JPH02184766A - 高周波正弦信号に対する集積可能なバイポーラ型レベル検出器 - Google Patents
高周波正弦信号に対する集積可能なバイポーラ型レベル検出器Info
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- JPH02184766A JPH02184766A JP1297774A JP29777489A JPH02184766A JP H02184766 A JPH02184766 A JP H02184766A JP 1297774 A JP1297774 A JP 1297774A JP 29777489 A JP29777489 A JP 29777489A JP H02184766 A JPH02184766 A JP H02184766A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
- H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
- H03K5/2409—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors
- H03K5/2418—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors with at least one differential stage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
- G01R19/16576—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 comparing DC or AC voltage with one threshold
- G01R19/1658—AC voltage or recurrent signals
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波正弦信号に対する集積可能なバイポーラ
型レベル検出器にかかわる。
型レベル検出器にかかわる。
一般に、バイポーラ技術の上限の高周波数において、こ
の技術でもって達成される集積回路の内側における信号
のレベルは数ＫＴ／ｑのオーダの低い値にあるので、正
確な増幅は不可能である。
の技術でもって達成される集積回路の内側における信号
のレベルは数ＫＴ／ｑのオーダの低い値にあるので、正
確な増幅は不可能である。
それ故、集積可能なバイポーラ型レベル検出器は、入力
信号の振幅が基準信号の振幅よりも大きいのか又は小さ
いのかを正確に弁別できるように高い感度を持っていな
ければならない。
信号の振幅が基準信号の振幅よりも大きいのか又は小さ
いのかを正確に弁別できるように高い感度を持っていな
ければならない。
正弦信号に対する周知のレベル検出器は、その出力がコ
ンデンサ充電回路におけるトランジスタを制御する入力
増幅器の使用に基づいており、コンデンサでの充電電圧
が基準電圧と比較されるようになっている。
ンデンサ充電回路におけるトランジスタを制御する入力
増幅器の使用に基づいており、コンデンサでの充電電圧
が基準電圧と比較されるようになっている。
この型式の検出器は、その人力増幅器の利得が高い場合
にのみ感知可能である。しかしながら、バイポーラ技術
では、高い利得を高い周波数において得ることができな
い。
にのみ感知可能である。しかしながら、バイポーラ技術
では、高い利得を高い周波数において得ることができな
い。
従来技術からして、本発明の目的は、高い感度を高い周
波数において持つ、正弦信号に対する集積可能なバイポ
ーラ型レベル検出器を提供することにある。
波数において持つ、正弦信号に対する集積可能なバイポ
ーラ型レベル検出器を提供することにある。
本発明によると、かかる目的は、検出されるべき入力信
号により制御される第１のトランジスタを含む充電回路
と、そして放電回路とを持つ第１のコンデンサから成る
レベル検出器であって、前記入力信号により制御される
