JPH02173266A - A1―炭化物系複合皮膜の形成方法 - Google Patents

A1―炭化物系複合皮膜の形成方法

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JPH02173266A
JPH02173266A JP32773188A JP32773188A JPH02173266A JP H02173266 A JPH02173266 A JP H02173266A JP 32773188 A JP32773188 A JP 32773188A JP 32773188 A JP32773188 A JP 32773188A JP H02173266 A JPH02173266 A JP H02173266A
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JP
Japan
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elements
composite film
film
alloy
carbide composite
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Pending
Application number
JP32773188A
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English (en)
Inventor
Akira Ishida
章 石田
Atsushi Takei
厚 武井
Haruo Doi
土肥 春夫
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National Research Institute for Metals
Original Assignee
National Research Institute for Metals
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、Al−炭化物系複合皮膜の形成方法に関す
るものである。さらに詳しくは、この発明は、Al合金
上に耐牽耗性の優れたセラミック皮膜を安価にかつ簡便
に形成することのできるAl−炭化物系複合皮膜の形成
方法に関するものである。
(従来の技術とその課題) 従来より、自動車部品、各種機械、工具の摺動部等には
Fe系金属材が使用されていたが、近年ではその軽量化
を図るために、Al合金材が使用されるようになってき
ている。この場合、Al合金材はFe系金属材に比べて
iljtm粍性が劣るので、その表面に窒化処理やイオ
ン注入などを施してAlNやTiC等のセラミック皮膜
を形成し、耐牽耗性を付与するようにしている。
しかしながら、これまでのセラミック皮膜の形成方法で
は、皮膜を構成するセラミック成分の量を制御してその
皮膜を所望の厚さと特性を有するものに形成することが
困難であり、十分な耐牽耗性を発揮するセラミック皮膜
を安価に形成することができないのが実状である。たと
えば、イオン注入法による場合には、注入できるセラミ
ック成分の量や深さに限界があるので、充分な耐摩耗性
を発揮するセラミック皮膜を形成することができない。
この発明は、以上の通りの事情を踏まえてなされたもの
であり、AlまたはAl合金上にセラミック皮膜を形成
するにあたり、その皮膜成分の量を簡便に制御できるよ
うにし、耐鷹耗性に優れた皮膜を安価にかつ容易に形成
できる方法を提供することを目自勺としている。
(課題を解決するための手段) この発明は、上記の目的を実現するため、炭化物を形成
しやすい元素、Alおよび炭化水素の混合蒸気をプラズ
マ化学反応させ、Al合金上にAl−炭化物系複合皮膜
を形成することを特徴とするAl−炭化物系複合皮膜の
形成方法を提供する。
この発明の方法においては、AlまたはAl合金の耐摩
耗性を向上させる皮膜として、炭化物を形成しやすい元
素の蒸気、At蒸気および炭化水素ガスからなる混合蒸
気をプラズマ化学反応させ、Alと炭化物とからなる複
合皮膜を形成する。
この場合、炭化物を形成しやすい元素としては、その炭
化物が高い硬度を有するものを使用する。
このような元素としては、Ti等のIV、a族元素、V
等のva族元素、Cr 、 M o等のVl a族元素
、SiあるいはBを使用することができ、これらはいず
れか一種を使用しても複数種を混合便用してもよい。
一方、Alは、それ自体は炭化物を形成し難いが、上記
の炭化物と複合皮膜を形成し、それにより基材であるA
l合金とその上に形成する皮膜との間に脆い中間層が生
成するのを防止し、皮膜と基材との密着性を向上させる
ものとして使用する。
これにより、優れた耐摩耗性皮膜を所望の厚さに形成す
ることができる。
このAlや炭化物を形成しやすい元素を蒸気とする方法
には特に制限はなく、プラズマ化学反応を行う反応装置
等に応じて、抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱等
を行えばよい。またこれらの蒸気を混合状態とするに際
しては、Alとの炭化物を形成しやすい元素を別個に蒸
発させて混合してもよく、Al−Ti合金のような合金
をMuさせるようにしてもよい。
混合蒸気の成分とする炭化水素としては、プラズマ中で
炭素と水素とに分解するものであれば、その種類に特段
の制限はないが、容易に分解し、安価に入手できるもの
が好ましい。このような炭化水素としては、アセチレン
、エチレン、メタン等の低級炭化水素を例示することが
できる。
混合蒸気をプラズマ化学反応させる方法としては、熱電
子放出形、二極放電形、磁場収束形、無電極放電形等の
公知のプラズマ発生法を任意に採用し、イオンブレーテ
ィング法等の適宜な方法を採用することができる。その
際、反応の活性化あるいはイオン化の促進を図り、皮膜
組織を微細化し、皮膜硬度が向上するように条件を設定
することが好ましい。例えば、直流電界バイアス方式に
よるイオンブレーティング法を利用する場合には、プロ
ーブ電極に30〜150 Vの正のバイアス電圧を印加
するのが好ましい。また、コーティング温度は、組織の
粗大化による硬度の低下を防止するため、200℃以下
とするのが好ましい。
以下、この発明を実施例に基づいて具内的に説明する。
(実施例) 7 X 10−’Torr  のアセチレンガス中でA
l−30%Ti合金を蒸発源としてイオンブレーティン
グ法によりAl合金に皮膜を形成した。
この場合、まずイオンブレーティング装置内を排気し、
Al−30%Ti合金を電子ビームにより溶解蒸発させ
、次にアセチレンガスを装置内に導入し、Tiのみにプ
ラズマ化学反応を起こさせた。その際、混合蒸気の気体
粒子のイオン化を促進させて反応の活性化と皮膜組繊の
微細1ヒを図るために、蒸発源の真上にプローブ電極を
置き、その、グローブ電極に50Vの正の直流バイアス
電圧を印加した。また、コーティング温度は200℃と
した。
得られた皮膜についてEPMAによる組成分析を行なっ
たところ、Ti:C:Atの原子比は31:55:14
であった。また、X線回折分析を行ない、第1図に示し
たような回折結果を得た。
これにより、得られた皮膜は、Alと T i Cとの複合皮膜であることが確認できた。
また、硬度を測定したところ、ビッカース高度で150
0と高い値を示した。
(発明の効果) この発明によれば、AlL合金上に、 Al=炭化物系複合皮膜をその皮膜成分を所、¥I!2
量に制御しつつ簡便に形成することができるので、耐摩
耗性に優れた皮膜を安価にかつ容易に製造することが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の実施例の皮膜のX線回折パターン
である。 第 2e (Cu 一

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)炭化物を形成しやすい元素、Alおよび炭化水素
    の混合蒸気をプラズマ化学反応させ、Al合金上にAl
    −炭化物系複合皮膜を形成することを特徴とするAl−
    炭化物系複合皮膜の形成方法。
  2. (2)炭化物を形成しやすい元素として、IVa族元素、
    Va族元素、VIa族元素、SiおよびBの少なくとも一
    種を使用する請求項(1)記載のAl−炭化物系複合皮
    膜の形成方法。
  3. (3)炭化水素として、低級炭化水素を使用する請求項
    (1)記載のAl−炭化物系複合皮膜の形成方法。
JP32773188A 1988-12-27 1988-12-27 A1―炭化物系複合皮膜の形成方法 Pending JPH02173266A (ja)

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