JPH02181121A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガラス製基板と、このガラス製基板上に設け
たショットキー型非線形スイッチンク素子を備えてなる
液晶表示装置およびその製造方法に関する。

〔技術の背景〕

液晶表示装置において、解像度が高く精細な画像を表示
するた約には高密度のマ）　＋Ｊクス構成が必要とされ
る。このような要請に応える技術として、近年において
は、表示部の各画素をスイッチング素子によって直接的
に駆動する、いわゆるアクティブマトリクス表示が注目
されている。

斯かるスイッチング素子としては、従来、薄膜トランジ
スタ等の３端子素子、あるいは薄膜ダイオード、バリス
タ、ＭＩＭ＜金属層と絶縁層と金属層との積層体）等の
２端子素子が知られている。

しかし、薄膜トランジスタ等の３端子素子は、２端子素
子に比して構造が複雑であるため製造に手間を要し製造
コストが上昇する難点があり、斯かる観点からは２端子
素子が好ましい。一方、ノ＼リスタ、ＭＴＭよりなる２
端子素子は、しきい値電圧が相当に高いた杓大きな駆動
電圧を必要とし、その結果、消費電力が増大する問題点
がある。

これに対して、薄膜ダイオードよりなる２端子素子は、
構成が簡易で微細なマ）　ＩＪクス構造を有する液晶表
示装置を高い歩留まりで製造することが可能であり、ま
た表示品質が良好であるという利点を有している。特に
、ショットキー型非線形スイソチンク素子であるンヨッ
トキーダイオードの２個を直列かつ逆方向に接続してな
るノ＼ツク・トウ・ハック・ショットキーダイオードが
好ましい。

斯かるバンク・トウ・バック・ショットキーダイオード
の一例においては、それぞれ互いに離間した状態で基板
上に設けたショットキーハリアを形成する２つの第１電
極層と、これらの２つの第１電極層上に積層して設けた
半導体層と、この半導体層上に一体的に積層して設けた
第２電極層とを有してなる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記構成のハック・トウ・ノ＼ツク・ンヨット
キーダイオードにおいては、基板と第１電極層との接着
性が悪い問題がある。すなわち、基板としては透過率が
高くて平坦性の良いガラスが用いられ、第１電極層とし
ては上層の半導体層との間で良好なンヨ７）キーバリア
が形成される例えばパラジウム、白金、ニッケル等の金
属材料が選択されるが、これらの金属材料のガラス製基
板に対する接着性が悪いた杓に、その上層に形成された
半導体層から受ける応力により第１電極層がガラス製基
板面から剥離しやすい問題があり、結局、高い歩留りで
液晶表示装置を製造することができない。

本発明は、以」二の如き事情に基づいてなされたもので
あって、その目的は、良好なンヨｙ）キーバリアを有し
ながら第１電極層とガラス製基板との接着性を十分にす
ることができる液晶表示装置およびその製造方法を提供
することにある。

〔課題を解決するた狛の手段〕

上記目的を達成するた約、本発明の液晶表示装置は、ガ
ラス製基板と、このガラス製基板上に設けたショットキ
ー型非線形スイノチンク素子を備えてなる液晶表示装置
において、前記ンヨソトキー型非線形スイッチング素子
は、ガラス製基板上に設けた／ヨントキーハリアを形成
する第１電極層と、この第１電極層上に設けた半導体層
と、この半導体層上に設けた第２電極層とを有してなり
、前記第１電極層は、少なくとも前記ガラス製基板に接
触する部分が当該第１電極層を構成する金属のシリサイ
ドよりなることを特徴とする。

本発明の製造方法は、第１電極層を構成する金属の薄膜
とアモルファスノリコンの膜との積層体をガラス製基板
上に形成し、前記積層体を加熱処理することにより、前
記金属のシリサイドを形成する工程を含むことを特徴と
する。

〔作用〕

本発明の液晶表示装置によれば、第１電極層の少なくと
もガラス製基板に接触する部分が当該第１電極層を構成
する金属のノリサイトよりなるので、当該第１電極層の
ガラス製基板に対する接着性が十分となり、製造工程に
おいて上層の半導体層から応力を受けるときにも当該第
１電極層が剥離せず安定な層構造が維持され、信頼性の
高いショットキー型非線形スイッチング素子を構成する
ことができる。

