JPH02184047A - 半導体ウエハの位置合わせ装置 - Google Patents

半導体ウエハの位置合わせ装置

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JPH02184047A
JPH02184047A JP1004141A JP414189A JPH02184047A JP H02184047 A JPH02184047 A JP H02184047A JP 1004141 A JP1004141 A JP 1004141A JP 414189 A JP414189 A JP 414189A JP H02184047 A JPH02184047 A JP H02184047A
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JP
Japan
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rotation
semiconductor wafer
peak
distance
wafer
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JP1004141A
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English (en)
Inventor
Akira Ishihara
明 石原
Matsuro Kanehara
松郎 金原
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、外周部に位置合わせ基準としてのオリエンテ
ーションフラット(直線状の切欠き)が形成されている
半導体ウェハの位置合わせ装置に関する。
〈従来の技術〉 オリエンテーションフラットが形成された半導体ウェハ
においては、方形の素子パターンにおける互いに直交す
るX方向、Y方向の二辺がオリエンテーションフラット
に平行および垂直な状態で形成されている。しかし、ミ
クロ的には、素子パターンとオリエンテーションフラッ
トとの間には角度のずれが存在する。
したがって、位置合わせ装置によりスクライブ装置等に
対して半導体ウェハを位置合わせする際には、まず、オ
リエンテーションフラットを基準として粗調整としての
位置合わせを行い、次いで、ウェハパターン(素子パタ
ーンの集合)をTVカメラで撮影し、予め登録しである
基準のウェハパターンとの比較に基づいて角度ずれ攪を
判断し、その角度ずれ量がゼロとなるようパターンマツ
チングを行うことにより微調整としての位置合わせを行
うようにしている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、パターンマツチングの基準となるウェハ
パターンの登録に際し°ζ、位置合わせしようとする半
導体ウェハの種類ごとに登録すべきウェハパターンを選
択しなければならず、しかも、パターンマツチングに適
したウェハパターンの選定が非常にむずかしく、その登
録作業に充分な熟練を要する上に多大な時間を必要とし
ており、これが作業能率を低下させる原因となっていた
また、ウェハパターンの1最影にTVカメラを用いてい
るため、装置コストの高騰を招いていることに加えて、
TVカメラに入力されるウェハパターンおよび登録され
た基準のウェハパターンの画像データがX方向、Y方向
に沿った二次元方向の画像データであり、これら2つの
二次元方向の画像データどうしの照合に基づき角度ずれ
量を判断し゛てパターンマツチングを行わなければなら
ないため、データの処理効率が悪く、さらに作業能率を
低下させているという問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、基準としてのウェハパターンの登録作業を不要化し
、角度ずれ量の判断およびそれをなくす補正を自動化し
て作業能率の向上を図るとともに、装置コストの低減を
図ることを目的とする。
く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。
理解を容易にするため、本発明の構成を、第1図および
第2図に示した概念図に基づいて説明すると、 外周部にオリエンテーションフラットlaが形成された
半導体ウェハ1の位置合わせ装置であって、 半導体ウェハlの中心と回転中心とを一致させた状態で
半導体ウェハlを保持して回転させるウェハ回転手段2