第２のトランジスタを含む充電回路とそして前原って設
定された電気的及び幾何学的特性の少なくとも１つの第
３のトランジスタを含む放電回路とを持つ第２のコンデ
ンサを備え、そこでの放電回路が、前記第３のトランジ
スタの前記幾何学的及び電気的特性に依存して、前記入
力信号の最大振幅に対応する第１の入力電流と、基準値
に対応する第２の入力電流とをそれぞれ規定するために
、比較器のそれぞれの入力に接続されていて、前記最大
振幅の部分における前記基準レベルの各オーバシュート
が前記比較器の不平衡を決定して、対応する出力信号を
作り出すようになっていることを特徴とするレベル検出
器によって達成される。
号により制御される第１のトランジスタを含む充電回路
と、そして放電回路とを持つ第１のコンデンサから成る
レベル検出器であって、前記入力信号により制御される
第２のトランジスタを含む充電回路とそして前原って設
定された電気的及び幾何学的特性の少なくとも１つの第
３のトランジスタを含む放電回路とを持つ第２のコンデ
ンサを備え、そこでの放電回路が、前記第３のトランジ
スタの前記幾何学的及び電気的特性に依存して、前記入
力信号の最大振幅に対応する第１の入力電流と、基準値
に対応する第２の入力電流とをそれぞれ規定するために
、比較器のそれぞれの入力に接続されていて、前記最大
振幅の部分における前記基準レベルの各オーバシュート
が前記比較器の不平衡を決定して、対応する出力信号を
作り出すようになっていることを特徴とするレベル検出
器によって達成される。
本発明によるレベル検出器は、高利得の入力増幅器を与
えないが、その検出器の内部回路コンポーネントの電気
的及び幾何学的特性について適切な選択により、高い精
度でもって規定される基準レベルから高い感度の特性を
得ている。
えないが、その検出器の内部回路コンポーネントの電気
的及び幾何学的特性について適切な選択により、高い精
度でもって規定される基準レベルから高い感度の特性を
得ている。
かくして、この検出器は高い周波数においても高い感度
を呈する。
を呈する。
添付図面には、本発明の可能な実施例が、限定的な意図
を持つものでなく一層明瞭に例示されている。
を持つものでなく一層明瞭に例示されている。
第１図のレベル表示器は、接地と、ＮＰＮ トランジス
タ３のエミッタに接続されている回路分岐点２との間に
接続された第１のコンデンサ１を含み、ＮＰＮ Ｉ−ラ
ンジスタ３のコレクタは電源のプラス端子４に接続され
、そのベースは検出されるべき正弦信号（Ｖｉ）に対す
る入力端子５に接続されている。
タ３のエミッタに接続されている回路分岐点２との間に
接続された第１のコンデンサ１を含み、ＮＰＮ Ｉ−ラ
ンジスタ３のコレクタは電源のプラス端子４に接続され
、そのベースは検出されるべき正弦信号（Ｖｉ）に対す
る入力端子５に接続されている。
第２のコンデンサ６は接地と、ＮＰＮ トランジスタ８
のベースに接続された回路分岐点７との間に接続され、
ＮＰＮ ）ランジスタ８のエミッタは入力端子５に接続
され、そのコレクタはそれ自体のベースと、ＰＮＰ ト
ランジスタ９のコレクタとに接続され、そのエミッタは
プラス端子４に接続されている。トランジスタ９のベー
スは別なＰＮＰ トランジスタ１０のベースに接続され
、そのエミッタはプラス端子４に接続され、そのコレク
タはそれ自体のベースと、ＮＰＮ Ｉ−ランジスタ１１
のベースに接続されている。また、トランジスタ１１の
コレクタはプラス端子４に接続され、そのエミッタは電
流発生器１２を通して接地されている。
のベースに接続された回路分岐点７との間に接続され、
ＮＰＮ ）ランジスタ８のエミッタは入力端子５に接続
され、そのコレクタはそれ自体のベースと、ＰＮＰ ト
ランジスタ９のコレクタとに接続され、そのエミッタは
プラス端子４に接続されている。トランジスタ９のベー
スは別なＰＮＰ トランジスタ１０のベースに接続され
、そのエミッタはプラス端子４に接続され、そのコレク
タはそれ自体のベースと、ＮＰＮ Ｉ−ランジスタ１１
のベースに接続されている。また、トランジスタ１１の
コレクタはプラス端子４に接続され、そのエミッタは電