また、本発明の製造方法によれば、ガラス製基板上に第
１電極層を構成する金属の薄膜とアモルファスノリコン
の膜との積層体を設けた後、この積層体を加熱処理して
当該金属のシリサイドを形成するので、簡単な製造工程
により第１電極層とガラス製基板との接着性の向上を図
ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

（実施例１） 本実施例においては、第１図および第２図に示ずように
、ガラス製基板１０と、このガラス製基板１０上に設け
たノヨソトキー型非線形スインチング素子２０を備えて
なる液晶表示装置において、ショットキー型非線形スイ
ッチング素子２０を、ガラス製基板１０上にそれぞれ互
いに離間した状態で積層して設けた、その全体が第１電
極層を構成する金属のソリサイドよりなりンヨントキー
ハリアを形成する２つの第１電極層３１．．３２　と、
これらの第１電極層３１．３２上に一体的に積層して設
けた半導体層４０と、この半導体層４０上に積層して設
けた第２電極層５０とにより構成する。６０はＩＴＯ膜
よりなる画素電極である。７０は走査電極であり、一方
の第１電極層３２に一体的に連続して伸びている。

この例のンヨットキー型非線形スイッチング素子２０は
、直列かつ逆方向に接続された一対の薄膜グイオートよ
りなるハック・トウ・ハック・ショットキーダイオード
よりなる。

ガラス製基板１０としては、溶融石英、ホウケイ酸ガラ
ス、ｒ７０５９ガラス」　（コーニンク社製）、「テン
パンクスガラス」　（イエナー社製）等を用いることが
できる。

第１電極層３１．３２を構成する金属としては、その上
層の半導体層４０との間に有効なンヨットキバリアが形
成される金属から選択されるが、具体的には、パラジウ
ム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎ１）等を好ま
しく用いることができる。

第１電極層を構成する金属のソリサイドの形成手段とし
ては、り１）第１電極層を構成する金属の薄膜をガラス
製基板１０上に形成し、この金属の薄膜上にアモルファ
スシリコンの膜を形成し、これらの金属の薄膜およびア
モルファスシリコンの膜の両者を加熱処理する手段、（
２）第１電極層を構成する金属とシリコンとを共蒸着し
てその蒸着膜をガラス製基板１０上に形成する手段、等
を採用することができる。

本実施例では第１電極層３１．３２の全体が第１Ｎ極層
を構成する金属のソリサイドよりなるが、この金属のソ
リサイドは、電極としての機能を十分に果たすとともに
、その上層の半導体層４０との間で良好なショットキー
バリアを形成できるものである。第１電極層３１．３２
の厚さは５０人〜５０００人程度である。

半導体層４０は、メイン層４１と、上層の高ドープ層４
２との２層構成であり、メイン層４１はｎ型半導体層に
より構成され、上層の高ドープ層４２はｎ゛型半導体層
により構成されている。なお、高ドープ層４２は、第２
電極層５０とのオーミック接触を形成するたｔのもので
ある。

半導体層４０のメイン層４１および高ドープ層４２を構
成する材料としては、各層の目的に応じて選択される。

具体的には、例えば不純物を含まない水素化アモルファ
スシリコン（ａ　−３ｉ　：　Ｈ）　、リン（Ｐ）ある
いはヒ素（Ａｓ）等を不純物として含む水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉＰ　：　Ｈ，ａＳ１Δｓ：Ｈ）
、フッ素化水素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉＦ　
：　Ｈ）　、ポリシリコン、水素化アモルファスシリコ
ンカーバイド（ａ−３ｉＣ：Ｈ）、水ｌ化アモルファス
窒化ンリコン（ａ−３ｉＮ：Ｈ）、水素化アモルファス
シリコンゲルマニウム（ａＳｉＧｅ　：　Ｈ）、テルル
（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）等を用いることができる。半
導体層４０の厚さは１０００人〜３μｍ程度である。