と、 このウェハ回転手段2によって回転されている半導体ウ
ェハ1のオリエンテーションフラットlaを検出するオ
リエンテーションフラット検出手段3と、 このオリエンテーションフラット検出手段3によるオリ
エンテーションフラット1aの検出に基づいてオリエン
テーションフラットlaが所定の基準方向へに対して平
行となるよう前記ウェハ回転手段2を制御する回転制御
手段4と、半導体ウェハ1において前記基準方向Aに対
して平行な方向(第2図(a)参照)または直角な方向
(第2図(b)参照)に沿って離れた2箇所の場影領域
E、、E、からの各光束り、、L□を両撮影領域E、、
E、の離間方向Bで収束して、その離間方向Bに対する
直角方向Cに沿った細長光束t、+、t、z’とする一
方向収束光学系5と、前記細長光束L+、L2′を入力
するライン状撮像素子6と、 このライン状撮像素子6が検出した前記両細長光束り、
、L、’の画像信号の半導体ウェハlの表面上でのピー
ク間距離DPPを求めるピーク間距離演算手段7と、 前記両撮影領域間距離D4と前記ピーク間距離DPFと
に基づいて補正回転量αを求めて前記回転制御手段4に
与える補正回転量演算手段8とを備えたことを特徴とす
るものである。
上記本発明の構成は、2箇所の撮影領域E、。
E8を撮影するところの対となった一方向収束光学系5
およびライン状場像素子6からなる撮像手段として、両
礒影領域E、、E、のそれぞれに対応してその2&Il
を配置した場合を含むほか、その対を1&Ilのみとし
、それを一方の撮影領域E1から他方の撮影領域Etま
で移動するようにした場合も含む。
また、所定の基準方向Aとは、ウェハ回転手段2の回転
中心とオリエンテーションフラット検出手段3とを結ぶ
方向に対して直角な方向の場合のみを意味するのではな
く、任意の角度をなす方向をも含むものである。
なお、一方向収束光学系5としては、例えばシリンドリ
カルレンズを組み込んだものを挙げることができ、ライ
ン状撮像素子6としては、例えばCCD等のラインイメ
ージセンサを挙げることができる。
く作用〉 本発明の構成による作用は、次のとおりである。
すなわち、回転制御手段4は、オリエンテーションフラ
ット検出手段3によるオリエンテーションフラットla
の検出に基づいてウェハ回転手段2を制御し、オリエン
テーションフラット1aが所定の基準方向Aに対して平
行となった状態で停止させる。
これによって、オリエンテーションフラット1aを基準
とした半導体ウェハ1の粗調整とし°この位置合わせが
行われたことになる。
この粗調整では、方形の素子パターンにおける一辺に沿
ったX方向と基準方向へとの間には角度のずれが存在し
ているのが一般的である。
この状態で、前述のように1組または2&11の一方向
収束光学系5が両撮影領域E、、E、からの各光束L+
、Lxを両撮影領域E、 、  I!、、の離間方向B
で収束し、離間方向Bに対する直角方向Cに沿った細長
光束Ll 、Lx’として、対をなす11′lまたは2
&llのライン状撮像素子6に導く。
そして、ピーク間距離演算手段7が、ライン状撮像素子
6が検出した両細長光束L+、Lxの画像信号のピーク
間距離D□(半導体ウェハ1の表面上での換算距離)を
演算する。このピーク間距離DPPは、前記の粗調整と
しての位置合わせが完了したオリエンテーションフラッ
トlaに対する素子パターンの角度ずれ量に対応したも
のとなる。
補正回転用演算手段8は、撮影領域間距離D−(前述の
撮像手段が2&[lの場合はそれらの撮影光軸間距離、
撮像手段が1組の場合はその撮像手段の移動距離)と、
前記の演算によって求められたピーク間距HD P P
とに基づいて補正回転量αを演算し、それを回転制御手
段4に与える。すると、回転制御手段4はウェハ回転手
段2を制御して、前述の粗調整としての位置合わせ状態
から補正回転量αだけ補正回転を行う。
これによって、素子パターンの一辺の方向(X方向)が
基準方向Aに対して平行となり、微調整としての位置合
わせが完了する。
以上のことから理解されるように、本発明の構成によれ
ば、パターンマツチングの基準とすべきウェハパターン
の登録を必要とせずに1.微調整としての位置合わせが
自動的に行われ、とりわけ、撮影領域El、E2からの
光束り、、L、を撮像手段に導く前に、予め一方向収束
光学系5によって所定の方向で収束して光学的な積分を
行っておき、その収束(光学的に積分)された細長光束
Ll  、[−□′を撮像手段に導くようにしであるた