流発生器１２を通して接地されている。
両エミッタが共通にして電流発生器１６を通して接地さ
れている２つのＮＰＮ ）ランジスタ１４及び１５によ
って形成されている比較器１３は、トランジスタ１４の
ベースであって、回路分岐点２に接続されている入力と
、トランジスタ１５のベースであって、２つのＮＰＮ
）ランジスタ１７及び１８を通して回路分岐点７に接続
されている別な入力とを持っている。更に、トランジス
タ１７のエミッタはトランジスタ１５のベースに接続さ
れ、トランジスタ１７のコレクタはそれ自体のベースと
トランジスタ１８のエミッタとに接続されている。また
、トランジスタ１８のコレクタはプラス端子４に接続さ
れ、そのベースは回路分岐点７に接続されている。
れている２つのＮＰＮ ）ランジスタ１４及び１５によ
って形成されている比較器１３は、トランジスタ１４の
ベースであって、回路分岐点２に接続されている入力と
、トランジスタ１５のベースであって、２つのＮＰＮ
）ランジスタ１７及び１８を通して回路分岐点７に接続
されている別な入力とを持っている。更に、トランジス
タ１７のエミッタはトランジスタ１５のベースに接続さ
れ、トランジスタ１７のコレクタはそれ自体のベースと
トランジスタ１８のエミッタとに接続されている。また
、トランジスタ１８のコレクタはプラス端子４に接続さ
れ、そのベースは回路分岐点７に接続されている。
トランジスタ１４及び１５のコレクタは、それらのベー
スが共通に接続されているＰＮＰ ）ランジスタ１９及
び２０のコレクタに接続され、トランジスタ１９及び２
０のエミッタはプラス端子４に接続されている。トラン
ジスタ２０のコレクタはそれ自体のベースに接続され、
トランジスタ１９のコレクタはＰＮＰ ）ランジスタ２
１のベースに接続されている。更に、トランジスタ２１
のエミッタはプラス端子４に接続され、そのコレクタは
、そこで出力信号Ｖｕが利用できる出力端子２３に接続
されている一方、電流発生源２２を通して接地されてい
る。
スが共通に接続されているＰＮＰ ）ランジスタ１９及
び２０のコレクタに接続され、トランジスタ１９及び２
０のエミッタはプラス端子４に接続されている。トラン
ジスタ２０のコレクタはそれ自体のベースに接続され、
トランジスタ１９のコレクタはＰＮＰ ）ランジスタ２
１のベースに接続されている。更に、トランジスタ２１
のエミッタはプラス端子４に接続され、そのコレクタは
、そこで出力信号Ｖｕが利用できる出力端子２３に接続
されている一方、電流発生源２２を通して接地されてい
る。
動作において、入力端子５に高周波の正弦信号が印加さ
れると、トランジスタ３は、その信号の各正の半波中、
その入力信号の最大値からトランジスタ３のベース・エ
ミッタ電圧（Ｖｂｅ）を差し引いた値に等しい電圧ｖ１
へとコンデンサｌを充電する。引続く半期間において、
トランジスタ８は、Ｖｉの最大値にトランジスタ８のベ
ース・エミッタ電圧（Ｖｂｅ）を加えた値に等しい電圧
ｖ２へとコンデンサ６を充電する。
れると、トランジスタ３は、その信号の各正の半波中、
その入力信号の最大値からトランジスタ３のベース・エ
ミッタ電圧（Ｖｂｅ）を差し引いた値に等しい電圧ｖ１
へとコンデンサｌを充電する。引続く半期間において、
トランジスタ８は、Ｖｉの最大値にトランジスタ８のベ
ース・エミッタ電圧（Ｖｂｅ）を加えた値に等しい電圧
ｖ２へとコンデンサ６を充電する。
差動結合１４．１５が平衡状態に近づくと、コンデンサ
ｌ及び６の放電電流は値ｉｂに互いに等しくなり、共に
電流ｉｂにおいて分極されているトランジスタ１７及び
１８は電圧ｖ２を２ Ｖｂｅに等しくする。トランジス
タ１７及び１８の幾何学的構成を調整することにより、
極端に高い精度において規定されたオフセットすなわち
基準レベルが確立される。比較器１３は信号Ｖｉの振幅
をそのオフセットと比較して、その比較器自体の２つの
分岐間に不平衡を生じさせて、対応する信号Ｖｕをその
レベル検出器の出力２３に発生する。
ｌ及び６の放電電流は値ｉｂに互いに等しくなり、共に
電流ｉｂにおいて分極されているトランジスタ１７及び