第２電極層５０は、」１記半導体層４０の上面に一体的
にすなわち一対の薄膜ダイオードに共通となるように積
層されている。第２電極層５０の構成材料は、半導体層
４０の上面に積層して当該半導体層４０との間にオーミ
ック接触を形成できる材料、あるいは当該半導体層４０
とこれに積層された第２電極層５０との間に形成される
ショットキーバリアの大きさが、第１電極層３１．３２
と半導体層４０との間に形成されるンヨソトキーバリア
の大きさより低い材料であればよい。具体的には、クロ
ム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ
）、アルミニウム（Ａ１）、モリブデン（ＭＯ）、マク
ネシウム（Ｍｇ）等の金属材料を用いることができる。

第２電極層５０の厚さは５０人〜５０００人程度である
。

本実施例の液晶表示装置によれば、第１電極層３１．３
２の全体が第１電極層を構成する金属のソリサイドより
なるので、半導体層４０との間で良好なショットキーバ
リアを形成できるとともに、ガラス製基板１０との接着
性が十分となり、その結果、製造工程において上層の半
導体層４０から応力を受けるときにも第１電極層３１．
３２が剥離せず安定な層構造が維持され、信頼性の高い
ンヨソトキー型非線形スイソチンク素子２０を構成する
ことがてきる。

（実施例２〉 本実施例においては、第１図および第２図に示した構成
の液晶表示装置を製造するに際して、下記の工程を経由
してンヨットキー型非線形スイッチンク素子を製造する
。

（１）ガラス製基板１０の一面にスパッタリング法によ
り厚さ５００人程０のＩＴＯ膜を形成し、これをパター
ニングし７ＩＴ○膜よりなる画素電極６０を形成する。

（２）第１電極層を構成する金属としてパラジウムを用
い、この画素電極６０を含むガラス製基板１０の一面上
に、電子ビーム蒸着法により厚さ５００人程０のパラジ
ウム膜を形成し、これをパターニングする。このパター
ニングにおいては、最終的に第１Ｎ極層３１，３２とな
る部分とともに、他方の第１電極層３２と一体的に伸び
て走査電極７０となる部分を形成する。

（３）パターニングされたパラジウム膜を含むガラス製
基板１０の一面上に、プラズマＣＶＤ法により厚さ１０
００人程度０シリサイド形成用のａ−３ｉ：Ｈ膜を形成
する。

（４）これらのパラジウム膜およびａ−３ｉ：Ｈ膜を、
高真空雰囲気下において温度２５０℃で６０分にわたり
加熱処理して、パラジウムのソリサイドからなる膜（以
下「パラジウムシリザイド膜」という。）に変化させる
。

（５）上記バラジウムンリサイド膜を含むガラス製基板
１０の一面上に、厚さ０．９μ贋程度のｎ型のａＳｉ：
Ｈ膜を形成する。

（６）さらにこのｎ型のａ　−３ｉ　：　Ｈ膜の上面に
厚さ１０００人程度０シ“型のａ−３ｉ：Ｈ膜を形成す
る。

（７）上記ｎ＋型のａ−５ｉ：Ｈ膜の上面に、スパッタ
リング法により厚さ１０００人程度０シロム膜を形成す
る。

（８）このクロム膜をパターニングして第２電極層５０
を形成する。

（９）次いて、ｎ＋型のａ−５ｉ：Ｈ膜、ｎ型のａＳｉ
：Ｈ膜およびソリサイド形成用のａ　−３ｉ　：　Ｈ膜
をパターニングして、半導体層４０、第１電極層３１３
２、走査電極７０を形成する。

本実施例の製造方法によれば、ガラス製基板１０上に第
１電極層を構成する金属であるパラジウム膜を形成し、
この上にシリサイド形成用のａ　−３ｉ：Ｈ膜を形成し
、両者を加熱処理することによりバラシウムンリサイド
膜に変化させるので、簡単な手段により、ガラス製基板
１０との接着性の十分な第１電極層３１．３２を形成す
ることができる。

（実施例３） 本実施例においては、第３図に示すように、方の第１電
極層３１を下層３１．Ａと上層３１Ｂとの二層構成とし
、ガラス製基板１０と接触する下層３１Ａを当該第１電
極層を構成する金属のソリサイドにより構成し、と層３
１．８を当該第１電極層を構成する金属のみにより構成
し、他方の第１電極層３２も同様の下層３２Ａと上層３
２Ｂとの二層構成としたほかは、既述の実施例１と同様
にしてンヨットキー型非線形スイッチング素子２０を構
成する。