め、撮像手段に入力された画像信号からピーク間距離D
□を演算するための処理速度が、従来の二次元方向画像
データどうしの照合の場合に比べて高速化されるととも
に、撮像手段として、発明の構成のとおり、従来のTV
カメラに比べて安価なライン状撮像素子6の採用が可能
となったのである。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
第3図は実施例に係る半導体ウェハの位置合わせ装置の
要部の構成を示す概略説明図であって、図の左側は斜視
図、右側はブロック図となっている。
半導体ウェハ1を載置し真空吸引によって吸着保持する
ウェハチャックテーブルIIと、このウェハチャックテ
ーブル11を駆動回転するパルスモータ12とが前記ウ
ェハ回転手段2に対応している。
ウェハチャックテーブル11の外側において対向配置さ
れた位置合わせ板13a、13bは、ウェハチャックテ
ーブルIIの半径方向に沿って出退自在に構成され、そ
の内側面は半導体ウェハ1の径と同径の円弧状基準面1
4a、14bに形成されている。
ウェハチャックテーブルll上にi3!!された半導体
ウェハ1に対して位置合わせ板13a、13bを同時に
同速度で接近移動させ、その円弧状基準面14a、14
bを半導体ウェハ1の外周面(円弧部)に当接させるこ
とにより、半導体ウェハ1の中心をウェハチャックテー
ブル11の回転中心と一致させるように位置決めし、こ
の位置決め後において半導体ウェハ1を真空吸引によっ
てウェハチャックテーブル11に吸着保持し、さらに吸
着保持の後に位置合わせ板13a、13bを半導体ウェ
ハlの外周面から離れるように復帰移動するように構成
しである。
オリエンテーションフラット検出手段3に対応した光電
素子15が、半導体ウェハlの下方近傍位置で、ウェハ
チャックテーブル11の回転中心から半導体ウェハlの
半径よりわずかに小さい距離だけ離れた位置に設けられ
ている。
この光電素子15は、パルスモーク12の駆動により半
導体ウェハ1を回転させた状態で、オリエンテーション
フラットlaの両端部(円弧部との境界点)lal、l
agを検出するもので、図示の状態での左側端部1a+
 は反時計方向回転時に、右側端部1a、は時計方向回
転時に検出する。いずれの場合も、オリエンテーション
フラットlaが光電素子15の直上を通過している状態
から円弧部に移った瞬間に検出信号を出力するようにな
っている。
この実施例の場合、オリエンテーションフラット1aの
検出に基づいて行う粗調整としての位置合わせのための
Iff方向へが、ウェハチャックテーブル11の回転中
心と光電素子15とを結ぶ方向に対して直角な方向とし
て定められている(第2図参照)。
さらに、この実施例の場合、一方向収束光学系5とライ
ン状撮像素子6との対からなる撮像手段が2紐設けられ
ており、第3図の図示の状態で左側に位置する第1の撮
像手段16aと右側に位置する第2の撮像手段16bと
は、それらの視野中心どうしが基準方向Aに平行な方向
に沿って所定の距離(Do:第4図参照)だけ離間した
状態で配置されている。この離間の方向をBで表すと、
この実施例の場合、離間方向日、!:基準方向Aとは同
じ方向となる(第2図(a)の状態)。
第1.第2の1最像手段16a、16bはそれぞれ、半
導体ウェハ1において前記の離間方向Bに沿って離れた
2箇所にある方形の第1.第2の撮影領域E、、E、か
らの各光束L+、Lxをとらえるものである。各撮影領
域E、、E、の各−辺は基準方向Aと平行であり、かつ
、同一直線上に位置している。
第4図に示すように、第1の撮像手段16aは、第1の
撮影領域E、からの光束り、を離間方向Bで収束して、
その離間方向Bに対する直角方向Cに沿った細長光束り
、Fとする第1の一方向収束光学系17aと、その細長
光束り、Fを入力する方向Cに沿った第1のラインイメ
ージセンサ18aとから構成されている。
そして、第1の一方向収束光学系17aは、半導体ウェ
ハIの表面から焦点距離だけ離れて位置する集光レンズ
19aと、この集光レンズ19aによって平行光束とな
った光束を離間方向Bで収束するシリンドリカルレンズ
20aと、その収束光束をさらに集光して第1のライン
イメージセンサ18a上に゛結像させる集光レンズ21
aとから構成されている。
第2の撮像手段16bも同様であり、第2の撮影領域E
xからの光束L2を離間方向Bで収束して、方向Cに沿
った細長光束L%とする第2の一方向収束光学系17b
と、その細長光束L!′を入力する方向Cに沿った第2
