユレータにおいてアイソレーシヨン20dB
の帯域幅1.45GHz〜2.0GHzに対して第3図の構造
のサーキユレータにおいては1.48GHz〜2.17GHz
の帯域幅がえられる。第5図にサーキユレータの
周波数対アイソレーシヨンの実測特性を示す。第
5図鎖線は第1図の構造のサーキユレータ、実線
は本考案のサーキユレータの特性を示す。
以上のことから集中定数型サーキユレータの共
振用キヤバシタンスとして、高誘電率基板の両面
に導体膜を被着し、電極としたコンデンサを採用
しその電極を中継して外部端子と接続することに
より、集中定数型サーキユレータの帯域幅を広く
することができる。また前記コンデンサの電極の
周辺に導体膜でできた小電極を設け、これを前記
電極と導体により接続することによりキヤバシタ
ンスを容易に調整することができ、各ボートの特
性が揃つた良好なサーキユレータを得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサーキユレータの構成図、aは
上面図、bは断面図、cは斜視図、第2図aは第
1図のサーキユレータの等価回路、bは回転励振
時の等価回路、第3図は本考案のサーキユレータ
の構成図、aは上面図、bは断面図、cはコンデ
ンサ周辺の詳細図、第4図aは本考案のサーキユ
レータの等価回路、bは回転励振時の等価回路、
第5図はサーキユレータの周波数対アイソレーシ
ヨンの実測特性を示す。 図において、1,1′……磁性体基板、2,
2′,3′,4,4′,18〜29,31,32,
43……導体、5〜10……導体板、11〜13
……小孔、14,32……接地導体、15〜17
……コンデンサ、30……誘電体基板、41……
高誘電率基板、42……電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 磁性体基板と、前記磁性体基板の一面に略120
    度の交角をもち、かつ相互に絶縁し交又させて配
    設され誘導性リアクタンスを有する3つの線路導
    体と、前記磁性体基板の他面に設けられ前記線路
    導体の各々の一端面と接続された導体板と、前記
    導体板と接地導体との間に設けられた第1の誘電
    体基板と、前記第1の誘電体基板の上面に前記3
    つの線路導体に各々対応して設けられ、一面に第
    1の導体膜が被着され他面に第2の導体膜が被着
    された3つの第2の誘電体基板とを含み、前記線
    路導体の各々の他端を前記第1の導体膜を介して
    外部用端子に各々接続したことを特徴とする集中
    定数型サーキユレータ。
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JPS5280449A (en) * 1975-12-27 1977-07-06 Nippon Electric Co Variable capacitor

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