本実施例の液晶表示装置によれば、第１Ｎ極層３１．３
２　とガラス製基板１０との接着性が十分となるうえ、
これらを二層構成としたので、半導体層４０との間で十
分なンヨットキーバリアを形成することができる。また
、一体的に形成される走査電極７０の抵抗を小さくする
こともできる。

（実施例４） 本実施例においては第３図に示した構成の液晶表示装置
を製造するに際して、下記の工程を経由してショットキ
ー型非線形スイッヂング素子を製造する。

（１）ガラス製基板１０の一面にスパッタリング法によ
り厚さ５００人程０のＩＴ○膜を形成し、これをパター
ニングしてＩＴ○膜よりなる画素電極６０を形成する。

（２）第１電極層を構成する金属としてパラジウムを用
い、この画素電極６０を含むガラス製基板１０の面上に
、電子ビーム蒸着法により厚さ５００人程次のパラ／ラ
ム膜を形成する。

（３）パターニングされたパラジウム膜を含むガラス製
基板１０の一面上に、プラズマＣＶＤ法により厚さ１０
００人程度０ソリサイド形成用のａ−３ｉ・■」膜を形
成する。

（４）これらのパラ／ラム膜およびａ　−３ｉ　：　Ｈ
膜を、高真空雰囲気下において温度２５０℃で６０分に
わたり加熱処理して、パラジウムシリサイド膜に変化さ
せる。

〈５）上記パラジウムシリサイド膜を含むガラス製基板
１０の一面上に、電子ビーム蒸着法により厚さ５００人
程次のパラジウム膜を形成する。

（６）このパラジウム膜をパターニングし、次いでパラ
ジウムシリサイド膜をパターニングして、下層３１Ａ、
　３２Ａと上層３１Ｂ、　３２Ｂとの二層構成の２つの
第１電極層３１．３２と、他方の第１電極層３２と体的
に伸びる同様の二層構成の走査電極７０とを形成する。

（７）第１電極層３１．３２を含むガラス製基板１０の
面上に、厚さ０．９μ贋程度のｎ型のａ−３ｉ：Ｈ膜を
形成する。

（８）さらにこのｎ型のａ　−３ｉ　：　Ｈ膜の上面に
厚さ１０００人程度０ン゛型のａ−３ｉ：Ｈ膜を形成す
る。

（９）上記ｎ゛型のａ　−３ｉ　：　Ｈ膜の上面に、ス
パッタリンク法により厚さ１０００人程度０ンロム膜を
形成する。

（１０）このクロム膜をパターニングして第２電極層５
０を形成する。

（１１）次いて、ｎ＋型のａ−３ｉ：Ｈ膜およびｎ型の
ａ　−３ｉ　：　Ｈ膜をパターニングして半導体層４０
を形成する。

本実施例の製造方法によれば、第１電極層３１３２を下
層と上層に分割して、下層３１Ａ、　３２Ａをパラジウ
ムシリサイド膜により構成し、上層３１Ｂ。

３２Ｂをパラジウム膜により構成したので、半導体層４
０との間で十分なショットキーバリアを形成できるとと
もに、ガラス製基板１０との十分な接着性を確保するこ
とができる。

（実施例５） 本実施例においては第４図および第５図に示すように、
画素電極６０を第１電極層３１．３２と同様の材料すな
わち第１電極層を構成する金属のシリサイドよりなる構
成としたほかは既述の実施例１と同様にしてンヨントキ
ー型非線形スイッチング素子２０を構成する。なお、一
方の第１電極層３１と画素電極６０とは一体的に連続し
て形成されており、他方の第１電極層３２と走査電極７
０とは一体的に連続して形成されている。

本実施例の構成の液晶表示装置によれば、第１電極層３
１．３２　とガラス製基板１０との接着性が十分となる
うえ、画素電極６０の構成材料を第１電極層３１．３２
と同一としたので、第１電極層３１．３２と画素電極６
０を同一の工程で一挙に形成できる利点がある。

（実施例６） 本実施例においては第４図および第５図に示した構成の
液晶表示装置を製造するに際して、下記の工程を経由し
てンヨソトキー型非線形スイッチンク素子を製造する。