のラインイメージセンサ18bとから構成されている。
第2の一方向収束光学系17bは、前述同様の集光レン
ズ19bと、この集光レンズ19bによる平行光束を離
間方向Bで収束するシリンドリカルレンズ20bと、結
像用の集光レンズ21bとから構成されている。
このような構成により、各撮影領域EI、Exからの光
束L+、Lよは、離間方向Bでの収束によって光学的に
積分され細長光束り、、Lアとなった状態で各ラインイ
メージセンサ18a、18bに達する。
第3図に戻って、22は、CPU23.ROM24゜R
AM25およびインターフェイス26からなるマイクロ
コンピュータであり、このマイクロコンビエータ22は
、前述の回転制御手段4.ピーク間距離演算手段7およ
び補正回転量演算手段8に対応している。
マイクロコンピュータ22は、インターフェイス26を
介してパルスモータ12に回転量を出力する一方、パル
スモータ12から停止状態であるか否かの情報および停
止状態になるまでの回転量を入力したり、ラインイメー
ジセンサ18a、18bが検出した細長光束り、、I、
□′の画像信号のデータをインターフェイス26を介し
てf?AM25に格納するとともに、そのデータに基づ
いて半導体ウェハlの表面上でのピーク間距離DPPを
演算し、かつ、補正回転量αを演算して、その補正回転
量αをパルスモータ−12に出力するように構成されて
いる。
上述の制御プログラムや演算プログラムはROM24に
書き込まれている。
次に、この実施例の半導体ウェハの位置合わせ装置の動
作を第5図のフローチャートに基づいて説明する。
半導体ウェハ1がウェハチャックテーブル11に吸着保
持されると、マイクロコンピュータ22は、ステップS
Lからの動作を開始する。
ウェハチャックテーブル11が1回転することによりオ
リエンテーションフラット1aの端部の検出が必ず行わ
れるようにするために、反時計方向に360°の回転量
を設定し、その回転指令をパルスモーク12に出力する
(ステップSl)。
これによって半導体ウェハ1が反時計方向に回転される
が、その1回転中において、オリエンテーションフラッ
ト(フローチャートでは、略号“OF”で表す)laの
左側端部1a、が光電素子15によって検出されると(
ステップS2)、マイクロコンピュータ22はパルスモ
ータ12に停止指令を出力する(ステップS3)。
マイクロコンピュータ22は、パルスモーク12の停止
を確認すると(ステップS4)、今度は時計方向に36
0°の回転量を設定し、その回転指令をパルスモータ1
2に出力する(ステップS5)。
これによって半導体ウェハ1が時計方向に回転されるが
、その1回転中において光電素子15がオリエンテーシ
ョンフラット(OF)laの右側端部lawを検出する
と(ステップS6)、マイクロコンピュータ22はパル
スモータ12に停止指令ヲ出力する(ステップS7)。
マイクロコンビエータ22は、パルスモータ12の停止
を確認すると(ステップS8)、回転開始から回転停止
までの、すなわち左側端部1a、の検出から右側端部1
a、の検出までの時計方向での回転量θを読み取り(ス
テップS9)、その回転量θの2分の1だけ反時計方向
に回転させる回転量θ/2を設定し、パルスモータ12
に出力する(ステップ510)。
そして、パルスモータ12は、半導体ウェハlを左側端
部fa+から右側端部lagに向かう反時計方向にθ/
2だけ回転させた後に停止する。
これによっ°ζ、半導体ウェハlは、そのオリエンテー
ションフラットlaが、ウェハチャックテーブル11の
回転中心と光電素子15とを結ぶ方向に対して直角な基
準方向Aに平行となった姿勢で停止する。すなわち、オ
リエンテーションフラット1aを基準とした半導体ウェ
ハ1の粗調整としての位置合わせが完了する。
マイクロコンビエータ22は、パルスモータ12の停止
を確認すると(ステップ5ll)、第1.第2のライン
イメージセンサ18a、18t+から出力されA/D変
換された画像信号のデータを取り込む(ステップ512
)。
第6図に示すように、第1.第2の撮影領域E、、E、
でのパターンが例えば同図(a)。
(d)のようなものであるとすると、そこからの光束t
、I、L□は、第1.第2の一方向収束光学系17a、
17bにおける各シリンドリカルレンズ20a、20b
によって離間方向B(基準方向A)で収束されて光学的
に積分され、方向Cに沿った細長光束り、  ・ L!
/となってし)る。
その結果、この細長光束り、、L、’を入力した第1.