１８は電圧ｖ２を２ Ｖｂｅに等しくする。トランジス
タ１７及び１８の幾何学的構成を調整することにより、
極端に高い精度において規定されたオフセットすなわち
基準レベルが確立される。比較器１３は信号Ｖｉの振幅
をそのオフセットと比較して、その比較器自体の２つの
分岐間に不平衡を生じさせて、対応する信号Ｖｕをその
レベル検出器の出力２３に発生する。
ここでの基準レベルは、信号Ｖｉの平均レベルに無関係
に、正確に確立されるので、高い検出感度を得ることが
できる。コンデンサの静電容量は小さくて良いので、集
積回路に含ませるのに好都合である。
に、正確に確立されるので、高い検出感度を得ることが
できる。コンデンサの静電容量は小さくて良いので、集
積回路に含ませるのに好都合である。
もしも異なる温度係数を持つ検出器を持つことが必要で
あれば、トランジスタの分極電流を任意に調整すること
ができる。
あれば、トランジスタの分極電流を任意に調整すること
ができる。
片側ではコンデンサ１とトランジスタ３のベース・エミ
ッタ接合とにより、他の側ではコンデンサ６とトランジ
スタ８のベース・エミッタ接合とにより決定される静電
容量分割器寄生効果は、それがトランジスタ１７．１８
上で共通に作用するために、取り消される。この取消し
は、適切な静電容量を用いることにより、その効果を無
視し得るレベルへと減少させるのに十分なレベルにおい
て生じる。
ッタ接合とにより、他の側ではコンデンサ６とトランジ
スタ８のベース・エミッタ接合とにより決定される静電
容量分割器寄生効果は、それがトランジスタ１７．１８
上で共通に作用するために、取り消される。この取消し
は、適切な静電容量を用いることにより、その効果を無
視し得るレベルへと減少させるのに十分なレベルにおい
て生じる。
基準信号に対して入力信号を比較する際における選択性
は、例えば第２図に示されているように数ｍＶのヒステ
リシスを導入することにより実質的に改善される。
は、例えば第２図に示されているように数ｍＶのヒステ
リシスを導入することにより実質的に改善される。
第２図において、トランジスタ１５のベースはＮＰＮ
）ランジスタ２４のベースにも接続され、そのコレク
タはプラス端子４に接続され、そのエミッタはＮＰＮ
ｌ−ランジスタ２５のコレクタに接続されている。更に
、トランジスタ２５のエミッタは接地され、そのベース
はＮＰＮ トランジスタ２６のベースに接続されている
。また、トランジスタ２６のエミッタは接地され、その
コレクタはそれ自体のベースに接続されている一方、Ｎ
ＰＮ ）ランジスタ２７のエミッタに接続され、トラン
ジスタ２７のコレクタはそれ自体のベースとＰＮＰ ）
ランジスタ２８のコレクタとに接続されている。
）ランジスタ２４のベースにも接続され、そのコレク
タはプラス端子４に接続され、そのエミッタはＮＰＮ
ｌ−ランジスタ２５のコレクタに接続されている。更に
、トランジスタ２５のエミッタは接地され、そのベース
はＮＰＮ トランジスタ２６のベースに接続されている
。また、トランジスタ２６のエミッタは接地され、その
コレクタはそれ自体のベースに接続されている一方、Ｎ
ＰＮ ）ランジスタ２７のエミッタに接続され、トラン
ジスタ２７のコレクタはそれ自体のベースとＰＮＰ ）
ランジスタ２８のコレクタとに接続されている。
更に、トランジスタ２８のエミッタはプラス端子４に接
続され、そのベースは別なＰＮＰ ）ランジスタ２９の
ベースに接続され、トランジスタ２９のエミッタはプラ
ス端子４に接続され、そのコレクタはそれ自体のベース
に接続されている一方、電流発生器３０を通して接地さ
れている。トランジスタ２８のベースはまた、ＰＮＰ
ｌ−ランジスタ３１のベースに接続され、トランジスタ
３１のエミッタはプラス端子４に接続され、そのコレク
タはＮＰＮ トランジスタ３２のコレクタに接続され
ている。トランジスタ３２のエミッタは接地され、その
ベースはそれ自体のコレクタに接続されている一方、別
なＮＰＮ ）ランジスタ３３のベースに接続されている
。更に、トランジスタ３３のエミッタは接地され、その
コレクタはトランジスタ２１のコレクタと、ＮＰＮ）ラ