（１）ガラス製基板１０の一面にスパンタリング法によ
り厚さ３００人程次のパラジウム膜を形成し、これをパ
ターニングして、第１電極層用部分、画素電極用部分、
走査電極用部分を形成する。

（２）このパターニングされたパラジウム膜を含むガラ
ス製基板１０の一面上に、プラズマＣＶＤ法により厚さ
１０００人程度０ンリサイド形成用のａ　−３ｉ：Ｈ膜
を形成する。

（３）これらのパラジウム膜およびａ　−３ｉ　：　Ｈ
膜を、高真空雰囲気下において温度２５０℃で６０分に
わたり加熱処理して、パラジウムシリサイド膜に変化さ
せる。

（４）上記パラジウムシリサイド膜を含むガラス製基板
１０の一面上に、厚さ０．９μ贋程度のｎ型のａＳＩ　
Ｈ膜を形成する。

（５）さらにこのｎ型のａ−３ｉ：Ｈ膜の上面に厚さ１
０００人程度０ン゛型のａ−３ｉ：Ｈ膜を形成する。

（６）上記ｎ″′型のａ　−３ｉ　：　Ｈ膜の上面に、
スパンタリング法により厚さ１０００人程度０ンロム膜
を形成する。

（７）このクロム膜をパターニングして第２電極層５０
を形成する。

（８）次いで、ｎ＋型のａ−３ｉ：Ｈ膜、ｎ型のａＳｉ
：Ｈ膜およびシリサイド形成用のａ　−３ｉ　：　Ｈ膜
をパターニングして、半導体層４０、第１電極層３１３
２、画素電極６０、走査電極７０を形成する。

以上の製造方法によれば、ガラス製基板１０上に形成し
たパラジウム膜と、この上に形成したソリサイド形成用
のａ−３ｉ：Ｈ膜とを加熱処理することにより、パラジ
ウムシリサイド膜よりなる第１電極層３１．３２と、画
素電極６０と、走査電極７０とを一挙に形成するので、
製造工程を簡略化することができる。

（実施例７） 本実施例においては、第６図に示すように、画素電極６
０を、第１電極層３１．３２の下層３１Ａ、　３２Ａと
同様の材料すなわち第１電極層を構成する金属のシリサ
イドよりなる構成としたほかは既述の実施例３と同様に
してショットキー型非線形スイッチンク素子２０を構成
する。なお、一方の第１Ｎ極層３１の下層３１Ａと画素
電極６０とは一体的に連続して形成されており、他方の
第１電極層３２の下層３２Ａと走査電極７０とは一体的
に連続して形成されている。

本実施例の液晶表示装置によれば、第１電極層３１．３
２の下層３１Ａ、　３２Ａによりガラス製基板１０との
接着性が十分となるうえ、画素電極６０の構成材料を第
１電極層３１．３２の下層３１Ａ、　３２Ａと同一とし
たので、これらの下層３１Ａ　　３２Ａと画素電極６０
を同一の工程で一挙に形成できる利点がある。

（実施例８） 本実施例においては第６図に示した構成の液晶表示装置
を製造するに際して、下記の工程を経由してショットキ
ー型非線形スイッチング素子を製造する。

（１）ガラス製基板１０の一面上にスパッタリング法に
より厚さ１００人程次のパラジウム膜を形成する。

（２）このパラジウム膜を含むガラス製基板１０の面上
に、プラズマＣＶＤ法により厚さ１０００人程度０シリ
サイド形成用のａ−３ｉ：Ｈ膜を形成する。

（３）これらのパラジウム膜およびａ−３ｉ：Ｈ膜を、
高真空雰囲気下において温度２５０℃で６０分にわたり
加熱処理して、パラジウムシリサイド膜に変化させる。

（４）上記パラジウムシリサイド膜をパターニングして
、第１電極層の下層３１Ａ、　３２Ａと、一方の下層３
１Δと一体的に伸びる画素電極６０と、他方の下層３２
Ａと一体的に伸びる走査電極７０を形成する。

すなわち、画素電極６０および走査電極７０は、パラジ
ウムシリサイド膜よりなる。

（５）パターニングされたパラジウムシリサイド膜を含
むガラス製基板１０の一面上に、スパッタリング法によ
り厚さ５００人程次のパラジウム膜を形成し、これをパ
ターニングして、第１電極層３１．３２の上層３１Ｂ、
３２Ｂを形成する。