第2のラインイメージセンサ18a、18bからの画像
信号は、それぞれ同図(b)、(C)のようになり、半
導体ウェハ1における基準方向へにほぼ沿った方向のス
クライプラインに対応する位置にピークP+、Pgをも
つ。
マイクロコンピュータ22は、両画像信号のピーク間距
離であって半導体ウェハlの表面上での距離に換算した
ピーク間圧HD P Pを算出する(ステップ313)
、このピーク間圧N D P Pは、両撮影領域E、、
E、におけるスクライブライン交点Q l+Q2の方向
Cに沿った位置ずれ量である。
次に、マイクロコンビエータ22は、前記のピーク間距
離DPPと、予め判っていてRAM25に格納されてい
る両撮影領域E、、  E、間の離間方向B(基準方向
A)での離間距離(撮影領域間距離:両撮影領域E1.
巳2の視野中心間距離とするのが昔通である)Ditと
に基づいて、次式に従って補正回転量αを算出する(ス
テップ514)。
すなわち、第7図に示すように、スクライブライン交点
Q+ 、Qz間の距#Dは、ピーク間距離り2.が撮影
領域間距離D□に比べて充分に小さい(DPP(DEE
)ことから、DAD□と置くことができ、したがって、
補正回転量αは、 α=−jan−’ DEE によって求めることができる。
なお、ピーク間圧#Doは、実際には、第2のラインイ
メージセンサ18bのピーク位置P2から第1のライン
イメージセンサ18aのピーク位置P。
を減算し、その結果(PニーPl)に一定の係数kを乗
算したものである。また、補正回転量αの回転方向は、
時計方向を正方向とするものである。
マイクロコンピュータ22は、算出した補正回転量αを
パルスモータ12に出力する(ステップ515)、する
と、ウェハチャックテーブル11が補正回転量αだけ補
正回転され停止する。
これによって、半導体ウェハ1は、そのオリエンテーシ
ョンフラノ)laが基準方向へと平行な粗調整としての
位置合わせ状態から、素子パターンの一辺の方向Xが基
準方向A (fiiI1間方向B)に対して平行となる
状態まで回転されて停止し、微調整としての位置合わせ
が完了する。
本発明は、次のような構成のものも実施例として含む。
(1)上記実施例の場合、オリエンテーションフラン)
laの左側端部1a+、右側端部lagの検出に基づい
て行う粗調整としての位置合わせのための基準方向Aが
、ウェハチャックテーブル11の回転中心と光電素子1
5とを結ぶ方向に対して直角な方向として定められてい
たが、これ以外に、ウェハ回転手段2の回転中心とオリ
エンテーションフラット検出手段3とを結ぶ方向に対し
て一定の角度をなす方向を基準方向Aとして定め”ζも
よい。
(U)上記実施例の場合、第1の撮像手段16aと第2
の撮像手段16bとを基準方向へに平行な方向に沿って
離間させ、第1.第2のシリンドリカルレンズ20a、
20bの長さ方向を基準方向Aに対して直角な方向Cに
沿って配置して光束L+、Lxを基準方向Aで収束積分
し、ピーク間距離D P Pは方向Cのものとしたが(
第2図(a)参照)、これ以外に、第1.第2の撮像手
段16a、16bを方向Cに沿って離間させ、シリンド
リカルレンズ20a、20bの長さ方向を基準方向へに
沿って配置して光束L+、Lxを方向Cで収束積分し、
ピーク間距離DPPを基準方向へのものとしてもよい(
第2図(b)参照)。
([[I)上記実施例の場合、2箇所の撮影領域EE、
を黒影するところの対となった一方向収束光学系5およ
びライン状撮像素子6からなる撮像手段として、両ti
影領域E+、Exのそれぞれに対応してその2&Ilを
配置したが、それ以外に、その対を1組のみとし、それ
を一方の撮影領域E、から他方の撮影N域E、まで移動
するようにしてもよい、この場合の撮影領域間距離り、
は、撮像手段の移動距離とする。
〈発明の効果〉 本発明の半導体ウェハの位置合わせ装置によれば、従来
熟練と多大な時間とを要し′ζいた基準ウェハパターン
の登録作業からオペレータを解放することができ、殊に
、撮像素子に入力される光束を一方向収束光学系によっ
て収束し細長光束として入力するように構成しであるた
め、すなわら、予め光学的に積分しであるため、画像信
号の処理速度を高速化することができ、あわせて、撮像
手段としてライン状撮像素子の採用が可能となり、従来
のTVカメラに比べて大幅なコストダウンを回ることが
できるという効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の構成の理解を容易にする
ための概念図である。第3図ないし第7図は本発明の実
施例に係り、第3図は半導体ウェハの位置合わせ装置の
要部の構成を示す概略説明図、第4図は一方向収束光学
系およびライン状撮像素子からなる撮像手段を示す斜視
図、第5図は動作説明に供するフローチャー1・、第6
図はピーク間距離の算出方法の説明図、第7図は補正回
転量の算出方法の説明図である。 1・・・半導体ウェハ、la・・・オリエンテーション
フラット、1a+ ・・・オリエンテーションフラット