ンジスタ３４のエミッタとに接続されている。トランジ
スタ３４のベースはそれ自体のコレクタに接続されてい
ると共に、トランジスタ２７のベースに接続されている
。
続され、そのベースは別なＰＮＰ ）ランジスタ２９の
ベースに接続され、トランジスタ２９のエミッタはプラ
ス端子４に接続され、そのコレクタはそれ自体のベース
に接続されている一方、電流発生器３０を通して接地さ
れている。トランジスタ２８のベースはまた、ＰＮＰ
ｌ−ランジスタ３１のベースに接続され、トランジスタ
３１のエミッタはプラス端子４に接続され、そのコレク
タはＮＰＮ トランジスタ３２のコレクタに接続され
ている。トランジスタ３２のエミッタは接地され、その
ベースはそれ自体のコレクタに接続されている一方、別
なＮＰＮ ）ランジスタ３３のベースに接続されている
。更に、トランジスタ３３のエミッタは接地され、その
コレクタはトランジスタ２１のコレクタと、ＮＰＮ）ラ
ンジスタ３４のエミッタとに接続されている。トランジ
スタ３４のベースはそれ自体のコレクタに接続されてい
ると共に、トランジスタ２７のベースに接続されている
。
この回路では、オフセットが減少され、トランジスタ１
７及び１８を電流（１＋ｘ）ｉｂに分極する。成分ｘ、
ｉｂはトランジスタ２４のベース電流であって、Ｘは、
トランジスタ２５及び２６のエミッタ領域の比率の値と
、出力Ｖｕの論理レベルとによって確立され、そこでの
エミッタ領域は、Ｖｕ＝１のとき前述の比率に等しく、
Ｖｕ＝ＯのときＯに等しいものとしている。
７及び１８を電流（１＋ｘ）ｉｂに分極する。成分ｘ、
ｉｂはトランジスタ２４のベース電流であって、Ｘは、
トランジスタ２５及び２６のエミッタ領域の比率の値と
、出力Ｖｕの論理レベルとによって確立され、そこでの
エミッタ領域は、Ｖｕ＝１のとき前述の比率に等しく、
Ｖｕ＝ＯのときＯに等しいものとしている。
一層正確に述べると、入力電圧Ｖｉが、トランジスタ２
１及び３３（後者はトランジスタ３２．３１及び２９に
よって制御される）のおかげで、論理レベルｌへのＶｕ
のトリガーに対応する所定の閾値に達する場合、トラン
ジスタ２７及び２６は導通し始めて、これによりトラン
ジスタ２５及び２４を導通させることになる。かくして
、トランジスタ１７及び１８を通して流れる電流を上昇
させる電流ｘ、ｌｂの循環を作り出すので、後者の電圧
Ｖｂｅが上昇し、そして電圧Ｖｒｅｆが降下する。この
ように、低い入力振幅に対しては逆転流が生じて、閾値
振幅の付近では振動が生じない。
１及び３３（後者はトランジスタ３２．３１及び２９に
よって制御される）のおかげで、論理レベルｌへのＶｕ
のトリガーに対応する所定の閾値に達する場合、トラン
ジスタ２７及び２６は導通し始めて、これによりトラン
ジスタ２５及び２４を導通させることになる。かくして
、トランジスタ１７及び１８を通して流れる電流を上昇
させる電流ｘ、ｌｂの循環を作り出すので、後者の電圧
Ｖｂｅが上昇し、そして電圧Ｖｒｅｆが降下する。この
ように、低い入力振幅に対しては逆転流が生じて、閾値
振幅の付近では振動が生じない。
第１図は本発明によるレベル検出器の実施例の１例を示
す回路図であり、第２図は本発明によるレベル検出器の
実施例の他側を示す回路図である。
す回路図であり、第２図は本発明によるレベル検出器の
実施例の他側を示す回路図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、検出されるべき入力信号により制御される第１のト
ランジスタ（３）を含む充電回路と、放電回路とを持つ
第１のコンデンサ（１）からなる、高周波正弦信号に対
する集積可能なバイポーラ型レベル検出器において、前
記入力信号により制御される第２のトランジスタ（８）
を含む充電回路とそして前以って設定された電気的及び
幾何学的特性の少なくとも１つの第３のトランジスタ（
１７，１８）を含む放電回路とを持つ第２のコンデンサ
（６）を備え、前記第１及び第２のコンデンサ（１，６
）の放電回路は、前記第３のトランジスタ（１７，１８
）の前記幾何学的及び電気的特性に依存して、前記入力