（６）これら第１Ｎ極層３１．３２を含むガラス製基板
１０の一面上に、厚さ０．９μｍ程度のｎ型のａ−３ｉ
：Ｈ膜を形成する。

（７）さらにこのｎ型のａ　−３ｉ　：　Ｈ膜の上面に
厚さ１０００人程度０シ゛型のａ−３ｉ：Ｈ膜を形成す
る。

（８）上記ｎ″−型のａ−３ｉ：Ｈ膜の上面に、スパッ
タリング法により厚さ１０００人程度０シロム膜を形成
する。

（９）このクロム膜をパターニングして第２電極層５０
を形成する。

（１０）次いで、ｎ＋型のａ−３ｉ：Ｈ膜およびｎ型の
ａ　−３ｉ　：　Ｈ膜をパターニングして半導体層４０
を形成する。

本実施例の製造方法によれば、ガラス製基板１０上に形
成したパラジウム膜と、この上に形成したシリサイド形
成用のａ−３ｉ：Ｈ膜とを加熱処理することにより、パ
ラジウムシリサイド膜よりなる第１電極層３１．３２の
下層３１Ａ、　３２Ａと、画素電極６０とを一挙に形成
するので、製造工程を簡略化することができる。

以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明の
実施の態様が既述の実施例に限定されるものではない。

すなわち、以下の態様を採用してもよい。

（１）実施例２．４．６８のパラジウムシリサイド膜を
形成する工程において、ガラス製基板上に、最初にシリ
サイド形成用のａ　−８ｉ　：　Ｈ膜を形成し、このａ
　−３ｉ　：　Ｈ膜の上に、第１電極層を構成する金属
であるパラジウム膜を形成した後、これらの積層体を加
熱処理して、当該金属のシリサイドを形成してもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の液晶表示装置によれば、
ンヨソトキー型非線形スイッチング素子の第１電極層の
少なくともガラス製基板に接触する部分が当該第１電極
層を構成する金属のシリサイドよりなるので、第１電極
層とガラス製基板との接着性が十分となり、製造工程に
おいて上層の半導体層から応力を受けるときにも第１電
極層が剥離せず安定な層構造が維持され、信頼性の高い
液晶表示装置を製造することができる。

また、本発明の製造方法によれば、ガラス製基板上に、
第１電極層を構成する金属の薄膜とアモルファスシリコ
ンの膜との積層体を設け、この積層体を加熱処理して当
該金属のシリサイドを形成するので、簡単な製造工程に
より第１Ｎ極層とガラス製基板との接着性を向上させる
ことができ、信頼性の高い液晶表示装置を高い歩留りで
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は液晶表示装置を示す説明用平面図
および断面図、第３図は液晶表示装置の他の例を示す説
明用断面図、第４図および第５図は液晶表示装置のさら
に他の例を示す説明用平面図および断面図、第６図は液
晶表示装置のさらに他の例を示す説明用断面図である。 １０・・・ガラス製基板 ２０・・・ショットキー型非線形スイッチング素子３１
、３２・・・第１電極層　　３１Ａ、　３２Ａ・・・下
層３１Ｂ、　３２Ｂ・・・上層　　　４０・半導体層４
１・・・メイン層　　　　　４２・・・高ドープ層５０
・・・第２電極層　　　　６０・・・画素電極７０・・
・走査電極 く−←コ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラス製基板と、このガラス製基板上に設けたシ
   ョットキー型非線形スイッチング素子を備えてなる液晶
   表示装置において、 前記ショットキー型非線形スイッチング素子は、ガラス
   製基板上に設けたショットキーバリアを形成する第１電
   極層と、この第１電極層上に設けた半導体層と、この半
   導体層上に設けた第２電極層とを有してなり、 前記第１電極層は、少なくとも前記ガラス製基板に接触
   する部分が当該第１電極層を構成する金属のシリサイド
   よりなることを特徴とする液晶表示装置。
2. （２）第１電極層を構成する金属の薄膜とアモルファス
   シリコンの膜との積層体をガラス製基板上に形成し、前
   記積層体を加熱処理することにより、前記金属のシリサ
   イドを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に
   記載の液晶表示装置の製造方法。