の左側端部、Iaz・・・オリエンテーションフラッド
の右側端部、2・・・ウェハ回転手段、3・・・オリエ
ンテーションフラット検出手段、4・・・回転制御手段
、5・・・一方向収束光学系、6・・・ライン状撮像素
子、7・・・ピーク間距離演算手段、8・・・補正回転
量演算手段、11・・・ウェハチャックテーブル、12
・・・パルスモータ、13a、13b−・・位置合わせ
板、14a。 14b・・・円弧状基準面、15・・・光電素子、16
a、 16b・・・撮像手段、17a、17b・・・一
方向収束光学系、18a、18b・、ラインイメージセ
ンサ、19a、 19b21a、21b・・・集光レン
ズ、20a、20b・・・シリンドリカルレンズ、22
・・・マイクロコンピュータ、23・・・CPU、24
・・・ROM、25・・・RAM、26・・・インター
フェイス、A・・・基準方向、B・・・両ti影領域の
離間方向、C・・・離間方向に対して直角な方向、Er
。 E2・・・撮影領域、LI、Lx・・・撮影領域からの
光束、L、、L、’・・・細長光束、D、・・・ピーク
間距離、Dtz・・・撮影領域間距離、α・・・補正回
転置部 3 図 出別人日東電工株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外周部にオリエンテーションフラットが形成され
    た半導体ウェハの位置合わせ装置であって、半導体ウェ
    ハの中心と回転中心とを一致させた状態で半導体ウェハ
    を保持して回転させるウェハ回転手段と、 このウェハ回転手段によって回転されている半導体ウェ
    ハのオリエンテーションフラットを検出するオリエンテ
    ーションフラット検出手段と、このオリエンテーション
    フラット検出手段によるオリエンテーションフラット検
    出に基づいてオリエンテーションフラットが所定の基準
    方向に対して平行となるよう前記ウェハ回転手段を制御
    する回転制御手段と、 半導体ウェハにおいて前記基準方向に対して平行または
    直角な方向に沿って離れた2箇所の撮影領域からの各光
    束を両撮影領域の離間方向で収束して、その離間方向に
    対する直角方向に沿った細長光束とする一方向収束光学
    系と、 前記細長光束を入力するライン状撮像素子と、このライ
    ン状撮像素子が検出した前記両細長光束の画像信号の半
    導体ウェハ表面上でのピーク間距離を求めるピーク間距
    離演算手段と、 前記両撮影領域間距離と前記ピーク間距離とに基づいて
    補正回転量を求めて前記回転制御手段に与える補正回転
    量演算手段 とを備えたことを特徴とする半導体ウエハの位置合わせ
    装置。
JP1004141A 1989-01-11 1989-01-11 半導体ウエハの位置合わせ装置 Pending JPH02184047A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1004141A JPH02184047A (ja) 1989-01-11 1989-01-11 半導体ウエハの位置合わせ装置

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JP1004141A JPH02184047A (ja) 1989-01-11 1989-01-11 半導体ウエハの位置合わせ装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5645391A (en) * 1992-06-05 1997-07-08 Tokyo Electron Limited Substrate transfer apparatus, and method of transferring substrates
JP2011040637A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd 検出方法、ウェーハ搬入方法および検出装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5645391A (en) * 1992-06-05 1997-07-08 Tokyo Electron Limited Substrate transfer apparatus, and method of transferring substrates
US5813819A (en) * 1992-06-05 1998-09-29 Tokyo Electron Limited Substrate transfer apparatus, and method of transferring substrates
JP2011040637A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd 検出方法、ウェーハ搬入方法および検出装置

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