信号の最大振幅に対応する第１の入力電流と、基準値に
対応する第２の入力電流とをそれぞれ規定するために、
比較器（１３）のそれぞれの入力に接続されていて、前
記最大振幅の部分における前記基準レベルの各オーバシ
ュートは前記比較器（１３）の不平衡を決定して、対応
する出力信号（Ｖｕ）を作り出すようになっていること
を特徴とするレベル検出器。 ２、前記少なくとも１つの第３のトランジスタ（１７，
１８）は、前記第２のコンデンサ（６）の充電電圧によ
り制御されそして前記比較器（１３）の２つの入力の１
つに対する電流制御回置に含まれる直列の２つのトラン
ジスタ（１７，１８）から成っていることを特徴とする
請求項１記載のレベル検出器。 ３、前記出力信号（Ｖｕ）の部分上における前以って設
定された閾値のオーバシュートに応答して前記基準値（
Ｖｒｅｆ）を減少させるのに適する回路手段（２４−２
７）を更に含んでいることを特徴とする請求項１記載の
レベル検出器。 ４、前記回路手段（２４−２７）は、前記直列接続され
たトランジスタ（１７，１８）により制御され、前記比
較器（１３）への２つの入力の前記１つと並列にある分
岐回路に挿入された少なくとも１つの第４のトランジス
タ（２４，２５）と、前記出力信号（Ｖｕ）によって制
御され、そして前記直列接続されたトランジスタ（１７
，１８）の導通電流が増加するにつれてその導通を行わ
せるように前記第４のトランジスタ（２４，２５）を制
御するように設定されている少なくとも１つの第５のト
ランジスタ（２６，２７）とを含んでおり、前記閾値の
オーバシュートに応答した前記基準レベル（Ｖｒｅｆ）
の結果的減少は前記出力信号（Ｖｕ）の部分上に確立さ
れることを特徴とする請求項１記載のレベル検出器。 ５、前記少なくとも１つの第４のトランジスタ（２４，
２５）は２つの直列接続されたトランジスタ（２４，２
５）から成り、そのうちの１つは前記少なくとも１つの
第３のトランジスタ（１７，１８）により制御され、前
記少なくとも１つの第５のトランジスタ（２６，２７）
は２つの直列接続されたトランジスタ（２６，２７）か
ら成り、そのうちの１つは前記出力信号（Ｖｕ）により
制御されることを特徴とする請求項１記載のレベル検出
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8822718A IT1227494B (it) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | Rivelatore di livello di tipo bipolare integrabile per segnali sinusoidali ad alta frequenza |
| IT22718A/88 | 1988-11-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184766A true JPH02184766A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11199614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1297774A Pending JPH02184766A (ja) | 1988-11-24 | 1989-11-17 | 高周波正弦信号に対する集積可能なバイポーラ型レベル検出器 |
Country Status (5)
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| JP (1) | JPH02184766A (ja) |
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1989-11-17 JP JP1297774A patent/JPH02184766A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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